Universidad Tecnolgica de Panam

Facultad de Ingeniera Elctrica

Ingeniera Elctrica y Electrnica
Circuitos Electrnicos II
Luzmila Lan

EXPERIMENTO 1
CARACTERSTICAS V-I DEL FET

Vielka Ibarra
4-770-2117
Vielka.ibarra@utp.ac.pa
Salvador Miranda
4-766-2223
Salvador.mirand@utp.ac.pa
Dennis Gndola
8-877-1006
Dennis.gondola@utp.ac.pa
Anibal Arjona
4-762-1092
Anibal.arjona@utp.ac.pa
Maribeth Bernal
9-742-1628
Maribeth.bernal@utp.ac.pa

Resumen.
Este laboratorio tiene como objetivo analizar las curvas caractersticas de un NMOS de
enriquecimiento
en el osciloscopio y por, su caracterstica de transferencia mediante la medicin, adems de determinar la
magnitud del voltaje de umbral, estimar el valor de Kn, magnitud de IDSS y Vp de un JFET canal N.
Es conveniente el uso de software especiales en el rea de electrnica para as comparar y comprobar
resultados obtenidos.

Descriptores.
Voltaje, corriente, osciloscopio, resistor, generador.
1. Introduccin.
Los transistores de efecto de campo o FET son particularmente interesantes en circuitos integrados y
pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo
metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de
entrada.
El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador, fuente y compuerta.
Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores
bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que
son dispositivos controlados por corriente.
Se definen tres regiones bsicas de operacin: corte, saturacin y triodo.

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2. Materiales y mtodo.
2.1 Equipo:

Osciloscopio de dos canales.

El osciloscopio es un instrumento que permite visualizar fenmenos transitorios as como formas de
ondas en circuitos elctricos y electrnicos. Por ejemplo en el caso de los televisores, las formas de las
ondas encontradas de los distintos puntos de los circuitos estn bien definidas, y mediante su anlisis
podemos diagnosticar con facilidad cules son los problemas del funcionamiento.

Generador de seales.
Un generador de seales, de funciones o de formas de onda es un dispositivo electrnico de laboratorio
que genera patrones de seales peridicas o no peridicas tanto analgicas como digitales. Se emplea
normalmente en el diseo, prueba y reparacin de dispositivos electrnicos.

Fuente de Voltaje DC.

En electrnica, una fuente de alimentacin es un dispositivo que convierte la corriente alterna, en una o
varias corrientes continuas, que alimentan los distintos circuitos del aparato electrnico al que se
conecta (ordenador, televisor, impresora, router, etc.).

Voltmetro digital y anlogo.

El voltmetro es un instrumento que se utiliza para medir la diferencia de potencial entre dos puntos de
un circuito elctrico. Las medidas pueden realizarse para corriente continua o alterna y en varios
mrgenes de medida cada una. Los hay analgicos y posteriormente se han introducido los digitales
cuya funcin es la misma (con alguna variante aadida).

2.2 Materiales de simulacin:

Resistores: 100, 1k, 100k
MOSFET canal N de enriquecimiento 2N7000
JFET canal N
Amp-Op uA741
Potencimetro 10k
2.3 Equipos de simulacin:
Voltmetro digital y anlogo, multisim
Osciloscopio, fuente DC, generador de seales
2.4 Procedimiento de simulacin:
Armando el circuito y colocando los valores predeterminados se busca probar ciertos objetivos trazados
3. Resultados y discusin
I.
Obtencin de los parmetros de funcionamiento de los transistores:
Para este laboratorio nuestro grupo trabajo con un MOSFET IRF840 con:
Vt (MAX) = 2V
Vt (MIN) = 4V
Adems, trabajamos con el JFET K49 con VtOFF= -0.5V y el JFET 2L5457 con:
VtOFF (MAX) = -0.5V
VtOFF (MIN) = -6V

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II.

