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Investigacin competencia: 1
Grupo: MB Aula: I3
Semestre: 2
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Introduccin
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ndice
Conclusin y bibliografa.
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CONFIGURACIONES ESTRUCTURALES.
Imperfecciones cristalinas.
Imperfecciones cristalinas, arreglos atmico e inico
Efectos puntuales:
Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos e inicos que si no fuera
por ellos seran perfectos en una estructura cristalina, se puede introducir por los
movimientos de los tomos o los iones al aumentar la energa por calentamiento,
durante el proceso del material por introduccin de impurezas o por dopado.
Impurezas:
Son elementos o compuestos presentes en las materias primas o en el
procesamiento.
Dopantes:
Son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en
concentraciones conocidas, en lugares especficos de la microestructura buscando
un efecto benfico sobre las propiedades y el procesamiento. Un defecto puntual
indica en general a uno o a un par de tomos o iones, en consecuencia es
distinto de los defectos extendidos como dislocaciones, lmites de grano, etc.
Vacantes:
Se producen cuando un tomo o ion en su sitio normal de la estructura cristalina,
lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino.
Defectos intersticiales:
Se forman cuando se inserta un tomo o un ion es sustituido con un tipo distinto
de tomo o ion, los tomos o iones sustitucionales pueden ser mayores que los
tomos o iones normales.
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Otros defectos puntuales:
Una intersticialidad o defecto puntual autointersticial se crea cuando un tomo
idntico a los puntos normales de la red est en una posicin intersticial. Es ms
probable encontrar estos defectos en estructuras cristalinas que tienen bajo factor
de empaquetamiento.
Defecto de Frenkel:
Es un par de vacancias en el intersticio que se forman cuando un ion salta de un
punto de red normal a un sitio intersticial.
Defecto Schottky:
Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la
neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.
Estructura cristalina
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Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con que los
tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro. Un material cristalino es aquel
en que los tomos se encuentran situados en un arreglo repetitivo o peridico dentro de
grandes distancias atmicas; tal como las estructuras solidificadas, los tomos se
posicionarn de una manera repetitiva tridimensional en el cual cada tomo est enlazado
al tomo vecino ms cercano. Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros
forman estructuras cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.
Una celda unitaria se caracteriza por tres vectores que definen las tres direcciones
independientes del paraleleppedo. Esto se traduce en seis parmetros de red, que son
los mdulos, a, b y c, de los tres vectores, y los ngulos , y que forman entre s.
Estos tres vectores forman una base del espacio tridimensional, de tal manera que las
coordenadas de cada uno de los puntos de la red se pueden obtener a partir de ellos por
combinacin lineal con los coeficientes enteros.
La estructura cristalina de un slido depende del tipo de enlace atmico, del tamao de
los tomos (o iones), y la carga elctrica de los iones en su caso).
Existen siete sistemas cristalinos los cuales se distinguen entre s por la longitud de sus
aristas de la celda (llamados constantes o parmetros de la celda) y los ngulos entre los
bordes de sta. Estos sistemas son: cbico, tetragonal, ortorrmbico, rombodrica (o
trigonal), hexagonal, monoclnico y triclnico.
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Los diferentes sistemas cristalinos se forman por el apilamiento de capas de tomos
siguiendo un patrn particular.
DEFECTOS LINEALES
El defecto lineal suele designarse por una T invertida (), que representa el borde de un
semiplano extra de tomos. Esta configuracin conduce por s misma a una designacin
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cuantitativa sencilla, el vector de Burgers, b. Este parmetro es simplemente el vector
desplazamiento necesario para cerrar un circuito realizado por paso a paso alrededor del
defecto. En el cristal perfecto, un circuito con mn pasos atmicos se cierra en el punto
inicial. En la zona de la dislocacin, el mismo circuito no se cierra. El vector de cierre (b)
representa la magnitud del defecto estructural. Esto lo podemos ver en la siguiente figura:
Figura 1.Definicin del vector burgers, b, en: (a) una estructura cristalina perfecta donde el
circuito de vectores se cierra en el punto de partida; (b) en una estructura cristalina con
una dislocacin de borde donde en la zona de dislocacin ese mismo circuito no cierra y
es necesario un vector adicional, b; dicho vector representa la magnitud de la dislocacin
y se observa que es perpendicular a la lnea de dislocacin, t; (c) en una estructura
cristalina con una dislocacin de tornillo o helicoidal ; de nuevo en la zona de la
dislocacin el circuito de vectores no cierra y es necesario el vector de burgers, que de
nuevo representa la magnitud de la dislocacin; se observa que el vector burgers es
perpendicular a la lnea de dislocacin, t.
