UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. FACULTAD DE INGENIERIA.

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA

Y ELECTRONICA 1

Practica 8. El Transistor MOSFET: Amplificadores

y fuentes de corrientes
Andres Felipe Cometa Torres, Ingeniera Electrica, afcometat@unal.edu.co;
Paula Andrea Mozuca Tamayo, Ingeniera Mecatronica, pamozucat@unal.edu.co; Camilo Alberto Pinzon
Quintero, Ingeniera Mecatronica, capinzonq@unal.edu.co

ResumenThis report presents the results obtained from

analysis and implementation of two of the most important
MOSFETs applications: the mirror current source, and the
different kinds of voltage amplifiers. Also, during the report is
showed the design and simulation of the circuits, and then the
results obtained in the laboratory. Is important to mention the
main differences between the various configurations of amplifiers,
depending the polarization and the use that is given to each one
in a cascade configuration.
Index TermsTransistor, MOSFET, amplifier, current source,
threshold voltage, transconductance.

I.
I NTRODUCCI ON

L Os transistores MOSFET tienen una gran variedad de

aplicaciones, como lo son la fuente de corriente espejo
y los diferentes tipos de amplificadores que se pueden imple-
mentar. A continuacion se presentaran e stas dos importantes
aplicaciones del MOSFET. Principalmente, se mostraran las
diferentes configuraciones y usos que se le pueden dar a los
principales tipos de amplificadores.
II.
M ARCO T E ORICO
El Transistor de Efecto de Campo de Semiconductor de
o xido (MOSFET) al trabajar en la region de saturacion se
comporta como una fuente de corriente controlada por el
voltaje VGS , al trabajar en esta region se pueden realizar
distintos circuitos como amplificadores de voltaje, seguidores,
acopladores de impedancias, fuentes de corriente, entre otros.
A continuacion se describira brevemente el funcionamiento de
los circuitos realizados en la practica.
II-A. Fuente espejo de corriente.
Este circuito se muestra en la Figura 1, se observa que
el drenaje del transistor Q1 esta en corto circuito con la
compuerta lo cual permite que opere en la region de saturacion
y como las corrientes de compuerta son cero se tiene que la
corriente que circula del drenaje a la fuente del transistor Q1
es:
VDD VGS
IDS1 =
Rref
Con la anterior ecuacion y teniendo en cuenta que la
corriente IDS1 se puede hallar a partir de la Ecuacion 1XXX
mostrada en la seccion de calculos necesarios para la practica,
al realizar la igualdad y conociendo el valor de los parametros
Figura 1. Fuente espejo de corriente.
del transistor se puede conocer el valor de Rref . Ya que
el transistor Q2 posee el mismo VGS que Q1 y suponiendo
que trabaja en la region de saturacion se tendra la siguiente
relacion:
IDS2 (W/L)2
=
IDS1 (W/L)1
De modo que la relacion de las corrientes del drenaje a la
fuente solo depende de la geometra de los transistores y si
los transistores Q2 y Q1 son iguales entonces IDS2 = IDS1 .
De esta relacion parte el nombre de espejo de corriente. [1]
II-B. Amplificador fuente comun.
El circuito se puede observar en la Figura 2, es una de
las tres polarizaciones basicas del MOSFET en la region de
saturacion y su nombre se debe a que la fuente esta conectada
a tierra. Este tipo de configuracion genera ganancias superiores
a uno y la senal de salida esta desfasada 180 con respecto
a la senal de entrada. Para el diseno se tiene que, para
calcular el punto de polarizacion, los condensadores actuan
como circuitos abiertos de modo que tanto la senal de entrada
como de salida no interfieren en este analisis DC ya que estan
acopladas al circuito por medio de capacitores. El divisor de
tension formado por R1 y R2 establece un voltaje fijo en la
compuerta. Para el analisis AC los condensadores actuan como
cortocircuito de modo que RS queda en cortocircuito y se tiene
que la impedancia de entrada para este circuito es el paralelo
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Y ELECTRONICA 2

Figura 2. Amplificador de fuente comun. Figura 4. Amplificador de drenaje comun.

