Dispositivi elettronici

I semiconduttori

Sommario

Richiami sui semiconduttori

conduttori, isolanti e semiconduttori
bande di energia
droganti nei semiconduttori
corrente di deriva e diffusione

1
 Conduttori,
Conduttori, isolanti
e semiconduttori
V I Resistenza
V
R= []
I

Resistivit
A
A
L =R [ cm]
Classificazione: L
ISOLANTI > 10 [cm]
5

SEMICONDUTTORI 10 < < 10 [cm]

3 5

CONDUTTORI < 10 [cm]

3

Propriet del silicio

Il Silicio (come pure il Germanio) forma reticoli

cristallini le cui propriet elettriche
possono essere modificate sostanzialmente con una
limitata sostituzione di atomi (drogaggio)

2
 Elettroni di valenza

Gli elettroni nello strato esterno di un atomo sono detti

elettroni di valenza. Tali elettroni hanno effetto sulle
reazioni chimiche dellatomo e determinano le propriet
elettriche dellelemento.

Atomo di Atomo di Atomo di

Boro Silicio Fosforo
3e valenza 4e valenza 5e valenza

Modello a Bande
Ione Idrogenoide

Lo ione idrogenoide e un atomo con numero atomico Za > 1

a cui sono stati tolti tutti gli elettroni tranne uno.
Secondo la meccanica quantistica, i livelli energetici
permessi all'unico elettrone rimasto sono:
E = 0 energia dellelettrone libero
energia crescente

13.6 Z a2
En = 2
[eV ]
n

E1

3
 Modello a Bande
Atomo non ionizzato
Rispetto al corrispondente ione idrogenoide, l'atomo
neutro presenta dei livelli energetici spostati verso l'alto,
per l'effetto di schermo che gli elettroni pi interni hanno
sulla carica positiva del nucleo:
E = 0
energia crescente

Ogni livello
energetico pu
ospitare al massimo
2 elettroni (con spin
E1idrogenoide E1neutro opposto) per il
principio di
esclusione di Pauli.

Modello a Bande
Pensiamo di avvicinare due atomi di He (2e-, 2p+, 2n).
Il potenziale elettrico cui soggetto ciascun elettrone
sar quello generato da due nuclei carichi positivamente
e da altri tre elettroni, quindi molto diverso da quello
sperimentato dall'elettrone nell'atomo isolato.
Quando i due atomi si uniscono a formare un unico
sistema, ci saranno 4 elettroni da sistemare nel livello E1.
Per soddisfare il principio di esclusione di Pauli, il livello
E1 si sdoppia:

He He 2He

4
 Modello a Bande d

E
d0 Distanza tra
due atomi

Alla distanza d0 tra i due atomi
vi un minimo di energia.
Quella la distanza finale.
E "1
E1
E '1 Alla distanza d0 vi uno
sdoppiamento del livello
energetico E1

Modello a Bande
Avviciniamo ora N atomi:

E
d0 distanza tra
gli atomi

Se ho N atomi, avr 2N stati permessi

E1

Si forma un banda di stati permessi.

5
Modello a Bande
Reticolo cristallino di Silicio (N atomi) distanza tra
E
gli atomi
d0
Consideriamo lorbitale pi
esterno: ci sono 4 elettroni,
0 elettr cos ripartiti:
6N stati 3p2
4N stati 2N elettr.

2N stati
2N elettr.
3s 2
4N stati 4N elettr

Esiste una struttura

analoga per gli altri orbitali.

Modello a Bande
Reticolo cristallino di Silicio (N atomi) distanza tra
E gli atomi
d0
0 elettr
Banda di Conduzione
4N stati 3p 2 6 stati
(Vuota)
2 elettr.
Energy gap (Eg)
3s 2 2 stati
4N elettr 2 elettr.
4N stati Banda di Valenza
(Piena)

6
Cristallo di silicio (a T=0 K)

In un cristallo di
Si Si Si
silicio (o germanio) i
4 elettroni di
valenza sono posti in
comune tra atomi
Si Si Si contigui nel cristallo.

