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Tecnologie Elettroniche per lEnergia

Nicola Sparnacci

18 gennaio 2017
ii
Indice

1 Fisica dei semiconduttori 1


1.1 Bande di energia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.1 Relazione di dispersione . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.2 Bandgap . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1.3 Conduzione nel semiconduttore . . . . . . . . . . . . . 9
1.2 Semiconduttori intrinseci . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.1 Propriet dei semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3 Drogaggio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4 Distribuzione energetica allequilibrio . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.1 Approssimazione della funzione di Fermi: distribuzio-
ne di Boltzmann . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.2 Legge dellazione di massa . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.3 Effetti del drogaggio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5 Analisi in condizioni di non equilibrio . . . . . . . . . . . . . . 20
1.5.1 Momenti statistici di F rispetto ~p . . . . . . . . . . . 22
1.5.2 Corrente di deriva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.5.3 Corrente di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.5.4 Quasi-livello di Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.6 Piegamento delle bande allequilibrio . . . . . . . . . . . . . . 29
1.7 Generazione e ricombinazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.7.1 Generazione e ricombinazione Shockley, Read, Hall . . 32

2 Giunzione PN 33
2.1 Analisi elettrostatica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.1.1 Reverse Bias: polarizzazione inversa . . . . . . . . . . 42
2.1.2 Direct Bias: polarizzazione diretta . . . . . . . . . . . 44
2.2 Contributi di generazioni termiche . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.2.1 Polarizzazione inversa nella regione svuotata . . . . . . 51
2.2.2 Ionizzazione da impatto in reverse-bias . . . . . . . . . 52
2.3 Generazione ottica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

iii
iv INDICE

3 Simulazione dispositivi 55
3.1 Diversi tipi di discretizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.2 Discretizzazione delle equazioni nella griglia . . . . . . . . . . 56

4 Celle fotovoltaiche 61
4.1 Principio di funzionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.2 Assorbimento della luce . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.3 Cella al silicio convenzionale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.4 Giunzione PN come cella fotovoltaica . . . . . . . . . . . . . . 65
4.5 Limiti teorici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
4.6 Performance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

5 Produzione dei circuiti integrati 69


5.1 Preparazione wafer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.1.1 Materiali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.1.2 Creazione lingotto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.1.3 Grinding, slicing e lapping . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.2 Processi fondamentali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.2.1 Fotolitografia e Etching . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5.3 Deposizione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
Capitolo 1
Fisica dei semiconduttori

I componenti allo stato solido, in contrasto coi tubi a vuoto, utilizzati solo per
applicazioni di nicchia, si fa riferimento ai materiali caratterizzati da reticoli
cristallini (crystal lattice). Questi materiali hanno la caratteristica di avere
strutture atomiche ordinate che si ripetono con periodicit, che pu essere
bi o tridimensionale. I ricercatori stanno attualmente cercando di passare al
grafene, dotato di struttura bidimensionale, ma si stanno riscontrando alcuni
problemi.
Attualmente, quindi, la struttura pi utilizzata quella con reticolo cri-
stallino tridimensionale e si pu definire lunit elementare come la distribu-
zione ordinata di atomi minima che, ripetendosi nello spazio, crea il cristallo.
Questa ripetizione periodica dellunit elementare permette di avere una pro-
priet di invarianza nello spostamento tridimensionale. possibile mappare
tutte le celle elementari col vettore spostamento:

I = ma + nb + pc (1.1)

dove m, n, p, sono dei numeri interi mentre a,b, c, sono vettori unitari or-
togonali tra loro che descrivono le tre dimensioni spaziali. Tra le possibili
configurazioni ordinate che un materiale pu avere, si distingue il sottoinsie-
me dei reticoli cristallini cubici che sono quelli che caratterizzano la maggior
parte dei semiconduttori, come ad esempio il silicio. Infatti il silicio ha forma
a diamante data dallintersezione fra due cubi a facce centrate, come la cella
diFigura 1.1c.
Siccome per le strutture cubiche tutti i vettori dimensionali hanno la stes-
sa dimensione, la struttura cristallina pu essere definita utilizzando ununica
grandezza a definita costante cristallina (lattice constant). La costante cri-
stallina definisce il lato del cubo, ovvero la distanza tra due atomi che varia
a seconda della temperatura. Per il silicio, ad una temperatura di 300 K, la
costante vale:
a = 5.4 .

1
2 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

a a a
(a) Forma cubica sem- (b) Forma a corpo (c) Forma cubica a
plice centrato facce centrate

Figura 1.1: Strutture cubiche

Altri materiali sono caratterizzati da una costante cristallina diversa, quindi


distanze tra atomi diverse. Per questo motivo si deve stare attenti nellunire
due o pi materiali con costanti diverse perch allaumentare della differenza
aumenta anche lo stress o dilatazione meccanica necessario per tenere unita
la giunzione. Di conseguenza, per le eterogiunzioni necessario prendere
materiali con costante cristallina simile.

1.1 Bande di energia


Gli elettroni possono avere solo un numero finito di livelli e ciascun elettrone
risente del campo elettrico generato dal nucleo positivo dellatomo vicino. A
causa dellordine del reticolo cristallino, la periodicit fa s che gli elettroni
risentano del campo elettrico di tutti gli atomi vicini andando a creare del-
le bande di energia che rappresentano tutti i livelli energetici degli atomi.
Ogni banda di energia separata dalle altre da un gap pi o meno ampio a
seconda dellenergia (misurata in elettron-Volt eV) necessaria per effettuare
una transizione.
Per la meccanica classica, il potenziale del campo elettrico creato rap-
presentabile come una buca, nel quale lelettrone attirato. Passando alla
meccanica quantistica ed esprimendo lelettrone come onda e non pi come
particella, si scopre che pu appartenere solo a livelli discreti di energia. Ap-
plicando queste scoperte al solido cristallino, si giunge alla teoria delle bande
di energia separate da un gap, come mostrato in Figura 1.2. Dalla figura si
evince la periodicit delle buche di potenziale corrispondenti ai nuclei degli
atomi e si vedono anche le barriere di potenziale che si presentano nei bordi
del reticolo.
Per ogni livello energetico a partire dal pi basso, per il principio di Pauli,
ci possono essere al massimo due elettroni con spin opposto. Al crescere
del livello energetico, cresce anche la possibilit degli elettroni di liberarsi
dal campo elettrico del nucleo e di creare una corrente conduttiva, mentre
gli elettroni a basso livello di energia sono detti bounded perch confinati
1.1. BANDE DI ENERGIA 3

GAP

Figura 1.2: Schema rappresentante le buche di potenziale per la


rappresentazione semplificata 1-D.

2p
Ec
2s
Ev

a
a0

Figura 1.3: Bande denergia degli orbitali

nellintorno del nucleo. A causa dei due elettroni per orbitale energetico, la
densit volumetrica di stati elettronici di banda il doppio della densit di
atomi. Essa vale circa 1022 stati/cm3 .
Il grafico in Figura 1.3, mette in relazione lenergia e la distanza atomica
del reticolo cristallino. Si vede che se gli atomi si trovano a grande distanza,
i livelli di energia sono ben distinti e gli elettroni si comportano come se
fossero isolati a causa delle interazioni trascurabili. Andando a ridurre la
distanza cristallina a, gli elettroni iniziano a risentire della presenza degli
altri atomi e i livelli energetici iniziano ad ampliarsi fino a creare le bande,
che si fondono per poi separarsi nuovamente, andando a creare il gap che
varia in base alla temperatura. Si possono definire i limiti delle due bande
Ec , Ev , chiamati rispettivamente energia di conduzione e energia di valenza.
Questo grafico calcolato utilizzando nozioni di meccanica quantistica,
in particolare tramite la soluzione dellequazione di Schrdinger applicata al
cristallo, i cui autovalori sono soluzione discrete. Le bande di energia sono
disposte in modo differente a seconda del tipo di materiale:

un materiale isolante ha banda di conduzione molto distante dalla ban-


da di valenza (bandgap circa 5eV) quindi poco probabile che un elet-
4 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

Eg

(a) Metallo a (b) Metallo b (c) Semicondut- (d) Isolante


tore

Figura 1.4: Bande energetiche materiali

trone venga promosso e vada in conduzione, come mostrato in Figura


1.4d. Inoltre, essendo piena la banda di valenza, anche un eventuale
movimento di elettroni porterebbe ad una corrente media nulla a causa
delle velocit istantanee che a due a due si annullano;

per i semiconduttori c la possibilit di avere una promozione in banda


di conduzione a causa del bandgap ridotto a 0.66-3.4 eV, come in Figura
1.4c.

i metalli si suddividono a loro volta in due casi. Nel caso in cui la ban-
da di valenza fosse occupata a met si avrebbe molta conducibilit;
nel caso in cui le bande si sovrapponessero si avrebbe molto facilmente
il passaggio in conduzione. In generale, un buon metallo ha la banda
di valenza molto occupata ma non del tutto, perch se fosse comple-
tamente piena si avrebbe un accoppiamento elettrone lacuna che in
media annulla la corrente. Entrambi i casi sono mostrati in Figura 1.4a
e Figura 1.4b rispettivamente.

Gli elettroni in banda di conduzione e le lacune in banda di valenza


contribuiscono alla corrente. Infatti, contrariamente a quanto si possa pen-
sare, il movimento di lacune, ovvero cariche positive fittizie, comporta un
movimento di elettroni nel verso opposto, quindi una corrente.

1.1.1 Relazione di dispersione


Il grafico di Figura 1.5 mette in relazione lenergia e la quantit di moto
permessi, fornendo una coppia di valori ammissibili. Nel grafico si possono
distinguere due zone: nella parte superiore si vede landamento del valore
denergia minimo della banda di valenza al variare della quantit di moto,
characterized by a wave-vector k and momentum (~p = ~k)
I E (~k) band structure along principal directions within the first
Brillouin zone of the wave-vector space.
I three-branches valence and conduction bands
1.1. BANDE DI ENERGIA 5

5.0

3.0

1.0

-1.0
Energy [eV]

-3.0

-5.0

-7.0

-9.0

-11.0

-13.0
L X U,K
Wave Vector k

Figura 1.5: Relazione di dispersione

mentre nella parte inferiore mostrato landamento del punto a massima


energia della banda di valenza. In termini pi rigorosi, la relazione lega
lenergia al vettore donda che caratterizza lelettrone nella meccanica quan-
tistica che, per, proporzionale alla quantit di moto o momento cristallino.
La relazione di Einstein, infatti, :

p~ = ~ ~k (1.2)

dove p~ la quantit di moto, ~ la costante di Plank e ~k il vettore donda.


Per le particelle come gli elettroni e le lacune, la massa viene chiamata massa
efficace m .
Nel grafico di Figura 1.5, si vede che il massimo della banda di valen-
za e il minimo della banda di conduzione si verificano in valori di vettore
donda diversi. Questa una caratteristica di molti materiali, ad esempio il
silicio, e vengono chiamati a banda gap indiretto. Esistono anche materiali
diversi, come larseniuro di gallio, che presentano i punti notevoli allo stesso
valore di vettore donda e questo permette una promozione di un elettrone
dalla banda di valenza a quella di conduzione col valore minimo di energia
possibile, rappresentata dal bandgap. Questi materiali sono detti a bandgap
diretto. Questa distinzione importante quando si lavora sulle propriet
opto-elettroniche dei materiali: i fotoni, ovvero particelle con energia senza
massa, forniscono energia agli elettroni che pu essere utile per ottenere una
transizione. Per, non avendo massa, non possono fornire quantit di moto,
quindi i materiali ideali per queste applicazioni sono quelli a bandgap diret-
to. I materiali a bandgap indiretto richiedono di avere pi energia rispetto
6 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

Ecdiretta
Ecindiretta
k

Figura 1.6: Relazione di dispersione semplificata. Si mostra la differenza di


bandgap nel caso diretto (3.2eV) e indiretto (1.12eV).

la minima perch il minimo della banda di conduzione non corrisponde al


massimo di banda di valenza. Per avere una transizione ad energia minima
per questi materiali occorre che si verifichino due eventi: ricevere energia e
ricevere quantit di moto. La distinzione fra energy gap diretto e indiretto
mostrata in Figura 1.6.
Gli elettroni in banda di valenza sono i responsabili dei legami covalenti.
Studiando le bande del semiconduttore di Figura 1.7, laffinit elettro-
nica del materiale e la quantit q lenergia per portare via un elettrone
dal cristallo, ovvero per raggiungere la minima energia di fuga Evuoto . Per
il semiconduttore a 0K, la banda di valenza completamente occupata da-
gli elettroni, perch tendono ad andare verso la configurazione a pi bassa
energia. In questa configurazione la conducibilit nulla.

Evuoto

Ec
Eg
Ev

Figura 1.7: Bande di energia nei semiconduttori cristallini.


1.1. BANDE DI ENERGIA 7

h
Ec

Ricombinazioni Generazioni

Ev

h
Figura 1.8: Grafico ricombinazione e generazione degli elettroni.

1.1.2 Bandgap
Dipendenza dalla temperatura

Il bandgap varia a seconda dei materiali. Intuitivamente, minore il band-


gap maggiore la sensibilit del materiale alla temperatura perch pi
probabile che gli elettroni in banda di valenza ricevano lenergia minima per
la transizione. Definendo con G il numero di promozioni in banda di con-
duzione (generazioni) e con R il numero di elettroni che tornano in banda
di valenza (ricombinazioni), dato un materiale posto ad una temperatura
tale da mantenerlo in equilibrio, il numero di generazioni G bilanciato dal
numero delle ricombinazioni R:

R = G a Teq (1.3)

Aumentando la temperatura, le generazioni aumentano portando una mag-


gior densit di elettroni in banda di conduzione. Questo per fa anche au-
mentare la probabilit che degli elettroni si ricombinino con una lacuna e che
tornino in banda di valenza. Laumento di G corrisponde ad un aumento di
R ma se si mantiene lequilibrio:

R = G, a T > Teq . (1.4)

Quindi resta ancora valida luguaglianza, ma i valori sono cresciuti. Questi


valori sono tanto pi dipendenti dalla temperatura quanto pi il bandgap
diminuisce.
Come molti altri valori del materiale, anche il bandgap dipende dalla
temperatura. In particolare il bandgap aumenta, anche se debolmente, al
diminuire della distanza fra gli atomi ( legato alla geometria del cristallo)
che per influenzata dalla temperatura che li agita e li rende pi distanti
mediamente. Il cristallo si dilata. Questa dilatazione introduce stress nel
8 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

Germanio Silicio Arseniuro di Gallio


Eg (0) (eV) 0.7437 1.166 1.519
(meV/K) 0.477 0.473 0.541
(K) 235 636 204

Tabella 1.1: Energy gap a 0 K, e per alcuni materiali

2.5
Silicio
Arseniuro
2 di Gallio
Germanio
Energy Gap (eV)

1.5

0.5

0
0 200 400 600 800 1,000 1,200
Temperatura (K)

Figura 1.9: Andamento dellenergy gap rispetto la temperatura.

reticolo e comporta una diminuzione di bandgap. Numericamente, questa


dipendenza del bandgap dalla temperatura espressa empiricamente da:

T 2
EG (T ) = EG (0) (1.5)
T +

dove EG (0) lenergy gap a temperatura di 0 K e e sono dei parametri


empirici. Dalla 1.5 si vede che la dipendenza c ma in lieve entit, se si
considera che la temperatura massima dei chip 150 C. Per i materiali pi
rilevanti, si riportano i valori per il calcolo dellenergy gap in Tabella 1.1 e
in Figura 1.9 si mostra landamento rispetto la temperatura.