II-D. Amplificador drenaje comun.

El circuito se puede observar en la Figura 4, al igual que el
amplificador de fuente comun es una de las tres polarizaciones
basicas del MOSFET en la region de saturacion y su nombre
se debe a que el drenaje esta conectado a tierra. Este tipo de
configuracion genera una ganancia de aproximadamente 1 y la
senal de salida esta en fase con respecto a la senal de entrada,
por lo cual se conoce como seguidor y su fin generalmente
es servir de acoplador de impedancias, es decir, recibe una
senal de entrada con una impedancia alta y genera una senal
con una amplitud casi igual pero con una impedancia baja [2].
Se tiene que la impedancia de entrada para este circuito es el
paralelo entre R1 y R2 , la impedancia de salida es el paralelo
entre 1/gm y RS . Su ganancia sera
Figura 3. Amplificador de fuente comun degenerado. RS k RL
AV = 1 (3)
gm + RS

R1 k R2 , la impedancia de salida es RD y que su ganancia CTICA

III. C ALCULOS NECESARIOS DURANTE LA PR A
sera Ley de Ohm:
V =I R (4)
AV = gm (RD k RL ) (1)
Ley de corriente de Kirchhoff (LCK)
N
X
II-C. Amplificador fuente comun degenerado. in = 0 (5)
El circuito se puede observar en la Figura 3, al igual que n=1

el amplificador de fuente comun genera ganancias superiores Ley de tension de Kirchhoff (LVK)
a uno y la senal de salida esta desfasada 180 con respecto a M
X
la senal de entrada, se tiene que la impedancia de entrada y vm = 0 (6)
de salida son las mismas que las de un amplificador de fuente m=1
comun y que su ganancia sera Ecuacion de IDS para la Region saturacion
(RD k RL ) 1 2
AV = (2) IDS = Kn VOV (7)
1 2
gm + RS
Valido para 0 < VDS < VOV y VGS > Vt .
Por lo cual se observa que la ganancia es menor que
en el amplificador de fuente comun lo cual se debe a que Ganancia de corriente o razon de transferencia de corriente
RS en este caso no queda en cortocircuito y proporciona del espejo de corriente
retroalimentacion negativa lo cual ayuda a estabilizar el valor IDS2 (W/L)2
de ID . = (8)
IDS1 (W/L)1
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Y ELECTRONICA 3

Transconductancia MOSFET Cuadro I

Y RESULTADOS DE FUENTE ESPEJO DE CORRIENTE .
S IMULACI ON
ID p 2ID
gm = = 2ID Kn = (9) Simulacion Practica
VGS VOV RL IDQ2 RL IDQ2
0 3.97 4.8 3.94
Ganancia de voltaje 220 3.95 557 3.93
440 3.94 831 3.92
vo
AV = (10) 660 3.93 1237 3.91
vi 880 3.91
1100 3.90
Voltajes asumidos para diseno de amplificadores 1320 3.89
1540 3.88
2 1 1760 3.86
VD = VDD ; VS = VDD (11) 1980 3.85
3 3 2200 3.84

Calculo de valor mnimo de condensadores

1
C= (12)
2Rf

IV.
R ESULTADOS DE LA PR ACTICA

Para todos los circuitos empleados durante la practica se

utilizo el transistor MOSFET CD4007C. Adicionalmente, se
utilizaron los datos obtenidos en la Practica 7 para tener
las constantes fsicas y de operacion del transistor utilizado.
Especficamente, se tomaron los siguientes datos: Vt = 1,8 V ,
Kn = 0,33 mA/V 2 .

IV-A. Fuente espejo de corriente Figura 5. Graficas de IDQ2 vs. RL del espejo de corriente.