Obtencin de la curva caracterstica del NMOS

Para esta parte, calibramos el generador de seales llevando su Offset a 5.0V DC y as seleccionar
una onda sinodal con amplitud de 10 Vpp.
Luego, conectamos el generador al circuito a continuacin:

Figura 1. Circuito para determinar las caractersticas

de un MOSFET.

Regulamos el potencimetro que forma parte del circuito donde se obtuvo el resultado del
Osciloscopio:

Fig. 1
En la fig. 1 se observa la curva caracterstica de MOSFET utilizado en la experiencia. Este resultado se da
porque al variar el potencimetro se da el paso al voltaje que necesita el FET para empezar a operar (voltaje de
Umbral). Mientras que no se venza este voltaje el FET operara en corte y por ende suceder lo siguiente lo que
se muestra en la Fig.2.

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Fig. 2
En la fig. 2 se observa la operacin de MOSFET en la regin de corte debido a que an no se lleg al
de umbral requerido.
III.

voltaje

Caracterstica de transferencia del NMOS

Se Arm el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.
a.

Figura 2. Circuito para determinar las caractersticas

de un MOSFET.
b.
c.
d.

Ajustamos el valor de VDD a 12V y anotamos la lectura del voltmetro DC

Se ajust VGS lentamente y observamos la lectura en V. Adems de estimar el valor de Vt
Incrementamos el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y
registramos para cada valor de VGS la magnitud de V leda en el voltmetro.

Al realizar cada paso y ya obtenida dicha informacin procedimos a llenar la tabla.

VGS

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

0.98 mV

11.30
mV

0.183 V

3V

11.82 V

11.86 V

ID=V/RD

0.98 A

11.3 A

0.83 mA

3 mA

11.82
mA

11.86
mA

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e.

Grafique ID vs VGS

En el Grafico se observa la caracterstica de transferencia de un MOSFET Canal N enriquecimiento de fuente

comn donde Vs= 0V, parte desde un valor de VGS= 2V donde en ese punto VGS=VT a partir de ese punto
cuando VGS sobrepasa el voltaje de umbral ID tienden a aumentar, ya que a mayor voltaje de compuerta mayor
corriente manteniendo VDS constante y empezar a conducir. Para valores menores al voltaje de umbral (V T) ID
tiende a ser cero, como si estuviera en corte. VT es aproximadamente 2V.

IV.

Caractersticas del JFET.

Armamos el circuito mostrado en la figura 3. Incrementamos VDD desde cero hasta el punto en
a.
que V permaneciera aproximadamente constante.

Figura 3. Circuito para determinar las caractersticas

de un JFET.

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b.

Complete la siguiente tabla

VDD

0.25

0.5

0.7
5

0.25
8

0.4
0

0.5
8

0.7
3

0.1
7
0.5
8

VDD
V

-8
mV

ID=V/1
k

0.25
8

0.1
0.4
0

1.5

2.5

10

1.0
9

1.3
7

1.7
0

2.4
8

2.7
6

2.8
7

2.9
4

2.9
6

0.2
7

0.4
1

0.6
3

0.8

1.5
2

2.2
6

3.1
3

5.0
6

7.0
4

0.7
3

1.0
9

1.3
7

1.7

2.4
8

2.7
6

2.8

2.9
4

2.9
6

4. conclusin.
Al realizar dicho laboratorio se observ las caractersticas del NMOS y JFET canal N, en el NMOS se pudo ver
su curva caracterstica de ID vs VDS, tambin su caracterstica de transferencia ID vs VGS donde podemos
estimar el valor de voltaje de umbral ya que desde este valor el transistor conducir al ir aumentando VGS. Y
por ltimo vimos las caractersticas de un JFET para cuando VGS=0, variando VDS hasta que se mantuviera
constante para conocer IDSS que es la corriente de saturacin.
5. referencias bibliogrficas.
https://www.google.com/?gws_rd=ssl#q=voltimetro+analogo
https://www.google.com/?gws_rd=ssl#q=voltimetro+digital
https://www.google.com/?gws_rd=ssl#q=generador+de+se%C3%B1ales
Microelectronics Circuits (5th edition)

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