Dipendenza dal drogaggio (bandgap Narrowing)


Attraverso la sostituzione di atomi di silicio con altri (del III o V grup-
po), possibile cambiare le propriet di conducibilit del cristallo. Questo
inserimento di atomi estranei, altera localmente il reticolo e il bandgap. Que-
ste alterazioni sono tanto pi intense quanto pi alto il numero di atomi
droganti inseriti e si guarda la densit del drogaggio, che sar, per casi pra-
tici tra 1016 e 1020 cm3 . Il bandgap si riduce del 10 20% e un risultato
sperimentale mostrato in Figura 1.10.
1.1. BANDE DI ENERGIA 9

Variazione energy gap (meV) 200

400

600
Silicio

1016 1017 1018 1019 1020 1021


3
Densit drogaggio (cm )

Figura 1.10: Variazione dellenergy gap al variare del drogaggio.

1.1.3 Conduzione nel semiconduttore


Gli elettroni di una banda totalmente occupata non danno una corrente
netta. Infatti, in media la velocit istantanea degli elettroni nulla a causa
della presenza di due particelle con la stessa carica ma con ~k opposti, anche
se in presenza di campo elettrico esterno. Le bande che danno contributo alla
conduzione sono quelle solo parzialmente piene e contribuiscono gli elettroni
in banda di conduzione e le lacune in banda di valenza.
Lanalisi quanto-meccanica dice che lenergia minima che un elettrone
pu assumere in banda di conduzione Ec , rappresenta lenergia potenziale
dellelettrone (dualmente, per le lacune in banda di valenza, Ev la mini-
ma energia e il potenziale). Applicando un campo elettrico, si impone una
variazione di potenziale quindi una forza:
F = q~ = EC . (1.6)
Se ~ verso sinistra, gli elettroni, a causa della carica negativa, vedono una
direzione privilegiata verso destra. Allora lo spostamento degli elettroni
prevalentemente verso destra con la sovrapposizione di un moto causale. In
banda di valenza il ragionamento equivalente, ma vista la carica positiva,
le lacune si muovono nella direzione del campo elettrico.
Si approssima la densit volumetrica degli stati energetici permessi in
banda di conduzione e banda di valenza:
4
gc (E) = 3 (2mn )3/2 E Ec ,
p
E Ec (1.7)
~
4
gv (E) = 3 (2mp )3/2 Ev E,
p
E Ev (1.8)
~
dove mn e mp sono le masse efficaci della densit di stati di elettroni e

lacune. La densit di stati energetici dipende dalla E riferita alle energie
10 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

(a) Bande del semicon- (b) Bande del semicon-


duttore in assenza di duttore in presenza di
campo elettrico esterno. campo elettrico esterno.

Figura 1.11: Bande semiconduttore senza e con campo.

potenziali. Queste formule approssimano bene la densit degli stati vicino


ai minimi energetici:
E prossima a Ec ;
E prossima a Ev .

1.2 Semiconduttori intrinseci


un semiconduttore privo di atomi droganti. La densit di elettroni in
banda di conduzione dipende dalla temperatura che incentiva le transizioni.Si
definiscono n la concentrazione di elettroni in banda di conduzione e p la
concentrazione di lacune nella banda di valenza, entrambe in cm3 . In un
semiconduttore intrinseco, indipendentemente dalla temperatura, si ha la
stessa concentrazione, perch quando un elettrone viene promosso lascia una
lacuna, per cui:
n = p = ni (1.9)
dove ni definita concentrazione intrinseca, che dipende dalla temperatura.
Un semiconduttore di questo tipo ha tipicamente 0.5 3.2eV per cui la tran-
sizione possibile anche a temperatura ambiente. Possono essere classificati
in:
semiconduttori puri, come quelli appartenenti al IV gruppo (silicio,
germanio), che producono solo legami covalenti;
semiconduttori composti, come gli elementi del III-V (GaAs) o del II-
VI (CdTe), che instaurano legami covalenti, legami ionici e hanno una
polarizzazione molecolare (dipolo elettrico).
1.2. SEMICONDUTTORI INTRINSECI 11

Materiale Gap (eV) ni a 300K (cm3 )


Silicio 1.12 1 1010
Germanio 0.66 2 1013
Arseniuro Gallio 1.42 2 106

Tabella 1.2: Energy gap e ni per i materiali pi comuni

1.2.1 Propriet dei semiconduttori


Le cariche hanno la stessa quantit di carica ma con segno opposto:

q = 1.602 1019 C. (1.10)

Se un elettrone libero nello spazio, in presenza di un campo , esso ri-


sponde alla legge di Newton (nellipotesi che si muova ad una velocit non
relativistica):
d~v
F~ = q~ = m~a = m0 (1.11)
dt
dove ~v la velocit di deriva dovuta al campo elettrico. Per, nel cristallo, un
elettrone risente il campo di tutti gli altri atomi al quale va a sommarsi quello
esterno. Allora il moto di un elettrone pu essere descritto pensando ad una
serie di voli liberi (free flights) dovuti al campo elettrico, interrotti dagli urti
degli elettroni contro i nuclei. Linterazione coi nuclei incide sia sullenergia
che sulla quantit di moto, quindi anche sul vettore donda dellelettrone.
Questi urti generano quelli che vengono chiamati fononi, quasi-particelle che
descrive un quanto di vibrazione nel reticolo cristallino. Si ricorda che la
derivata della quantit di moto equivale alla forza quindi:

~vG
p~ = ~~k = m = q~ (1.12)
t

dove m la massa effettiva di conduzione che rimpiazza la massa a riposo


dellelettrone m0 . Quanto riportato finora vale anche per il caso duale delle
lacune.
La conducibilit limitata alle concentrazioni n, p, ni , con questultima
che varia da materiale a materiale. Da Tabella 1.2 , si vede che quando
cresce il valore della densit di portatori, lenergy gap si riduce, quindi la
conduzione aumenta, a riprova che la conduzione legata alla concentrazione
di elettroni. Dalla tabella, si capisce anche che per modificare la conduci-
bilit del cristallo, almeno localmente, si deve applicare un drogaggio con
concentrazioni superiori a ni ; ad esempio, in Figura 1.10 il drogaggio stato
effettuato con concentrazioni di 1016 1021 cm3
12 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

Ec Ec Ec
E
+

E
Ev Ev Ev

(a) (b) (c)

Figura 1.12: Rappresentazione grafica degli stati creati dal drogaggio.

1.3 Drogaggio
Come detto, per modificare la conducibilit di un semiconduttore si rim-
piazzano degli atomi con elementi del III o V gruppo e il drogaggio viene
chiamato rispettivamente tipo P e tipo N o accettori e donatori.
Usando atomi donatori (del V gruppo, come il fosforo) con un cinque
elettroni di valenza, solo quattro di questi riescono a creare un legame co-
valente e il restante resta libero di muoversi nel cristallo. Lo spazio degli
stati energetici si modifica e si va a creare uno stato intermedio nelle vici-
nanze della banda di conduzione. Lelettrone libero, a 0 K, ha attrazione
forte verso il nucleo di fosforo inserito perch lenergia termica non c. Au-
mentando la temperatura, lelettrone passer con probabilit molto elevata
in banda di conduzione con una probabilit molto alta a causa del piccolo
energy gap e per il maggior numero di stati disponibili rispetto la banda di
valenza. Lelettrone che si distacca, ionizza positivamente il fosforo ma la
completa ionizzazione possibile solo a temperature alte. Infatti, a basse
temperatura, si incontra il fenomeno di freeze-out che riporta lelettrone in
pi verso il nucleo dellatomo drogante.
Usando invece un atomo del III gruppo (di tipo accettore), come il boro,
con tre elettroni di valenza non permette a tutti gli elettroni di valenza del
semiconduttore di creare legami covalenti. La mancanza di un elettrone si
traduce in una lacuna, che comporta un nuovo stato energetico vicino alla
banda di valenza. Allo zero assoluto, la lacuna resta vicino al nucleo di boro
perch gli elettroni del semiconduttore tendono a stare vicino ai rispettivi
nuclei. Aumentando la temperatura, la banda di valenza quasi piena e la
probabilit che un elettrone vada a riempire la lacuna del boro molto alta
quindi molto alta anche la possibilit di avere una ulteriore lacuna in banda
di valenza. Questo processo porta ad aumentare la concentrazione di lacune
in banda di valenza, quindi porta ad aumentare la conducibilit dovuta alle
lacune.
1.4. DISTRIBUZIONE ENERGETICA ALLEQUILIBRIO 13

1.4 Distribuzione energetica di elettroni e lacune


allequilibrio
Considerando come unica fonte di energia quella termica, ci si trova in una
situazione di equilibrio termodinamico: gli elettroni si posizionano a partire
dagli stati ad energia pi bassa permessi in base ad una distribuzione di
probabilit. Per questa ragione occorre utilizzare una descrizione statistica
(termodinamica statistica) basata su:

probabilit di occupazione degli stati elettronici p [0, 1];

funzione di Fermi.

La funzione di Fermi definita da:


1
f (E) = EEF (1.13)
1+e KB T

dove E lenergia totale dellelettrone, EF lenergia di Fermi caratteristica


del cristallo intrinseco, KB costante di Boltzmann e T la temperatura asso-
luta. Questa quantit la probabilit che uno stato esistente venga occupato
da un elettrone di energia E allequilibrio termodinamico. Se lelettrone ha
E = EF la probabilit che lo stato venga occupato f (E) = 0.5, passando
da valori unitari per E = 0 a valori nulli per E :
1
f (EF ) =
2
f (EF E > 3KT ) 1
f (E ) 0

come rappresentato in Figura 1.13. Da notare che la transizione dipende


dalla temperatura: al crescere della temperatura la transizione diventa pi
graduale perch gli elettroni hanno pi energia quindi pi probabilit di
transizione.
Questo livello dipende dalle bande. Per i diversi materiali:

nei semiconduttori intrinseci EF allinterno del band-gap (in parti-


colare nel silicio esattamente a met del gap);

nei conduttori EF cade allinterno della banda di conduzione, che


parzialmente occupata anche a 0K;

1.4.1 Approssimazione della funzione di Fermi: distribuzio-


ne di Boltzmann
Si fa riferimento alla descrizione statistica dei gas perfetti, ovvero si ipotizza
che le particelle non abbiano interazioni quindi che abbiano un volume nullo.
14 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

f (E) 1 f (E)

1 1

1 1
2 2

E E
EF EF
(a) Probabilit occupazione di stato per (b) Probabilit occupazione di stato per
gli elettroni le lacune

Figura 1.13: Andamento della funzione di Fermi rispetto lenergia a


temperatura fissata (nero) e approssimazione di Boltzmann (rosso).

In banda di conduzione gli elettroni hanno E > EF e se il livello di Fermi


non troppo vicino allenergia di conduzione EC EF 3KT allora per gli
elettroni in conduzione si ha:
EEF

f (E) ' e KB T
. (1.14)
Con questa approssimazione, in E = EF , si commette un errore di 0.5, ma
al crescere dellenergia lapprossimazione risulta sempre pi fedele.
Il discorso pu essere ripetuto in modo analogo per le lacune con la diffe-
renza che si devono considerare le funzioni complementari perch la probabi-
lit di occupazione di una lacuna equivale alla probabilit di non occupazione
di un elettrone. Per le lacune in banda di valenza:
EEF
e KB T
1 f (E) = EEF (1.15)
1+e KB T

e si ha che se il livello di Fermi non troppo vicino allenergia di valenza


EF EV 3KT allora per le lacune in banda di valenza si approssima a:
EEF
1 f (E) ' e KB T
. (1.16)
Sotto queste condizioni si dice che il semiconduttore non degenere.
La funzione di fermi utile per determinare la concentrazione volume-
trica di elettroni in banda di conduzione e di lacune in banda di valenza
allequilibrio termodinamico. Ad una certa energia, si ha una certa densit
di stati elettronici (stati per unit di volume ed energia) gc (E) in banda di
conduzione e gv (E) in banda di valenza, entrambe nulle al di fuori delle ri-
spettive bande. La concentrazione di elettroni in banda di conduzione data
dalla somma di tutti i contributi relativi a tutti i valori di energia interni
alla banda di conduzione e vale:

n= gc (E)f (E) dE. (1.17)
EC
1.4. DISTRIBUZIONE ENERGETICA ALLEQUILIBRIO 15

Per le lacune, allo stesso modo, la concentrazione in banda di valenza :


EV
p= gv (E)(1 f (E)) dE. (1.18)

Luso della statistica di Fermi porta a calcolare un integrale non risolvibile


in forma chiusa perch la funzione integranda non ammette primitiva:

m 2m E EC
n= n2 3 n dE (1.19)
~ EC 1 + e (EEF )/KB T

dove mn la massa efficace dellelettrone che considera linterazione col


cristallo. Per questo si utilizza lapprossimazione di Boltzmann che porta
allintegrale:

mn 2mn p EE
K TF
n= E EC e B dE (1.20)
2 ~3 EC

che ammette primitiva ed in particolare risulta, sia per elettroni che per
lacune:
EF EC
n = NC e KB T
(1.21)
EV EF
p = NV e KB T
(1.22)

dove NC ed NV sono dette densit efficaci degli stati e valgono:

mn KB T 3/2
 
NC = 2 (1.23)
2~2

mp KB T 3/2

NV = 2 . (1.24)
2~2
Dalle relazioni di cui sopra, si vede che se EF EC < 0, ovvero quanto pi EF
si avvicina a EC , allora n aumenta; allo stesso modo si vede che se EC EF <
0, ovvero quanto pi EF si abbassa verso EV , allora p aumenta. Ma queste
valutazioni possono essere fatte solo se non si esce dallapprossimazione di
Boltzmann.

1.4.2 Legge dellazione di massa


Prendendo il caso di equilibrio termodinamico con semiconduttore non de-
genere, calcolando il prodotto delle concentrazioni:
EC EV EG

np = NC NV e KB T
= NC NV e KB T (1.25)

dove comparsa lenergia del banda-gap EG ed scomparsa la dipendenza


dal livello di Fermi (quindi dal drogaggio): il prodotto dipende solo dalla
16 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

temperatura. Questa relazione vale per ogni tipo di semiconduttore, che sia
drogato o intrinseco ma in questultimo caso vale n = p = ni quindi:
p EG
np = n2i ni = NC NV e 2KB T (1.26)

che dipende solo dal gap e dalla temperatura.

Equazioni di Shockley
Per un semiconduttore intrinseco allequilibrio termodinamico, sia EFi il
livello di Fermi, si ha:
EC EF EV EF
i i
n = ni = NC e KB T
, p = ni = NV e KB T
(1.27)

da cui derivano le equazioni di Shockley (allequilibrio termodinamico per il


semiconduttore intrinseco):
E E
n = N e FKB TC
C
EF EC
i
(1.28)
ni = NC e KB T

E E
p = N e VKB T F
V
EV EF
i
(1.29)
ni = NV e KB T .

Prendendo il primo sistema di (1.28), in particolare la prima equazione e


andando a sommare e sottrarre EFi allesponente si ottiene:
EF EF +EF EC EF EC EF EF
i i i i
n = NC e KB T
= NC e KB T e KB T
(1.30)
| {z }
ni

che dimostra come n cresca quando il livello di Fermi si alza rispetto quel-
lo intrinseco. Un ragionamento equivalente pu essere fatto per le lacune
ottenendo: E E F Fi

p = ni e KB T
(1.31)
Quello che si dimostrato che le concentrazioni n e p dipendono for-
temente dalla posizione del livello di Fermi rispetto al suo valore intrinseco.
Drogando viene modificato il livello di Fermi: se verso lalto il drogaggio
donatore se verso il basso accettore.