IV-A1. Previo al da de la practica: En primer lugar se

analiza el circuito de la Figura 1 Utilizando la ecuacion 7,
IV-B. Amplicador Fuente Comun
partiendo de una corriente requerida de 4 mA se tiene que en
Q2 IV-B1. Previo al da de la practica: Para el circuito de
la Figura 2, se requera el diseno para un amplificador de
1 ganancia AV = 7 V /V , para una senal de entrada vi de
4 mA = (0,33 mA/V 2 )VOV
2
200 mV de amplitud, y con un RL = 10 k.
2
Utilizando un VDD = 10 V , se toma del Datasheet del
VOV = 0,107 V dispositivo [4] una corriente estandar de 1 mA entre el Drain
y el Source, una corriente de 10 A por las resistencias R1 y
Como la terminal Gate de ambos transistores esta conectada, R2 (ya que la corriente que ingresa al MOSFET por el Gate es
tienen el mismo voltaje VGS = 0,107 + 1,8 = 1,907 V . Como practicamente cero). Con la Ecuacion 7, y teniendo en cuenta
en Q1 se tiene que VGS = VD , mediante la Ecuacion 4 se los tips de diseno de la Ecuaciones 11, se tiene
llega a un valor de Rref = 2226,726 (teniendo en cuenta
1
que se da un VDD = 10 V ). El valor normalizado de Rref es 1 mA = (0,33 mA/V 2 )VOV
2
2
de 2,2 k. As mismo, se determinan los valores lmites de
RL de entre 0 y 2473,25 (tomando como valor maximo VOV = 2,464 V
cuando VD = VOV ). Este valor se normaliza a 2,2 k. VGS = 4,264 V
Se realizan simulaciones respectivas del circuito para pre- 10
decir el comportamiento de la corriente IDQ2 a medida que VG = 3,4,264 V + V = 7,597 V
3
cambia el valor de RL . Los datos y la grafica encontrada se
pueden ver en el Cuadro I y la Figura 5 respectivamente. Con estos valores, y las corrientes descritas previamente, se
encuentran los valores de las resistencias del circuito, junto
IV-A2. El da de la practica: Se implemento el circuito
con su valor normalizado.
en el laboratorio, y se utilizo una Rref con un valor medido
de 2804 . Se realizaron las mediciones de los datos, y los
resultados tambien se ven en el Cuadro I y en la Figura (10 20/3) V
RD = = 3333,3 3,3 k 5 %
5. Cabe senalar que en ese momento solo se dispona de 1 mA
un potenciometro cuyo valor nominal era de 1 k, y cuya (10/3) V
resistencia maxima alcanzada fue de 1237 . RS = = 3333,3 3,3 k 5 %
1 mA
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(10 7,597) V
R1 = = 240305 220 k 5 %
10 A

(7,597) V
R2 = = 759694,6 820 k 5 %
10 A
Para saber que condensadores utilizar en el cirucito, se tiene
en cuenta el umbral de 3 dB a partir del cual los condensadores
funcionan como corto circuito en pequena senal, y como
circuito abierto en senal intensa. El valor equivalente es de
0,708 Hz. Utilizando la Ecuacion 12 y teniendo en cuenta las Figura 6. Simulacion senal de salida del amplificador fuente comun.
resistencias equivalentes para cada condensador (RG1 k RG2
para C1 , RL para C2 , y RS para CS ), se llega a los valores
mnimos de los condensadores requeridos.

