Medicion de la Resistividad Especfica de una

Muestra Plana Aplicando el Metodo de Van der

Pauw

Resumen
El proposito de este trabajo es llevar acabo la comprobacion del metodo de van
der Pauw como una alternativa de medir la resistividad de una muestra plana
y homogenea en espesor, para ello se utilizo dos muestras de formas diferentes
(circular y rectangular) de un mismo material.

Introducci
on
La resistividad especfica de un material conductor se puede medir usando di-
ferentes tecnicas, cada una de ellas depende de diferentes requerimientos, entre
ellas tenemos:

M
etodo b
asico
el modo mas com un de encontrar la resistividad de un material conductor
es usar una muestra rectangular de dimensiones conocidas, la resistividad viene
dada por la expresi on = RA/L donde L es la longitud, A la seccion transversal
y R la resistencia de la muestra. Una desventaja del metodo basico es que tam-
bien incluira un termino de resistencia de contacto, que para semiconductores
puede ser apreciable.

M
etodo de dos Puntas
El efecto de la resistencia de contacto puede ser eliminado por uso de la prueba
de dos puntos si la secci
on transversal del especimen es relativamente uniforme.
Las restricciones en la medida son que la corriente debe permanecer suficien-
temente baja para prevenir el calentamiento de la muestra, el voltmetro debe
tener una alta impedancia de entrada y las mediciones deberan ser hechas su-
ficientemente lejos de los contactos. Si se tiene una distribucion de la cantidad
dV /dx a lo largo de la muestra la resistividad puede ser calculada aplicando

1
 on = A
la siguiente relaci dV
I dx donde A es la secci on transversal, I la corriente,
V la diferencia de potencial y x la distancia a lo largo de la superficie [1]

M
etodo de cuatro puntas
En la industria de los semiconductores la tecnica generalmente mas usada para
medir la resistividad es la tecnica de cuatro puntas. Este metodo es normalmente
no destructivo, sin embargo, los puntos de prueba pueden da nar ciertos materia-
les semiconductores cuando la presion de prueba es excesiva. La geometra usual
es colocar los puntos de prueba en una lnea con igual espaciado. La corriente
debe pasar a traves de las dos puntas exteriores y el potencial se debe medir en
2(V /I)
las otras dos puntas. La relacion general es = 1/S1 +1/S3 1/(S 1 +S2 )1/(S2 +S3 )
donde Si es el espaciamiento de las puntas, V diferencia de potencial y I corrien-
te. Esto se puede reducir a = 2SV /I si se toman los espaciamientos iguales
[1].
Un metodo no destructivo y valido para muestras conductoras de forma
arbitraria es el metodo de Van der Pauw el cual se describira a continuacion

M
etodo de Van der Pauw
Este metodo permite determinar la resistividad especfica de una muestra plana
de forma arbitraria, mientras las siguientes condiciones sean satisfechas [2]:
a) Los contactos deben estar en el permetro de la muestra.
b) Los contactos deben ser lo suficientemente peque nos.
c) La muestra debe ser homogenea en espesor.
d) La superficie de la muestra esta conectada singularmente, es decir, la
muestra no debe tener huecos.

Teorema que se cumple para una muestra plana de forma

arbitraria
Consideremos una muestra plana de un material conductor de forma arbitraria
con los contactos sucesivos A,B,C y D colocados en lugares arbitrarios a lo largo
de la periferia, de tal forma que las condiciones antes mencionadas (a) hasta (d)
sean satisfechas (ver fig. 1). Definimos la resistencia RAB,CD como la diferencia
de potencial entre los contactos D y C por unidad de corriente a traves de los
contactos A y B. La corriente ingresa a la muestra a traves del contacto A y
sale a traves del contacto B (ver fig. 1). Similarmente, definimos la resistencia
RBC,DA . Se demuestra que la siguiente relacion cumple:

e(RAB,CD d/) + e(RBC,DA d/) = 1 (1)

donde es la resistencia especfica del material y d es el espesor de la muestra.
Para probar la ecuaci on (1) deberamos demostrar primero que se cumple
para una forma particular de la muestra. El segundo paso es probar que, si se

2
Figura 1: Una muestra de forma arbitraria con cuatro contactos peque nos colo-
cados arbitrariamente a lo largo del permetro de la muestra y las equivalencias
respectivas de y .

cumple para una forma particular, se cumplira para una forma cualquiera. Nues-
tra forma particular a elegir sera un semiconductor plano con contactos P ,Q,R
y S a lo largo de su frontera, espaciados las distancias a,b y c respectivamente
(ver fig.2). Una corriente ingresa a la muestra por el contacto P y sale a traves
del contacto Q. De la teora elemental se sigue que

j (a + b)(b + c)
VS VR = ln
d b(a + b + c)

Por lo tanto,

(a + b)(b + c)
RP Q,RS = ln (2)
d b(a + b + c)
De la misma forma, tenemos

(a + b)(b + c)
RQR,SP = ln (3)
d ca
Por otro lado,

b(a + b + c) + ca = (a + b)(b + c) (4)

De las ecuaciones (2), (3) y (4), la ecuacion (1) queda demostrada inmedia-
tamente.
Usando los mismos argumentos se puede tambien demostrar que

RP Q,RS = RRS,P Q (5)

RQR,SP = RSP,QR (6)

3
Figura 2: Una muestra en forma de un plano semi-infinito con cuatro contactos
a lo largo de su frontera para el cual la ecuacion (1) es probada primero.