1.4.3 Effetti del drogaggio


Si utilizzano le definizioni di concentrazione volumetrica di atomi droganti:

ND atomi donatori come il fosforo (1.32)


NA atomi accettori come il boro. (1.33)
1.4. DISTRIBUZIONE ENERGETICA ALLEQUILIBRIO 17

A temperature comuni nella pratica (circa T = 300K), gli atomi donatori


cedono un elettrone ionizzandosi positivamente e gli atomi accettori acqui-
stano elettroni ionizzandosi negativamente. A questa temperatura avviene
la ionizzazione completa e le quantit di atomi ionizzati sono descritte da:
+
ND ' ND (1.34)
NA ' NA . (1.35)
Si vogliono esprimere le concentrazioni n e p in funzione di ND +
e NA sup-
poste note. Per la neutralit della densit di carica elettrica allequilibrio
termodinamico:
+
= qp qn + qND qNA = 0 p n + ND
+
NA = 0. (1.36)
+
Ipotizzando la ionizzazione completa (ragionevole a 300K) si ha ND ' ND
e NA ' NA :
p n + ND NA = 0 (1.37)
che unequazione in due incognite. Serve una equazione aggiuntiva, per
questo si prende la legge dellazione di massa arrivando al sistema:
(
p n + ND NA = 0
(1.38)
n p = n2i
e si possono verificare due casi in base ai drogaggi.
1. drogaggio donatore ND > NA :
(
p n NA + ND = 0 n2i
n2i n NA + ND (1.39)
p= n
n
da cui possibile concludere che:
ND NA 2
  1/2
ND NA
n= + + n2i (1.40)
2 2
con una forte dipendenza dalla differenza ND NA .
2. drogaggio accettore NA > ND : facendo gli stessi passaggi si arriva a
NA ND 2
  1/2
NA ND 2
p= + + ni (1.41)
2 2
Nella pratica, il livello di atomi droganti tale da rendere trascurabile la
quantit ni (1013 rispetto 1010 , circa tre ordini di grandezza di differenza)
allora le concentrazioni diventano:
ND NA 2
  1/2
ND NA
n= + + n2i ' ND NA (1.42)
2 2
NA ND 2
  1/2
NA ND 2
p= + + ni ' NA ND . (1.43)
2 2
18 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

Riepilogando, per i due tipi di drogaggi:


(
n = ND NA
drogante donatore: n2i (1.44)
p = ND N A
n2i
(
n = NA ND
drogante accettore: (1.45)
p = NA ND .

Per un semiconduttore intrinseco, si ha la relazione n = p = ni che


equivale a:
EF EC EF EV
i i
N e KB T = NV e KB T
| C {z } | {z }
n p

e si ricava:  
EC + EV KB T NV
EFi = + log (1.46)
2 2 NC
dove si vede che il livello di Fermi intrinseco si pone a met del bandgap a
meno di una quantit data dal secondo termine dellequazione 1.46. Per una
temperatura di T = 300K si ha KB2 T log( N NC ) ' 7.3meV.
V

Per un semiconduttore non intrinseco generico, facendo linversa della


relazione di Shockley n = ni e(EF EFi )/KB T , si ottiene:
   
n p
EF = EFi + KB T log = EFi KB T log (1.47)
ni ni

dove si vede come un drogaggio di tipo n sposti il livello di Fermi verso EC


mentre un drogaggio di tipo p sposti il livello verso EV . Per un drogaggio n,
n2
sostituendo la relazione p = ni si ha:
 
1 n
EF = EFi + KB T log . (1.48)
2 p

Nel caso in cui la ionizzazione sia completa la relazione diventa:


 
ND
EF ' EFi + KB T log .
ni

e, analogamente, per un drogaggio di tipo p:


 
NA
EF ' EFi KB T log
ni

con andamento del livello mostrato in Figura 1.14. Perch queste relazio-
ni siano valide, necessario venga rispettato il limite di degenerazione per
mantenere valida lapprossimazione di Boltzmann:
1.4. DISTRIBUZIONE ENERGETICA ALLEQUILIBRIO 19

EC
ND
EF
NA
EV

Figura 1.14: Andamento del livello di Fermi: quando il drogaggio di tipo n


aumenta, il livello di Fermi si sposta verso la banda di conduzione (rosso),
viceversa se aumenta il drogaggio p si sposta verso la banda di valenza (blu).

drogaggio n: il limite ND 1.61018 cm3 , perch se fosse pi elevato


il livello di Fermi molto vicino a EC e Boltzmann non vale pi per la
distribuzione di elettroni in banda di conduzione;

drogaggio p: il limite NA 9.1 1017 cm3 perch cadrebbe lappros-


simazione di Boltzmann per la concentrazione di lacune in banda di
valenza.

Per, c una dipendenza della concentrazione di atomi droganti dalla tempe-


ratura. Quindi le ipotesi di ionizzazione completa e ND (NA ) >> ni valgono
solo in un intervallo di temperatura limitata. In particolare i limiti sono:

limite inferiore dovuto al fatto che gli elettroni a temperatura bassa


rimangono intrappolati nellatomo drogante e nessuno di loro va in
banda di conduzione (freeze-out);

limite superiore dovuto al comportamento intrinseco del materiale ni (T ) >


ND (NA ) e laumentare della temperatura rende inutile leffetto del
drogante.

Per allargare tale intervallo, conviene utilizzare materiali a bandgap pi


ampio del silicio, che viene usato in applicazioni di potenza.
Tutto quello che si visto sinora valido allequilibrio termico dove:

non si hanno fenomeni di scambio di energia e materia con lesterno;

la distribuzione degli elettroni dipendono dalla temperatura del retico-


lo;

la corrente elettrica netta nulla: gli elettroni hanno moto browniano,


distribuzione di velocit uniforme e mediamente nulla;

lenergia media della popolazione elettronica e lacune allequilibrio


< E >= 23 KB T a cui corrisponde corrente nulla.
20 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

1.5 Analisi in condizioni di non equilibrio


Ci possono essere due condizioni:

1. presenza di campo elettrico impresso dovuto ad azioni esterne cui


consegue linsorgere di correnti elettriche (o fenomeni di trasporto);

2. temporanea variazione delle concentrazioni rispetto alla condizione di


equilibrio che produce linsorgere di fenomeni di generazione o ricom-
binazione, tendenti a ristabilire lequilibrio.

La distribuzione energetica dei portatori si discosta da quella di Fermi.


Si definisce funzione di distribuzione F(~p, ~r, t) dove p~ la quantit di moto, ~r
il vettore posizionale e t il tempo. Le variazioni temporali e spaziali della
funzione di distribuzione sono descritte dalla statistica Boltzmann Transport
Equation o BTE :
     
F d ~r d p~ F
= ~r F p~ F + (1.49)
t dt dt t C

dove:

il termine  
d ~r
~r F
dt
descrive il flusso netto di F nello spazio descritto da ~r;

il termine  
d p~
p~ F
dt
descrive il flusso netto di F nello spazio descritto da p~;

il termine  
F
t C
descrive la variazione dovuta alle collisioni, acquisizione o perdita di
energia da parte di un elettrone.

Equazione 1.49 unequazione di bilancio in termini di popolazione elettro-


nica o di lacune. In particolare, F la probabilit di trovare un elettrone in
uno stato (~r, p~). La rappresentazione grafica di equazione 1.49 mostrata in
Figura 1.15, dove compare il termine vg detta velocit di gruppo dellonda
piana relativa allelettrone.
Integrando equazione 1.49 nel volume infinitesimo dr dp:

F
dr dp = Fdr dp (1.50)
t t
1.5. ANALISI IN CONDIZIONI DI NON EQUILIBRIO 21

p f (p+dp)pdr

p + dp
df
| pdr
dt in

f (r)vg dp f (r+dr)vg dp

p
df
|
dt out
dpdr

f (p)pdr

r
r r + dr

Figura 1.15: Descrizione grafica della BTE in un volume infinitesimo: in


rosso c linflow, in verde loutflow e in blu i contributi dovuti alle generazioni
e alle ricombinazioni

si ottiene la variazione del numero di elettroni nel volume, considerando che


lintegrale di F il numero di elettroni presenti al suo interno. Si integrano
i vari termini dellequazione. Il primo termine diventa:
 
~r
~r F dr dp
dt
che lintegrale della divergenza, ovvero il flusso rispetto ~r e questo contri-
buto dovuto al movimento degli elettroni ( ~ r
t 6= 0). Il secondo termine:
 
~
p
p~ F dr dp
dt
dove c il flusso lungo lasse p~ e dove compare la derivata della quantit di
moto, corrispondente alle collisioni che diminuiscono o aggiungono elettroni
nel volume di prova. Questo bilancio valutato nello spazio delle fasi e il
modello di deriva e diffusione vengono calcolati partendo dal BTE utilizzando
delle approssimazioni.
Per studiare la variazione dalle forze esterne si utilizza la relazione di
Newton dalla meccanica classica:
d~
p ~
= q(~ + ~v B). (1.51)
dt
In assenza di campo magnetico, lequazione di Boltzmann diventa:

F F
+ ~r (~v F) qp~ (~F) = (1.52)
t t C
dove si ha il + se si studia la popolazione di lacune mentre si ha il se si
studiano gli elettroni e dove i contributi dovuti a generazioni e ricombinazioni
22 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

sono racchiusi in F
t |C . Per particelle classiche si ha che la velocit data
p2
da ~v = p~/m con energia cinetica E(~ p) = 2m = 12 mv 2 . Per elettroni e lacune,
per, questo non vale: la velocit data da:

~v = p~ E(~
p) (1.53)

dove E(~ p) diversa in base al semiconduttore utilizzato e che pu essere cal-


colata unicamente dai principi della meccanica quantistica e dalla conoscenza
della struttura cristallina del semiconduttore. Solo particelle con energia ci-
netica molto piccola la relazione energia-momento coincide con la classica
p2
approssimazione parabolica E(~ p) = 2m , ma non vero in generale.
Nello studio del trasporto di carica, esiste trattazione semiclassica, basata
su legge di Newton e elementi quantistici nel calcolo del termine di collisione,
e una trattazione statistica. I metodi pi utilizzati sono:

1. metodo dei momenti;

2. metodi statistici, come Monte Carlo.

1.5.1 Momenti statistici di F rispetto ~p


La BTE unequazione integro-differenziale alle derivate parziali nello spazio
a sette dimensioni descritto da (~r, p~, t) la cui soluzione molto complicata
anche nei casi pi semplici. La difficolt deriva dalla disomogeneit del di-
spositivo, dai modelli usati per le collisioni e dalla complessit della struttura
a bande. La soluzione avviene tramite metodi numerici approssimati che si
basano su:

la riduzione del numero di dimensioni del dominio della funzione inco-


gnita sostituendo alla BTE una serie di equazioni nei momenti di F in
p~;

approssimazione del tempo di rilassamento che concentra leffetto di


tutti i tipi di collisione in un unico parametro che rappresenta la
rapidit con cui il sistema perturbato dalle collisioni tende a ritornare
allo stato di equilibrio.

I momenti statistici sono:



n(~r, t) = F(~r, p~, t) d3 p momento di ordine 0 (1.54)
p
~

P~ = p~F(~r, p~, t) d3 p momento di ordine 1 (1.55)
p
~

p2
W = F(~r, p~, t) d3 p momento di ordine 2 (1.56)
p
~ 2m
1.5. ANALISI IN CONDIZIONI DI NON EQUILIBRIO 23

dove n rappresenta la concentrazione di elettroni, P~ /n il momento medio e


p2
W/n lenergia media degli elettroni nellapprossimazione parabolica E = 2m .
Calcolato n(~r, t), si pu ricavare lequazione di continuit degli elettroni:

n 1 n
= (n~v ) + (1.57)
t q t GR

e, analogamente, per le lacune:



p 1 p
= (p~v ) + . (1.58)
t q t GR

Integrando tutti i contributi si ottiene:



n
dV = n dV (1.59)
V t t V
si ottiene la variazione del numero di elettroni nel volume nel tempo. Il
secondo contributo diventa:

1
(n~v ) dV (1.60)
V q

che corrisponde al flusso del vettore n~v . Tale vettore si definisce densit di
corrente J~n e lintegrale:
1
J~n n
dS (1.61)
q S
il flusso entrante di corrente, a causa del segno negativo dovuto alla ca-
rica dellelettrone (altrimenti sarebbe stato un flusso uscente). Lultimo
contributo :  
n
= n dV (1.62)
V t GR t

V GR
che corrisponde alla variazione di elettroni data dai fenomeni di generazione
e ricombinazione.
Sfruttando anche il momento di ordine 1, si ricava la soluzione delle-
quazione del trasporto di Boltzmann (1.49), giungendo al modello deriva-
diffusione per gli elettroni descritto da:

J~n = qn n + qDn n (1.63)

dove:
il termine qn n il contributo di deriva dovuta al campo elettrico
attraverso = , considerando la mobilit degli elettroni n ;

il termine qDn n il contributo di corrente di diffusione che dipen-


de dal gradiente della concentrazione di elettroni e dal coefficiente di
diffusione Dn .
24 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

~ ~

e h+

J~n J~p
(a) Spostamento de- (b) Spostamento de-
gli elettroni e direzio- gli elettroni e direzio-
ne della loro corren- ne della loro corren-
te rispetto il campo te rispetto il campo
elettrico elettrico

Figura 1.16: Cariche e correnti nel campo elettrico

Analogamente, esiste il modello deriva-diffusione per le lacune:

J~p = qp p qDp p. (1.64)

In queste formule non compare lenergia media dei portatori. Infatti, per
derivare questo modello si utilizzata lapprossimazione < W >= 23 KB TC ,
con TC temperatura del reticolo cristallino utilizzata come riferimento. In-
fatti questo modello decade per temperature molto diverse da quella di
riferimento e e con energie molto alte (ovvero come campi elettrici elevati).

1.5.2 Corrente di deriva


Il contributo di corrente di drift dovuto alla presenza di campo elettrico
impresso, che compie lavoro sui portatori:

J~ndrif t = qn ~vndrif t (1.65)


J~pdrif t = qp ~vpdrif t (1.66)

dove il prodotto qn (qp) definito come densit volumetrica di elettroni di


conduzione (lacune di valenza) e ~vdrif t la velocit media dei portatori dovu-
ta al campo (velocit di deriva). Per avere unidea grafica degli spostamenti
di carica e delle correnti, riferirsi a pagina Figura 1.16.
Dal teorema dellimpulso si ha:

q~ sc = m~vdrif t (1.67)

con q~ corrispondente alla forza applicata, sc tempo di applicazione della


forza e m~vdrif t quantit di moto media dei portatori. Dato che si hanno una
serie di voli liberi dei portatori interrotti da collisioni col reticolo (fenomeno
di scattering), sc anche il tempo medio che intercorre tra una collisione e
1.5. ANALISI IN CONDIZIONI DI NON EQUILIBRIO 25

v v = v

vsat vsat

picco
(a) Silicio (b) Arseniuro di Gallio

Figura 1.17: Andamento della velocit rispetto il campo elettrico

laltra: il portatore con lo scattering pu ricevere o cedere energia dalle/alle


vibrazioni del reticolo. Si ottiene la mobilit degli elettroni:
|~vdrif t | qsc
= = (1.68)
|~| m
con m detta massa efficace, che tiene conto del valore a riposo della massa
e delle interazioni del reticolo. Da questa relazione, si ricavano le relazioni
per elettroni e lacune:

~vndrif t = n ~ (1.69)
~vpdrif t = p ~ (1.70)

dalle quali si vede come per piccoli campi elettrici la velocit dei portatori
sia proporzionale a ~. Sostituendo 1.69 e 1.70 in 1.65 e 1.66, si ottiene:

J~ndrif t = qn ~vndrif t = qn n ~ = qn n (1.71)


J~pdrif t
= qp ~vp
drif t
= qp p ~ = qp p . (1.72)

Pi la temperatura aumenta pi la probabilit di collisioni cresce a causa del


maggior numero di vibrazioni del reticolo, per cui sc diminuisce e di conse-
guenza anche la mobilit decresce (per semiconduttori fortemente drogati).
Ovviamente, facile che si verifichi n 6= p , in base al semiconduttore e alla
temperatura. Un esempio di andamento della velocit di deriva rispetto il
campo elettrico mostrata in Figura 1.17, dove viene mostrata la differenza
fra due materiali. La velocit delle cariche dipende dalla temperatura e al
numero di atomi estranei presenti nel reticolo: allaumentare del drogante la
mobilit diminuisce. Inoltre, a parit di campo elettrico si ha che la mobilit
degli elettroni maggiore rispetto quella delle lacune, quindi la velocit degli
elettroni maggiore vn > vp . La mobilit viene deteriorata da:
interazioni col reticolo (o scattering fononico) provoca scambio di quan-
tit di moto e energia che portano ad una variazione della direzione
del vettore velocit dipendente dalla temperatura;
26 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

la presenza di impurit neutre o ionizzanti: producono principalmente


variazione di quantit di moto in base al numero di impurit.
Si soliti usare la regola di composizione delle mobilit (Mathiessen Rule):
1 X 1
= (1.73)
i
i

dove la mobilit pi bassa quella che incide di pi.