1
C1min = = 1,29 F
2(173,46 k)(0,708 Hz)

1
C2min = = 22,48 F
2(10 k)(0,708 Hz)

1
C2min = = 68,12 F
2(3,3 k)(0,708 Hz)
Nuevamente se utiliza la ecuacion 7 para encontrar la
corriente que pasa por el transistor, con base en los valores
de resistencia normalizados. Se encuentra ID = 1,072 mA, un
VGS = 4,347 V y VOV = 2,547 V .
Posteriormente se utiliza la Ecuacion 9 para encontrar el
parametro gm necesario para el analisis AC.
gm = (0,33 mA/V 2 )(2,547 V ) = 0,841 mA/V
Utilizando la Ecuacion 1, se encuentra la ganancia de voltaje
del circuito
3,3 10
AV = (0,841 mA/V )( k) = 2,085
3,3 + 10
Por lo tanto, siguiendo la Ecuacion 10, el voltaje de salida
sera vo = 0,417 V aproximadamente. Las resistencias de
entrada y de salida del amplificador seran
Ri = RG1 k RG2 = 173,46 k
Ro = RD = 3,3 k
Se realizaron las simulaciones respectivas del circuito, para
verificar su comportamiento. Los resultados se pueden ver en
el Cuadro II, y la senal de salida se aprecia en la Figura 6.
Figura 7. Senal de salida del amplificador fuente comun.
IV-B2. El da de la practica: Se implemento el circuito en
el laboratorio, y se realizaron mediciones de los voltajes de
entrada y de salida respectivamente. Los resultados tambien
se pueden apreciar en el Cuadro II y la senal obtenida se
aprecia en la Figura 7. Ademas, se realizo la medicion de
las impedancias de entrada y de salida del amplificador, y se
obtuvieron 210 k y 0,9 M respectivamente.
Adicionalmente en este circuito se comprobo que a una
frecuencia de 1 M Hz la amplitud de la senal de salida era
de 50 mVpp aproximadamente, mientras que a una frecuencia
de 100 Hz se encontro una salida aproximada de 100 mVpp .
IV-C. Amplicador Fuente Comun Degenerado
IV-C1. Previo al da de la practica: La polarizacion
encontrada para e ste circuito fue la misma que en el caso
del Amplificador Fuente Comun. Utilizando la Ecuacion 2 se
calcula la ganancia del circuito
(3,3 k 10) k
AV = 1 = 0,5527
0,841 mA/v 2 + 3,3 k

Segun lo anterior, la salida es de aproximadamente vo =

Cuadro II
Y RESULTADOS AMPLIFICADOR FUENTE COM UN
S IMULACI ON . L OS 0,11 V . Posteriormente, se determinan las resistencias de en-
VOLTAJES SE ENCUENTRAN EN mVRM S trada y salida del amplificador
Simulacion Practica
Vi Vo AV Vi Vo AV Ri = RG1 k RG2 = 173,46 k
141.376 272.401 1.926 117.2 55.4 0.472
Ro = RD = 3,3 k
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Y ELECTRONICA 5

Figura 8. Simulacion senal de salida del amplificador fuente comun degene- Figura 10. Simulacion senal de salida del amplificador drenado comun.
rado.

Figura 11. Senal de salida del amplificador drenado comun.

Figura 9. Senal de salida del amplificador fuente comun degenerado.

Se realizaron las respectivas simulaciones del circuito. Los Ri = RG1 k RG2 = 173,46 k
resultados se ven en el Cuadro III, y la senal de salida se ve
en la Figura 8. Ro = RS k 1/gm = 874
Se realizaron las respectivas simulaciones del circuito. Los
Cuadro III
Y RESULTADOS AMPLIFICADOR FUENTE COM UN
S IMULACI ON resultados se ven en el Cuadro IV, y la senal de salida se ve
DEGENERADO . L OS VOLTAJES SE ENCUENTRAN EN mVRM S en la Figura 10.
Simulacion Practica
Vi Vo AV Vi Vo AV Cuadro IV
Y RESULTADOS AMPLIFICADOR DRENAJE COM UN
S IMULACI ON . L OS
141.376 72.939 0.515 117.2 33.4 0.2849
VOLTAJES SE ENCUENTRAN EN mVRM S