Se distinguen dos tipos: mixtas y puras (donde se incluyen las dislocaciones de cua o
borde y las de tornillo o helicoidales):
Puras
Es un defecto lineal centrado alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano
de tomos extra (Figura 2). Se representa por el smbolo , o te invertida, haciendo
referencia al borde del semiplano extra. En esta posicin se dice que la dislocacin de
cua es en sentido positivo o lo que es los mismo, el plano extra se ha insertado en la
parte superior del plano de corte. Para representar la situacin opuesta, se emplea el
smbolo T (dislocacin de cua negativa).
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La dislocacin de cua genera una zona de esfuerzos de compresin donde se encuentra
el semiplano extra de planos y una regin de esfuerzos de traccin debajo de este
semiplano.
Figura 2
Figura 3
Mixtas
Los dos tipos de dislocaciones definidas anteriormente son formas lmites. Las
dislocaciones que normalmente aparecen en los materiales reales son formas intermedias
entre estas dos extremas y reciben el nombre de dislocaciones mixtas. En este caso, las
dislocaciones tienen componentes de dislocaciones borde y tornillo. Se muestra un
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ejemplo en la Figura 4. La lnea de dislocacin es de tipo tornillo puro cuando entra en la
estructura cristalina y de tipo borde puro cuando sale de ella. En el interior de la estructura
cristalina, la dislocacin pasa a ser de tipo mixto, con componentes de borde y de tornillo.
Figura 4
Virtualmente todos los materiales contienen algunas dislocaciones que son introducidas
durante la solidificacin, la deformacin plstica, o como consecuencia de tensiones
trmicas que resultan del enfriamiento rpido. La forma de indicar la cantidad de
dislocaciones que presenta un material es mediante la densidad de dislocaciones o
longitud total de dislocaciones por unidad de volumen, y se indica en unidades de cm/cm3
o sencillamente por n de dislocaciones por cm-2. Para un metal sin deformar suele ser
habitual una densidad de dislocacin de 106 cm-2, duplicndose este nmero para el
metal deformado plsticamente (en torno a 1012 cm-2).
En primera lugar, permite explicar el por qu el esfuerzo terico necesario para deformar
plsticamente (o permanentemente) un material, es mucho mayor que el valor necesario
observado en la prctica. En efecto, el deslizamiento provocado por los movimientos de
las dislocaciones, provoca una mayor facilidad de ruptura de uniones atmicas lo que
implica una menor fuerza requerida para la deformacin plstica del metal. Por tanto, la
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presencia de dislocaciones, facilita la deformacin plstica de un metal y cuantos ms
sistemas de deslizamiento posea, mayor facilidad presentar.
Defectos superficiales.
Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un material en
regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente
orientacin.
SUPERFICIE EXTERNA
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Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red
termina abruptamente. Los tomos de la superficie no estan enlazados al nmero mximo
de vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico
que los tomos de las posiciones internas. Los enlaces de esos tomos supericials que no
estan satisfechos dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades de energa
por unidad de rea (J/m2 o Erg/cm2). Adems la superficie del material puede ser rugosa,
puede contener pequeas muescas y puede ser mucho mas reactiva que el resto del
material.
BORDES DE GRANO
Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de diferentes
orientaciones cristalogrficas en materiales policristalinos.