Resistivit
In una barretta di semiconduttore con concentrazione uniforme, la corrente
dovuta unicamente a deriva. Per bassi campi elettrici si ha:

J~ = J~pdrif t + J~ndrif t = q(pp + nn )~ (1.74)

e sapendo che J~ = ~, con conducibilit elettrica, allora si ha che:

= q(pp + nn ). (1.75)

Da equazione 1.75 appena trovata, si ottiene la resistivit elettrica:


1 1
= = (1.76)
q(pp + nn )
che dipende dalla concentrazione di drogante. Se il drogaggio prevalente
n2i
n allora n ' ND , p ' ND << n allora si approssima ' qND1 n . Lo stesso
discorso si pu fare per le lacune arrivando a resistivit pari a p ' qNA1 p . In
entrambi i casi, la resistivit diminuisce al diminuire il drogante ma anche
la mobilit diminuisce e questo porta ad aumentare il valore di . Si hanno
quindi due contributi contrastanti legati alla quantit di drogante ma quello
che prevale la dipendenza esplicita da ND : la resistivit dimuisce al crescere
della quantit di drogante.

Potenziale elettrostatico
Il teorema della massa efficace permette di considerare un elettrone (lacuna)
in banda di conduzione (valenza) come particella libera con energia cinetica
misurata a partire dal fondo della banda di conduzione EC (banda di valenza
EV ). Lelettrone considerato come una particella libera avente massa m
tale per cui EC assume il ruolo di energia potenziale, ovvero la minima
energia associata alla carica in banda di conduzione, a meno di una costante.
Per un elettrone con energia E, la sua energia cinetica Ek,n data dalla
differenza Ek,n = E EC che corrisponde allampiezza del salto energetico
dallenergia minima, come mostrato in 1.18a. Il discorso duale pu essere
fatto per le lacune, dove Ek,p = EV E.
1.5. ANALISI IN CONDIZIONI DI NON EQUILIBRIO 27

E
Ek,n
EC
EC
Eg EFi
EFi
EV
Ek,p EV
~
E x
(a) Livelli energetici: energia (b) Piegamento delle ban-
potenziale e cinetica de in presenza di un campo
uniforme

Figura 1.18: Energia e bande

Il potenziale elettrostatico definito da:

Epot 1
= = (EC Eref ) (1.77)
q q

ma considerando che EC EFi e EFi EV sono costanti ben definite ad una


certa temperatura T rispetto la coordinata spaziale, si sceglie:

Eref = EC EFi (1.78)

che sostituita in equazione 1.77 permette di ottenere:

EFi
= . (1.79)
q

ora possibile definire il potenziale di Fermi F = EqF che uguale a


equazione 1.79 per un semiconduttore intrinseco.
Il campo elettrico = = 1q EFi e la sua presenza comporta un
piegamento delle bande. Se il campo uniforme, la variazione dei valori di
energia lineare, come mostrato in Figura 1.18b dove si vede che lenergia
potenziale diminuisce con x e questo porta ad aumentare il potenziale. In
questo modo gli elettroni sono trascinati verso il punto ad energia potenziale
minore.
Dalle relazioni di Shockley allequilibrio termodinamico:
(EF EF )
i
n = ni e KB T

(EF EF )
i
p = ni e KB T
28 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

sostituendo le energie potenziali EFi = q e EF = qF :


(F )
q
n = ni e KB T
(1.80)
( )
q K TF
p = ni e B (1.81)

che sono le concentrazioni di elettroni e lacune in funzione del potenziale


elettrostatico in condizioni di equilibrio.

1.5.3 Corrente di diffusione


una corrente che presente quando si ha una non uniformit nelle concen-
trazioni spaziali di elettroni o lacune, anche in assenza di campo elettrico. Il
fenomeno della diffusione avviene partendo dalla regione ad alta concentra-
zione verso quella a bassa concentrazione e tende ad annullare il gradiente di
concentrazione per portarsi in una condizione di equilibrio. Vale la legge di
Fick per la diffusione per particelle non interagenti o debolmente interagenti
tra loro:
= D(n) ~u (1.82)
con flusso di diffusione, D(n) coefficiente di diffusione (o diffusivit) e
~u la direzione normale alla superficie dinteresse. Il segno dovuto al
verso della diffusione: se si ha un gradiente positivo n > 0 vuol dire che al
crescere della direzione spaziale aumenta la concentrazione, ma la diffusione
va nel senso opposto. Per elettroni e lacune vale una formulazione analoga:

Jndif f = qDn n (1.83)


Jpdif f = qDp p (1.84)

dove si vede che lelettrone si sposta nel senso concorde al gradiente (a causa
della carica negativa) mentre le lacune si muovono in senso opposto. La
corrente complessiva, composta da diffusione e deriva, vale:

J~n = qnn ~ + qDn n (1.85)


J~p = qpp ~ qDp p (1.86)
J~ = J~n + J~p (1.87)

Il modello drift-diffusion complessivo dato dalle relazioni di continuit


e dallequazione di Poisson (approssimata nel caso quasi-stazionario):

n 1 n
= J~n +

(1.88)
t q t GR

p 1 ~ p
= Jp + (1.89)
t q t GR
q
2 +
= (p n + ND NA ). (1.90)
Si
1.6. PIEGAMENTO DELLE BANDE ALLEQUILIBRIO 29

Il modello noto se si calcola:



n = n(~r, t)

p = p(~r, t)

= (~r, t)

1.5.4 Quasi-livello di Fermi


Il livello di Fermi definito in condizioni di equilibrio. Se non si in equili-
brio, si definiscono il quasi-livello di Fermi EFn , EFp e il quasi-potenziale Fn
e Fp . In questo modo, si possono scrivere espressioni formalmente uguali a
quelle valide allequilibrio:
EF EC F
n q n
n = NC e KB T
, n = ni e KB T
(1.91)
EV EF F
p
q Kp T
p = NV e KB T
, p = ni e B (1.92)

dove EFn e EFp dipendono da quanto si lontani dallequilibrio termodina-


mico, per cui ci sono infiniti possibili valori. Analogamente, dalla relazione
F = EqF si definiscono i quasi-potenziali:

EFn
Fn = (1.93)
q
EFp
Fp = (1.94)
q

e il modello diffusione-deriva fuori equilibrio diventa:

Jn = qnn Fn (1.95)
Jp = qpp Fp . (1.96)

Si noti che presente solo un contributo di deriva perch il termine di


diffusione rientra in Fn .

1.6 Piegamento delle bande allequilibrio


Considerando una regione del semiconduttore a drogaggio non uniforme (co-
me ad esempio una giunzione PN) o una etero-struttura costituita dallunione
lungo un piano di due materiali diversi (tipo MOS). I materiali sono carat-
terizzati da diversi livelli di Fermi come mostrato in Figura 1.19. Unendoli,
si distinguono tre regioni diverse: dove il materiale equivalente ad un n,
la giunzione e dove il materiale un p. Gli effetti sono mostrati in Figura
1.20. Gli elettroni hanno energia potenziale diversa in base alla posizione in
cui si trovano: questa differenza di energia potenziale porta alla creazione di
30 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

n p
EC EC
EF1

EF2
EV EV

Figura 1.19: Livello di Fermi per diversi materiali

N P
EC

EC
EF
EFi EV

EV
xi

Figura 1.20: Unione di due materiali drogati diversamente: in prossimit


della giunzione si ha un piegamento delle bande e del livello EFi , mentre
lontano dalla giunzione i materiali non vengono alterati

una differenza di potenziale in prossimit della giunzione. Il piegamento di


bande si verifica ogni volta che c una disomogeneit.
Allequilibrio termodinamico si ha corrente nulla J~n = 0 e J~p = 0 allora:

J~n = qnn + qDn n = 0 (1.97)

che nel caso mono-dimensionale:


d dn
qnn + qDn =0
dx dx
d dn
nn = Dn
dx dx
n dn
d = .
Dn n
Lequazione a variabili separabili la cui soluzione :
 
n n
log = ( 0 ) (1.98)
n0 Dn
q(0 F )
dove 0 il potenziale di riferimento e n0 = ni e KB T . Dalle relazio-
ni di Shockley allequilibrio, espresse rispetto il potenziale, si ottengono le
1.7. GENERAZIONE E RICOMBINAZIONE 31

relazioni di Einstein:
Dn KB T
= (1.99)
n q
Dp KB T
= (1.100)
p q

che vengono utilizzate anche per piccoli scostamenti dal punto di equilibrio
termodinamico.

1.7 Generazione e ricombinazione di carica mobile


Il processo di generazione porta alla creazione di un elettrone in banda di
conduzione e una lacuna in banda di valenza (coppia elettrone-lacuna) men-
tre il processo di ricombinazione fa loperazione inversa. Riferendosi a Figura
1.8, si pu notare come il processo di generazione sia accompagnato dallas-
sorbimento di energia: un fotone di energia h permette il salto dellelettrone
da banda di valenza a banda di conduzione ed il processo sfruttato nelle
celle solari. Dualmente, nella ricombinazione viene liberata lenergia sotto
forma di radiazione elettromagnetica. Allequilibrio termodinamico, i due
processi si bilanciano e si ha:
G=R (1.101)
con G tasso di generazione, ovvero numero di coppie elettrone-lacuna ge-
nerate nellunit di tempo per unit di volume, analogamente R il tasso
di ricombinazione. Questi processi danno luogo a scambi di energia tra i
portatori e lambiente esterno.
Ci sono vari tipi di ricombinazione e generazione dovuti allenergia elet-
tromagnetica:

1. ricombinazione banda-banda (radiativa): il processo di ricombinazio-


ne mostrato in Figura 1.8, dove il "salto" dellelettrone avviene in uno
step; lenergia emessa dal fotone ha energia Ee Eh+ e pi elevata,
maggiore sar la frequenza del fotone;

2. generazione banda-banda: il processo di generazione mostrato in


Figura 1.8, assorbendo almeno energia pari al bandgap.

Oltre a questi fenomeni dovuti a fenomeni radiativi, esistono anche fenomeni


legati allenergia termica. Solitamente questi fenomeni non permettono di
fare un salto banda-banda e il fenomeno principale la generazione in livelli
energetici permessi. In presenza di difetti nel cristallo si possono venire a
creare degli stati possibili anche allinterno del bandgap con posizione di-
pendente dal tipo di difetto; ad esempio, se il difetto metallico lo stato
permesso a met del bandgap. Lenergia termica, solitamente minore del
32 CAPITOLO 1. FISICA DEI SEMICONDUTTORI

bandgap, permette di promuovere lelettrone nello stato intermedio per poi


raggiungere la banda di conduzione.
Un altro meccanismo possibile quello che coinvolge pi portatori di
carica come la generazione per impact ionization che avviene in presenza di
campo elettrico. In presenza delle bande piegate, un elettrone che si trova in
banda di conduzione, soggetto ad un campo elettrico, si sposta nella direzione
della discesa. La sua energia cinetica aumenta e aumenta la probabilit di
urtare un atomo nel reticolo e lenergia viene fornita ad un elettrone in banda
di valenza che viene promosso in conduzione. Questo fenomeno quello
che porta al breakdown i dispositivi in presenza di grandi campi elettrici in
inversa. Esiste anche il meccanismo di ricombinazione di Auger, opposto alla
generazione per impact ionization. Quando un elettrone viene ricombinato e
non emette energia per via radiativa, fornisce energia ad un altro elettrone in
banda di conduzione che andr ad un livello energetico superiore aumentando
lenergia cinetica. Questo elettrone tende a rilasciare lenergia al reticolo,
dissipando in calore, tornando al livello energetico minimo. Il reticolo vibra,
quindi vengono emessi fononi.

1.7.1 Generazione e ricombinazione Shockley, Read, Hall


Si hanno generazioni e ricombinazioni indirette attraverso stati di trappola
inter-gap. Si definisce ricombinazione netta per unit di tempo e volume:
p n np n2i
U =RG= = = (1.102)
t t p (n + n1 ) + n (p + p1 )
dove n,p sono dei tempi caratteristici di intrappolamento dipendenti dal
cristallo e n1 e p1 sono delle concentrazioni caratteristiche associate alle
trappole e valgono:
Et EC EV Et
n1 = NC e KB T
, p1 = NV e KB T
.
possibile esprimere U come:
U = 0 (T )(np n2i ) (1.103)
dove il secondo termine lo spostamento dalla condizione di equilibrio ter-
modinamico (infatti U = 0 con G = R).
possibile effettuare una approssimazione di linearizzazione per minori-
tari e per piccoli scostamenti dallequilibrio:
per un semiconduttore N:
p p0
p p0 << n0 U = R G ' ;
p
per un semiconduttore P:
n n0
n n0 << p0 U = R G ' ;
n
Capitolo 2
Giunzione PN

La giunzione PN (raffigurata in Figura 2.1a in due dimensioni) composta


dallunione di due materiali drogati rispettivamente di tipo p e di tipo n. Lo
schema su cui si andr a lavorare lo schema di principio di Figura 2.1b,
dove si vedono i due materiali collegati tra loro nella giunzione.
Ipotizzando di avere tensione VAB = 0 e assenza di luce, si in equilibrio.
Per ogni lacuna che diffonde da p a n, resta una carica negativa fissa associata
allatomo drogante. Diffondono maggiormente quelle vicino alla giunzione,
quindi c una maggior densit di cariche negative fisse vicino alla giunzio-
ne. Dualmente, gli elettroni diffondono da n a p lasciandosi alle spalle una
carica positiva fissa, soprattutto a ridosso della giunzione. Nelle condizioni
di equilibrio, a causa delle diffusioni di elettroni e lacune, si possono distin-
guere due regioni di carica fissa opposta nellintorno della giunzione, come
mostrato in 2.2. Questo fa nascere un campo elettrico ~, con conseguente
piegamento delle bande. La diffusione dei portatori tende ad allargare la
regione svuotata ma pi grande questarea pi grande il campo elettrico
quindi esiste equilibrio fra contributo di deriva e contributo diffusivo:

J~drif t = J~dif f . (2.1)

