UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA SEDE BOGOT 1

Laboratorio Electrnica Anloga Grupo 6 Subgrupo 5

El transistor MOSFET. Caracterizacin y aplicaciones en

compuertas lgicas digitales.
Diego Alejandro Daz Torres, Carlos Felipe Felipe Suarez Caldern, Father Alexander Rodrguez Pinto, Miller
Antonio Cubillos Herrera
diadiazto@unal.edu.co, cafsuarezca@unal.edu.co, faarodriguezpi@unal.edu.co, miacubilloshe@unal.edu.co.

est justo en el rango del espectro pero resulta invisible para

Abstract- In this laboratory, a sensing system of infrared nuestros ojos.
emitter-receiver pair characterized. Considering the change
Reflexin directa: Estos sensores contienen la fuente de luz
of current vs. voltage, the operating limits of infrared light
y el receptor en el mismo lugar aunque requieren de un
emitter and infrared sensor, the optimal transmission
reflector de luz alineado con el sensor, pues para que el
conditions on the sensing system, such as distance and angle
objeto sea detectado tiene que interrumpir el rayo entre el
of incidence. Further testing was performed to sense the
sensor y el reflector.
heartbeat from the transmitter-receiver pair infrared system.
Having problems with the low light of the issuer, not
allowing the cardiac signal sensing.

Keywords: Sensar, reflection, light spectrum, infrared

sensor, light emitting.

Palabras claves: Sensar, reflexin, espectro de luz, sensor

infrarrojo, emisor de luz. Fig.1. Esquema de deteccin de objetos con reflector [1]
I. INTRODUCCIN
Reflexin difusa: Este sensor es un poco parecido al anterior,
En esta primera entrega del proyecto final de electrnica
tiene la fuente de luz y el receptor en el mismo lugar pero
anloga I, se introdujo el sensor y el emisor infrarrojo
este no necesita de un reflector de luz.
(IRED), componentes de sensado muy tiles en cualquier
Para identificar el objeto se le refleja la luz del emisor en la
aplicacin que requiera interpretar un fenmeno o estimulo
superficie del objeto, la cual regresara hacia el receptor
en un sistema, como el clima o la humedad.
gracias a la reflexin en el objeto
Se caracteriz un par emisor- receptor infrarrojo, compuesto
por el emisor de luz infrarroja y el receptor, un sensor
infrarrojo. Este conectado a una resistencia limitadora de
corriente. Se realizaron variaciones de tensin para
determinar el rango de cambio de la corriente (V vs I).
Luego para analizar el comportamiento de recepcin de la
seal lumnica al receptor segn su proximidad, por medio
de reflexin directa, enfrentando el par emisor-receptor, se
tom un rango de mediciones de tensin vs distancia. Fig. 2. Esquema de deteccin de objetos sin reflector [2]
Finalmente, se realizaron pruebas para sensar el pulso
cardiaco, por medio de reflexin directa contra la piel donde Sensores Pasivos: Dichos sensores estn formados por el
se pudiera obtener pulso cardiaco fcilmente. fototransistor con el objetivo de medir las radiaciones que
provienen de cualquier objeto.
II. MARCO TEORICO Sensores Activos: Estos sensores se basan en la unin de un
Sensor Infrarrojo: Este sensor es un dispositivo electrnico, emisor y un receptor cercanos entre s, casi siempre se
mecnico y qumico, el cual registra un atributo ambiental encuentran como un circuito integrado.
dando una medida cuantizada como resultado, que con El receptor es el fototransistor y el emisor es un diodo led
frecuencia es un nivel de tensin elctrica. infrarrojo.

