Sputtering, uma aplicac

ao tecnol
ogica da fsica de plasmas.

.
23 de novembro de 2016
Matheus Felipe Fagundes das Neves
Departamento de Fsica- Universidade Federal do Parana
Centro Politecnico- Jd. das Americas - 81531-990 - Curitiba - PR- Brasil
e-mail: matheusfneves@gmail.com

Resumo
O presente trabalho tem como finalinade explorar uma aplicacao tecnologica da chamada fsica de plasmas. Ser a
abordado a tecnica de sputtering, que consiste em depositar, de forma uniforme, materiais sob uma superfcie
utilizando um ambiente de plasma de um g as que seja inerte, para que nao haja contaminacao nas substancias. Ser
ao
apresentadas as tecnicas, bem como os equipamentos, seu funcionamento e aplicacoes.

Palavras chave: Plasma, Arg

onio, Sputtering, pulverizacao.

1 Introdu
c
ao conceitual
Quando se fala em plasma logo se vem ` a cabeca uma
televisao, ou uma lampada, ou ate mesmo a belssima au-
rora boreal. Na realidade, plasmas s ao mais corriqueiros
do que se imagina. Segundo [1], vivemos em um universo
feito de 69% de energia escura, 27% de materia escura e
apenas 1 % de materia que chamamos de normal. Nessa
faixa de materia normal, cerca de 95 % est a no estado
de plasma. Isso fica f acil de imaginar quando olhamos
para o ceu a noite. Tudo que vemos est a nesse estado,
emitindo radiac ao. Nebulosas estao no estado de plasma,
bem como o sol, estrelas, remanescentes de supernovas, e Figura 1: A foto mostra o fen omeno conhecido como au-
muitos outros exemplos cosmol ogicos. Na terra o plasma rora boreal, que, basicamente, e uma ionizac
ao dos
atomos
ocorre naturalmente, em raios, por exemplo, mas e da atmosfera pelos raios cosmicos.
limitado por nossa atmosfera. Fato essencial para a vida
terrena. Algumas aplicac oes que podem ser obtidas dele
sao: Descargas de g as; fusao termoeletrica controlada, pouca. Novamente, [1] define plasma como:
fsica espacial (clima espacial), propuls ao ionica, lasers
de g as, aceleradores de partculas, e o que sera discutido Plasma e um gas quase neutro de particulas car-
no decorrer do trabalho que e o sputtering (em uma regadas que exibem comportamento coletivo.
traducao, seria pulverizac
ao). Eles podem ser aplicados
ate mesmo em materiais belicos, como as bombas de A carga liquida de uma porcao macroscopica e quase nula,
fissao e fus
ao nuclear. essa e a designacao de quase neutralidade.
Os plasmas possuem varias propriedades semelhantes aos
Plasma pode ser definido como um g as ionizado, e muitas fludos, tanto que existem teorias que explicam o seu com-
vezes chamado de quarto estado da materia. O quarto portamento baseado em fludos. Eles sao formados por
estado da materia e justificado pela ocorrencia do plasma particulas carregadas livres. Pelo fato de terem carga,
em altas temperaturas, n ao havendo ainda transicao co- tanto sofrem quanto geram campos eletricos e magneticos,
nhecida alem dele. Ele e obtido aumentando a tempera- levando ao conhecido comportamento coletivo. Ou seja,
tura do g as, fazendo com que os atomos se ionizem. E os movimentos de cada partcula carregada e influenciada
constitudo de ons e eletrons. Sabe-se ainda que os plas- pelo movimento de todas as demais.
mas geralmente s ao obtidos em um ambiente de vacuo Ainda assim, para que haja plasma, alguns criterios devem
para que a recombinac ao de ons e eletrons, causada pelo ser satisfeitos. O primeiro e que o comprimento do plasma
resfriamento, n ao aconteca tao facilmente. tem que ser muito maior do que o comprimento de Debye,
Mas nao podemos simplesmente defini-lo como sendo um que e o raio da esfera de Debye.
g
as ionizado. Todo plasma e um g as ionizado, mas o Outro criterio a ser analisado e o parametro de plasma,
contr
ario acaba n ao sendo verdadeiro. Isso porque sem- que deve ser muito maior que 1(e definido como produto
pre h
a ionizac as, mesmo que seja do volume pela densidade de particulas). Isso e justificado
ao em qualquer tipo de g