Per questi fenomeni la regione di svuotamento si estender limitatamente


alla condizione di equilibrio. Nella trattazione del dispositivo, si effettuer
la semplificazione a regioni: in pratica quello che si ipotizza che ci sia una
transizione molto brusca, come in 2.2. Si distinguono le regioni bianche, dette
neutre, e le regioni colorate che compongono la regione svuotata, con una
transizione istantanea. In Figura 2.3a vengono rappresentate le bande del
dispositivo: a sinistra c la zona neutra p col suo livello di Fermi vicino alla
banda di valenza, a destra la zona neutra n dove il livello di Fermi vicino
alla banda di conduzione. Al centro, in prossimit della giunzione, i materiali
interagiscono tra loro e il campo elettrico che viene a crearsi tra le cariche
fisse fa s che le bande si pieghino. Le cariche trasportate per diffusione

33
34 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

Al Si O2
K A

Si
(a) Giunzione PN planare

p
D

K
n

K
(b) Schema di principio (c) Simbo-
della giunzione PN lo circuita-
le

Figura 2.1: Schemi della giunzione e simbolo circuitale


35

A + K

p n

Regione svuotata

Figura 2.2: Giunzione allequilibrio: vengono evidenziate le due regioni di


cariche fisse, la regione svuotata e il campo elettrico che si viene a creare

EC
e
EC
EF
EV EFi
h+
EV

x
xp 0 xn
(a) Piegamento delle bande nella giunzione

x
xp xn

0
(b) Barriera di potenziale

Figura 2.3: Bande e barriera di potenziale


36 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

xd

A + K

p'NA n'ND

Figura 2.4: Giunzione allequilibrio: vengono evidenziate le due regioni di


cariche fisse, la regione svuotata e il campo elettrico che si viene a creare

vedono una barriera di energia potenziale generata dal campo che impedisce
la libera circolazione di corrente diffusiva. Dalla figura si evince che anche
EFi varia passando dal massimo in xp al minimo in xn e di conseguenza varia
E
anche il potenziale Fi = qFi . Landamento raffigurato a meno di una
costante in Figura 2.3b, dove viene rappresentato il potenziale di built-in i
che corrisponde alla presenza di barriera di energia potenziale ai capi della
giunzione. La barriera in presenza di tensione applicata come in Figura 2.4
pu essere abbassata o alzata:

con VA > 0, si abbassano EC ed EV , il livello di Fermi si sposta di un


fattore qVA e la barriera di potenziale viene abbassata, non bilanciando
pi il fenomeno di diffusione che diventa dominante;

con VA < 0, si alzano EC ed EV , il livello di Fermi si abbassa di


qVA subendo un campo elettrico maggiore e piegando maggiormente
le bande; la barriera viene alzata e si sopprime la corrente di diffusione
lasciando quella di deriva (ma di bassa intensit);

Il sistema risolvente, nel modello 3-dimensionale in tre equazioni diffe-


renziali non lineari nelle incognite (~r, t), n(~r, t) e p(~r, t):
q
2 = (p n + ND +
NA )



Si
n
1 n
= J~n +

(2.2)

t q t GR


p 1 ~ p
= Jp +


t q t GR

2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 37

con:

J~n = qnn ~ + qDn n


J~p = qpn ~ qDp p
~ =

dove le non linearit rientrano nelle correnti e nei termini di generazione e


ricombinazione, come nel modello Schockley, Read, Hall che ha non linearit
nel prodotto np:

np n2i

n p
= = U = .
t GR t GR p (n + n1 ) + n (p + p1 )

2.1 Analisi elettrostatica


Si vuole quantificare il potenziale di built-in i , ovvero il potenziale intrinse-
co ai capi del dispositivo quando ha i terminali cortocircuitati. Con tensione
VAK = 0, allequilibrio si ha corrente nulla Jp = Jn = 0. Allequilibrio, il
sistema risolvente si riduce allequazione di Poisson:
c q
2 = +
= (p n + ND NA ) (2.3)
Si Si
sfruttando le relazioni con F costante:
F F
q q K T q q K T
n = ni e KB T
= n0 e B , p = ni e KB T
= p0 e B

F
q q K FT
avendo definito n0 = ni e KB T e p0 = ni e B . Sostituendo le concentra-
zioni in equazione 2.3, si ottiene:
c q q q
2 = +
= (n0 e KB T n0 e KB T + ND NA ). (2.4)
Si Si
Da equazione 2.4, si riconosce che lunica incognita il potenziale ma
lequazione alle derivate parziali e non lineare, risolvibile solo per via nu-
merica. Per risolvere il problema si deve procedere ad una discretizzazione
e imponendo delle condizioni al contorno: in particolare si impone che nelle
zone p e n sufficientemente lontane dalla giunzione non vengano influenzate
da questultima. Utilizzando lapproccio regionale si ha:

per x < xp , le lacune sono cariche maggioritarie e il materiale non


n2i
influenzato dalla giunzione quindi si ha p ' NA e n ' NA , uniformi;
n2
per x > xn , gli elettroni sono maggioritari n ' ND e p ' ND i
; in
entrambe le regioni neutre si hanno c = 0 e = cost quindi campo
elettrico nullo;
38 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

si approssima la giunzione con una transizione brusca.


Una spiegazione alternativa del campo elettrico nullo legata alla legge di
Gauss:

~ =

dove se = 0, il campo uniforme, ma deve essere uniformemente nullo
perch ~ = 0 per x , altrimenti si avrebbe energia infinita.
La soluzione numerica di questa equazione conferma il modello regionale
accennato precedentemente, in particolare:
due regioni neutre in x < xp e x > xn tali per cui si ha neutralit
elettrica c = 0, sufficientemente distanti dalla giunzione;
due regioni svuotate dove la densit fissa molto maggiore dei portatori
mobili:
xp < x < 0 c ' qNA
0 < x < xn c ' qND
e per questo comportamento verr utilizzata unapprossimazione di
completo svuotamento.
Nellintorno delle lunghezze delle regioni svuotate xp e xn , si ha una varia-
zione brusca delle concentrazioni di portatori: immediatamente a sinistra
di xp si ha elevata concentrazione di lacune (p ' NA ) mentre a destra si
ha regione svuotata (p = 0). Dualmente, per gli elettroni a sinistra si ha
regione svuotata e a destra alta concentrazione di elettroni. Come mostrato
in Figura 2.5a. Le aree evidenziate dalla figura devono essere uguali, per cui
le cariche devono compensarsi considerando la struttura complessiva neutra
Qtot = 0 a fronte di un campo elettrico nullo. Allora:
xp ND
qNA xp = qND xn = (2.5)
xn NA
dove si vede che si avr una regione tanto pi estesa quanto meno essa
drogata. Si pu ricavare il potenziale di built-in considerando le condizioni
al contorno asintotiche:
q
() n2i
n() = n0 e KB T
= (2.6)
NA
()
qK
n() = n0 e BT = ND (2.7)
da cui si calcolano i potenziali:
n2i
 
KB T
() = log (2.8)
q n0 N A
 
KB T ND
() = log (2.9)
q n0
2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 39

+
qND

xp
x
xn

qNA

regione neutra regione neutra


x < xp x > xn
c = 0, ~ = 0 c = 0, ~ = 0
(a) Distribuzione della carica nello spazio monodimensionale

x
xp xn

(b) Campo elettrico mono-dimensionale ottenuto integrando la carica

i
x
xp xn
(c) Potenziale elettrico nel caso mono-dimensionale ottenuto integrando il
campo elettrico cambiato di segno

Figura 2.5: Carica, campo elettrico e potenziale


40 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

e il potenziale di built-in i facendo la differenza di potenziale ai capi della


struttura:
    2 
KB T ND ni
i = () () = log log =
q n0 n0 NA
    (2.10)
KB T ND n0 NA KB T NA ND
= log = log .
q n0 n2i q n2i
Ci si concentra sulla regione di svuotamento. Da Figura 2.5b si vede che
~ decresce linearmente per xp < x < 0 e dalla legge di Gauss:
2 q
2
= = NA (2.11)
x x Si
la derivata costantemente minore di zero. Analogamente, per 0 < x < xn
cresce linearmente:
2 q
2
= = ND (2.12)
x x Si
con derivata costantemente maggiore di zero. Per non violare la legge di
Gauss, il campo elettrico deve essere continuo, quindi si va a studiare il
comportamento di nel punto della giunzione dove avviene in cambio della
derivata. Per valutarne il valore, si usa la legge di Gauss usando un volume
che racchiuda la regione svuotata. Siccome nella regione svuotata ~ = 0 e
considerando che le facce con normale perpendicolare al campo non danno
contributo (Figura 2.6), lunico flusso non nullo nella giunzione:
qND xn
(0)A + (xn )A = A (2.13)
Si
dove A larea della faccia normale dove si studia il flusso, Axn il volume.
Il risultato, semplificando i termini:
qND xn
(0) = (2.14)
Si

Il potenziale elettrostatico dato da:


xn
(xn ) (x) = (x0 ) dx0 (2.15)
x

e considerando che () (xn ) = 0, nel punto x = 0:


1 qND
(0) = x2n (2.16)
2 Si
che equivale allarea del triangolo di destra descritto dal campo in Figura
2.5b. Analogamente, in (xp ) () = i :
1 qND
i = (xp + xn )xn (2.17)
2 Si
2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 41

le facce orizzontali ~
non danno contributo

P N

x
xp 0 xn

Figura 2.6: Rappresentazione del volume utilizzato per applicare la legge di


Gauss nel calcolo del campo elettrico nella giunzione

che corrisponde allarea totale sottesa dal campo elettrico nello spazio. Met-
tendo a sistema le relazioni 2.5 e 2.17 si arriva ad un sistema di due equazioni
non lineari in due incognite xn ,xp :
(
ND xn = NA xp
(2.18)
i = 21 (xp + xn )xn qN D
Si

e risolvendo per sostituzione lequazione di secondo grado, mantenendo solo


le lunghezze accettabili (quelle positive) si ottengono:
s
1 2Si i
xn = (2.19)
ND q(ND + NA1 )
1
s
1 2Si i
xp = 1 . (2.20)
NA q(ND + NA1 )

ora possibile ricavare la lunghezza della regione svuotata WD :


s
2Si i 1
WD = xn + xp = (ND + NA1 ) (2.21)
q
dalla quale si vede che tanto pi alta la concentrazione di drogrante pi
larga sar la regione di svuotamento e maggiore sar il campo elettrico di
giunzione (0).
Esempio. Con i seguenti dati si vuole calcolare la larghezza della regione di
svuotamento.
KB = 1.38 1023 J/K, q = 1.602 1019 C, 0 = 8.854 1014 F/cm,
T = 300K, NA = 1017 cm3 , ND = 1015 cm3
r = 11.7
42 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

Si ottengono ni = 7.6 109 cm3 e i = 0.73V da cui si possono calcolare le


lunghezze:

xp ' 96nm, xn ' 96nm, |(0)| ' 1.5 104 V/cm

2.1.1 Reverse Bias: polarizzazione inversa


Applicando una tensione VA < 0, la barriera di potenziale viene ad alzarsi,
rispetto allequilibrio, di una quantit pari a qVA . Il salto complessivo di
energia potenziale ai capi della giunzione diventa q(i VA ) > qi , consi-
derando il valore negativo della tensione. Si parler di regioni quasi-neutre,
sostituendo il nuovo valore del potenziale:

(xp ) () = VA i (2.22)

il sistema 2.18 diventa:


(
ND xn = NA xp
(2.23)
i VA = 21 (xp + xn )xn qN D
Si

che, risolto, porta alle lunghezze di svuotamento in polarizzazione inversa:


s
1 2Si (i VA )
xn = 1 (2.24)
ND q(ND + NA1 )
s
1 2Si (i VA )
xp = 1 . (2.25)
NA q(ND + NA1 )

Questo risultato dice che le lunghezze sono maggiori al crescere (in modu-
lo) della tensione applicata ai capi del dispositivo. Di conseguenza, anche il
campo elettrico di giunzione aumenta, per il maggior numero di cariche fisse
nella zona svuotata. Laumento del campo elettrico, porta ad un aumento
della componente di deriva nelle correnti che prevale su quella diffusiva, eli-
minata dallalzamento della barriera di potenziale. Le correnti di drift, per,
sono trascurabili: il campo elettrico orientato in modo tale da portare le
cariche minoritarie verso le cariche maggioritarie, quindi il flusso sar debole
per le basse concentrazioni di carica in movimento.

Comportamento ai piccoli segnali


In polarizzazione inversa la resistenza differenziale rd molto elevata, quindi
trascurabile. Il circuito equivalente del diodo, quindi, corrisponde ad una ca-
pacit differenziale cd , ricavabile dalla linearizzazione della carica contenuta
nel diodo:
qd = f2 (vd ). (2.26)
2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 43

A A

piccoli segnali
D rd cd

K K

Figura 2.7: Rappresentazione del diodo ai piccoli segnali

La carica qd sar immagazzinata nella regione svuotata perch lontano dal-


la giunzione ci sono solo le regioni neutre. Considerando il segno di VA , si
indicher +qd la quantit di cariche negative, qd le cariche positive. Rife-
rendosi a Figura 2.5a, si possono calcolare i valori di carica integrando nelle
regioni di appartenenza:
xn xn
qd = c dx = qND dx = qND xn (2.27)
0 0
0 0
+qd = c dx = qNA dx = qNA xp (2.28)
xp xp

e inserendo le lunghezze delle regioni esplicitamente:


s
2qsi (i VA )
qd = 1 (2.29)
ND + NA1
s
2qsi (i VA )
+qd = 1 (2.30)
ND + NA1

dove si vede chiaramente come qd non sia lineare rispetto VA ed quindi


necessario linearizzare attorno un punto di lavoro. Calcolando la derivata
rispetto alla tensione della carica si ricava:

d qd qsi 1
r
cd = = 1 1 q (2.31)
dvA Q 2i (ND + NA ) 1 VA i

dove il primo termine dipende dalla tecnologia e il secondo dipende dal punto
di riposo. Il comportamento del diodo in inversa, per piccoli segnali, equivale
ad una capacit variabile controllata tramite la tensione ai suoi capi. Questo
pu essere utile in certe applicazioni, infatti vengono creati dei dispositivi
particolari detti diodi varicap che hanno variano maggiormente la capacit
in inversa al variare della tensione.
44 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

2.1.2 Direct Bias: polarizzazione diretta


Applicando una tensione VA > 0, il potenziale della barriera viene ridotto.
Infatti il valore del potenziale diventa i VA < i poich, a differenza del
caso di polarizzazione inversa, la tensione positiva. Il campo elettrico
nella regione svuotata risulta diminuito rispetto allequilibrio e il termine di
deriva diminuisce. Allora diventa prevalente il termine di diffusione che fa
uscire dal bilanciamento il dispositivo:
gli elettroni diffondono dalla zona n, dove sono maggioritari, alla zona
p dove ci sono pochi elettroni;

le lacune compiono il movimento opposto passando dalla zona p alla


zona n.
Visto il grande numero di portatori in movimento, questa volta, la corrente
apprezzabile.
Per lanalisi si utilizzer lapprossimazione al modello regionale, come
fatto anche nella polarizzazione inversa. Nelle regioni quasi-neutre il campo
elettrico quasi nullo ~ ' 0 che permette comunque la presenza di cor-
renti. Lassunzione di campo nullo permette di non utilizzare pi lequa-
zione di Poisson in quanto il potenziale non risulta pi essere unincognita.
Riprendendo le equazioni di continuit:

n 1 ~n + n

= J


t

q t GR
(2.32)
p 1 ~ p
t = q Jp + t



GR

e riscrivendole sotto ipotesi di mono-dimensionalit e tempo-invarianza ( n


t =
p
t = 0):
1 d J~n

U =0


q dx

(2.33)
1 d J~p

+U =0
q dx
dove si mantenuto il fenomeno termico nonostante la tempo-invarianza:

n
= G R = (R G) = U.
t GR

Il sistema risolvente 2.33 stato trovato sotto molte ipotesi semplificative:


1. approssimazione di quasi-equilibrio, che rende valido il modello solo
per VA non molto elevate;

2. fenomeni di generazione e ricombinazione solo di tipo termico, con


dispositivo posto in assenza di luce;
2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 45

3. trascurando le cadute di tensione nelle regioni quasi-neutre ( ' cost


quindi ' 0);

4. approccio regionale e con transizione brusca;

5. analisi statica.