El sensor infrarrojo es un dispositivo capaz de medir la Reflexin con reflector: Este tipo de sensor presenta una cara
radiacin electromagntica infrarroja de cualquier cuerpo frontal en la que se puede encontrar un led o un
que se ubique en su campo de visin, gracias a que todos los fototransistor, tambin contiene el componente emisor y
cuerpos muestran una pequea cantidad de radiacin la cual receptor en un solo cuerpo. El haz de luz se crea en base a la
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utilizacin de un reflector catadiptrico. Para poder
identificar el objeto se tiene que interrumpir el haz que est
formado entre el emisor, reflecto y el receptor. La ventaja
que tienen las barreras rflex es que su cableado va por un
solo lado mientras que en las barreras emisor-receptor el
cableado va por ambos lados.
Sensores de barreras: Est compuesto por dos barreras las
cuales tienen una fuente de luz en una locacin y el receptor
en la otra, donde tiene que estar de frentes para que el objeto
pueda ser detectado tiene que pasar entre el emisor y el
receptor interrumpiendo el haz de luz. [1][2]
Fig. 3. Esquema para deteccin de objetos mediante
interrupcin del haz IR [3]
III. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Materiales usados
o Multmetro digital
o Fuente DC
o Resistencias (1/4 W):
- 220
- 100
- 100 k
- 1 M k
o Potencimetro de 10 k
o Conectores caimn caimn, banana caimn
o Transistores MOSFET canal N de enriquecimiento,
ref.: TC 4007, DIP 14
1
Prctica
Caracterizacin del transistor MOSFET usndolo como
fuente de corriente Modelo SCS (Switch Current
Source)
En este segmento de la prctica se realiz principalmente, la
medicin de valores importantes como Vt. Se visualiz en el
osciloscopio la recta ID vs VDS para 5 valores VGS distintos.
Con esto, se calcular k, al igual que la resistencia lineal
RDS.
Fig. __. Circuito en configuracin de transistor Mosfet como
fuente de corriente
El Mosfet como un switch Modelo S
En esta seccin se realiz el montaje de 5 compuertas
lgicas con el fin de comprobar su funcionamiento con
componentes discretos NMOS. En especial, el negador o
inversor Mosfet, para el cual se realizaron mediciones de
alto y bajo tanto en la entrada como en la salida. Adems, se
obtuvo la funcin de transferencia del inversor.
Fig. __. Uso del transistor Mosfet en circuitos lgicos
digitales
El Mosfet en la regin triodo Modelo SR
Finalmente, se hall la resistencia RON y ROFF usando dos
resistencias distintas para cada caso, por lo cual se obtuvo el
voltaje entre drain y source. As mismo, se comprob el
funcionamiento en la regin triodo, aunque esto pudo
observarse en la primera parte al obtener ID vs VDS
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Clculos previos Tabla II

Compuerta AND; A y B: entradas, C salida
Caracterizacin del transistor MOSFET usndolo como A B C
fuente de corriente Modelo SCS (Switch Current 0 0 0
Source) 0 1 0
1 0 0
1 1 1
Qu funcin cumple el diodo dentro de este
circuito? Tabla III
R/: puesto que es un transistor canal N, la Compuerta NAND; A y B: entradas, C salida
alimentacin VDS debe ser positiva, por lo tanto, el A B C
diodo solo permite el paso de corriente desde drain 0 0 1
a source, al igual que permite que se establezca 0 1 1
voltaje positivo entre estos dos terminales 1 0 1
Por qu la fuente de excitacin es alterna y
1 1 0
triangular?
R/: con el fin de observar la funcin de
Tabla IV
transferencia (ID vs VDS), el voltaje es alterno para
Compuerta OR; A y B: entradas, C salida
observar cmo cambia ID al aumentar VDS. Es
A B C
triangular porque su aumento de voltaje es lineal,
con el fin de interpretar mejor la curva de 0 0 0
transferencia 0 1 1
Para qu se mide la seal en los dos canales y que 1 0 1
se mide en cada uno de ellos? 1 1 1
R/: en CH1 se mide el voltaje VDS. En CH2 se mide
el voltaje sobre la resistencia de 100. Por lo tanto Tabla V
en CH2 se est midiendo indirectamente la Compuerta NOR; A y B: entradas, C salida
corriente ID. No obstante, hay que tener en cuenta el A B C
punto de tierra para realizar una adecuada medicin 0 0 1
Cmo se puede caracterizar el transistor Mosfet 0 1 0
mediante el uso de este circuito? 1 0 0
R/: se puede caracterizar mediante la revisin de 1 1 0
varias curvas de transferencia, puesto que estas
cambian si VGS tambin lo hace; de la misma Para las anteriores tablas, 1 significa un nivel de voltaje alto
manera, se puede hallar un valor aproximado de Vt a la entrada (VIH), mientras que cero representa un nivel de
mediante la variacin de VGS. voltaje bajo a la entrada (VIL).
Qu forma tendr la curva caracterstica de
transistor (ID vs VDS)? En el datasheet del TC4007 [A], a una temperatura ambiente
R/: inicialmente ser una curva prcticamente (25), con voltaje VDD= 5V, se requiere un voltaje entre 3 y
lineal, cuando VGS >= Vt, la curva se estabilizar 4 para que sea interpretado como un V IH. En el caso de un
para un valor de ID, aunque todava presentar una VIL, el voltaje de entrada debe estar entre 1 y 3 V.
leve pendiente, esto sin importar ya el valor de VDS
(aumento) El Mosfet en la regin triodo Modelo SR