1
pelo fato da descric ao dele ser uma quest ao estatstica.
Devemos, portanto, ter um grande n umero de particulas
dentro da esfera de Debye para que isso seja satisfeito.
O terceiro e u ltimo criterio e o tempo caracterstico,
definido como a raz ao entre 2 e a frequencia angular
eletronica, ser muito maior do que o intervalo de tempo
medio de duas colis oes entre as partculas.
Criar plasmas pode ser uma tarefa relativamente facil. O
problema e confin a-lo e mante-lo. Existem diversas for-
mas para isso seja feito. Podemos citar o confinamento
gravitacional (presente por exemplo no sol), o inercial
e o magnetico. Para esse ultimo, existem alguns pro-
cessos bem conhecidos como o Tokamak e o Stellerator,
que se diferenciam pelo fato do primeiro ter corrente de
plasma. Como exemplo para o Tokamak tomemos a reacao
Deuterio-Trtio: o fator Q, que e definido como a razao en-
tre a potencia de fus ao produzida num reator de fusao nu-
clear e a potencia necess aria para manter o plasma no es-
tado estacion ario, e de aproximadamente 0,7 (A condicao
Figura 2: A foto mostra o fen
omeno do espelho magnetico,
Q = 1 e dita breakeven. O plasma e confinado em um
com a aplicac
ao da garrafa magnetica
campo magnetico de 3 T sob corrente de 5 MA, e 1 Kg
dessa reacao pode produzir 108 KWh de potencia, equiva-
lente a 1/10 da usina de Itaipu. Essa reac ao e de extremo constante, juntamente com a energia cinetica da partcula.
interesse porque o Deuterio e encontado na agua do mar. As equacoes sao as que seguem, onde e o momento, v e
O trtio provem de uma reac ao com Ltio, o problema e a velocidade e K a energia cinetica:
que ele e radioativo. No entanto, sua vida media e baixa
(cerca de 12 anos).
v
O confinamento do plasma n ao e tarefa f acil. Ele acaba m 2 2
sendo muito inst avel, os ons e os eletrons tendem a se re- = = constante
B
combinar, formando um g as neutro facilmente. Como ci-
tado anteriormente, plasmas tendem a se comportar como
fludos, o que nos remete a movimentos de turbulencia, re- 1
K= m(vk2 + v
2
) = conservado
sultando em perdas de energia e consequente diminuicao 2
da temperatura, fazendo com que o g as ionizado volte a
ser apenas um g as. 
O confinamento por campos eletromagneticos e uma das ~ e fraco v pequeno
Da analise, temos, se B
solucoes que est ao sendo estudadas. Para explica-lo vk grande
utiliza-se a teoria das orbitas, que consiste no estudo dos 
v grande
movimentos das particulas carregadas do plasma. As si- ~ e forte
Consequentemente se B
vk pequeno
tuacoes ser
ao exploradas. Quando estudamos apenas o
campo eletrico uniforme, sem o campo magnetico, vemos Chega um momento em que se vk for igual a zero, a
que as particulas seguem apenas o movimento retilneo, partcula e refletida para a regiao de campo magnetico
acelerado pela forca eletrica. Em contra partida, quando mais fraco, iniciando assim um ciclo que e denominado
ha somente o campo magnetico uniforme, na an alise apa- efeito espelho magnetico. E isso que explica as auroras
rece um movimento circular com deslocamento do centro boreal e austral, onde as partculas ficam confinadas no
de guia, resultando em uma trajet oria helicoidal paralela cinturao magnetico de Van Allen. No decorrer do texto
ao campo magnetico, e o com um raio chamado de raio de sera abordado uma tecnica de sputtering explorando o
larmor. fenomeno de espelho magnetico, denominada Magnetron
Conforme misturamos os campos magneticos e eletricos, Sputtering, que seria a pulverizacao por magnetrons, e por
novas trajet orias surgem e os movimentos comecam a ficar isso que essa explicacao foi mais detalhada do que os ou-
mais complicados, resultando em movimentos de deriva, a tros tipos de deriva.
qual existem v arias, como a Ex ~ B;~ deriva devido a uma
forca externa; quando B n~ ao e uniforme temos um gradi-
ente e a deriva e B;~ Infelizmente quando h a curvatura de 2 Sputtering
campo os efeitos de deriva B ~ e as derivas de curvatura
se somam, aumentando as perdas de energia. Em Toka- Sputtering ou pulverizacao, e um processo que remete ` a
maki e Stellerator, por exemplo, as linhas de forca de B ~
deposicao de filmes finos no n ucleo dos semicondutores,
tem a geometria de helices toroidais, e apesar das linhas disk drives (unidades de disco), CDs, HDs, e h a ampla
de campo serem fechadas, as derivas conspiram contra o utilizacao da ind
ustria de dispositivos opticos de hoje,
confinamento do plasma. como celulas fotovoltaicas. A nvel atomico, a pulverizac
ao
Nas derivas de Grad B ~ podemos deduzir que surge um catodica e o processo pelo qual os atomos sao ejetados
momento magnetico associado ` a girac
ao e esse momento e a partir de um material (chamado de alvo) ou fonte,

