UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE EXTENSIN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CONSULTA # 4
CARRERA

CDIGO DE LA
ASIGNATURA

NOMBRE DE LA ASIGNATURA

Ingeniera Electrnica E
Instrumentacin

1967

CONTROL ELECTRNICO DE
POTENCIA

CONSULTA
N

INTEGRANTES:

ALEX PAUL PORRAS ROBALINO

TEMA:

Tipos de Semiconductores de Potencia

DURACIN
(HORAS)
4

OBJETIVO

OBJETIVO GENERAL:

Identificar los tipos de semiconductores de potencia y conocer las diferentes caractersticas de cada
uno de ellos.

OBJETIVO ESPECIFICO:

Conocer los cambios que tienen los tipos de los semiconductores en cuanto a voltaje, potencia,
frecuencia, corriente y velocidades de trabajo

Identificar la simbologa de los tipos de semiconductores de potencia

Realizar un cuadro comparativo segn las caractersticas investigadas.

RESUMEN

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar en

tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por
tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating
Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de
control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente
denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio
circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conduccin, pero no as
del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares
BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal

Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor),
entre otros.
ABSTRACT
The semiconductor devices used in Power Electronics can be classified into three large groups,
according to their degree of controllability:
1. Uncontrolled devices: in this group are the Diodes. The states of conduction or closing
(ON) and blocking (OFF) depend on the power circuit. Therefore, these devices do not
have an external control terminal.
2. Semi-controlled devices: In this group, the SCR ( "Silicon Controlled Rectifier") and
TRIAC ( "Triode of Alternating Current") are found within the Thyristor family. In this
case, its start-up (from OFF to ON) is due to an external control signal that is applied to
one of the terminals of the device, commonly referred to as a door. On the other hand, its
blocking (step from ON to OFF) is determined by the power circuit itself. That is, you
have external control of the commissioning, but not of the blocking of the device.
3. Fully Controlled Devices: In this group we find the bipolar transistors BJT ( "Bipolar
Junction Transistor"), field effect transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor), bipolar transistors of insulated gate IGBT ( "Insulated Gate
Bipolar Transistor ") and GTO thyristors (" Gate Turn-Off Thyristor "), among others.

FUNDAMENTACIN TERICA

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
Dispositivos construidos con el SiC (carburo de silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante,
que han arraigado firmemente en aplicaciones de alta tensin y alta intensidad para controlar
potencias de salida de entre un megavatio y varios gigavatios.
Durante las ltimas dcadas los semiconductores de potencia han revolucionado las aplicaciones
con interruptores de potencia de silicio, convirtindolos en dispositivos muy eficientes, fiables y
de cmoda aplicaciones en el manejo de alta tensin y alta intensidad, que est en el orden de los
gigavatios. La ms avanzada tecnologa de transmisin de energa elctrica y los sectores de
estabilizacin de redes, no seran posibles sin la existencia de soluciones basadas en componentes
semiconductores de potencia.
Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende estrechamente de
las condiciones de servicio y del diseo fsico del sistema (elctrico, trmico, mecnico).
TIPOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
DIODOS DE POTENCIA
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y corriente,
permite la circulacin de corriente en un nico sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente
despreciados para los diodos de seal, pueden ser significativos para componentes de mayor
potencia, caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud
(para soportar tensiones inversas ms elevadas). La figura 1 muestra la estructura interna de un
diodo de potencia.

Figura 1. Estructura interna de un diodo

de potencia

Como se puede observar en la figura

anterior, el diodo est
formado por una sola unin PN,
aunque la estructura de un
diodo de potencia es algo diferente a la
de un diodo de seal,
puesto que en este caso existe una
regin N intermediaria con
un bajo dopaje. El papel de esta regin
es permitir al componente
soportar tensiones inversas ms
elevadas. Esta regin de
pequea densidad de dopaje dar al
diodo una significativa
caracterstica resistiva en polarizacin
directa, la cual se vuelve
ms significativa cuanto mayor sea la tensin que ha de soportar el componente. Las capas que
hacen los contactos externos son altamente dopadas, para obtener un contacto con caractersticas
hmicas y no del tipo semiconductor.
CARACTERISTICAS DEL DIODO DE POTENCIA
A continuacin vamos a ir
caractersticas
ms
diodo, las cuales podemos
siguiente forma:

viendo
las
importantes del
agrupar de la

CARACTERSTICAS ESTTICAS:
o

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos
de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.

Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.

Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en

estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de

impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20
ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cpsula (normalmente 25).

Intensidad directa de pico no repetitiva (I FSM): es el mximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se

encuentra en el estado de conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan
en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
CARACTERSTICAS DINMICAS:
o

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta

instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I F, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de stos cuanto mayor sea I F. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa
forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del
paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido
de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del
tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a
escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un
tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (I RRM) a un
valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
o

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :

A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la
capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

Tiempo de recuperacin directo

tfr (tiempo
de
directo): es el tiempo
el instante en que la
ctodo se hace positiva y
dicha
tensin
se
VF. Este tiempo es
el
de
recuperacin
producir prdidas de
apreciables.

recuperacin
que transcurre entre
tensin
nodoel instante en que
estabiliza en el valor
bastante menor que
inversa y no suele
potencia

POTENCIAS:
o

Potencia mxima disipable (Pmx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos

confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada
sta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)

Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado

de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM).

Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

TIRISTORES
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una puerta. El
tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutacin,
teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la
cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se realiza
normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON al estado
OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un determinado valor,
denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica para cada tiristor. Dentro
de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs
(tiristores bidireccionales).
SCR
SCR (Rectificador Controlado de Silicio) De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier,
es el miembro ms conocido de la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es
ms frecuente hablar de tiristor que de SCR. El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que
se conocen dentro de la Electrnica de Potencia (data de finales de los aos 50). Adems,
continua siendo el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el
dispositivo que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor

circulacin de corriente).
El SCR est formado por cuatro
semiconductoras,
N-P-N,
Dispositivos
de
Potencia teniendo 3 terminales:
(K), por los cuales circula la
y la puerta (G) que, cuando se le
corriente, hace que se establezca
sentido nodo-ctodo.

capas
alternadamente PElectrnica
de
nodo (A) y ctodo
corriente principal,
inyecta
una
una corriente en

Figura 2. Ilustra una estructura simplificada del dispositivo.

CARACTERSTICAS

Interruptor casi ideal

Amplificador eficaz, fcil controlabilidad

Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memorias).

Capacidad para controlar grandes potencias y soportan altas tensiones

Relativa rapidez

CARACTERSTICAS ESTTICAS

Corresponden a la regin nodo- ctodo y son los valores mximos que colocan al
elemento en un lmite de sus posibilidades:

Tensin directa mx. VGFM

Tensin inversa mx. VGRM
Corriente mxima IGM
Potencia mxima PGM
Potencia media PGAV
Tensin puerta-ctodo para el encendido VGT

CARACTERSTICAS DINMICAS

Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y viceversa.

Para frecuencias inferiores a 400hz podemos ignorar estos efectos. En la mayora de
las aplicaciones se requiere una conmutacin ms rpida por lo que este tiempo de
tenerse en cuenta.

CARACTERSTICAS POR TEMPERATURA

Tensiones transitorias.- Son valores de tensin que van superpuesto a la seal

sinusoidal de la fuente de alimentacin. Son de escasa duracin, pero de amplitud
considerable.

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN

Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento VGNT

Corriente de puerta para el encendido IGT
Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento IGNT

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, este disipa una cantidad de

energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor.
Este aumento de la temperatura produce un aumento de la corriente de fuga, creando
un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan
Disipadores de calor.

LOS PARMETROS DE RENDIMIENTO DEL SCR SON:

VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)

IF: Mxima corriente directa permitida.

PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.

VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el

cebado

IH: Mnima corriente de nodo requerida pa ra mantener cebado el SCR

dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.

di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

TRIAC
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales.
Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con
tensiones de puerta de ambos signos. Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder
controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo
podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los
fabricantes de semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El
primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta
forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la
puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC tiene
varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar
corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en conduccin.