RP R,QS = RQS,P R (7)

RP Q,SR + RQR,SP + RP R,QS = 0 (8)

Las ultimas cuatro relaciones, sin embargo, son de una naturaleza mucho mas
general que (1) y se sigue del teorema de reciprocidad de multipolos pasivos.
Ahora procederemos con el segundo paso y mostrar que la ecuacion (1) se
cumple de manera m as general. Para este fin hacemos uso de la bien conocida
tecnica del mapeo conformal1 de campos bidimensionales. Asumiendo que la
muestra semi-infinita considerada anteriormente coincide con la parte superior
del plano z complejo, donde z = x + iy .
Introducimos una funci on w = f (z) = u(x, y) + iv(x; y), donde u y v son
ambas funciones de x y y. La funcion f (z) es elegida de modo tal que representa
el campo del potencial en la muestra. Las funciones u y v satisfacen las relaciones
de Cauchy-Riemann:
u v
= (9)
x y
u v
= (10)
y x
si ahora nos movemos de un punto arbitrario T1 en la parte superior del
semiplano a otro punto T2 en la misma parte superior del semiplano (ver fig.3),
la corriente neta
que atraviesa nuestra ruta de derecha a izquierda esta dada por
1 La demostraci on matem atica del teorema de mapeo conformal esta deducido en el libro
P. Henrici,Applied and Computational Complex Analysis, Vol.1, Wiley, New-York, 1974., y
la apolicacion de la parte fisica se puede ver en el paper Jonas Aleiza, Mifodijus Sapagovas,
Vytautas aleiza; The Extensi on of the Van der Pauw Method to Anisotropic Media, noviembre
del 2006

4
Figura 3: La misma muestra que en la fig.2, coincidiendo con la parte superior
del plano- complejo.

Z T2
d
jT1 ,T2 = En ds
T1

donde es la componente normal del campo de fuerza. Rapidamente se puede

verificar que esta expresi
on es igual a

d T2 u d T2 v
Z Z
u v d
jT1 ,T2 = ( dx + dy) = ( dx + dy) = (vT2 vT1 )
T1 y x T1 x y

Por lo tanto, si nos movemos a lo largo del eje real desde hasta +
el valor de v permanece constante hasta llegar al punto P . Al pasar el punto
P a lo largo de un semi crculo peque no en la parte superior del semiplano, el
valor de aumentar a en j/d. Similarmente, al pasar por el punto Q, el valor de
v decaer a en j/d. Consideremos ahora una muestra de forma arbitraria que
descansa en un plano complejo diferente que llamaremos el plano t (ver fig.4),
donde t = r + is.
Siempre es posible encontrar una funcion analtica t(z) tal que la parte su-
perior del semiplano en el plano z es mapeada sobre la muestra en el plano t.
Hay algunas restricciones en cuanto a la forma de la muestra en el plano t,
las cuales, sin embargo, no son de interes fsico. En particular, sean A,B,C y D
en el plano t, las im agenes de los puntos P ,Q,R y S, respectivamente, en el
plano z. Adem as, sea k(t) = l + im identica con f (z) = f (z(t)) = k(t). De
aqu, por definici
on m permanece constante cuando viaja en direccion contraria
a las agujas del reloj a lo largo de la frontera de la muestra en el plano t;
aumenta solamente en j/d al pasar por el punto A y disminuye en la misma
cantidad cuando pasa por el punto B.
La demostraci on matem atica del teorema de mapeo conformal esta deducido
en el libro P. Henrici,Applied and Computational Complex Analysis, Vol.1,
Wiley, New-York, 1974., y la apolicacion de la parte fisica se puede ver en el
paper Jonas Aleiza, Mifodijus Sapagovas, Vytautas aleiza; The Extension of
the Van der Pauw Method to Anisotropic Media, noviembre del 2006

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Figura 4: Una muestra de forma arbitraria, descansando en el plano-t complejo.