In questo modo ogni

atomo completa
lorbitale esterno (con
Si Si Si
8 elettroni)

Cristallo di silicio (a T=0 K)

Modello a bande di
energia
Si Si Si
Banda di conduzione
(vuota)
Ec
Si Si Si Intervallo di energia
proibita (Energy gap)
Ev
Banda di valenza
Si Si Si
(piena di elettroni)

In queste condizioni, applicando una piccola differenza di

potenziale, non ci sar movimento di elettroni in quanto
questi sono saldamente vincolati agli atomi!

7
 Metalli Per avere conduzione
(movimento di cariche) ci
devono essere livelli energetici
liberi e la possibilit di
raggiungerli.
Banda di conduzione
(vuota)
Parzialmente occupata Nei metalli, gli elettroni
Ec
dellorbitale pi esterno sono
debolmente legati agli atomi e
sono liberi di muoversi nel
reticolo.
Ev
Banda di valenza Se si applica una piccola
(piena di elettroni) differenza di potenziale, si ha
circolazione di corrente.

Equivalente idraulico: bottiglia mezza piena che, se inclinata,

comporta spostamento di liquido! La bottiglia piena (o vuota),
se inclinata, non comporta alcun spostamento di liquido.

Equivalente idraulico: bottiglia mezza piena che, se inclinata,

comporta spostamento di liquido! La bottiglia piena (o vuota),
se inclinata, non comporta alcun spostamento di liquido.

8
Metalli

Gli elettroni dellorbitale pi

Al Al Al esterno sono debolmente
legati agli atomi.

Al Al Al
Concetto di gas elettronico.

Se si applica una piccola

differenza di potenziale, si
Al Al Al
ha circolazione di corrente.

Semiconduttori intrinseci

In un cristallo di Si (o altri) a temperatura al di sopra dello

zero assoluto, si ha una probabilit non nulla che
un elettrone acquisisca energia sufficiente a rompere
il legame covalente, finendo cos
in banda di conduzione.

Lelettrone abbandona latomo

relativo (che diventa uno ione
carico positivamente) lasciandosi
dietro un legame incompleto
detto lacuna.

9
Cristallo di silicio
Modello a bande di
energia
Si Si Si
Banda di conduzione
Ec
Si Si Si
Eg

Ev
Si Si Si Banda di valenza

Per rompere il legame covalente (e originare una coppia

elettrone/lacuna) serve una quantit minima di energia
pari a Eg.

Semiconduttori intrinseci
A temperatura ambiente (25 C) la densit di elettroni
presenti in un semiconduttore intrinseco (ni) che
statisticamente (in un equilibrio dinamico) si trovano in
banda di conduzione dellordine di
1010 elettroni/cm3.
Eg
n2i = BT 3 exp
kT

La densit di atomi nel cristallo dellordine di 1022

atomi/cm3, per cui allincirca un atomo ogni 1012
perde un elettrone di valenza.
Per il bilanciamento delle cariche, si ha anche che

n = p =ni

10
 n = densit di elettroni
(elettroni/cm3) n = ni Per
un materiale intrinseco.

ni2 1020 cm-6 per Si

Eg
n2i = BT 3 exp
kT

Analogia tra semiconduttore e fluido.

(a) e (b) Nessun movimento netto di fluido avviene in caso di contenitore
vuoto o completamente pieno.
(c) e (d) Si ha movimento di Fluido nel caso in cui una parte del fluido del
contenitore inferiore sia stata spostata in quello superiore.

11
 Materiali Semiconduttori

Bandgap
Semiconductor Energy EG
(eV)
Carbon (diamond) 5.47
Silicon 1.12
Germanium 0.66
Tin 0.082
Gallium arsenide 1.42
Gallium nitride 3.49
Indium phosphide 1.35
Boron nitride 7.50
Silicon carbide 3.26
Cadmium selenide 1.70

In presenza di una tensione applicata, sia elettroni

liberi che lacune contribuiscono ad una piccola corrente.