2
Figura 3: A foto mostra um esquema dos componentes de Figura 4: A foto mostra o equipamento Quorum, modelo
uma camara para a realizac
ao da tecnica de sputtering. q150 t es, que funciona por Magnetron Sputtering. Foto
retirada do manual [5].

que deve ser depositado sob um substrato(Vidro, por

exemplo) como resultado do bombardeamento do alvo por das energias e do angulo de incidencia dos ons e. O
partculas altamente energeticas. Assim cria-se um painel rendimento tem uma escala que vai de 0.1 `a 10.
solar, um dispositivo optico, wafers de silcio, entre outras.
Existem muitos metodos diferentes de deposic ao fsica
Essa tecnica foi criada em 1970 por Peter J. Clarke, que usando vapor que s
a o amplamente utilizados em revesti-
desenvolveu o primeiro sputter gun que alavancou o de- mentos por pulverizacao catodica, incluindo feixes i onicos
senvolvimento da ind ustria de semicondutores permitindo e pulverizacao por ons assistida, pulverizacao cat
odica re-
a deposicao de forma mais precisa de materiais em um ativa em um ambiente de gas de oxigenio, fluxo de g as e a
omico, usando uma corrente de plasma cheia de pulverizacao usando magnetron.
nvel at
eletrons e ons dentro de um ambiente de v acuo [2].

O processo comeca quando um certo substrato a ser co- 3 Pulverizac ao usando magnetron
berto (revestido) e colocado em uma c amara de vacuo con-
tendo um g as inerte - Argonio, por exemplo - e uma carga A primeira pulverizacao usando magnetron e creditada
negativa e aplicada no alvo, que ser a depositado sob o `a John S. Chapin, com patente arquivada em 1974 [2].
substrato fazendo com que o plasma brilhe. Ela consiste na ideia de que como os ons sao partculas
carregadas, pode-se controlar sua velociade e sua tra-
Depois que o g as foi ionizado a partir dos eletrons livres jetoria utilizando campos magneticos. O sputtering
que fluiram do alvo carregado negativamente, os ons do convencional pode depositar filmes extremamente finos
gas inerte s
ao atrados com uma velocidade muito alta ate a escala atomica, tende a ser lento e mais eficaz com
pelo alvo, fazendo com que pulverizem as partculas de pequenos substratos. O bombardeamento do substrato
tamanho at omico devido ` a transferencia de momentum pode tambem criar sobreaquecimento e eventuais danos
durante a colisao. Estas partculas, por sua vez, atraves- ao objeto que estara sendo revestido.
sam a o v acuo da c amara de deposicao e s
ao depositadas
como uma fina pelcula de material sobre a superfcie do
substrato a ser revestido. A pulverizacao magnetronica lida com ambos os proble-
mas de forma simultanea. Usando mas atras do c atodo
(alvo) para capturar os eletrons livres em um campo
A pulverizacao catodica ocorre em energias muito altas, magnetico diretamente acima da superfcie alvo, esses
muito mais altas do que energias termicas no ambiente de eletrons nao ficam livres para bombardear o substrato na
plasma. Isso pode permitir uma deposic ao de filmes finos mesma extensao que com a pulverizacao catodica(- Esse
muito mais pura e precisa ao nvel at omico do que pode confinamento do plasma e o que foi explicado na sec ao de
ser conseguida por fus ao de um material com energias introducao conceitual quando exploramos o conceito de
termicas convencionais. ~ onde vimos
derivas, mais especificamente na deriva B,
o fenomeno do espelho magnetico) . Ao mesmo tempo,
O n umero de materiais ejetados do alvo, ou fonte, com o trajeto extenso e tortuoso moldado por esses mesmos
relacao ao numero de ons incidentes, e chamado de eletrons quando preso no campo magnetico aumenta sua
rendimento de pulverizac ao e ele depende do tipo e das probabilidade de ionizar uma molecula de gas neutro
energias de ligac oes dos atomos do alvo, das massas por varias ordens de grandeza. Este aumento nos ons
relativas dos ons e dos materias que ser ao depositados, disponveis aumenta significativamente a velocidade

3
a` qual o material alvo e erodido e subsequentemente
depositado no substrato.

