Laboratorio de Electrnica, Facultad de Ciencias

Universidad Nacional Autnoma de Mxico

Prctica 6: Amplificador de seales

Hugo Miranda Moreno, Santiago Zamora Buen Abad

Facultad de Ciencias, UNAM, Mxico D. F.

(Fecha de entrega: 02/12/2016)

Resumen
Se estudia el funcionamiento de los transistores al analizar el comportamiento la configuracin de polarizacin fija de emisor
comn, compuesta por resistencias, capacitores y un transistor BC-547. Se obtiene una ganancia constante de 40dB para
frecuencias menores a la frecuencia de corte de 50kHz.
Objetivos
1) Construir un amplificador de seal pequea con un transistor BC547, empleando la configuracin de polarizacin fija de
emisor comn.

Introduccin mayor parte de los electrones; el emisor est

El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor utilizado para entregar una
seal de salida en respuesta a una seal de
entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El
trmino transistor es la contraccin en
ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia).
poco contaminado y colecta los electrones
provenientes de la base.
El funcionamiento del transistor es sencillo:
la corriente que circula por el colector es
funcin amplificada de la que circula en el
emisor, pero el transistor slo modifica esta

Los transistores estn hechos generalmente

de silicio y constan de tres partes dopadas
artificialmente que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta, y la
tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las
vlvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. corriente, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule

Las diferentes partes del transistor necesitan Figura 1. Transistores PNP a la izquierda y NPN a la
derecha.
una contaminacin especfica para el buen la carga por el colector, segn el tipo de
funcionamiento del transistor, pero en circuito que se utilice.
general un transistor NPN se caracteriza por
lo siguiente: el emisor est altamente
contaminado, y su funcin es emitir
electrones a la base; la base est ligeramente Se define
contaminada y es delgada, y por ella pasan la
1
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mismo que el de entrada al circuito (Vcc es

Ic
= Ec (1)
IE
donde I c es la corriente del colector, y
I E es la corriente del emisor. Los valores
normales de esta razn para los transistores
comerciales son entre 0.95 y 0.99.
el voltaje de la seal de entrada).
El punto de reposo, por lo mencionado, es
importante que est a la mitad de la recta que
une los dos puntos anteriores, ya que de esta
forma se asegura una seal completa de
salida, y no saturada o con una amplificacin
no ptima.

Se busca construirlos de esta forma para que

todos los electrones que salen del emisor
pasen por el colector.

Por otro lado, la ganancia de corriente , se

define como
I
= c Ec(2)
Ib

en donde I b es la corriente en la base.

El transistor se construye de tal forma que

en general valga 100, es decir el transistor
permite una amplifica la seal de entrada
hasta 100 veces. Actualmente en el mercado Figura 2. Curvas caractersticas de un transistor. Al cul
se encuentran amplificaciones mayores. se le aplica un Vcc.

El factor de amplificacin o ganancia

logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del
transistor.
En la siguiente se muestra la configuracin
Es importante recordar que para el silicio se de un circuito de polarizacin fija, con una
tiene que la barrera de potencial entre la base fuente de voltaje:
y el emisor es de 0.7 V igual que en los
diodos.

Es de suma importancia en un transistor

considerar sus curvas caractersticas, pues
stas indican el punto de saturacin de carga
(cuando Vcc = Vce), el punto de corte (Ic =
Vcc/Rcc) y el punto de reposo (ver figura 2).

El punto de saturacin es aqul punto para el Figura 3a) Circuito de polarizacin fija. 3b) Circuito para
cual el transistor ya no puede recibir ms calcular el equivalente de Thevvenin entre A y B. 3c)
corriente en el colector, mientras que el Circuito Equivalente de Thvenin

