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Electrosttica en materiales
conductores
En este captulo nos ocuparemos del comportamiento de los materiales
conductores bajo la accin de campos electrostticos1 .
La caracterstica esencial de los materiales conductores es que en presencia
de un campo, por dbil que sea, el medio posee cargas que se van a desplazar a lo largo de sus lneas de fuerza. Hay diversos aspectos que podramos
considerar acerca de la dinmica de dichas cargas pero, por el momento, nos
centraremos en los denominados estados de equilibrio. stos se alcanzarn
cuando la distribucin de las cargas en el conductor d lugar a un campo total
que sea nulo all donde pudiera existir movimiento de las mismas.
Hablaremos de sistemas a los que se comunica carga y obtendremos la
redistribucin de la misma, ignorando los detalles del proceso entre sucesivos
estados de equilibrio.
17.1.
202
+
+
$ext
$int
" = cte
+
#=0
+
+
E~ d~` = 0 ) V = cte.
203
!
+
+
+
r
+
0,8
1/r
0,6
0,4
1/r
+
+
0,2
0,5
1,5
2,5
r/a
17.1.1.
E~ =
8
>
>
<
>
>
:
V=
r<a
(17.1)
Q
r ,
4o r2
8
Q
>
>
>
< 4o a
>
>
>
:
Q
4o r
r<a
(17.2)
204
!Q
!P
dA
!"#Q
!"#P
17.1.2.
Presin electrosttica.
Por otra parte, en los puntos interiores se tiene EP0 = EQ0 debido a la
condicin de campo nulo. Puesto que por simetra ha de cumplirse EQ0 = EQ ,
y por proximidad EP0 = EP , se deduce que EP = EQ . Consecuentemente, en el
exterior del conductor la contribucin al campo total se hace por partes iguales
y tenemos:
EQ =
2 o
17.2.
205
dF =
dA
2 o
P =
2 o
Esta expresin explica el denominado efecto punta: dado que all donde la
superficie de los conductores presenta puntas, es mayor,3 es por ese lugar
que se van a liberar las cargas. Ntese que P aumenta rpidamente al hacerlo
la densidad.
17.2.
Q
,
4o a
Para entender este efecto basta considerar la relacin entre densidades de carga para dos
conductores esfricos de radios a1 , a2 y sometidos al mismo potencial. Dado que V = Q/4o a
y Q = 4a2 se tiene 1 / 2 = a2 /a1 , as que donde el radio es menor, la densidad de carga
es mayor.
206
"
$
+
+
+
+
+
+
+
Coulombio
V oltio
Dado que los valores reales que toma C en los sistemas tcnicos de inters son
muy pequeos en estas unidades, en la prctica se utilizan subdivisores: F o
nF .
Si admitimos la presencia de ms de un conductor, la relacin entre las
cargas de cada uno de ellos y los potenciales es ms compleja, dependiendo
de sus formas y orientaciones relativas. As, tendremos que el potencial del
conductor i-simo sera
X
X
Vi =
Pij Qj o bien Qi =
Cij Vj
j
donde Pij y Cij dependern de tamaos, orientacin, distancias, ... No obstante, hay un caso particular en el cual esta relacin se simplifica notablemente:
207
dos conductores, uno de los cuales est contenido en una cavidad del otro.
Como sabemos, el campo en la regin interior, y por tanto el potencial, es
independiente de lo que ocurra en el exterior. Adems, las cargas en sus caras
enfrentadas seran iguales y opuestas (+Q y Q por ejemplo).
Se dice que este sistema forma un condensador. La diferencia de potencial
entre los dos conductores se relaciona exclusivamente con la carga Q a travs
de un coeficiente puramente geomtrico, de modo que tenemos
Q=C V.
Aqu C es la capacidad del condensador. Vemoslo en un caso concreto
Ejemplo 1: el condensador esfrico
!" r
!!
+
+
Figura 17.5: Condensador esfrico, formado por un conductor interior macizo (radio
r1 ) y uno exterior hueco con radios r2 y r3 .
Z r2
Q
Q
1
1
V=
dr =
2
4o r2 r1
r1 4o r
+
Q
r1 r2
C=
= 4o
V
r 1 r2
Ejemplo 2: el condensador plano
En la prctica, la regin situada entre dos conductores plano-paralelos muy
prximos est apantallada del exterior. Como ya se coment, los efectos de
dispersin de las lneas de campo en los extremos sern despreciable si las
208
&"
+
+
+
!"
$"
#!
+
+
+
+
%"
Figura 17.6: Condensador plano, de placas paralelas con seccin A y separadas por
una distancia d.
o A
d
17.3.
U=
1 X
1
Qi Vi = (QV +
2
2
i
209
QV ) =
1
Q
2
V=
1
C
2
V2 =
1 Q2
2 C
donde hemos utilizado que todas las cargas sobre la placa positiva estn al
mismo potencial (V + ), y las de la placa negativa a V .
1
U = o E 2 vol ,
2
siendo vol el volumen entre las placas.
Puesto que en este sistema, el campo est bsicamente confonado en el
espacio entre las placas, podemos interpretar que la energ se extiende en forma
de una densidad, en todo el volumen en el cual las placas crean un campo, y
considerar que existe una densidad de energa o E 2 /2 all donde existe E . Esta
interpretacin de la energa electrosttica, en trminos de los campos que crean
las cargas asociadas es, de hecho, general. Como ejemplo, en un sistema muy
diferente, el lector la puede verificar para el caso de una esfera (no conductora)
con densidad volmica de carga.4