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  • Transistores Bipolares 1

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    Transistores bipolares

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    TRANSISTORES BIPOLARES Antes de 1980 *hao equipo elesiréuico ullzaba ySlvulas al vacio, que zon ‘pulbos con un brio enue, que predominaban en la industria, El ¢alefactor Gena valvala al vacio normal sonsumin mm par de wats, por lo qu el ea po requeria una fuente de alimentacion volumunosa que genera ui ca {ar considerable de calor lo cual preocupaba sooremaners a los disenadores. ‘En 1951 Shockley invent® el primer transistor de uni6n. ce fue rod un ncontaeimiente norawe signifi un eran cambio. ‘impacto del transistor en la electruiva a sido enorme, pues ademiés de Inne Ivins miimilomaria de Tos semicon Jucioes, ha ido el peegursor {Gz otrosinventos eomo son Ios ereuitosinegradar, los dspesitivos oproeecr’- nics y le microproeesadors. Actualmente, cas rod equipn electrGuivy ula Aispostivgesamsconductore. os exmbios han cido mae notables en a industria de ix computadoras. El transistor no og hizo pasa mejorar eta industri, el Ia coed ALGUNAS IDEAS BASICAS [La figu S-ta muestra un cvistal tipo npn. El amisor est altamente impurif ‘eado'y mu funcion coneite en emifira myectar alectrones eu la base. La base fst ligeramenteipuriticada y es muy delenda; por ella pas bay vaste Ade los eectrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia ef Elnivel de impurificacion de ésto es intermedioy e le da ese nombr recibe o capt los electzonee provenientes de la base; el colestor es la mayor 4 las tres regiones y disipa mis calor que el emisor o la base. Diodos de emisor y colector _E transistor de la figura S-latene dos uniones, una ene el emlsory a base Y ota entre la base el coletor. Por esto, un transistor es similar a dos dio- ‘oe, Llamaremes al dodo de inquierda diodo emisor-base, 0 simplemente diodo-emisor. El diodo dela derecha cs el diodo colector base, 0 diodo co lector. ‘Transistor no polarizado La difusiom de elecrones libres través de la uniém produce dos capas de gotamiento (vease Fig. 5-20). Para cada una de estas capas de agotamlento, cl potencial de barrera es aproximadamente igual aU.) V @25°C, para un {ransstor de sito (0.3 V para wn transistor de germanio). Polarizacién del transistor Ena tighra 3, la baterie de In iquierda proporclona polarizaciém dzeetx alods soletor. ‘La Figura $ 3b mucsra otra forma oe novarneo TARSKOr: ANU AOS «stn polarizados inversamente POLARIZACION DIRECTA EINVERSA, Alvolatica dtectameate al divdo euisor y ax fori invers al dio voles- tor, se obtiene un resultado inesperado. Fn la figura S-ta se espera Nina oO ‘Hise grande de emir, porque el diodo emior ets polarizad directement, ero no se espera tna cotriente grande del colecor porque el dodo colector sta polarizado inversamente. Sin embargo, ia corriente del colecior es tan sande como Ia corronte cel emiser Delo anterior s¢ pusde hacer el siguiente resumen: 1. La polarizacin directa ea el diodo emisor soatols el udimary de elestru- fs que se vevta ula Lan; cual may ese Fag, yer Ser a nh ‘mero de electrones inyertados La polaizacion inversa en el diod ealector rene minima influenci en mero de elec-ones qi gan al calecter Al gusneatar Vy se eleva la colina de energia ce calestor, pero esto no eambia sigmiiativatente «8, sero de eigctrona brs que lagan 2 Ia sapa de apotamieto del colector Alfa de ce Cuando se die que mas del 95% de Ios eleeizoues invecadosalcenza ol co- lector, ac esta ditendo que le gotceate del wolecor es asl nual ala dele ‘or. La alfa de ce del transistor indien qué tan remelantes son los valves de Ine dos corrientes; esto 3¢ define de Ta tiguiente forma: Je Pat eiemplo,sise mide na /pde69mA | 49m yuna de ina eons

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