Utilizzando il modello SRH per la funzione di ricombinazione netta:

np n2i
RG=U =
p (n + n1 ) + n (p + p1 )

nellipotesi di quasi-equilibrio termodinamico, si considera U nella regione


quasi-neutra n, per x > xn . Si avr un eccesso di lacune che diffondono
dalla regione p alla regione n e, per compensazione, anche la concentrazione
di elettroni aumenta:

n = n0 + n, n 0 ' ND (2.34)
n2i
p = p0n + p, p0n ' (2.35)
ND
dove n0 >> p0 per essere un drogaggio donatore, n0 >> n e n0 >> p per
avere un piccolo scostamento dallequilibrio. Riscrivendo la ricombinazione
netta cone le relazioni appena scritte:

(n0 + n)(p0n + p) n2i


U= =
p (n0 + n + n1 ) + n (p0n + p + p1 )

n2i
n0 p0n +n0 p + p0n n + np n2i
z }| {
= '
p (n0 + n + n1 ) + n (p0n + p + p1 ) (2.36)
n0 p
' '
n0 >>p0 p (n0 + n + n1 ) + n (p0n + p + p1 )
n0 p p p p0n
' = = .
p n p n0 p p

Questa la ricombinazione netta in funzione dello scostamento dei porta-


tori minoritari dallequilibrio. lineare ma vale solamente vicino allequi-
librio e dove p0n la concentrazione di lacune in regione quasi-neutra n.
Analogamente, si ottiene nella regione quasi-neutra p (per x < xp ):

n n n0p
U' = (2.37)
n n
Sostituendo le relazioni appena trovate nelle equazioni di continuit, per
x > xn (in regione quasi-neutra n) le lacune, e sfruttando la relazione della
46 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

corrente a meno della componente di deriva:

1 dJ~p p p0n
+ =0
q dx p
 
1 d dp p p0n
qDp + =0 (2.38)
q dx dx p
d2 p p p0n
Dp 2 = 0.
dx p

Facendo un cambio di riferimento ponendo x > xn x > 0+ e aggiungendo


il termine p0n costante alla derivata si pu scrivere la hole diffusion equation:

d2 (p p0n ) p p0n
=0
dx2 Dp p
(2.39)
d2 (p p0n ) p p0n
=0
dx2 L2p
p
avendo definito Lp = Dp p la lunghezza di diffusione delle lacune nella
regione quasi-neutra n. Questultima una lunghezza caratteristica della
diffusione: le lacune tendono a diffondere in n ma la loro concentrazione cala
per x crescente a causa dei fenomeni di ricombinazione ed Lp cala al crescere
del tasso di ricombinazione. Lo stesso procedimento vale per gli elettroni in
zona p spostando il riferimento x < xp x < 0 arrivando al risultato:

d2 (n n0p ) n n0p
=0 (2.40)
dx2 L2n

con Ln = dn n .
Per risolvere queste due equazioni, sono necessarie due condizioni al con-
torno ciascuna essendo due equazioni del secondo ordine. Le prime due
condizioni utilizzabili sono quelle asintotiche:

n2i
p0n = p() ' (2.41)
ND
n2
n0p = n() ' i (2.42)
NA
Le restanti due condizioni si trovano in p(0+ ) e n(0 ), grazie alle con-
dizioni di piccolo scostamento termodinamico Shockley boundary conditions.
Considerando di essere in quasi-equilibrio si ha Jp ' 0 nella regione svuotata
0 < x < 0+ , si ha:
dp
Jp = qpp qDp ' 0. (2.43)
dx
La differenza fra i due contributi quasi nulla: nella regione svuotata se
il campo elettrico sale aumenta la corrente di deriva, ma anche la corrente
2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 47

di diffusione elevata per il moto dei maggioritari. Lavorando sullultima


equazione:

dp
qpp = qDp
dx
d dp
pp = Dp
dx dx
Dp dp
d =
p dx

e integrando tra 0+ e 0 si ricava:


(0+ ) p(0+ )
Dp dp
d =
(0 ) p p(0 ) p
p(0+ )
 
Dp
(0+ ) (0 ) = log (2.44)
p p(0 )
p(0+ )
 
Dp
i V A = log .
p p(0 )

Usando le relazioni di Einstein per le lacune:

Dp KB T
=
p q

valido allequilibrio termodinamico, si ottiene:


qi qVA
K
p(0+ ) = p(0 ) e BT e KB T (2.45)
| {z }
'NA

e ricordando che:  
KB T NA ND
i = log
q n2i
allora:
n2i qVA
n2 qVA VA
p(0+ ) = NA e KB T = i e KB T = p0n e VT (2.46)
NA ND ND
avendo chiamato VT = KB T /q. Questa la prima condizione al contorno
Shockley ed possibile procedere allo stesso per calcolare n(0 ) ottenendo:
VA
n(0 ) = n0p e VT . (2.47)

Ora che sono note tutte le condizioni al contorno necessarie, si pu scrivere


il problema da risolvere per conoscere le concentrazioni diffuse. Ad esempio,
48 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

per le lacune in n:
2
d (p p0n ) p p0n

=0


dx2 L2p
n2



p0n = p() ' i (2.48)
ND
VA


+
p(0 ) = p0n e T

V



x > 0+ .

Chiamando = p p0n si pu riscrivere la prima equazione del sistema


per procedere alla risoluzione:

d2
2
2 =0
dx Lp

e passando allequazione caratteristica sostituendo = d/dx:


1
2 =0
L2p
s
1 1
= = .
L2p Lp

La soluzione allora :
1
x L1 x
p p0n = Ae Lp + Be p

dove A = 0, altrimenti si avrebbe una concentrazione infinita di lacune per


x . Sfruttando la condizione Schockley nellequazione (avendo posto
A = 0):
VA
B = p0n (e VT 1) (2.49)
allora la soluzione del sistema :
VA x
p(x) = p0n + p0n (e VT 1)e Lp , x > 0+ . (2.50)

Nella regione quasi-neutra n, p(x) assume il valore massimo in x = 0 per


poi decrescere esponenzialmente fino a raggiungere p0n a causa delle ricom-
binazioni (infatti dipende dalla Lp ). Nota la concentrazione di lacune, si pu
scrivere la corrente trascurando la componente di deriva:
 
dp 1 VA
Lx
Jp (x) ' qDp = qDp p0 (e 1)e p
VT
(2.51)
dx Lp n

che tende a zero per x . Per il tendere a zero, significa che le lacune
si ricombinano chiamando elettroni che porta ad un aumento della corrente
dovuta agli elettroni.
2.1. ANALISI ELETTROSTATICA 49

J
Jn

Jp
x
0+

Figura 2.8: Corrente di diffusione nella regione quasi-neutra n

Landamento delle correnti mostrato in Figura 2.8. Scegliendo x = 0+


la corrente delle lacune vale:
 V 
+ qDp A
Jp (0 ) = p0 e 1 .
VT
(2.52)
Lp n

Nella regione quasi-neutra p, la convenzione delle x positiva verso


sinistra e il sistema risolvente :

d2 (n n0p ) n n0p

=0
dx2 L2p



n2



n0p = np () = i (2.53)
NA
VA






n(0 ) = n0p e VT
x < 0

la cui soluzione ottenuta in modo analogo al caso precedente:


 V 
A x
n(x) = n0p + n0p e 1 e Lp .
VT
(2.54)

Dalla concentrazione degli elettroni in zona quasi-neutra p si pu calcolare


la corrente in x = 0 :
 V 
qDn A
Jn (0 ) = n0 e 1 .
VT
(2.55)
Ln p

Si potrebbe pensare di approssimare la corrente totale (calcolata nello stesso


punto) come la somma delle due correnti appena calcolate, anche se riferite
a punti diversi:

Jtot = Jp (0+ ) + Jn (0+ ) ' Jp (0+ ) + Jn (0 ) (2.56)

dove si fatta lapprossimazione Jn (0+ ) = Jn (0 ) nella regione svuotata.


In realt, questo potrebbe non essere vero a causa delle ricombinazioni nella
regione svuotata ma unapprossimazione lecita poich in regione svuotata
50 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

VBD
V

Js

Figura 2.9: Caratteristica J V della giunzione PN: comportamento teorico


(rosso) e sperimentale (blu)

le concentrazioni sono sotto ai valori di equilibrio (ci sono poche cariche


mobili). Con lapprossimazione la corrente vale:

  V 
Dp Dn A
Jtot =J =q p0n + n0 e 1
VT
(2.57)
Lp Ln p

e definendo Js corrente di saturazione il primo termine:

 VA

J = Js e VT
1 . (2.58)

Il modello matematico calcolato riportato in forma grafica in Figura


2.9. Si vede che la relazione matematica esponenziale mentre in pratica
si verificano dei fenomeni diversi. Tanto pi la tensione cresce, tanto pi
lapprossimazione di quasi-equilibrio viene a mancare e il modello si discosta
sempre pi dal comportamento sperimentale. Un altro fenomeno non rap-
presentato nel modello il breakdown: quando la tensione negativa diventa
troppo elevata in modulo, si verifica la rottura della giunzione a causa di
fenomeni preponderanti di generazione di coppie elettrone-lacuna nella re-
gione di svuotamento e la tensione per cui si verifica dipende dal quantitativo
di drogante (se aumenta il drogaggio si abbassa |VBD |). Il comportamento
sperimentale in inversa porta ad avere una corrente J che diminuisce costan-
temente allabbassarsi della polarizzazione, mentre il modello matematico
manterrebbe la corrente costante al valore di corrente di saturazione Js .
2.2. CONTRIBUTI DI GENERAZIONI TERMICHE 51

2.2 Contributi di generazioni termiche


2.2.1 Polarizzazione inversa nella regione svuotata
Lequazione di continuit degli elettroni in condizioni statiche :

dJn
= qU (2.59)
dx

e integrando nella regione svuotata (0 < x < 0+ ) si ottiene:


0+
+
Jn (0 ) Jn (0 ) = q U dx. (2.60)
0

Esprimendo la generazione netta U con la relazione SHR:

np n2i
U=
p (n + n1 ) + n (p + p1 )

considerando che n e p sono trascurabili rispetto n1 e p1 in regione svuotata,


si pu approssimare il denominatore:

np n2i np n2i
U=
p (n + n1 ) + n (p + p1 ) p n1 + n p1

e introducendo lapprossimazione np << n2i in svuotamento:

np n2i n2 ni
U = i = (2.61)
p n1 + n p1 G ni G

con G tempo di generazione medio nella regione di svuotamento che dipende


dalla temperatura e dai difetti del cristallo: pi difetti ci sono, minore sar il
tempo di generazione e ci saranno pi generazioni. Sostituendo la relazione
2.61 in equazione 2.60:
ni ni
Jn (0+ ) Jn (0 ) = q (x(0+ ) x(0 )) = q WD (2.62)
G G

si riesce a ricavare Jn (0+ ), essendo note tutte le altre grandezze. In questo


modo possibile calcolare la corrente totale senza effettuare lapprossima-
zione utilizzando punti diversi:
 V 
+ +
A ni
J = Jp (0 ) + Jn (0 ) = Js e 1 q WD
VT
(2.63)
G

con WD che cresce allaumentare del modulo di VA (VA < 0) come la radice
quadrata e questo porta a diminuire il valore della corrente J.
52 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

e1
EC
Ek
e2 q(i VA )
EV

h2

x
0 0+

Figura 2.10: Ionizzazione da impatto

2.2.2 Ionizzazione da impatto in reverse-bias

un fenomeno fisico di generazione ed il meccanismo responsabile del


breakdown. Il campo elettrico nella regione svuotata ~ aumenta al crescere
in modulo della tensione negativa VA . Esso attira gli elettroni verso la zona
n e un elettrone che entra nella regione svuotata aumenta la sua energia
cinetica, diventando un portatore "caldo". Quando Ek > Eg , lelettrone
pu trasferire energia ad uno in banda di valenza e promuoverlo in banda
di conduzione. Il portatore caldo perde energia, lelettrone promosso ne ha
acquisita e lascia una lacuna in banda di valenza. Lelettrone promosso e
la lacuna creata andranno ad incrementare rispettivamente alle correnti di
deriva Jn e Jp . Questeffetto diventa sempre pi significativo man mano che
la tensione di polarizzazione diminuisce.
A VBD la corrente sprofonda (effetto a valanga) perch diventa unitaria
la probabilit che un elettrone in zona svuotata crei, con ionizzazione da
impatto, una coppia elettrone-lacuna. A loro volta, questa nuova coppia
genera altre coppie moltiplicandosi "a valanga".

2.3 Generazione ottica

Lo scambio energetico dovuto a radiazione luminosa avviene in quanti ben


definiti, in funzione della lunghezza donda della radiazione. Al diminui-
re della lunghezza donda lenergia del fotone aumenta e se maggiore del
bandgap essa assorbita da un elettrone in banda di valenza e sfruttata per
passare in banda di conduzione lasciando una lacuna. Questo meccanismo
crea una coppia elettrone-lacuna per energia ottica. Si definisce Gopt il tas-
so di generazione di coppie elettrone-lacuna nellunit di tempo e volume
per meccanismo ottico. Supponendo di avere una radiazione uniforme, la
2.3. GENERAZIONE OTTICA 53

relazione viene modificata:


1 dJp
+ U Gopt = 0 (2.64)
q dx

e questo porta a modificare lequazione di diffusione per le lacune in regione


quasi-neutra n:

2
d (p p0n ) p p0n = Gopt

dx2 L2p Dp (2.65)
x > 0+

dove il tasso di ricombinazione netto diventa U Gopt . La soluzione diventa:


  qV  
A x
p(x) = p0n + Gopt p + p0n e KB T
1 Gopt p e Lp (2.66)

e la corrente:
  V  
+ qDp A
Jp (0 ) = p0n e KB T
1 Gopt p (2.67)
Lp

con Gopt p che dimensionalmente una concentrazione di lacune fotogene-


rate. Analogamente, per gli elettroni in regione quasi-neutra p:
  V  
qDn A
Jn (0 ) = n0p e KB T 1 Gopt n . (2.68)
Ln

Una radiazione di intensit massima, ad esempio con cielo sereno e radia-


zione perpendicolare alla superficie ricevente, genera uno scostamento dal-
lequilibrio comunque non sufficiente per far cadere la condizione di Shoc-
kley di piccolo scostamento, che pu quindi essere usata come condizione al
contorno. In generale, la corrente data da:

J = Jp (0+ ) + Jn (0+ ) = Jp (0+ ) + Jn (0 ) + (Jn (0+ ) Jn (0 )) (2.69)

dove le prime due grandezze sono note, mentre il termine tra le parentesi
equivale ad una differenza di flussi attraverso la superficie di estremi [0 , 0+ ].
La relazione che si studier :
dJn
= qU qGopt ' qGopt (2.70)
dx
dove si trascurato leffetto di generazione termica che molto pi debole
rispetto la generazione ottica. Integrando nella regione svuotata:
0+
+
Jn (0 ) Jn (0 ) = q Gopt dx = qGopt WD (2.71)
0
54 CAPITOLO 2. GIUNZIONE PN

V
dark

light Jopt

Figura 2.11: Diverse caratteristiche di un diodo esposto ad una radiazione


luminosa o al buio

si pu sostituire il risultato trovato in equazione 2.71 in 2.69:

J = Jp (0+ ) + Jn (0 ) qGopt WD =
(2.72)
 V 
A
= Js e 1 qGopt (WD + Lp + Ln )
VT

dove:

il termine Js (eVA /VT 1) rappresenta la densit di corrente in assenza


di illuminazione;

il termine qGopt (WD + Lp + Ln ) la densit di corrente fotogenerata


con segno negativo; a sua volta allinterno delle parentesi, consideran-
do tutte le lunghezze, si considerano tutti i contributi delle rispettive
regioni del dispositivo;

Il termine negativo di corrente si ripercuote sulla caratteristica J V come


mostrato in Figura 2.11. Si vede come a tensione applicata nulla si ha una
corrente non nulla e come la caratteristica passi nel quarto quadrante, dove
il diodo si comporta come un erogatore di energia (cella fotovoltaica, capitolo
4).
Capitolo 3
Simulazione di dispositivi a
semiconduttore

Le equazioni utilizzate per lo studio di dispositivi a semiconduttore in con-


dizioni di tempo-invarianza sono:
~ D
~ =
 ~ 
~ Jn
=GR
q
~ 
~ Jp
=GR
q

dove D~ = r 0 E.
~ Sono tre equazioni differenziali alle derivate parziali non
lineari nelle tre incognite (~r), n(~r) e p(~r).
Per studiare i dispositivi a semiconduttore senza introdurre grandi ap-
prossimazioni per non perdere accuratezza nella descrizione, si utilizza una
analisi numerica. Il primo passo per risolvere un problema al calcolatore
quello di andare a discretizzare il problema. Semplificando al caso bidi-
mensionale, un primo approccio possibile quello di creare una griglia di
discretizzazione uniforme dove i valori delle tre incognite sono calcolate in
corrispondenza dei nodi di discretizzazione:

(~r) i,j
n(~r) ni,j
p(~r) pi,j .