El Mosfet como un switch Modelo S Si en el inversor Mosfet no se consideran las condiciones de

corto o circuito abierto, es porque en realidad se tiene una
En esta parte se investig acerca de las tablas de verdad para resistencia equivalente para cada caso; es decir, si el Mosfet
las compuertas lgicas: NOT, AND, NAND, OR, NOR est en saturacin, RON= 40 y si est en corte, ROFF= 5M.
Por lo tanto, en Off, ID ser menor puesto que hay mayor
Tabla I resistencia, lo que en voltaje se traduce como un nivel menor
Compuerta NOT o inversora; A: entrada, B: salida que VDD. Para el caso On, el voltaje de salida ser un poco
A B mayor a cero, y de esta manera, ID ser distinta de cero.
0 1
1 0
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Simulaciones

XSC1

Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _

D1
XMM1

R1 DIODE_VIRTUAL
Q1
10k R3
V1 38%
15 VKey=A 100k XFG1
2N6659

R2
100
Fig. __. Grficas para voltaje (indirectamente I D) y VD,
potencimetro al 90%

Fig. __. Simulacin del circuito con Mosfet chN para En las anteriores grficas, el potencimetro vara el voltaje
caracterizacin de gate, lo que su vez vara VGS. En CH1 se visualiza el
voltaje de entrada VD, en CH2 se visualiza el voltaje VS, lo
cual es medida indirecta de ID. Sin embargo este circuito,
aunque muestra una relacin ID vs VD, no es el ms
adecuado para mostrar realmente ID vs VDS. El cambio que
se realiz en el laboratorio fue la tierra, que se coloc
directamente en source, mientras que el negativo de la fuente
triangular alterna se coloc a la resistencia de 100.

Fig. __. Grficas para voltaje (indirectamente ID) y VD,

potencimetro al 38%

Fig. __. Caracterizacin del Mosfet (ID vs VDS) para varios

niveles de VGS

La anterior grfica permite identificar las distintas curvas al

realizar la variacin de VGS. Inicialmente se visualiza una
zona lineal o triodo, para luego entrar en la zona saturacin.
Fig. __. Grficas para voltaje (indirectamente I D) y VD,
potencimetro al 70%
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VDD
5V
XMM1

R2
10k

Q1
J1A

Key = A R1 2N6659
100k
Fig. __. Medicin de Vt.
Q2
Para la medicin de Vt, se tomaron dos valores de V GS, lo J2A
cual indica el paso desde la zona de corte a la zona triodo.
Sin embargo, en laboratorio se realiz una implementacin Key = A R3 2N6659
ms efectiva usando la curva ID vs VDS. 100k

VDD
5V XMM1 Fig. __. Simulacin compuerta NAND

R2
10k
XMM1
J1A
VDD
R4
Key = A Q1 Q2 5V 10k
J2B
R2
10k Q3
R1 2N6659 Key = A R3 2N6659 J1A
100 100
Key = A Q1 Q2 2N6659
J2B

R1 2N6659 Key = A R3 2N6659

100 100
Fig. __. Simulacin compuerta NOR

VDD Fig. __. Simulacin compuerta OR

5V
XMM1

R2
10k

Q1
J1A

Key = A R1 2N6659
100k

Fig. __. Simulacin compuerta NOT (inversor)