12
 La Lacuna ovvero la carica positiva!

Le lacune si comportano come una carica positiva!

Conduttori, Semiconduttori e Isolanti

Banda di
conduzione
Banda di Ec
Banda di conduzione
Ec
Eg
conduzione Eg 810 eV
Ev
Ec Banda di
valenza
Metalli Ev
(conduttori) Semiconduttori Banda di
Eg=0 Eg=13 eV valenza
Isolanti

13
 Semiconduttori drogati
Laggiunta di una piccola percentuale di atomi di altri
elementi nel cristallo comporta forti cambiamenti nelle
propriet elettriche del cristallo, che viene detto drogato.

FOSFORO
(5 elettroni di valenza)
fornisce 1 elettrone
aggiuntivo (donatore).
Drogaggio di tipo n

BORO
(3 elettroni di valenza)
fornisce 1 lacuna
aggiuntiva (accettore).
Drogaggio di tipo p

Silicio drogato tipo n

Con atomi donatori
Laggiunta di impurit
pentavalenti (Sb, As, P)
Si Si Si
introduce elettroni
liberi che non
partecipano ai legami
covalenti, e aumentano
Si P Si la conduttivit del
semiconduttore.
(non si creano lacune),

Gli atomi del V gruppo

Si Si Si donano un elettrone e
per questo vengono
elettrone debolmente legato detti: donatori

14
Silicio drogato tipo n
Con atomi donatori

Si Si Si
Banda di conduzione
Ec
ED
Si P Si
E0.05 eV

Ev
Si Si Si Banda di valenza

A T=300 K tutti i donatori sono

ionizzati. Se introduco ND [cm-3] (con ND>>ni)
donatori allora n ND

Silicio drogato tipo p

Con atomi accettori
Laggiunta di impurit
Si Si Si trivalenti(B, Al, Ga)
crea delle assenze
di elettroni di
valenza (lacune)
che aumentano la
Si B Si
conduttivit del
semiconduttore.
Gli atomi del III gruppo
Si Si Si
accettano un elettrone
e per questo vengono
detti: accettori

15
Silicio drogato tipo p
Con atomi accettori

Si Si Si
Banda di conduzione
Ec
Si B Si E0.05 eV
EA
Ev
Si Si Si Banda di valenza

A T=300 K tutti gli accettori sono

ionizzati. Se introduco NA [cm-3] (con NA>>ni)
donatori allora p NA

Generazione/Ricombinazione
Legge dellazione di massa

Definizione: electron/hole pair = EHP

Sia G il tasso di generazione delle EHP (numero di EHP che
si generano nellunit di tempo). In prima approssimazione,
G dipende solo dalla temperatura: G = f T
1 ( )
Sia R il processo complementare di G: cio il tasso di
ricombinazione (processo mediante il quale un elettrone
libero si lega ad un legame covalente vacante).
In prima approssimazione, R pu avvenire solo in presenza
di elettroni e lacune. Quindi R dipende dal prodotto delle
( )
concentrazioni di elettroni e lacune: R = n p f2 T

16
Generazione/Ricombinazione
in equilibrio
Allequilibrio termodinamico, i tassi di generazione (G) e
ricombinazione (R) si equivalgono
f1 (T )
G = R np = = f (T )
f2 (T )
In un semiconduttore intrinseco ni=pi, quindi:

ni pi = ni2 = f (T )
Di conseguenza anche per i semiconduttori estrinseci
(drogati) vale:
n p = ni
2

Legge dellazione di massa

Silicio drogato
Semiconduttore tipo n: n ND
ni2 ni2
p=
Esempio: n ND
ND = 1018 cm3 , n = 1018 ,p = 2.1 102 cm3

Semiconduttore tipo p: p NA
Esempio: ni2 ni2
n=
p NA
NA = 1016 cm3 , p = 1016 ,n = 2.1 10 4 cm3
nn>>ni= pi>>pn e pp>>pi= ni>>np

17
 COMPENSAZIONE

Un semiconduttore compensato ha sia drogante

di tipo-n che di tipo-p. Se ND > NA gli elettroni
forniti dagli atomi donori andranno ad occupare
le lacune associate agli atomi accettori; gli
elettroni rimanenti, in concentrazione ND-NA, a
temperatura ambiente si troveranno in banda di
conduzione.

