Semestre 2015-2

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y

DISPOSITIVOS DE ENTRADA - SALIDA

PREVIO 3

MEMORIAS DE LECTURA ESCRITURA SEMICONDUCTORAS, RAM`s

1- Explique cuantos tipos de memoria RAM existen y sus caractersticas principales, de un

ejemplo de cada tipo.
( 1 PUNTO )

2- Simule en forma digital (entradas-salidas) y presente en el laboratorio la forma de operar del

circuito de la figura 2, de la prctica que se realizar y describa los pasos a seguir para escribir y
leer los datos. Esta prctica se armara en el laboratorio.

( 3 PUNTOS )

3- Defina que es un circuito secuencial y dibuje el diagrama del modelo clsico de un circuito
secuencial.
(2 PUNTOS )

4- Que es un registro y cuantos tipos de registros existen ?. (1 PUNTO )

5- Simule en forma digital como se implementar un habilitador general CE (chip enable) de la

figura 2, para la prctica ser necesario su armado, as es que contemple comprar los componentes
necesarios para su implementacin y funcionamiento.
(2 PUNTOS )

6- Cul es la diferencia entre un Registro y un Latch ?

(1 PUNTO )
 LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y
DISPOSITIVOS DE ENTRADA SALIDA

PRCTICA 3

MEMORIAS DE LECTURA ESCRITURA SEMICONDUCTORAS, RAM`s

Objetivo de la prctica.

Comprender la estructura y el funcionamiento interno de las memorias de lectura escritura,

implementndose una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello principalmente circuitos de baja
y media escala de integracin.

Introduccin.

A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les conoce tambin como memorias
RAM (Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso para cualquier localidad es el
mismo o sea es una constante, no importando que localidad se quiera accesar. Cabe hacer la
aclaracin que las memorias ROMs son tambin memorias de acceso aleatorio.

Existen dos tipos de memorias de lectura - escritura semiconductoras, las RAM estticas y las
RAM dinmicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop,
el cual mantiene la informacin mientras este conectado a la fuente de alimentacin, mientras que
en las celdas de la memoria RAM dinmicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia
parsita que existe entre el gate y el source de los transistores mosfet, por lo cual la informacin se
mantendr por algunos milisegundos sin degradacin notable, tenindose que efectuar a
continuacin el proceso de refresco, el cual consiste en recargar aquellas capacitancias que
presenten un voltaje alto.Un ejemplo de una celda RAM esttica a nivel transistor es la siguiente:

VDD

Columna Columna

dato dato
T1 T2

T3 T4
A B

T5 T6

al amplificador lnea de seleccin X al amplificador

sensor sensor
Figura RAM.1. Celda RAM a nivel transistor.
La celda estar integrada por los transistores T1, T2, T5 y T6, los cuales forman un flip flop, el cual
mantendr la informacin mientras la celda no este siendo seleccionada (es decir la lnea de
seleccin X est a un voltaje bajo), por lo que los transistores T3 y T4 estarn apagados y aislan a
la celda, por otro lado los transistores T1 y T2 actan como resistencias de carga de T5 y T6
respectivamente, adems entre los transistores T5 y T6, uno estar apagado y el otro
encendido, de esta forma se mantiene la informacin y se determina el dato almacenado en
la celda, por convencin nuestra, si queremos tener un uno almacenado el transistor T6 estar
encendido y viceversa si queremos tener un cero almacenado (T5 encendido y T6 apagado,
por lo tanto en el nodo B habr un voltaje alto y en el nodo A habr un voltaje bajo,
mantenindose de esta manera la informacin que tiene guardada la celda).

Ahora bien para una operacin de lectura o de escritura la lnea de seleccin X de la celda deber
estar a un voltaje alto, con lo cual se logra tener una conexin con los dispositivos de entrada y
sensores de salida.

Para una lectura, la lnea de seleccin debe estar a un voltaje alto, los transistores T3 y T4 estarn
encendidos, por lo tanto el voltaje entre el drenaje y la fuente de estos transistores es
conocido (Vds=0.2V), por consiguiente el amplificador sensor detectar el valor del dato
almacenado. Por ejemplo, suponga que se tiene almacenado un uno, en el nodo "A" habr un
voltaje alto. La suma de este voltaje ms el voltaje de encendido entre el drenaje y la fuente del
transistor ser el detectado por el amplificador sensor, el cual detectara un uno almacenado.
Cuando se tuviera un cero almacenado, el sensor detectara el voltaje Vds de encendido del
transistor ms el voltaje en el nodo "A" que en este caso sera bajo, detectndose un cero
almacenado.

Para una escritura, suponiendo que se tena un cero almacenado (en el punto A habr un voltaje
bajo, mientras en el punto B habr un voltaje alto, por lo tanto el transistor T5 estar encendido y
el transistor T6 estar apagado, manteniendo el dato guardado) y se quiere almacenar un uno, por
lo cual se debe poner la informacin en la lnea de entrada de dato (voltaje alto) y en la lnea de
entrada dato negado (voltaje bajo), al aplicarse un voltaje alto en la lnea de seleccin de la
celda, los transistores T3 y T4 encienden dejando pasar al nodo "A" el voltaje respectivo de la
lnea de entrada de dato y al nodo "B" el voltaje respectivo de la lnea de entrada de dato negado,
con lo cual se hace la transicin respectiva y se almacena la informacin dentro de la celda.
Cuando se deshabilita la lnea de seleccin a un voltaje bajo, la informacin almacenada se
mantiene constante gracias al flip flop formado por los transistores T1, T2, T5 y T6.
Desarrollo

1) Con el tipo de Flip-Flop que seleccion para alambrar el inciso (2), armar y probar la tabla
de operacin de su flip-flop. (mostrar la tabla de verdad)

2) Armar la memoria RAM esttica con una organizacin de 2 x 2 que se presenta en la

figura 2.

- Identifique y explique los principales bloques de la memoria RAM. ( Direccionamiento, Bus de

entrada, bus de salida, bloque de almacenamiento y bloque de control )

Figura 2. RAM esttica de 2 x 2

- Realice varias lecturas y escrituras sobre la memoria, y compruebe el buen funcionamiento

mediante la tabla 1.

Ao S2 S1
0 1 0
1 0 1
0 1 1
1 1 0

Tabla 1.
 - Llame al profesor para su verificacin.

a) Mencione los pasos que se deben seguir para una lectura.

b) Cul es el tiempo de acceso para la operacin de lectura ?.

c) Mencione los pasos que se deben seguir para una escritura.

d) Cul es el tiempo de acceso para una escritura? y diga cul es la frecuencia mxima de
operacin?

e) Cmo se introducira un habilitador general de la memoria de la figura 2, arme y demuestre

experimentalmente y explique a detalle su funcionamiento.

f) Compruebe que la memoria RAM alambrada pertenece al tipo de memoria voltil y de lectura
no destructiva.

Material.
1 C.I. 7401

1 C.I. 7404

(2 C.I. 7473 7476 y 3 C.I. 7411) , seleccione el flip-flop que ud prefiera.

8 leds

NOTA: Presentar hojas de especificaciones de los circuitos que se utilizarn.