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VDD Hay que tener en cuenta que la visualizacin de la curva ID

5V XMM1 vs VDS est reflejada respecto al eje x, debido a que CH2
R4 realiza la medicin de corriente ID (indirectamente) en
10k
sentido inverso.
R2
10k Q3
A continuacin se presentan las grficas obtenidas para
hallar Vt y posteriormente, para 5 valores distintos de VGS
(el origen se encuentra en (-5,3)):
Q1 2N6659
J1A

Key = A R1 2N6659
100k

Q2
J2A

Key = A R3 2N6659
100k

Fig. __. Simulacin compuerta NAND

Las 5 simulaciones anteriores arrojaron resultados esperados

en las simulaciones, cumpliendo con las tablas de verdad
para cada compuerta. Fig. __. Medicin de Vt para cuando la corriente recin
comienza a fluir entre drain y source

Vt = 1,5 1,6 V
IV. DATOS EXPERIMENTALES

Caracterizacin del transistor MOSFET usndolo como

fuente de corriente Modelo SCS (Switch Current
Source)

Inicialmente, se realiz el cambio de montaje para permitir

una medicin de ID vs VDS apropiada:

XSC1

Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _

D1
XMM1 XFG1
DIODE_VIRTUAL
R1
V1
Q1 Fig. __. Curva de ID vs VDS para VGS = 3,52V
R2
15 V10k 88% R3
100
Key=A
100k 2N6659

Fig. __. Circuito de caracterizacin corregido.

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Fig. __. Curva de ID vs VDS para VGS = 5,02V

Fig. __. Curva de ID vs VDS para VGS = 13,38V

Para las anteriores grficas, ID se puede interpretar como

5mA por cuadro. Esto es debido a la escala en que se
encuentra (500 mV) junto con la R = 100, permite hacer
esta interpretacin. Por lo tanto, cada subdivisin ser de
1mA.

El Mosfet como un switch Modelo S

A continuacin se relacionan los valores obtenidos de las

mediciones a la salida de cada compuerta lgica, realizadas
con multmetro digital, los S1 y S2 representan a los
interruptores implementados como en las simulaciones, al
igual que 0 significa puesta a tierra, mientras que 1 significa
puesta a VDD= 5 V:

Tabla VI
Fig. __. Curva de ID vs VDS para VGS = 8,05V Mediciones para compuerta NOT o inversora
S1 Salida (en V)
0 5,089
1 0,148

Tabla VII
Mediciones para compuerta AND
S1 S2 Salida (en V)
0 0 0,156
0 1 0,160
1 0 0,155
1 1 5,048

Tabla VIII
Mediciones para compuerta NAND
S1 S2 Salida (en V)
0 0 5,017
0 1 5,007
Fig. __. Curva de ID vs VDS para VGS = 11,08V 1 0 5,005
1 1 0,051
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Tabla IX En el laboratorio se implementaron los siguientes circuitos:

Mediciones para compuerta OR
S1 S2 Salida (en V) VDD
0 0 0,154 5V
0 1 5,055
1 0 5,055 R2
220
1 1 5,055
Q1
Tabla X J1A
Mediciones para compuerta NOR
S1 S2 Salida (en V) Key = A 2N6659
0 0 5,058 R3
100k
0 1 0,582
1 0 0,148
1 1 0,120
Fig. __. Montaje para calcular RON

A continuacin se presenta la funcin de transferencia Para el anterior montaje, se obtuvo VDS= 4,2 V
obtenida para el inversor (origen en (-3,-2)):
VDD
5V

R2
1M

Q1
J1A

Key = A 2N6659
R3
100k

Fig. __. Montaje para calcular ROFF

Para el anterior montaje, se obtuvo VDS= 2,671 V

Fig. __. Funcin de transferencia para el inversor con Mosfet
V. ANALISIS DE RESULTADOS

Caracterizacin del transistor MOSFET usndolo como

fuente de corriente Modelo SCS (Switch Current
Source)