Figura 3. Smbolo y estructura interna de un TRIAC

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo nicamente un nico
circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y como est
fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida. En general
est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones que no superan los 1000V y
corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricacin de
electrodomsticos con control electrnico de velocidad de motores y aplicaciones de iluminacin,
con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima a la que pueden trabajar es
tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica.
CARACTERSTICAS DE LOS TRIAC

DEFINICIN DE LOS PARMETROS DEL TRIAC

VDRM (Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo valor de

tensin admitido de tensin inversa, sin que el triac se dae.

IT(RMS) ( Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se da

la temperatura en funcin de la corriente.

ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin(ON)) = es la corriente pico

mxima que puede pasar a travs del triac, en estado de conduccin. En general seta dada
a 50 o 60 Hz.

I2t ( Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa necesaria

para la destruccin del componente.

PGM ( Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin instantnea mxima

permitida en la compuerta.

IH ( Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac

volver del estado de conduccin al estado de bloqueo.

dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo) = designa

el ritmo de crecimiento mximo permitido de la tensin en el nodo antes de que el triac
pase al estado de conduccin. Se da a una temperatura de 100C y se mide en V/m s.

tON ( tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y aumento

de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente andica nominal.

GTO
GTO (Gate Turn-Off Thyristor) A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada
de los aos 60, ha sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la
tecnologa en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones
para mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la
electrnica de potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con
dispositivos que alcanzan los 5000 V y los 4000 A. Como se ha visto en los apartados anteriores,
uno de los inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo
por parte del usuario del paso de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos

interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro
tipo de semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs.
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos
transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se
muestra en la siguiente figura (Fig. 4), as como su estructura interna en dos dimensiones.

Figura 4. Smbolo y estructura interna de un GTO.

El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado,
cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa
de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N
adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando
inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la corriente de
mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en conduccin.
CARACTERSTICAS DE GTO
o El disparo se realiza mediante una VGK >0.
o El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
o La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo
forzado que requieren los SCR.
o La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el
generador debe estar ms dimensionado.
o El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
TRANSISTORES
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores. Los
circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que stos trabajen en la zona
de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con
otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el
transistor trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por ejemplo,
el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de transistores
utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y
dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de puerta aislada
(IGBT). A continuacin veremos cada uno de ellos.
BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnicode estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, ademas de controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin

tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos

y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgicaaunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

CARACTERSTICAS ESTTICAS DEL BJT

Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de
control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada de tensin
en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de
almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.
El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien
diferenciadas, en funcin de la tensin que soporta y la corriente de base inyectada:
- Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un interruptor
abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor.
- Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada tensin
entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con
una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente
representada por las siglas F o F h.
- Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la Vce y conseguir que
el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus
terminales es muy pequea y depende del transistor.
En Electrnica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la zona de
saturacin, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el rendimiento
del sistema puede llegar a ser muy pequeo. Adems tngase en cuenta que dado que en
Electrnica de Potencia se trabaja con tensiones y corrientes elevadas, esa disipacin de potencia
debe evacuarse de algn modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el semiconductor por
una excesiva temperatura en su interior.

Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares de seal y los de potencia son bastante
significativas. En primer lugar, la tensin colector-emisor en saturacin suele estar entre 1 y 2
Volts, a diferencia de los 0,2-0,3 Volts de cada en un transistor de seal.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)

As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son
transistores controlados por tensin. Ello de debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta
respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de
canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los primeros, por presentar
menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la mayor movilidad de los
electrones con relacin a los agujeros.

El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de silicio (SiO2). La
unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce
cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0.
CARACTERSTICA ESTTICA DEL MOSFET.
Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las capacidades de
entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 1012 Ohms. De forma anloga a
los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas:
- Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada
tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
- hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande
y la tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un
interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.
- Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor
elevada, ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la
tensin entre la puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser
elevada dado que el producto tensin-corriente es alto.
Obviamente, en Electrnica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte o en
hmica (interruptor abierto o cerrado). Atencin con los nombres de las zonas de trabajo, que
pueda causar confusin al lector cuando se habla de un bipolar y de un MOSFET. Observar que
la zona de saturacin de un BJT corresponde a la zona hmica del MOSFET y que la zona de
saturacin de ste corresponde a la zona activa del BJT. Uno de los inconvenientes de los
transistores MOSFET es que la potencia que pueden manejar es bastante reducida.
Para grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos, en general, por la limitacin de
tensin. Sin embargo, son los transistores ms rpidos que existen, con lo cual se utilizan en
aplicaciones donde es necesario altas velocidades de conmutacin (se pueden llegar a tener

aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los bipolares). Otro de los
inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conduccin RON vara mucho
con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de
interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin embargo, su ventaja ms relevante es
la facilidad de control gracias al aislamiento de la puerta.
El consumo de corriente de puerta es pequeo y se simplifica el diseo del circuito de disparo
(driver) y control correspondiente.
IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un dispositivo
hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o sea,
el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en conduccin
de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por
tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo
bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura muestra la simbologa para
este tipo de transistores.

CARACTETISTICAS DE LOS IGBT.

Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V y hasta
2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de puerta. La
velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite
trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.
El control del componente es anlogo al del MOSFET, o sea, por la aplicacin de una
polarizacin entre puerta y emisor. Tambin para el IGBT el accionamiento o disparo se hace por
tensin.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin
en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como
los BJT
El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del
IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
IDmax Limitada por efecto Latch-up.
VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGS max la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces
la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 minutos. y
pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Existen en el mercado IGBTs con valores
de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
La tensin VDS apenas vara con la temperatura; Se pueden conectar en paralelo fcilmente
&#8658; Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

ANALISIS DE RESULTADOS
Comparacin de prestaciones entre los diferentes dispositivos de electrnica de potencia.
A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia ms utilizados,
haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de trabajo. Tabla de prestaciones:

Regiones de Utilizacin: en funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas
zonas, parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin cualitativa se
presenta en la siguiente figura:

COMPARACIN ENTRE LOS DIFERENTES TRANSISTORES DE POTENCIA

A continuacin se presenta una breve tabla de comparacin de tensiones, corrientes, y frecuencias que pueden
soportar los distintos transistores descritos.

Los valores mencionados no son exactos, dada la gran disparidad que se puede encontrar en el mercado. En
general, el producto tensin-corriente es una constante (estamos limitados en potencia), es decir, se puede
encontrar un MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida. Lo mismo ocurre con las frecuencias
de trabajo. Existen bipolares de poca potencia que trabajan tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo ms
usual.

En la siguiente tabla se aaden otras caractersticas importantes a tener en cuenta en el diseo de circuitos de
electrnica de potencia.

Por ltimo la figura 2.29 muestra algunas posibles aplicaciones de los distintos dispositivos de electrnica de
potencia.

CONCLUSIONES
Los diodos son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al
de conduccin.
El nico proceso que realiza el diodo es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Los diodos se caracterizan porque en estado de conduccin deben ser capaces de soportar una alta
intensidad con una pequea cada de tensin.
En el triac Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de
circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente
en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han
diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente.
Definimos el IGBT como un hbrido entre los transistores MOSFET y los BJT, o bipolares, que
aprovecha las ventajas de ambas tecnologas, En general, esto significa que tiene las ventajas de la
alta capacidad de manejo de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de
conduccin por tensin que ofrece un MOSFET.
En el GTO la tensin nodo-ctodo en conduccin directa tambin es ms elevada que para los
tiristores convencionales.
En los IGBT La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero
permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.

RECOMENDACIONES
Hoy en da es muy importante el estudio de los tipos de semiconductores de potencia, gracias a ella se
dan soportes a grandes aplicaciones junto a la ingeniera de control desarrollando proyectos y
aplicaciones que sean en beneficio de la energa optimizando perdidas.
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Y DE LA WEB

[1] Sanchez Diaz. Dispositivos semicondutores de potencia. page 14, 2010.

[2]http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.1.Diodos_potencia.pdf
[3]http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet2/3/06r313uta26ezztkx3euoo3ut6yy.pdf
[4]http://datasheetz.com/data/Discrete%20Semiconductor%20Products/Diodes,%20Rectifiers%20%20Arrays/497-3525-5-datasheetz.html
[5]http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
[6]http://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-scr/rectificador-controlado-silicioscr2.shtml#ixzz4Qb40pUno