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Teste/anlise de alto-falante
Anlise do TRIAC
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pgs.
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Para a comprovao de um tiristor ( repare nas figuras 3 e 4), pode-se utilizar a funo de
anlise de junes PN (figura 0) de um multmetro. Com as pontas de prova ligadas em
qualquer sentido, o componente no deve conduzir entre os seus terminais de nodo e ctodo,
indicando um valor de resistncia infinita.
Se medirmos a resistncia entre o nodo e a gate, com as pontas de prova ligadas em qualquer
sentido, a resistncia medida deve tambm ser infinita.
Podemos fazer uma comprovao aproximada da gate, aplicando um teste idntico aos
terminais de gate e ctodo. Se aplicarmos uma polarizao direta (gate positiva e ctodo
negativo), a resistncia indicada pelo multmetro deve ser baixa. Se pelo contrrio polarizarmos
inversamente (gate negativa e ctodo positivo), a resistncia indicada pelo multmetro deve ser
alta.
Pode-se realizar um teste melhor, com o multmetro na funo de anlise de junes PN (figura
0), seguindo o processo descrito na figura 5. Primeiramente, ligar a ponta de prova positiva ao
nodo e a negativa ao ctodo. Colocar em curto-circuito por breves instantes o terminal de gate
com o nodo: dever obter-se uma leitura bastante baixa.
F5. Anlise de um Tiristor com o multmetro.
Ao deixar este curto-circuito, dever todavia obter-se uma leitura bastante baixa, uma vez que o
tiristor entrou em conduo, e a corrente dever ser suficiente para proporcionar a manuteno
deste estado (a corrente poder ser insuficiente para produzir o efeito de manuteno) .
Se uma das pontas de prova se desligar e voltar novamente a ligar, o tiristor dever bloquear
(no conduz), obtendo-se novamente uma leitura de elevada resistncia.
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Este teste no 100% confivel. s vezes a bobina do alto-falante est boa, mas ele est com
outro tipo de defeito como, por exemplo, o cone rasgado, o entreferro da bobina mvel sujo, etc.
Evitar tocar com as mos nos terminais dos FET j que todos eles, mas especialmente os de
tecnologia MOS, so sensveis a cargas eltricas estticas que podem danificar
permanentemente a sua estrutura interna.
Colocar a ponta de prova positiva (vermelha) na gate (G) e a ponta de prova negativa
(preta) na fonte (S), o que ir induzir a criao do canal N entre o dreno e a fonte;
Agora, seja qual for a polaridade aplicada pelas pontas de prova aos terminais de dreno
e de fonte, verificamos que passou a haver conduo entre eles e uma certa resistncia
que depende da dopagem do material semicondutor que forma o canal.
F10. Smbolo do MOSFET com diodo de proteo.
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Se medirmos a resistncia entre o terminal MT1 e a gate (G), com as pontas de prova ligadas em
qualquer sentido, a resistncia medida dever indicar um valor baixo (juno PN diretamente
polarizada). Repare na figura 12.
Observao: A corrente (IT) poder ser insuficiente para produzir o efeito de manuteno (IT
< IH).
Se a resistncia do capacitor sob teste der (infinito), o capacitor est em bom estado
(j que est sendo medida a resistncia do dieltrico).
F15. Anlise de um capacitor com um multmetro.
Ao ligar inicialmente o multmetro (como ohmmetro) muito provvel que se obtenha uma
leitura baixa (da resistncia) carga do capacitor corrente elevada, mas a resistncia
rapidamente subir at um nvel muito elevado (quando a tenso no capacitor = tenso na fonte
I = 0 logo R = ). O tempo que o capacitor demora em carregar-se por completo depende:
Se o capacitor tem:
C empregar uma escala de baixa resistncia, para que o tempo de carga seja pequeno.
Cuidados complementares
Para combater o problema das resistncias em paralelo deve-se desligar um dos terminais da
resistor a medir.
Como verificar com um multmetro se um JFET est em bom estado. Atente, agora, para a
ilustrao dada na figura 17. Vamos utilizar como exemplo o 2N3819, que um JFET canal N.
Colocar a ponta de prova positiva (vermelha) na gate (G) e a ponta de prova negativa
(preta) no dreno (D) e na fonte (S). O multmetro deve indicar uma certa resistncia
(juno PN canal/gate diretamente polarizada); Figura 18.
Procedimentos
Identificao da base
Devemos encontrar um par de terminais em que, medindo a resistncia num e noutro sentido,
esta seja muito elevada. Estamos em presena do emissor e do coletor (entre C e E, diodos em
oposio R ). Por excluso de partes, o outro terminal a base;
Coloque a ponta de prova + ou no terminal da base e a outra ponta de prova num dos outros
terminais.
Entre o terminal de base e qualquer um dos outros terminais medimos a resistncia (no
transistor NPN - positivo na base, no PNP - negativo na base). A resistncia entre a base e o
coletor sensivelmente menor que a resistncia entre a base e o emissor.
Teste de fugas
* Matria originalmente publicada na revista Eletrnica Total; Ano:24 N 157; Mai / Jun
2013