Fig. __. Implementacin de compuerta NOT

El Mosfet en la regin triodo Modelo SR

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El Mosfet como un switch Modelo S
La idea del funcionamiento del Mosfet como switch se
explica por esta imagen:
Fig. __. Modelo S del Mosfet. [B]
En la implementacin de las distintas compuertas lgicas, las
mediciones concuerdan con lo esperado, pues se cumplieron
las tabla de verdad al igual que se logr reproducir en el
laboratorio los circuitos simulados.
En el caso del inversor, fue necesario colocar en Gate un
voltaje alterno triangular; esto con el fin de obtener la
funcin de transferencia. Sin embargo, esta conexin
requiri de un diodo en serie, junto con una resistencia a
tierra, para evitar voltaje negativo en gate.
La funcin de transferencia ideal para el inversor es aquella
cuya transicin de alto a bajo (en la salida) sea instantnea.
Pero en la prctica no sucede as, como se ve en la imagen
de la funcin de transferencia. A continuacin se realiza un
esquema para analizar mejor:
1
Fig. __. Anlisis para encontrar los valores de entrada y
salida del inversor desde la funcin de transferencia
En los puntos cuya pendiente es -1 (lneas azules), se
realizan proyecciones tanto en x como en y. Esto permite
encontrar los siguientes valores:
En el eje y
VOH = 5 V
VOL = 0,21 V
En el eje x
VIH = 2,8 V
VIL = 1,6 V
Es decir, mientas el voltaje de entrada este entre cero y VIL,
la salida se mantiene en uno (VOH). El intervalo entre VIL y
VIH es aquel en el cual el Mosfet se encuentra en la regin
trodo; esto es porque al aumentar VGS, aumenta ID. Es
decir, aumenta la cada de voltaje en la resistencia, mientras
que la resistencia rds interna del Mosfet va disminuyendo.
Al superar VIH, la salida ser un nivel bajo o cero lgico, es
decir, un valor por debajo de VOL.
Los niveles VIH y VIL concuerdan con lo esperado como se
expres en la parte de clculos previos.
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El Mosfet en la regin triodo Modelo SR VI. CONCLUSIONES

La adecuada caracterizacin del Mosfet permite

Lo realizado en la prctica de laboratorio, al menos para
RON, se muestra a continuacin:
aprovechar las distintas zonas para futuros montajes, por
ejemplo como compuerta o amplificador.
La medicin de la resistencia interna On y Off, permite
realizar montajes y conexiones con otros elementos
adecuadamente, con el fin de obtener los voltajes
deseados en una compuerta lgica
La gran mayora de circuitos digitales modernos usa los
transistores Mosfet, en configuraciones CMOS,
construidos incluso a escala nanomtrica, con el fin de
hacer arreglos de millones de transistores.

VII. BIBLIOGRAFA

[A] Datasheet TC4007UBP/UBF. Disponible en:

Fig. __. Esquema del Mosfet con RL adecuada entre drain y
Vs para encontrar RON [C]
Segn lo expresado en los resultados, solo resta aplicar la
siguiente ecuacin despejando RON:
http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheets2/16/168990_1.pdf
[B] Andrew She. Circuits & electronics. Disponible en:
http://mit6002.blogspot.com/2011/01/62-logic-functions-
using-switches.html
[C] Andrew She. Circuits & electronics. Disponible en:
http://mit6002.blogspot.com/2011/01/68-static-analysis-
using-sr-model.html

RON = 1155

Anlogamente, la ecuacin se puede usar para ROFF:

ROFF = 1,15 M

Por lo tanto, para realizar una buena implementacin de

compuertas lgicas, es necesario tener en cuenta estas
resistencias. Si para el caso del inversor, por ejemplo, se
hubiese colocado una resistencia muy alta en el drain, la
salida no sera un uno lgico puesto que las resistencias son
comparables en valor. De igual manera, una resistencia muy
baja alterara el valor de cero lgico deseado a la salida
(drain).

En las compuertas lgicas se us una resistencia de 10K.

Entonces con este resultado, hubiese sido ms apropiado
usar una resistencia de mayor valor, entre 47K y 100K, con
el fin de obtener valores de salida an mejores.