In questo modo si hanno tre equazioni per ogni nodo, quindi complessiva-
mente si hanno 3N scalari, con N numero di nodi. Con la discretizzazione
non si avr pi la funzione soluzione, ma solo il suo valore nei nodi: questo
porta ad una introduzione di errori di campionamento.

55
56 CAPITOLO 3. SIMULAZIONE DISPOSITIVI

Oltre al dominio si devono discretizzare anche gli operatori differen-


ziali. Lapproccio pi semplice quello di usare le differenze finite per
approssimare la derivata:

df fi+1 fi
= + O(h2 ).
dx xi +1/2 h
Nei dispositivi complessi come quelli a semiconduttore, dove i materiali
presentano delle non omogeneit, la discretizzazione uniforme non pu essere
usata perch per avere risultati accurati si impiegherebbe troppo tempo.
conveniente utilizzare una griglia con passo molto stretto dove avvengono dei
cambiamenti di materiale nel dispositivo, per avere una soluzione accurata
nelle transizioni, e un passo pi largo dove il materiale circa uniforme.
Abbassando il passo h di discretizzazione si migliora lerrore locale di
troncamento, ma se diventa troppo piccolo aumenta lerrore di arrotonda-
mento a causa dellalfabeto limitato rappresentabile al calcolatore.

3.1 Diversi tipi di discretizzazione


Le griglie possono essere essenzialmente di quattro tipi:
uniforme rettangolare o quadrata (Figura 3.1a), semplice ma il numero
di nodi molto alto ed uno spreco di risorse nelle zone in cui non ci
sono transizioni;
griglia triangolare (Figura 3.1b), minimo numero di nodi N ma pi
complessa;
discretizzazione intermedia (Figura 3.1c), dove non vengono generate
linee di griglia dove non serve (tensor product), come ad esempio nelle
regioni quasi-neutre;
discretizzazione terminating line-rectangular dove vengono terminate
le righe/colonne dove non c bisogno (Figura 3.1d);

3.2 Discretizzazione delle equazioni nella griglia


Partendo dalle equazioni puntuali:
~ D
~ = , ~ J~n = q(G R)

le si vogliono esprimere nella forma integrale. Integrando nel volume di
interesse:

~ ~
D d = d, ~ ~
Jn d = q(G R) d

~
~ =
~ ds Jn
D d, d = (G R) d
S S q
2) Discretization: Example

3.2. DISCRETIZZAZIONE DELLE EQUAZIONI NELLA GRIGLIA 57

General
ular grid tensor product
oints 2) Discretization: Example 1156 points
2) Discretization: Example

ating line- General


m
gular General
triangular
Uniform
ular
ints grid tensor
264 product
rectangular grid
oints 1156 points
scretization:9409
Example
points

(a) Griglia uniforme (b) griglia triangolare

HUB.org NCN

ating line- General


Terminating line-
gular General triangular
rectangular
oints tensor product 264
387 points
1156 points

(c) Griglia non uniforme (d) Griglia terminata


HUB.org NCN
www.nanoHUB.org

General
triangular
264

NCN
58 CAPITOLO 3. SIMULAZIONE DISPOSITIVI

x
(i, j 1)
y
DT

(i 1, j) DL (i, j) DR (i + 1, j)
h

DB

(i, j + 1)

Figura 3.1: Area di controllo: andamento delle componenti

si ottengono delle formule di bilancio di flusso. Procedendo alla discretizza-


zione dellequazione di Poisson si ottiene, nel caso bidimensionale, il risultato
di Figura 3.1. Le componenti Dx vengono valutate al lato sinistro e al lato
destro mentre le componenti Dy vengono valutate sopra e sotto al punto i, j.
Il flusso uscente :
(DR + DB DL DT )h = i,j h2
~ come:
ed possibile esprimere D
~ = r 0 r 0 (i1,j i,j ).
~ = r 0 E
D
h
Facendo questa operazione in ogni punto della griglia, si pu scrivere lequa-
zione algebrica discretizzata:
Fi,j (i,j1 , i1,j , i,j , i,j+1 , ni,j , pi,j ) = 0
che sar lequazione da risolvere per tutti i nodi della griglia. Linsieme di
N equazioni non sufficiente per calcolare le 3N incognite se non sono note
n e p. Allora necessario discretizzare anche le equazioni di continuit della
carica per elettroni e lacune, andando a discretizzare le correnti:
J~n = qnn ~ + qDn n
J~p = qpp ~ qDp p
da cui si ottengono le altre due funzioni necessarie a risolvere il sistema:
Fni,j = 0, Fpi,j = 0.
3.2. DISCRETIZZAZIONE DELLE EQUAZIONI NELLA GRIGLIA 59

Il sistema non lineare risolvente quindi:



Fi,j
i,j
Fn = 0
Fpi,j

e per risolverlo si usa una discretizzazione specifica Scharfetter-Gummel (per


semiconduttori 1-D).
Considerando lequazione di Poisson con n e p note, il sistema diventa
lineare:
A=b
risolvibile con inversione della matrice A o con metodi iterativi come il gra-
diente. A una matrice sparsa, di dimensioni n n. In realt, quando si
calcola la soluzione numerica, si cerca di stare entro una tolleranza consi-
derando che la soluzione non sar mai esatta. Quindi il problema reale da
risolvere alliterazione k esima :
k
F
Fnk = ~r
Fpk

e la soluzione pu essere convergente, lentamente convergente o divergente


in base allandamento dellerrore rispetto la soluzione attesa.
60 CAPITOLO 3. SIMULAZIONE DISPOSITIVI
Capitolo 4
Celle fotovoltaiche

Sono dispositivi che si occupano della conversione da energia solare (elettro-


magnetica), derivante da fotoni,in energia elettrica tramite generazione di
coppie elettrone-lacuna. I semiconduttori pi utilizzati sono quelli che han-
no bandgap di circa Eg [1eV, 1.4eV]. Si definisce efficienza di conversione
il rapporto:
Energia elettrica prodotta
= . (4.1)
Energia EM incidente

4.1 Principio di funzionamento


Nellinterazione fra energia elettromagnetica e semiconduttore parte della
radiazione viene riflessa e perduta. Della restante energia, parte viene assor-
bita, ma una parte viene persa perch riesce ad oltrepassare il dispositivo:
per questo le ultime celle vengono realizzate col "back" riflettente, in mo-
do da intrappolare quanta pi energia possibile. Lenergia utilizzabile viene
assorbita da un elettroni in banda di valenza e se sufficiente viene promos-
so in banda di conduzione. Perch lelettrone venga promosso necessario
assorbire un fotone con energia:

h > Eg (4.2)

ed avr un eccesso iniziale di energia cinetica. Lelettrone caldo urter con


altri atomi del reticolo portando ad una dissipazione di energia (effetto di
termalizzazione) e questo una perdita di efficienza di conversione. Lelet-
trone, dallenergia h assorbita, tende a mantenerne solo un quantitativo
pari al livello di energia minimo Eg . Il processo mostrato in Figura ?? e la
perdita di energia corrisponde ad unemissione di fononi.
Un altro meccanismo di perdita di efficienza si ha quando un elettro-
ni in banda di conduzione assorbe un fotone ma, essendo gi in banda di
conduzione, perde tutta lenergia dissipandola (free carrier absorpion). Non

61
62 CAPITOLO 4. CELLE FOTOVOLTAICHE

EC EC EC EC
h

EV EV EV EV
(a) Un elettrone in (b) Lelettrone vie- (c) Lelettrone per- (d) Configura-
banda di valenza as- ne promosso in ban- de lenergia cinetica zione con coppia
sorbe lenergia di un da di conduzione in eccesso in calore elettrone-lacuna
fotone con tutta lenergia e si porta alla confi- formata
assorbita gurazione a energia
minima

Figura 4.1: Promozione e perdita di energia cinetica dellelettrone irradiato

si ha generazione di coppie elettrone-lacuna ed un effetto riscontrabile


spesso nei metalli dove la banda di conduzione molto popolata, come nei
semiconduttori fortemente drogati.
necessario un meccanismo che riesca a separare lelettrone dalla lacuna.
Nella pratica si utilizza un campo elettrico: si sa che in una giunzione PN
allinterfaccia si ha un campo elettrico di giunzione che separa le cariche
ed evita la ricombinazione. La radiazione solare ha uno spettro distribuito,
fotoni con energie diverse hanno frequenze diverse secondo la relazione:

c ~c
= = (4.3)
E
dove c la velocit della luce, ~ la costante di Plank e la frequenza del-
londa. Si definisce irradianza la potenza ricevuta per unit di superficie in
funzione della lunghezza donda. Si definisce coefficiente di assorbimento che
quantifica lefficienza del processo di assorbimento fotonico, rappresentata in
funzione dellenergia del fotone in Figura 4.2. Il suo reciproco la distanza
media che il fotone a energia h riesce a percorrere allinterno del cristallo
prima di venire assorbito da un fotone. La scala per misurare il coefficiente
di assorbimento parte da EV ed ha un andamento esponenziale sottosoglia.
Questo dice che sono possibili transizioni a energia fotonica minore del band-
gap, a patto che lenergia mancante venga fornita da altri fenomeni. In ogni
caso questi fenomeni sono poco probabili, infatti sotto soglia il coefficiente
esponenzialmente molto pi basso che sopra soglia. Come gi accenna-
to nel capitolo riguardante la fisica dei semiconduttori, esistono materiali
con bandgap diretto e bandgap indiretto. Il silicio, essendo di questultima
tipologia, per una promozione a minima energia deve avere contemporanea-
mente un assorbimento di un fonone per spostare il valore di vettore donda,
corrispondente alla quantit di moto. Per una promozione dovuta alla sola
4.2. ASSORBIMENTO DELLA LUCE 63

Assorbimento
(log)

1.4 Energia del fotone

Figura 4.2: Andamento del coefficiente di assorbimento in scala logaritmica


rispetto allenergia del fotone

energia fotonica si dovrebbe riceve un quantitativo di energia di almeno 3eV,


ma la radiazione solare non ha fotoni ad energia cos alta.
A parit di lunghezza donda , il coefficiente di assorbimento del silicio
e minore rispetto a quello dellarseniuro di gallio. Il silicio non il materiale
migliore per lassorbimento fotonico e per avere delle efficienze accettabili
si fanno delle celle pi spesse. Il coefficiente di assorbimento dipende dalla
temperatura, in particolare aumenta allaumentare della temperatura e con
la temperatura aumentano anche le interazioni col reticolo cristallino. Questo
rende pi probabile linterazione di fononi e fotoni per la optogenerazione di
coppie.
possibile, inoltre, avere una transizione in due passi mediante livelli di
trappola posizionati energeticamente allinterno del bandgap generati dalla
presenza di difetti. Si potrebbe pensare di introdurre pi difetti al cristallo
per aumentare le generazioni ma leffetto controproducente: a fronte di
un piccolo aumento delle generazioni aumentano molto le ricombinazioni
portando a diminuire lefficienza di conversione.
In presenza di elevato drogaggio si ha il bandgap narrowing (restringimen-
to del bandgap) a causa dei livelli introdotti dal drogante. Se il drogante
in alte (' 1018 atomi/cm3 ) quantit si crea una sorta di banda allinter-
no del bandgap portando lenergia minima di promozione ad un livello pi
basso Eg0 . Si possono avere delle promozioni anche per fotoni con energia
Eg0 < h < Eg .

4.2 Assorbimento della luce


Si definiscono:
F (x) il flusso di fotoni, ovvero il numero di fotoni che attraversano
lunit di superficie nellunit di tempo funzione decrescente con la
profondit;

(x) il coefficiente di assorbimento, gi descritto nella sezione precen-


dente;
64 CAPITOLO 4. CELLE FOTOVOLTAICHE

Gopt = (x)F (x) il tasso di generazione ottica per unit di tempo e


volume, definito operativamente.

Si pu scrivere unequazione di bilancio per descrivere la variazione del flusso


di fotoni in [x, x + dx]:

dF (x) = (x)F (x) dx (4.4)

e separando le variabili e integrando si ricava:


F (x) x
dF (x0 )
0)
= (x0 ) dx0 (4.5)
F (x0 ) F (x x0

dove si definito x0 lascissa di riferimento. Risolvendo gli integrali conside-


rando costante si ottiene:
 
F (x)
log = (x x0 ) F (x) = F (x0 )e(xx0 ) . (4.6)
F (x0 )
Se x0 = 0 si ottiene una attenuazione esponenziale con parametro . Se
si vuole assorbire il 90% dei fotoni, occorre che il flusso decresca quindi
lo spessore dovr essere maggiore per garantire un maggior assorbimento.
In questo caso, considerando che e2 ' 0.1 la cella dovr essere spessa
almeno 21 . Nel silicio la cella deve essere particolarmente spessa perch
il coefficiente di assorbimento dipende dal materiale e nel silicio basso.
Per una cella solare fondamentale:

bandgap corrispondente alla lunghezza donda nello spettro della luce;

campo elettrico per separare le cariche;

tasso di ricombinazione basso, quindi una bassa densit di impurit.

Il portatore minoritario deve diffondere almeno fino alla zona svuotata dove
il campo
p elettrico penser a muoverlo. Allora la lunghezza di diffusione
Lp = p Dp deve crescere aumentando p . Questo porta ad avere un basso
tasso di ricombinazione:
p p0n
U' .
p

4.3 Cella al silicio convenzionale


La cella una giunzione PN di grande dimensione cos da avere una grande
zona di svuotamento in modo che le cariche generate al suo interno venga-
no subito separate dal campo elettrico. Si droga maggiormente la zona n
(n+ , emettitore, esposta alla luce) rispetto alla zona p (base), cos da avere
Lp > Ln . Sono diversi anche i contatti: il substrato p tutto contattato
da uno strato di alluminio. Lemettitore contattato da una griglia di piste
4.4. GIUNZIONE PN COME CELLA FOTOVOLTAICA 65

metalliche a bassa resistivit per avere piccola Rserie . Non tutto contattato
per riflettere il minor numero di fotoni possibile e non ridurre larea utile del
dispositivo, ma il problema che pi le piste sono sottili maggiore la resi-
stenza in serie. Il progetto del contatto di emettitore, quindi, il risultato
di un trade-off:

si vuole avere poca area metallizzata per avere pi area utile;

si vuole una bassa resistenza in serie, che viene diminuita se le metal-


lizzazioni sono distanti tra loro e se sono larghe.