punto de corte es cuando e transistor no

trabaja y el voltaje del colector emisor es el
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Para analizar el circuito primero se
cortocircuita la fuente Vcc y se observa slo
la parte de las resistencias. En la figura 3b)
se observa que R1 y R2 estn en paralelo con
respecto al punto A por lo que:
R1 R 2
RTH = Ec .(3)
R1 +R2
Para calcular el voltaje de Thvenin se debe
calcular la corriente que pasa por la malla en
el circuito 3b) y multiplicarla por la
resistencia R2, lo que nos da:
V R
V TH = cc 2 Ec .(4)
R1 + R2
De esta forma construimos el circuito
mostrado en la figura 3c), y aplicando
kirchoff para la malla de la base obtenemos:
V TH I B RTh V BE I E R E=0
Lo que considerando que el voltaje del colector es
aproximadamente el del emisor por Ec (1) y que la
corriente Ib se relaciona con Ic por medio de la ec (2)
al sustituir estos dos resultados en la ecuacin
obtenida a partir de la ley de mallas obtenemos :
IE
V TH R V BEI E R E=0
Th
De donde despejando obtenemos :
V Th V BE
I E= Ec (5)
RTh
+RE
Con las ecuaciones 3,4 y 5 es posible
calcular R1 y R2 si se conoce , RE, Vcc y
VBE, Rc. En el caso que analizaremos ms
adelante VBE = 0.7 V y = 100.[1]
Por ltimo, dado lo hecho en esta prctica es
importante mencionar como funciona un
arreglo como el mostrado en la figura 4.
Figura 4. Circuito Completo con condensadores.
A menudo se agrega un condensador de gran
capacidad CE, colocado en paralelo con la
resistencia de emisor, tal como se indica en
la figura 4. Este condensador tiene como
objeto cortocircuitar la resistencia RE para
las seales de alterna. Con ello se evita que
exista el efecto de realimentacin negativa
de la seal de salida hacia el circuito de
entrada y se consigue as que el factor de
amplificacin sea ms elevado. Los otros dos
capacitores, se conectan simplemente para
que el circuito pueda recibir y emitir seales
alternas.
Desarrollo Experimental
Se construy un circuito como el mostrado
en la figura 4, primero enfocndonos en el
circuito 3a), con Vcc subministrado con una
fuente de voltaje y teniendo un valor de 12
V, Rc = 1KOhm y RE = 100 Ohms. El
transistor utilizado fue un modelo BC-547.
Se calcularon los valores de R1 y R2 de tal
forma que el punto Q mostrado en la figura
2, quedara a la mitad de la recta, esto es que
VCE = VCC. Utilizando las ecuaciones 3,4 y 5
se obtuvo un valor R1=10002.3 y
R2=1662.79. Se necesit sumar
resistencias en serie ya que no contbamos
con ninguna resistencia con el valor exacto:
para R1 se utiliz una resistencia de 9.8 y
dos ms de 100, para R2 se utiliz
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una resistencia de 1k y otra de Al conectar los capacitores y obtener un circuito

0.150k. Al medir las resistencias como el de la figura 4, se obtuvo el siguiente
comportamiento al aumentar la frecuencia de la seal
R1 y R2 en el circuito se obtuvo de entrada:
finalmente R1= 9.983 y
R2=1.138.

A continuacin se complet el circuito,

obteniendo uno similar al de la figura 4, con
capacitancias Co y Ci de 47 microF, y una
capacitancia CE de 220 microF. Se utiliz un
osciloscopio en serie con Co para registrar la
seal de salida, as como un generador de
seales al que se le fue variando la
frecuencia en Vi de tal forma que se pudiera
ir registrando en el osciloscopio tanto la
seal de entrada como la de salida. As se Figura 6: Comportamiento de la seal de salida (verde)
obtuvo la ganancia para un intervalo de comparado con la de entrada (amarillo) para (1) 50kHz, (2)
frecuencias desde 2 Khz hasta 400kHz, (3) 700kHz y (4) 1000kHz

aproximadamente 1700 Khz, no Y las correspondientes mediciones:

necesariamente variando la frecuencia en
intervalos iguales. Se grafic la ganancia en
funcin de la frecuencia y se analiz el
resultado para encontrar el intervalo de
frecuencias para el cual la ganancia del
amplificador era constante.

Resultados
Para el circuito de la figura 3a) se obtuvo un voltaje
colector emisor de 5.975V:

Figura 5: Circuito armado, similar al de la figura 3a) en donde se

obtiene el valor del voltaje colector emisor

Ya que en el punto de reposo se pide Vce igual a la

mitad del voltaje Vcc, que el voltaje Vce sea 6 cuando Tabla 1: Mediciones realizadas para el circuito armado similar al
de la figura4.
Vcc es de 12V indica que el valor de las resistencias
R1 y R2 fue calculado correctamente.
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Finalmente, graficando el cambio de la ganancia en
funcin de la frecuencia tenemos:
Figura 2: Ganancia (dB) en funcin de la frecuencia de acuerdo a
las mediciones mostradas en la tabla 1
Podemos observar un voltaje de salida unas 128 veces
mayor al voltaje de entrada para frecuencias menores
a 50kHz, la cual decae a valores mayores de
frecuencia. Esta ganancia, como se mencion, suele
ser mayor a 100 en los transistores reales.
Conclusiones
Fue posible observar cmo puede utilizarse un
transistor para aumentar aproximadamente 100 veces
la amplitud de la seal de entrada, adems de poder
aplicar correctamente el procedimiento de resistencias
y voltajes equivalentes de Thvenin.
Fuentes