Um equipamento que utiliza esse conceito e o equipa-

mento que pode ser visto na figura 4. Para a colocacao
do gas utiliza-se um cilindro anexado ao equipamento.
Para a obtencao do v
acuo utiliza-se uma bomba de vacuo
que tambem se econtrara anexa ` a maquina.

4 Gera
c
ao e controle do plasma
Para que o ambiente de plasma seja criado, como expli-
cado anteriormente, utiliza-se um g as inerte para que a
superfcie final seja a mais pura possvel. Para isso, utiliza-
se uma bomba de v acuo que, para o g as Argonio, requer Figura 5: A figura mostra o diagrama da pulverizac
ao de
um vacuo com press ao na ordem de 1 mTorr, ou seja, na forma resumida.
ordem de 106 atmosferas, segundo [5].
Feito isso, o g
as e injetado dentro da maquina que ja foi
setada com os valores para corrente e tensao adequadas ao
que se espera no final do procedimento. Para cada tempo,
corrente e tens ao, a deposic
ao ser
a mais lenta ou mais
r
apida e tambem a quantidade de material alvo depositado
ser
a diferente, deixando o filme mais fino ou mais espesso.
Os ons podem ser gerados pela colis ao entre os atomos
neutros e os eletrons de alta energia cinetica que transitam
pelo vacuo. A interac
ao dos ons com o alvo e determinada
pelas suas velocidades e energias. Sabemos que os ons sao
partculas carregadas, assim, os campos impostos podem
controlar esses par ametros.
O processo comeca com um eletron, vagando pr oximo ao
c
atodo (alvo), sendo acelerado em direc
ao ao
anodo, onde
se encontra o substrato, e colida com um atomo de gas
neutro, convertendo-o em um on positivamente carregado.
Esse processo resulta em dois eletrons que podem entao
Figura 6: A foto mostra durante a operac
ao da m
aquina
colidir com outros atomos do g as e ioniz
a-los criando um
Quorum Q150t es.
efeito em cascata ate que o g
as colapse. Chamamos isso de
Breakdown. Para isso, existe a tens ao de breakdown, que
depende da press ao na camara e da dist ancia que ficam o ate mesmo menor do que o tamanho da camara. E alem
c
atodo do anodo. disso, como queremos que a os eletrons ganhem energia o
ao, com o e
Pode-se resumir o explicado na seguinte reac suficiente entre as colisoes, a pressao nao pode ser muito
sendo o eletron, A sendo o
atomo: alta, segundo [2] .

e + A 2e + A+

Em pressoes muito baixas, n

ao se esperam muitas colisoes.
5 Explicac
ao detalhada do pro-
Pelo menos nao o suficiente entre
atomos e eletrons para cesso de pulverizac
ao
que o plasma se sustente por mais tempo. Isso pode ser
explicado pelo conceito de sec
ao de choque, que mede a Podemos, entao, explicar como o processo de pulverizacao
probabilidade de que uma colis ao aconteca. Em contra acontece atraves da seguinte receita:
partida, em press
oes muito altas, existem muitas colisoes, Primeiramente, os materiais de revestimento sao colocados
fazendo com que os eletrons n
ao tenham tempo suficiente em sua forma solida em um magnetrom, e sao chamados
para absorver a energia das colisoes para posteriormente de alvos. Para que se tenha revestimentos extremamente
poder ionizar os outros
atomos. puros, precisa-se de um ambiente limpo e com apenas ma-
Isso porque o plasma poder a morrer facilmente caso teriais escolhidos para o procedimento. E por isso que a
nao haja colis oes suficientes. Pra ter um plasma camara e evacuada, para remover quase a totalidade de
auto-sustentavel, cada eletron tem de gerar emissoes se- moleculas remanescentes. Em seguida, ela e preenchida
cundarias o suficiente para mante-lo. E como precisamos com o gas, que e escolhido com base no material que ser a
de colis
oes, a pressao nao pode ser muito baixa, pois o depositado. Os gases mais comuns incluem o Arg onio,
caminho livre medio deve ser, aproximadamente, 1/10, ou Oxigenio e Nitrogenio.

