Clases de transitores

Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de

construccin y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos
de fabricacin son:

Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase y

consista en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeo bloque de
germanio llamado base.El material de la base poda ser de tipo N y del tipo P y era
un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad
de controlar las caractersticas de este frgil dispositivo, ahora se le considera
obsoleto.

Transistor de unin por crecimiento: Los cristales de esta clase se obtienen por
un proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera
que presenten uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla.El material
de impureza se cambia durante el crecimiento del cristal para producir lingotes
PNP o NPN, que luego son cortados para obtener pastillas individuales. Los
transistores de unin se pueden subdividir en tipos de unin de crecimiento, unin
de alineacin y de campo interno. El transistor del ltimo tipo es un dispositivo de
unin de alineacin en que la concentracin de impurezas que est contenida
dentro de una cierta regin de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta
frecuencia del transistor.

Transistor de unin difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un

margen ms amplio de frecuencias y el proceso de fabricacin ha facilitado el uso
de silicio en vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la
unidad. Los transistores de unin difusa se pueden subdividir en tipos de difusin
nica (hometaxial), doble difusin, doble difusin planar y triple difusin planar.

Transistores epitaxiales: Estos transistores de unin se obtienen por el proceso

de crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos fotolitogrficos que se
utilizan para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Las
unidades se pueden subdividir en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y
sobrecapa (overlay).

Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de unin

(JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se
construy el primer transistor prctico de efecto de campo. Se puede considerar a
este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de material semiconductor de
silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo de la barra se establece
un contacto hmico, que representa un transistor de efecto de campo tipo N en su
forma ms sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
(desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre s,
se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro
drenador. Si se aplica una tensin positiva entre el drenador y el surtidor y se
conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente. Esta corriente es la ms
importante en un dispositivo de efecto de campo y se le denomina corriente de
drenador con polarizacin cero (IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de
puerta denominado tensin de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conduccin en
el canal.

Las tcnicas de fabricacin, las aplicaciones a que son destinados y las

restricciones a que estn sometidos dan por resultado una multitud de tipo de
transistores, la mayora de los cuales pertenecen a los grupos generales que
acabamos de mencionar. Por otra parte, los transistores pueden ser agrupados en
familias dentro de las cuales cada uno de sus miembros es un tipo nico, pero
entre ellos se pueden establecer sutiles diferencias en cuanto a la aplicacin,
ganancia, capacidad, montaje, caja o cpsula envolvente, terminales,
caractersticas de tensin de ruptura, etc. Adems, el estado actual de la tcnica
permite tener en cuenta los parmetros del transistor en el diseo para que se
adapten a los diversos equipos en condiciones de economa, en vez de disear el
equipo basndose en los tipos disponibles de transistor. Esto da lugar a que gran
nmero de equipos de transistores tengan caractersticas generales casi idnticas.