El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn uniformemente
separados, o sea que hay tomos que estn muy juntos causando una compresin,
mientras que otros estn separados causando tensin. De cualquier forma los limites de
grano son reas de alta energa y hace de esta regin una mas favorable para la
nucleacin y el crecimiento de precipitados
MACLAS
Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los tomos de un lado del
lmite estn localizados en una posicin que es la imagen especular de los tomos del
otro lado.
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1.3.4 Importancia de los defectos
Los defectos que aparecen en los materiales, como una grieta, pueden ser responsables
de mltiples problemas, desde fallos en un microchip a terremotos. Ingenieros del MIT
han desarrollado un modelo que predice el lugar de origen del defecto, sus caractersticas
iniciales y cmo empieza a avanzar a travs del material.
El modelo podra ser especialmente til en nanotecnologa, ya que, como dice Subra
Suresh, uno de los responsables de las investigaciones, a medida que los dispositivos se
hacen ms y ms pequeos, se hace ms importante entender los fenmenos que
producen los defectos en ellos. Una aparentemente minscula dislocacin (un pequeo
desorden en la configuracin de los tomos dentro del material), o una grieta, pueden
comprometer de forma drstica el rendimiento del sistema.
Suresh y sus colegas Ju Li, Krystyn J. Van Vliet, Ting Zhu y Sidney Yip, han logrado con
su modelo un paso adelante importante hacia la comprensin del extrao mundo de los
defectos en los materiales. Descrito en la revista Nature, proporciona una capacidad de
prediccin aplicable a diferentes escalas. As, puede ser utilizado no slo para predecir los
defectos entre tomos, sino tambin para el deslizamiento entre placas tectnicas, un
fenmeno tras el cual se ocultan los terremotos.
Los investigadores tambin han descrito cmo un defecto atmico como una grieta o una
dislocacin puede desarrollarse a partir de una onda. El mundo est lleno de ondas
invisibles, como las ondas snicas que viajan a travs del aire. Bajo ciertas condiciones,
sin embargo, una onda puede hacerse inestable. A partir de aqu, puede aparecer un
defecto en cuatro etapas. En primer lugar, la amplitud de la onda crece. Poco a poco, la
cresta se eleva, como ocurre con las olas que se aproximan a la costa. En una tercera
fase, la onda se hace tan pronunciada que ya no puede describirse a nivel continuo y
debe ser transferida a una descripcin atmica. En una cuarta etapa, la onda de choque a
escala atmica se ve atrapada en el difcil territorio del paisaje energtico microscpico,
resultando en un defecto.
El modelo no ha sido pensado de un da para otro. Est basado en muchos aos de teora
y experimentos realizados por muchas personas. Los cientficos, adems, disponen de
herramientas de computacin y experimentales que antes no existan.
Mecanismos De La Difusion
Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura
cristalina: (1) mecanismo de vacantes o sustitucional, y (2) el mecanismo intersticial.
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Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay
presente suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de
los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos
los ocupen. Las vacantes en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos
estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar la difusin sustitucional de los
tomos. Segn va aumentando la temperatura del metal se producirn ms vacantes y
habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de difusin es mayor a
temperaturas ms altas.
Tabla 1
Se pude observar que a medida que incrementa el punto de fusin del material. La
energa de activacin tambin aumenta. Esto se da porque los metales con temperatura
de fusin ms altas tienden a mayores energas de enlace entre sus tomos.
La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se
trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a
ninguno de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial
sea efectivo, el tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo
comparado con el de los tomos de la matriz. Los tomos pequeos como los de
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hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno, pueden difundirse intersticialmente en algunas
redes cristalinas metlicas. Por ejemplo, el carbono puede difundirse intersticialmente en
hierro alfa BCC y hierro gamma FCC. En la difusin intersticial de carbono en hierro, los
tomos de carbono deben pasar entre los tomos de la matriz de hierro.
Conclusin
Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay
presente suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de
los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos
los ocupen. Las vacantes en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos
estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar la difusin sustitucional de los
tomos.
Bibliografa
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