4
Com as condic oes prontas, pode-se iniciar o processo. Um 6 Conclus ao
potencial eletrico negativo e aplicado ao material alvo,
que ser a pulverizado, que e o c atodo do magnetrom. E Neste artigo pudemos explorar uma aplicacao tecnol ogica
o anodo, positivo, e o corpo da c amara. para plasmas. Vimos uma tecnica chamada Sputtering,
Este potencial eletrico fara com que os eletrons livres ace- que serve para deposicao de materiais sob um substrato
lerem para fora do magnetrom. Quando eles colidem com utilizando um ambiente de vacuo e de plasma. Analisa-
um atomo do g as, eles retiram do atomo um eletron, cri- mos como o plasma e formado dentro dos equipamentos,
ando portanto, um on de g as positivamente carregado. bem como o funcionamento passo a passo de como ocorre a
Esse on e acelerado em direcao ao magnetrom novamente. pulverizacao do material que sera depositado. Foi possvel
explorar os conceitos de derivas para a explicacao de como
O on carrega energia suficiente para pulverizar, ou ar-
funciona a pulverizacao magnetronica. Alem disso, foi
rancar, alguns atomos do material alvo, que ir a entao ser
feita uma ambientalizacao da ocorrencia de plasmas no
coletado nas superfcies no caminho em que o magnetrom
esta direcionado. E assim que os materiais pulverizados nosso cotidiano e das aplicacoes que ele pode ter.
s
ao coletados sob o substrato.
A luz do plasma e criada quando os ons se recombi- 7 Refer
encias Bibliogr
aficas
nam com eletrons livres em um estado de energia mais
baixo. Ions carregados positivamente se recombinam com
[1] CHEN, Francis F. Introduction to Plasma Physics and
eletrons livres para criar novemente um
atomo neutro.
Controlled Fusion, Third Edition., Ed. Springer. 1-17,
Agora, a formac ao da discarga de brilho se d a da se- 19-33, 35-41.
guinte maneira: Inicialmente a corrente(fluxo de carga)
[2] http://users.wfu.edu/ucerkb/Nan242/L07-
e pequena. Conforme as cargas se multiplicam, a corrente
Sputtering_a.pdf.
aumenta rapidamente, mas a tens ao, limitada pela fonte,
Acessado em 19/11/2016.
permanece constante. Eventualmente, existem ons e car-
gas suficientes para que o plasma se auto-sustente. Algu- [3] http://www.semicore.com/what-is-sputtering.
mas colisoes entre eletrons e
atomos irao produzir luz, ao Acessado em 15/11/2016.
inves de eletrons e ons e o plasma ira brilhar, acompa- [4] http://ajaint.com/what-is-sputtering.html.
nhado de uma queda de tens ao. Se a potencia de entrada Acessado em 15/11/2016.
for entao aumentada, a densidade de corrente se tornara
[5] https://www.quorumtech.com/quorum-product/
uniforme atraves do c atodo e entraremos num regime de
q150t-turbo-pumped-sputter-coatercarbon-coater.
descarga anormal. Nessa parte e que ocorre o sputtering.
Manual acessado em 16/11/2016.
O diagrama com toda essa explicac
ao pode ser visto
[6] http://www.gasin.com/industries/Construction/
resumidamente na figura 5.
construction-Metal-Fabrication.
Acessado em 16/11/2016
Nao podemos deixar de pensar numa possvel interacao
entre a superfcie e o on. Quando os ons bombardeiam a
superfcie, alguns fen
omenos podem ocorrer, e seguem [2]:

absorc
ao ou reflex
ao ( 5eV)
Migrac
ao e danos `
a superfcie (5-10 eV)
Pulverizac
ao (10 eV-3 KeV)
Penetrac
ao do on ( 10 KeV)

Ent ao e na faixa de 10 ev ate 3 keV que o processo aqui

explicado ocorre. A forma com que os ons pulverizam os
atomos pode ser explicada atraves do conceito de tran-
ferencia de momento e energia.
Quando os ons colidem com os atomos da superfcie
do alvo, a transferencia de energia pode arrancar alguns
atomos dessa superfcie pelo fato de tanto a energia quanto
o momento se conservarem. Da fsica b asica, sabemos que
o momento e sempre conservado, e se a colis ao for elastica,
a energia cinetica tambem e conservada.
As energias necess arias para pulverizar sao muito maiores
do que as energias vibracionais( causadas por interacoes
inel
asticas), portanto, as colis oes para a pulverizacao po-
dem ser consideradas el asticas. Para uma colis ao frontal,
a primeira n ao ejetara atomos da superfcie, somente na
segunda. J a em colisoes oblquas, pode ocorrer a ejecao ja
no primeiro evento.