UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

CURSO: ELECTRONICA DE POTENCIA II

PROFESOR: ING. CORDOVA RUIZ RUSELL

LABORATORIO N 4:

INVERSOR CON CONTROL DIGITAL

ALUMNOS:
ASENCIOS ROMERO, HOVER 060927D
RUIZ MONTOYA MARCO 062599D
LOPEZ LLAMCCAYA ROY 1023220664
MONTEZA ASTO ALVARO 062588B
LORA VERAMENDI RONALD 1023210113

2014-A
 Informe Final De Potencia II Laboratorio N4-A

INVERSOR CON CONTROL DIGITAL

1. OBJETIVOS

Comprender el principio de operacin y funcionamiento del SPWM

Disear y simular un controlador en lazo cerrado con la tcnica SPWM
Disear y simular un inversor con control digital utilizando la tcnica SPWM.

2. INTRODUCCION

Cuando surge la necesidad de variar una tensin alterna, con el objetivo de entregar mayor o
menor potencia en una carga particular, es donde aparecen los controles de potencia
monofsicos, con los cuales se logra recortar partes de la onda senoidal, variando la potencia
entregada a la carga. Las tcnicas convencionales empleadas, son por control de fase, estas
generan armnicas cercanas a la armnica fundamental, lo cual hace que los filtros utilizados
para eliminarlas sean complejos y poco econmicos. Es por esto, que aparecen tcnicas
como la que se utiliza en este proyecto para que las primeras armnicas se vean desplazadas
a frecuencias mas altas, lo cual hace que los filtros empleados para la eliminacin de las
armnicas contaminantes sean de diseo mas simple.

Esta aplicacin en electrnica de potencia se basa en el control de potencia de la onda

senoidal monofsica, por medio de la tcnica SPWM, de forma tal que el ancho de pulso de la
modulacin PWM este relacionado con la funcin senoidal.

3. MARCO TEORICO

El funcionamiento bsico de la modulacin por ancho de pulso es simple, una serie de

pulsos cuyo ancho es controlado por la variable de control. Es decir, que si la variable de
control se mantiene constante o vara muy poco, entonces el ancho de los pulsos se
mantendr constante o variar muy poco respectivamente. Si hacemos que el ancho de pulso
no vare linealmente con la variable de control, de modo que el ancho de los pulsos puede ser
diferentes unos de otros, entonces sera posible seleccionar el ancho de los pulsos de forma
que ciertas armnicas sean eliminadas. Existen distintos mtodos para variar el ancho de los
pulsos. El ms comn y el que incentiva esta ponencia es la modulacin senoidal del ancho
de pulso (SPWM).

FIGURA 3

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En la PWM el ancho de cada pulso se modula segn otra funcin, llamada moduladora. En
este caso, la funcin moduladora es una funcin sinusoidal. El microcontrolador provee el
hardware para la sntesis de PWM, pero es necesario configurarlo en tiempo de ejecucin.
Para esto se calcula la seal moduladora y luego se cargan estos valores en los registros que
controlan el PWM. A continuacin se presentados alternativas para generar la funcin
moduladora y luego el algoritmo utilizando.

3.1. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET)

Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el
concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a
fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores
de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad.

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un

arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una
parte a la corriente total.

La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de
puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es
aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los
JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.

Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es
llamado MOSFET de canal P. En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la
fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la
fuente (source) y al drenaje (drain):

FIGURA 3.1

3.1.1. PRINCIPIO DE OPERACIN

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta

no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

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FIGURA 3.1.1

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en
la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son
atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para
los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad
de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin
negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la
fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos,
creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de
corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la
tensin aplicada a la compuerta.

3.1.2. APLICACIN

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos

ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son:

En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y

la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de
salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de
amplificacin muy lineal.
El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n
en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la
regin de modo de enriquecimiento (+Vg).

3.1.3. CAPACITANCIA EN EL MOSFET

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Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET.

stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia
es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin pequea,
pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy significativa. Cualquier
desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate
que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin.

3.1.4. ENCENDIDO
En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido
como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el
circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente
para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor requerido.
3.1.5. APAGADO
Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa
como fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje
depende de los arreglos del circuito externo.
3.1.6. REA SEGURA DE OPERACIN

El rea segura de operacin del MOSFET est limitada por tres variables que forman los
lmites de una operacin aceptable.

FIGURA 3.1.6

3.1.7. PRDIDAS DEL MOSFET

Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de
un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el
MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente.
Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en
la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.

4. MATERIALES

Mosfet IRF540

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Atmega 8
Resistencias
Fuente
Osciloscopio
Opam 741
Integrado Negador 74LS04.

5. CODIGO EN ATMEGA 8

6. CIRCUITO

A. SIMULACION CON PROTEUS.

Se programa el ATmega

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U2
13 20
PD7/AIN1 AVCC
12 21
PD6/AIN0 AREF
11
PD5/T1
6
PD4/T0/XCK
5
PD3/INT1
4
PD2/INT0
3
PD1/TXD
2
PD0/RXD S1
10
PB7/TOSC2/XTAL2
1 9
PC6/RESET PB6/TOSC1/XTAL1
28 19
PC5/ADC5/SCL PB5/SCK S1
27 18
PC4/ADC4/SDA PB4/MISO
26 17 1 2
PC3/ADC3 PB3/MOSI/OC2 S2
25
PC2/ADC2 PB2/SS/OC1B
16 V1
24
PC1/ADC1 PB1/OC1A
15 U1:A 7404 12V
23 14
PC0/ADC0 PB0/ICP1
ATMEGA8

Circuito De SPWM

S2

Q4
Q1
NMOSFET D4
NMOSFET D1 S2 DIODE
S1 DIODE

R7
S1
1k
2
S2
V1 L1 R6 1k U3
12V R1
10k 2uH
A

R9 1k B
OPAMP
C
Q2 R8
Q3 1k D
NMOSFET D2
S2 DIODE NMOSFET D3
S1 DIODE

7. DISEO DE LA PLACA IMPRESA EAGLE

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8. CONCLUCIONES

El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran versatilidad

de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el jfet.
Los mosfet se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran
ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones.
Para que circule corriente en un mosfet de canal N una tensin positiva se debe
aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el
drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.
Gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no
hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es
controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

9. BIBLIOGRAFIA

"Electrnica de Potencia" Muhammad H. Rashid, 2 Edicion, Prentice Hall

http://encon.fke.utm.my/notes/SPWM.pdf
http://www.arpnjournals.com/jeas/research_papers/rp_2010/jeas_0710_362.pdf
http://www.academia.edu/4607444/Generacion_de_Ondas_SPWM_con_Arduino_para_
la_Excitacion_de_Inversores_Trifasicos
Department of Electrical Engineering National Institute of Technology, Rourkela -
Analysis of Single-Phase SPWM Inverter.
http://www.ijareeie.com/upload/october/3_Design%20and%20Implementation.pdf
http://www.ehowenespanol.com/tipos-inversores-pwm-info_293228/