Lefficienza di conversione attuale va dal 16% delle celle a silicio multi-


cristallino al 22% per le celle di silicio monocristallino, quando il massimo
teorico del 31%. La perdita di efficienza rispetto al massimo teorico
dovuto ad effetti di termalizzazione, dovuta a fotoni molto energetici che
disperdono circa il 60% di energia.
Esistono delle tecnologie alternative:

film sottile in silicio amorfo: un materiale ricco di difetti, con grande


resistenza serie e probabilit di ricombinazione alta, ma ha un coeffi-
ciente di assorbimento molto elevato che gli permette di avere uno
spessore molto sottile. Ha efficienza 7%-10%;

celle multigiunzione: uno stack di pi giunzioni (massimo 3) rea-


lizzate con materiali diversi. Il primo strato ha bandgap ampio per
assorbire fotoni con energia alta, gli strati inferiori hanno bandgap via
via decrescente, per limitare lassorbimento di fotoni molto energetici
a bandgap piccoli e riducendo la termalizzazione. Sono molto costo-
se, per questo vengono usate in concentrazione: tramite degli specchi
si convoglia la luce sulla cella e sono in grado di ottenere il 46% di
efficienza quando il limite teorico per queste celle 67%;

celle in materiale organico: basso costo, ridotta affidabilit a lungo


termine con efficienza intorno al 10%.

4.4 Giunzione PN come cella fotovoltaica


Riferendosi nuovamente a Figura 2.11, si possono vedere le diverse caratteri-
stiche della giunzione in base allilluminazione. Considerando che la corrente
fotogenerata mossa dal campo elettrico, essa ha verso opposto alla corren-
te di diffusione. Con buona approssimazione, la corrente fotogenerata non
dipende dalla tensione quindi la corrente subisce una traslazione rigida verso
il basso.
Nella pratica si inverte la convenzione rispetto alla derivazione della ca-
ratteristica del diodo al buio, in modo che il quarto quadrante diventi il
66 CAPITOLO 4. CELLE FOTOVOLTAICHE

primo. Si scrive la relazione (considerando Is = I0 ):


VA
I = I0 (e VT 1) IL , IL = qAGopt (WD + Ln + Lp ) (4.7)

dove A larea della sezione del dispositivo, WD il contributo dellarea


di svuotamento, Ln il contributo della regione quasi neutra n e Lp il
contributo della regione quasi neutra p. IL aumenta allaumentare dellin-
tensit dellilluminazione. Per caratterizzare una cella gli viene fornita una
illuminazione standard (irradianza = 1000W/m2 ) e vengono poste ad una
temperatura standard, tipicamente T = 25C. A parit di condizioni, si
definiscono delle figure di merito:
corrente di cortocircuito Isc = IL , che deve essere la pi alta possibile:
aumenta se si riduce la ricombinazione;
tensione di circuito aperto
 
KB T IL
Voc = log +1 (4.8)
q I0
che dipende dalla corrente di cortocircuito e dalla corrente di satura-
zione inversa (crescente al crescere delle ricombinazioni).
Il punto in cui si ha massima potenza dato da Vmp e Imp , dove dovrebbero
lavorare le celle. A un sole e a 25C, lefficienza di conversione data da:
Vmp Imp Vmp Imp
= = (4.9)
Pincidente irradianza superficie cella
con massimo teorico pari a 31% e reale 24%. Lultima relazione pu essere
espressa come:
Voc Isc
= FF (4.10)
Pincidente
dove stato introdotto il fill-factor F F definito da:
Vmp Imp
FF = . (4.11)
Voc Isc
Geometricamente il rapporto delle aree di due rettangoli, quello di massima
potenza e quello descritto Voc Isc , che dovrebbe essere idealmente 1. Il fill-
factor dipende dalla resistenza serie: un incremento della resistenza porta ad
una riduzione del F F .
Per un elevato rendimento occorrono:
Voc alta;
Io bassa, quindi un materiale poco difettoso;
Isc alta, allora bandgap basso, ma questo abbassa Voc per cui si deve
trovare il valore ottimo.
4.5. LIMITI TEORICI 67

4.5 Limiti teorici nella conversione fotovoltaica


Si elencano i meccanismi che limitano lefficienza di conversione:

non assorbimento dei fotoni a energia minore del bandgap;

termalizzazione dei fotoni ad alta energia;

perdite ottiche, come riflessione della superficie, perdita di area utile,


ecc..;

meccanismi non ideali di raccolta di carica per effetto della ricombina-


zione, associati a difetti del cristallo (bulk recombination) e ricombi-
nazione della superficie (surface recombination) a causa della grande
quantit di difetti nel bordo della cella. Questo meccanismo migliora-
bile se viene applicata unossidazione di bordo in grado di completare
i legami covalenti non completi.

Loperazione di ossidazione superficiale prende il nome di passivazione dei


difetti superficiali con ossido di silicio trasparente.

4.6 Performance
Prendendo le relazioni:

Isc = IL
 
LK T Isc
Voc = log +1
q I0
2 qDp n2i
 
qDn ni
I0 = A + = AJs
Ln NA Lp ND
| {z }
Js

dove necessario minimizzare I0 riducendo i difetti, quindi i tempo . Per il


calcolo del limite teorico considero solo la ricombinazione radiativa presen-
te anche nel cristallo ideale. Inoltre, si assume assenza di perdite ottiche.
Guardare fogli stampati.
68 CAPITOLO 4. CELLE FOTOVOLTAICHE
Capitolo 5
Produzione dei circuiti integrati

5.1 Preparazione wafer


5.1.1 Materiali
Il materiale con cui sono fatti i circuiti integrati il silicio. presente in
grandi quantit sotto forma di quarzo (o sabbia) in una forma combinata
con lossigeno. Il quarzo viene messo in una fornace con del carbonio alla
temperatura molto elevata di 1900 , ottenendo come prodotto il silicio me-
tallurgico con purezza del 98%. Il silicio metallurgico non sufficientemente
puro, per questo si converte in un gas usando degli acidi che viene mischia-
to ad altri gas per ottenere una purezza del 99.999% dopo essere diventato
silicio policristallino.

5.1.2 Creazione lingotto


A questo punto, si vuole creare un lingotto di silicio: sono possibili due
tecniche.

Tecnica Czochralski

Il polisilicio viene posto insieme a drogante in un crogiolo alla temperatura


di 1400 in unatmosfera inerte. Viene posto nel vertice di unasta un seme
di silicio monocristallino che viene immerso nel silicio policristallino. Lasta
viene lentamente fatta uscire (qualche centimetro lora) dalla miscela e la
velocit determina il diametro del wafer. Quando il lingotto completo,
viene accelerata lasta in modo che il prodotto si assottigli per essere staccato
per lavorazioni successive.
Questo processo permette di avere dei diametri molto grandi e di avere
dei costi contenuti. Per, ci sono delle impurit e c una bassa omogeneit.

69
70 CAPITOLO 5. PRODUZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI

Tecnica Float-Zone
Questa tecnica consiste nel mettere il seme di silicio monocristallino a con-
tatto con unestremit del lingotto in polisilicio. Un avvolgimento a radio-
frequenza viene fatta scorrere lungo il lingotto scaldandolo sul bordo: dopo
il raffreddamento, la parte interna silicio monocristallino e le impurit ven-
gono portate verso lesterno, dove possono essere facilmente eliminate. Il
processo pu essere ripetuto pi volte andando a ridurre sempre di pi le
impurit del cristallo.
Il vantaggio che le impurit sono veramente basse e che il cristallo
omogeneo, ma il costo elevato e il diametro limitato.

5.1.3 Grinding, slicing e lapping


Ottenuto il lingotto, si utilizza una levigatrice per mostrare lorientazione
del lingotto, altrimenti sarebbe un lingotto cilindrico e non sarebbe possibile
riconoscerne il verso.
Successivamente possibile tagliare il lingotto per creare dei dischi di
materiale chiamati wafer. Il taglio pu essere fatto in due modalit:
1. inside hole saw, si utilizza una sega circolare con un buco al centro
dove viene alloggiato il lingotto. Questo taglio permette di ottenere
buone superfici ma permette di tagliare un lingotto per volta;
2. wire saw, si utilizza una sega lineare che pu essere usata per tagliare
pi wafer contemporaneamente ma con risultati peggiori a livello di
superficie.
Una volta che si hanno i wafer, questi vengono levigati per eliminare le
disomogeneit causate dal taglio e per rendere dello spessore desiderato il
wafer. Per eliminare i difetti creati da lapping e slicing si tende a fare un
attacco con acido per rimuovere le impurit dalla superficie.
Il tentativo dei produttori quello di produrre dei wafer sempre pi
grandi, in modo da poter implementare pi dispositivi nello stesso slice.
Infatti, mettere pi dispositivi sul wafer aumenta la resa di produzione (die
yield) definita come:
Diesgood
YD = (5.1)
Diestotal
perch molto probabile che i dispositivi sui bordi siano difettosi, quindi se
si ha un grande diametro si avr maggior area interna.

5.2 Processi fondamentali


Ossidazione termica
un processo che porta alla creazione di ossido di silicio sul wafer. Lossido
utile per diversi motivi:
5.2. PROCESSI FONDAMENTALI 71

creare una barriera al drogante in fase di deposizione;

pu essere utilizzato come dielettrico;

utile per passivare e proteggere la superficie del silicio, andando a


creare dei legami covalenti e diminuire i difetti.
Lossido oltre a crescere sulla superficie (aumentandola), tende ad andare
anche sotto il livello iniziale di superficie: il substrato di silicio viene ridotto.
Prima di effettuare lossidazione si tende ad un processo chiamato RCA
Clean per rimuovere delle tracce di metalli, ioni e oli contaminanti. Ci sono
due tecniche possibili per la crescita dellossido:
1. wet growth: rapida, per spessori grandi/sottili, ma con una bassa con-
centrazione di ossido. Prende il nome wet perch nella fornace viene
messa dellacqua che contiene lossigeno necessario per ossidare;

2. dry growth: pi lenta, per strati sottili ma di grande qualit di ossido.


Lossigeno viene inserito in forma gassosa nella fornace.
In entrambi i casi, controllando temperatura e tempo, si possono predire
degli spessori abbastanza accurati.

5.2.1 Fotolitografia e Etching


Dopo il processo di ossidazione, il wafer completamente ricoperto di ossido
e questo evita che delle impurit (come il drogante) finisca sul substrato.
Per creare circuiti integrati necessario modificare il silicio con del drogante
selettivamente e per farlo necessario rimuovere localmente lossido. Per il
processo fotolitografico sono necessari:
luce ultravioletta;

un materiale chiamato photoresist che sia in grado di cambiare le


propriet chimiche in base alla illuminazione;

una maschera per scegliere quali zone attaccare;

un meccanismo per lallineamento della maschera;

un acido che riesca a rimuovere resist e ossido selezionato dalla ma-


schera.

Photoresist
Il photoresist un polimero organico che cambia la struttura quando esposto
alla luce ultravioletta. Viene applicato al centro del wafer, che viene messo
in rotazione in modo da distribuire uniformemente il resist grazie alla forza
centrifuga. Il PR possono essere di due tipi:
72 CAPITOLO 5. PRODUZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI

positivo, quando la luce che passa attraverso la maschera rende elimi-


nabile quella porzione (la maschera viene replicata);

negativo, quando la luce che passa attraverso la maschera "salva" la


zona (resta il negativo della maschera).

Una volta applicato il resist, creata la maschera e allineata al wafer, si pu


attivare il fascio di luce ultravioletta che rende pi acido il polimero ren-
dendolo facilmente eliminabile. Infatti, dopo che il wafer stato esposto, il
photoresist diventato pi acido nelle zone selezionate e pu essere rimosso
utilizzando materiale basico.

Etching

un processo che permette di rimuovere selettivamente materiale non voluto


dalla superficie del wafer. Anche per questo processo ci sono varie modalit:

1. wet etching, dove viene utilizzato un liquido che rimuove il materiale


dove il resist stato reso eliminabile; permette di rimuovere solo grandi
aree di materiale ed poco preciso (il liquido tende ad assumere il
massimo volume possibile quindi crea degli undercut), ma economico;

2. plasma etching, dove viene utilizzato un gas al plasma che colpisce il


materiale con molta precisione, ma molto costoso.

Il primo processo detto isotropico perch letching viene fatto con un liquido
che tende a creare delle pareti arrotondate, anche al di sotto della maschera.
Invece, il secondo processo viene detto anisotropico, perch riesce a creare
dei buchi con le pareti verticali.

Diffusione drogaggio

Una volta creata la zona in cui si vogliono cambiare le propriet del silicio,
possibile andare a drogare il materiale. La diffusione fatta a temperatura
elevate (1400 ) ed composta da due fasi:

predeposizione, dove viene introdotta una dose desiderata di atomi


droganti in forma gassosa e viene fatto depositare sul materiale;

drive-in, dove il drogante non viene pi inserito, ma vengono utilizza-


ti quelli depositati sul materiale che vengono spinti allinterno; viene
inserito allo stesso tempo un gaso contenente ossigeno per crescere
dellossido.
5.3. DEPOSIZIONE 73

Impiantazione ionica
Per inserire drogante viene utilizzato un macchinario in grado di sparare ioni
droganti ad alta velocit in modo che riescano ad arrivare alla profondit de-
siderata. Il processo molto preciso, ma la forza con cui gli ioni colpiscono il
silicio portano a delle rotture di legami che possono essere ristabiliti attraver-
so una procedura detta annealing. Questa fase, svolta ad alta temperatura,
tende a ristabilire i legami covalenti del silicio (che tende ad andare nella sua
forma pi stabile) e a mandare pi in profondit il drogante. Lannealing
fatto dopo ogni fase per cercare di limitare i danni introdotti nel cristallo.
Questa tecnica permette di creare strutture pi complesse e con quan-
titativo di drogante diverso rispetto alla diffusione, ma questultima ha il
vantaggio di essere poco costosa e di non creare delle rotture di legame.

5.3 Deposizione
una tecnica per far depositare del materiale sulla superficie del silicio senza
utilizzare maschere per coprire tutto il wafer. Essenzialmente vi sono due
tecniche: CVD e PVD.

Chemical-vapor deposition (CVD)


Le fasi del processo sono:

1. introduzione in forma gassosa dei reagenti;

2. reazione del substrato coi reagenti;

3. assorbimento fisico e chimico;

4. reazioni chimiche della superficie creano un film;

5. desorption dei prodotti volatili;

6. rimozione delle sostanze volatili residue.

Physical-vapor deposition (PVD)


Le fasi sono simili a quelle della CVD, ma il materiale introdotto inizial-
mente in forma solida o liquida. Ci sono varie possibilit:

1. evaporazione, la soluzione pi semplice per creare il film, facendo


evaporare il reagente che andr ad aderire sul materiale;

2. sputtering, viene utilizzato una tensione elevata tra la camera a vuoto


contente il materiale e il target per depositare il materiale;
74 CAPITOLO 5. PRODUZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI

Ha il vantaggio che il processo controllabile a bassa temperatura, ma la


camera a vuoto molto costosa. Questo il processo utilizzato per creare
le metalizzazioni in alluminio. Dopo la metallizzazione necessario creare il
patterning di interconnessione.