COMPENSAZIONE
Se ND>NA, il materiale di tipo-n.
Se NA>ND, il materiale di tipo-p.
I portatori (elettroni o lacune) presenti in
concentrazione maggiore si dicono portatori
maggioritari, gli altri si dicono portatori
minoritari.
Per la neutralit della carica si ha:
q(ND + p - NA - n) = 0
Per la legge dellazione di massa, allequilibrio
termodinamico, si ha: pn = ni2

18
 Semiconduttore tipo-n

Sostituendo p=ni2/n in q(ND + p - NA - n)

= 0 si ottiene: n2 - (ND - NA)n - ni2 = 0.
Risolvendo in n:
(ND NA ) (ND NA )2 + 4ni2 ni2
n= e p=
2 n

Per (ND - NA) >> 2ni, n (ND - NA) .

ni2
p=
ND NA

Semiconduttore tipo-p

In modo similare si pu ottenere la

concentrazione di lacune in un semiconduttore di
tipo-p (in presenza di entrambe le specie droganti):

(NA ND ) (NA ND )2 + 4ni2 ni2

p= e n=
2 p

Per (NA - ND) >> 2ni, p (NA - ND) .

ni2
n=
N A ND

19
 Mobilit

ND+NA

Corrente di Diffusione
(in presenza di un gradiente di concentrazione)

Densit di corrente di lacune Densita di carica

derivata negativa
carica della lacuna
FLUSSO
Diffusivita della lacuna
Gradiente (derivata)
x

dp Corrente di elettroni
Jp = qDp
dx
dn Corrente di lacune
Jn = qDn
dx
Nel caso degli elettroni, il segno e diverso perche la corrente
di elettroni ha verso opposto rispetto al loro flusso

20
 Corrente di Deriva
(in presenza di un campo elettrico, E)
Velocita vE
Velocita delle lacune Velocita degli elettroni
v = pE v = n E
Campo E
Mobilita Sono velocita medie
Velocita (cm/s) Collisioni e urti!!!

Jdrift = q ( pp + nn ) E Jdrift = E
1 1 Conducibilit
= =
q ( p p + n n )
Resistivit

Si intrinseco vs Si drogato
Silicio intrinseco:
n = p = ni = 1.45 1010 cm3
1
iSi = 2 105 [ cm]
q ( p p + n n )

Silicio tipo n:
ND = 1018 cm3 , n = 1018 ,p = 2.1 102 cm3

1
nSi 1.6 10 2 [ cm]
qnn

21
Corrente complessiva (1)

Jdrift = q ( pp + nn ) E Deriva

dp dn
Jdiffusion = q Dp + Dn Diffusione
dx dx

Dp Dn kT Relazione di Einstein
= = = VT lega la diffusione con la deriva
p n q A temperatura ambiente
VT 25 mV

Corrente complessiva (2):

dn(x )
Jnx (x ) = qnn(x )(x ) + qDn
dx
Densit di corrente complessiva di elettroni

dp(x )
Jpx (x ) = qpp(x )(x ) qDp
dx
Densit di corrente complessiva di lacune

22
 Generazione/Ricombinazione
non in equilibrio
Lilluminazione del semiconduttore di tipo n causa la rottura
di alcuni legami covalenti con conseguente generazione di
coppie elettrone-lacuna. Mentre laumento percentuale di
cariche maggioritarie (elettroni) trascurabile (condizione di
n0=ND), laumento di cariche minoritarie
bassa iniezione, n
(lacune) p-p0 molto pi rilevante:
ni2
Luce p p0 =
p(t) ND
p1