IV-C2. El da de la practica: Al implementar el circuito Simulacion Practica

disenado, se obtuvo la senal que se aprecia en la Figura Vi Vo AV Vi Vo AV
141.376 86.122 0.609 117.2 36.7 0.313
9. Al realizar la medicion de las impedancias de entrada y
de salida, se obtuvieron unos valores de 1,5 M y 3 M
IV-D2. EL da de la practica: Se implemento el circuito
respectivamente.
disenado, y se obtuvo la senal de la Figura 11 Al realizar la
medicion de las impedancias de entrada y de salida, se obtu-
IV-D. Amplicador Drenaje Comun vieron unos valores de 8,48 M y 2,8 k respectivamente.
IV-D1. Previo al da de la practica: La polarizacion Finalmente, en este circuito fue aplicada una senal con un
encontrada para e ste circuito fue la misma que en el caso voltaje pico de 5 V . El resultado fue que la senal se recorto,
del Amplificador Fuente Comun. Utilizando la Ecuacion 3 se debido a que se sala de la zona de saturacion del MOSFET.
calcula la ganancia del circuito
IV-E. Amplicador en Configuracion cascada
3,3 k k 100
AV = 1 = 1,085 IV-E1. Previo al da de la practica: Finalmente se imple-
0,841 mA/V + 3,3 k
mento el circuito de configuracion en cascada, utilizando los
Segun lo anterior, la salida es de aproximadamente vo = valores nominales encontrados en los amplificadores de Fuente
0,217 V . Posteriormente, se determinan las resistencias de Comun y de Drenaje Comun. Mediante analisis de circuitos
entrada y salida del amplificador en los dos amplificadores en cascada, se llego a tener que la
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Figura 12. Senal de salida configuracion en cascada.
ganancia total de esta configuracion es AV = 2,046. Segun
lo anterior, la salida es de aproximadamente vo = 0,409 V .
Posteriormente, se determinan las resistencias de entrada y
salida del amplificador
Ri = RG1 k RG2 = 173,46 k
Ro = RS k 1/gm = 874
IV-E2. EL da de la practica: Se implemento el circuito
disenado, y se obtuvo la senal de la Figura 12. Los resultaods
se aprecian en el Cuadro V. Al realizar la medicion de las
impedancias de entrada y de salida, se obtuvieron unos valores
de 207 k y 0,8 k respectivamente.
Cuadro V
. L OS VOLTAJES SE
R ESULTADOS AMPLIFICADOR DRENAJE COM UN
ENCUENTRAN EN mVRM S
Practica
Vi Vo Av
117.2 62.2 0.53
V.
A N ALISIS DE R ESULTADOS
Para el caso del espejo de corriente, se destaca el hecho
de que el comportamiento de la curva IDQ2 vs. RL concuerda
con lo esperado. Aunque la pendiente de la recta obtenida no
es la misma que en el caso de la simulacion, e sta es acertada y
concuerda a valores muy cercanos a los 4 mA descritos en el
diseno de la fuente de corriente. Aunque solo se dispona en
el momento de un potenciometro de 1 k, se pudo observar
perfectamente el comportamiento de la fuente, y comprobar
que existen cambios mnimos en la corriente de la fuente a
medida que cambiamos la carga del circuito.
En el caso de los amplificadores, no se obtuvo la ganancia
esperada previamente. A pesar de esto, si se pudueron observar
algunos fenomenos destacables en el funcionamiento de los
mismos. En primer lugar, se observo que la senal de salida
del Amplificador de fuente comun degenerado fue menor
que el de fuente comun. Este comportamiento se predjo en
las simulaciones, ya que el hecho de que la resistencia RS
no estuviera desacoplada en el analisis AC afecta en una
manera notable la ganancia de voltaje del circuito. En segundo
lugar, se pudo observar que en el caso de los dos circuitos
Y ELECTRONICA 6
mencionados anteriormente, la senal esta desfasada 180 ,
debido a que la ganancia de voltaje de ambas configuraciones
es negativa.
En el caso del amplificador de drenado comun, se pudo
observar que la senal no esta desfasada, y que se asemeja
bastante a la senal de entrada. A su vez se pudo comprobar
el hecho de que esta configuracion tiene una impedancia de
salida muy baja, por lo que se utiliza como un acoplador de
impedancias.
Finalmente, en la configuracion en cascada se puede apre-
ciar como es el comportamiento de varias etapas de ampli-
ficadores acopladas. Se observa que la ganancia de voltaje
es muy similar a la del amplificador de fuente comun, como
era de esperarse, y que a su vez la impedancia de salida es
relativamente baja. Por lo tanto, se comprueba que el ampli-
ficador de drenaje comun se comporta como un acoplador de
impedancias, con baja ganancia de voltaje pero con una buena
impedancia de salida.
VI. R ESPUESTA A LAS PREGUNTAS SUGERIDAS
A que se debe el hecho de que la resistencia de
carga de las fuentes de corriente deba estar en un rango
determinado de valores, o de lo contrario no se garantizara
el funcionamiento como espejo de corriente?
La resistencia de carga debe estar en un rango determinado
de valores ya que el voltaje en el drenaje vara en funcion
de esta, por lo cual para valores muy bajos se mantendra
la condicion de que VDS VOV . Sin embargo el valor
maximo que puede tomar la resistencia de carga depende de
esta condicion, esto asumiendo que el voltaje de alimentacion
es el mismo tanto para la resistencia de carga como para la
de referencia.
Describa la transicion del transistor Q2 (fuentes de
corriente en espejo) a traves de las regiones de operacion
del MOSFET, conforme la resistencia RL aumenta desde
RL = 0 hasta RL .
Mientras RL se mantenga en un valor de cero hasta la RL
maxima que mantenga la condicion VDS VOV , el transistor
se mantendra en la region de saturacion, luego de que RL
supere este valor el transistor entrara en la region de trodo
actuando como una resistencia variable en aumento la cual
hara que la corriente disminuya hasta que esta sea cero.
Describa el comportamiento real de los circuitos am-
plificadores en funcion de la frecuencia de trabajo y
explique en sus propias palabras a que se puede deber
este fenomeno.
Los circuitos amplificadores disenados en esta practica
tienen un in intervalo de trabajo en frecuencia de 1 Hz a
100 kHz como se haba mencionado en clase y al verificar
en el laboratorio se comprueba que para frecuencias en este
intervalo la ganancia de estos amplificadores no vara, sin em-
bargo al ir aumentando la frecuencia despues de los 100 kHz
se observa una disminucion significativa de la ganancia, por lo
cual se concluye que a frecuencias superiores a los 100 kHz
los circuitos amplificadores disenados en esta practica tienen
una relacion inversa entre la frecuencia y la ganancia, esto se
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Y ELECTRONICA 7