De la teora del mapeo conformal se sigue que si m en el planot es interpre-

tado en el mismo modo que v en el plano z, entonces l representara el campo
del potencial en el plano t. Consecuentemente, si una corriente j 0 ingresa a
la muestra por el contacto A y sale a traves del contacto B, y luego elegimos
j 0 0 /d0 = j/d, donde 0 y d0 son la resistividad especfica y el espesor de la
muestra en el plano t, entonces la diferencia de voltaje VD VC sera igual a
la diferencia de voltaje VS VR . Por tanto, (d/)RAB,CD es invariante bajo la
transformaci on conformal. Del mismo se cumple para (d/)RBC,DA . De esto se
sigue que la ecuaci on (1) es de validez general.

Parte Experimental
Satisfechas las condiciones antes mencionadas que precisa la realizacion del
metodo de van der Pauw, el procedimiento experimental a seguir requiere la
obtencion de datos medidos de VC VD , IAB , VA VD e IBC . En la realizacion
del experimento se usaron como muestras planas una de forma circular y otra
de forma rectangular. El esquema del circuito se muestra en la fig. 5.

C
alculos y resultados
Se realizaron medidas correspondientes para para una muestra plana de forma
circular con un espesor (d=2.6mm) y una muestra plana de forma rectangular
con un espesor (d=3.1mm)
Reemplazando correlativamente los datos en la ecuacion (1), se obtienen, con
ayuda de matlab, las soluciones correspondientes. En realidad, las ecuaciones
que preceden a estas soluciones son planteadas analticamente en la forma

6
 Figura 5: Ubicaci
on de los dispositivos de medicion en la muestra

f () = e(RAB,CD d/) + e(RBC,DA d/) 1 = 0

Luego, las intersecciones con el eje horizontal que se derivan del metodo
gr
afico en f () vs arrojan las soluciones buscadas.
Obtenida las soluciones de resistividad para ambos tipos de muestras
En las figuras 5 y 6 se muestran los histogramas de las soluciones corre-
spondientes a las muestras circular y cuadrada, respectivamente. Asimismo,
en ambas figuras se puede apreciar una curva gausseana en la que se propor-
ciona informaci on de la media y la desviacion estandar de la distribucion
de soluciones correspondientes.
Luego, segun lo obtenido en las figuras 5 y 6, tenemos
media () en ( m) Desviacion estandar () en ( m)
muestra circular 1.06480 105 0.02744 105
5
muestra rectangular 1.14241 10 0.02835 105
Para la muestra circular, la desviacion estandar representa el 2.58% respecto
de la media, mientras que para la muestra rectangular es el 2.48%.
De acuerdo al metodo general de propagacion de errores, el valor estimado
de la resistividad de la muestra esta dada por = 1.10361 105 ( m), con
desviaci
on estandar = 0.03945 105 ( m), la cual representa el 3.58% de
su valor medio.

7
Figure 6: Histograma de las soluciones de la muestra circular

8
Figure 7: Histograma de las soluciones de la muestra cuadrada

9
Discusi
on
Las condiciones que requiere la aplicacion del metodo de van der Pauw
para medir la resistividad especfica de muestras planas de forma arbitra-
ria, la obtenci
on de cuatro contactos suficientemente peque nos sobre la
periferia de la muestra represento la principal dificultad en la realizacion
del metodo. El metodo debe evitar el efecto de contacto pobre que puede
derivar en errores en las lecturas de corriente y voltaje. Asimismo, dado
que los contactos se realizan con pintura de nitrato de plata, se debe evi-
tar que la inyecci
on de este ultimo en las zonas de contacto llegue a ser
excesivo.

Por otro lado, los otros requerimientos del metodo de van der Pauw estan
mas relacionados con la preparacion de la muestra plana, los cuales en la
realizaci
on del experimento no han constituido gran dificultad. Por tanto,
son requerimientos que no representan las principales contribuciones al
error en la medida.

Otros aspectos a ser considerados, que influyen directamente en el error

de la medida, son la temperatura y humedad del medio ambiente.

Conclusiones
Se ha verificado que el metodo de van der Pauw representa una tecni-
ca apropiada para la obtencion de la resistividad especfica de muestras
planas conductoras de forma arbitraria.

Se obtuvo que la resistividad de la muestra trabajada a temperatura am-

biente (T = 20C) es = 1.10361 105 ( m) la cual comparada con
tablas de resistividad no corresponde al grafito tal como se supuso al inicio

Referencias
[1] WR Runyan, Semiconductor Measurements and Instrumentation. mcgraw
Hill, New York, 1975, and D. Schimmel and MJ Elkind

[2]

van der Pauw, L.J. (1958). A method of measuring specific resistivity and
Hall effect of discs of arbitrary shape (PDF). Philips Research Reports
13: 1-9.

van der Pauw, L.J. (1958). A method of measuring the resistivity and
Hall coefficient on lamellae of arbitrary shape (PDF). Philips Technical
Review 20: 220-224.

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