Si tipo n
p0 p0

t 0 t
Luce accesa

Generazione/Ricombinazione
non in equilibrio
Dopo un tempo sufficientemente lungo il sistema si trova
allequilibrio con una concentrazione di lacune pari a p1. Il
tasso di ricombinazione R sar approssimativamente:

R = n p f2 (T) ND p f2 (T )
Luce
p(t)
p1

p1-p0=p(0)
Si tipo n
p0 p0

t 0 t
Luce accesa

23
 Generazione/Ricombinazione
non in equilibrio
Allistante t=0 la luce viene spenta: pertanto, il tasso di
generazione G torna ad essere funzione solamente della
temperatura e pari al valore che G0 , che era in equilibrio
con il tasso di ricombinazione R0 in condizioni normali :

G = G0 = f1(T) = R0 = ND p0 f2 (T )
p(t)
p1

p1-p0=p(0)
Si tipo n
p0 p0

t 0 t
Luce accesa Luce spenta

Generazione/Ricombinazione
non in equilibrio
Levoluzione temporale p(t) della concentrazione di
lacune a partire dallistante t=0 determinata dalla
differenza tra i tassi di generazione e ricombinazione:
dp p p0
GR = = ND f2 (T) (p p 0 ) =
dt p
t
p(t)
p(t ) = p 0 + p (0)e
p

p1-p0=p(0)
Si tipo n
p0 p0

t 0 t
Luce accesa Luce spenta

24
 Generazione/Ricombinazione
non in equilibrio
Dove si posto:
1
p =
ND f2 ( T )
che la costante di tempo di vita delle lacune
nel semiconduttore di tipo n drogato con ND
donatori.

Analoga definizione si pu dare per gli elettroni in

un semiconduttore di tipo p drogato con NA
accettori.

Equazione di Continuit

Si consideri una regione di p

semiconduttore di tipo n di lunghezza dx Ip Ip+dIp
e sezione A, con concentrazione p di
cariche di minoranza. La differenza tra
ricombinazione G e generazione R :
x x+dx
p p0
GR =
p
Se si considera anche una corrente Ip di lacune entrante
in x ed una corrente Ip+dIp uscente da x+dx, si ha una
variazione di concentrazione p di lacune dovuto alla
corrente data da: 1 [Ip (Ip + dIp )] 1 dIp
=
Adx q Adx q

25
 Equazione di Continuit

La corrente Ip dovuta alla diffusione e alla deriva:

dp
Ip = A q Dp + A q p p E
dx
e differenziando:
d2p dE dp
dIp = A dx q Dp 2
+ A dx q p p + A dx q Ep
dx dx dx

Sostituendo e sommando gli effetti di R, G e Ip, il tasso di

variazione di p risulta:

dp d 2p dE dp p p 0 Equazione di
= Dp 2 p p E p
dt dx dx dx p Continuit

Equazione di Continuit

Analoga equazione vale per le cariche n in un

semiconduttore di tipo p.
Si considerano due casi importanti:
A Concentrazione uniforme senza campo elettrico
In questo caso dE/dx=0 e d2 p /dx2=0. Lequazione di
continuit si riduce a:
dp p p0
=
dt p
Lintegrale :
p p0 = (p1 p 0 ) e
t / p

Una concentrazione iniziale p1 si porta verso lequilibrio

con una costante di tempo p.

26
 Equazione di Continuit

B Concentrazione indipendente da t e campo

elettrico nullo
In questo caso dp/dt=0 e dE/dx=0. Lequazione di
continuit si riduce a:
d2p p p0
=
dx 2 Dp p
Lintegrale :
x / Lp x / Lp
p p 0 = A1 e + A2 e
Dove A1 e A2 dipendono dalle condizioni al contorno e si
definisce la lunghezza di diffusione:

L p = D p p

27