debe a que para el diseno de estos no se tuvo en cuenta las im-

pedancias generadas por el MOSFET y los condensadores las
cuales comienzan a ser significativas despues de los 100 kHz.
Basado en la teora y en los resultados experimentales,
realice una breve descripcion de las ventajas, desventajas
y posibles escenarios de aplicacion, para cada una de
las cuatro configuraciones de amplificadores trabajadas.
Tenga en cuenta aspectos como ganancia, frecuencia de
trabajo y limitaciones de pequena senal,
impedancias de
entrada y salida, entre otros.
Con respecto a la frecuencia de trabajo todas las cuatro
configuraciones tienen un rango de operacion entre 1 Hz y
100 kHz, por las razones mencionadas anteriormente.
Las configuraciones de fuente comun y fuente comun de-
generado son o ptimas para aplicaciones en las que se necesite
una ganancia superior a uno y una resistencia de entrada y de
salida altas.
La configuracion de drenaje comun es usada como acopla-
dor de impedancias ya que posee una resistencia de entrada al-
ta y una resistencia de salida baja, ademas de que su proposito
no es el de amplificar ya que su ganancia es aproximadamente
uno.
Para la configuracion en cascada se tiene una fuente comun
a la entrada y a la salida un drenaje comun con lo cual se
puede usar en aplicaciones en las que se necesite obtener una
salida amplificada y con impedancia baja a partir de una senal
de entrada pequena y con una alta impedancia.
VII. C ONCLUSIONES
La configuracion de fuente de corriente permite tener
una pequena variacion de corriente a medida que vara
ampliamente la resistencia de carga a la que es aplicada,
por lo que e ste circuito es una buena opcion para su-
plir corriente constante a un cirucito, por ejemplo para
polarizar un MOSFET.
El amplificador de fuente comun es un modelo ideal para
amplificar una senal de voltaje pequena, y es mucho mas
provechoso que el amplificador de fuente comun dege-
nerado, ya que e ste u ltimo no desacopla la resistencia
conectada al Source, lo que termina disminuyendo la
ganancia de voltaje del amplificador.
Para una configuracion en cascada, es importante finali-
zar con una etapa de amplificador de drain comun, ya que
e sta aunque presenta una ganancia menor o igual que 1,
tiene una impedancia de salida baja, que permite conectar
la salida del amplificador a casi cualquier elemento al que
se requiera.
R EFERENCIAS
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