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Boletn de Problemas de

Dispositivos

Electrnica de Potencia
4 Curso
Grado en Ingeniera en Electrnica Industrial
y Automtica.

1. Una cadena de diodos A180-PE que forman una rama de un rectificador trifsico en puente
debe conducir una corriente media de 50 A.. El transformador, con montaje
tringulo-estrella, tiene un valor nominal fase-neutro de 10 KV y se presentan fluctuaciones
en la tensin de alimentacin del 10%. Conociendo que durante la conmutacin, la
corriente decae a un ritmo de 1A/:s, se pide disear las redes ecualizadoras ms eficientes
para el rectificador.
2. Se pretende conectar dos SCR's en paralelo para controlar una corriente total de 600A. El
primer tiristor tiene una cada de tensin de 1V. cuando conduce 300A. y el segundo de
1,5V. para la misma corriente. Determinar los rangos de resistencia y potencia ms
adecuados para las resistencias de ecualizacin a utilizar con los SCR's permitiendo una
desviacin de hasta el 10% en la corriente compartida.
3. Diodos ultrarpidos de 35ns de tiempo recuperacin inversa y de 200V de tensin de
bloqueo se conectan en serie para soportar, en una determinada aplicacin, 1500V de tensin
de pico. Si la corriente de fugas mxima de los diodos es de 10mA, se pide:
a) Valor mximo de las resistencias de ecualizacin y la potencia de disipacin.
b) Valor mximo de las resistencias de ecualizacin y la potencia de disipacin si se
utilizan resistencias con tolerancia del 10%.
4. Un transistor bipolar conecta una fuente de tensin de 200V a una carga fuertemente
inductiva de 4S, tal como se ilustra en la figura. El circuito de ataque a la base presenta un
equivalente Thevenin de 10V y una resistencia Rb=1,266S. Cada diodo tiene una cada de
tensin de 1V y la tensin base-emisor en saturacin es de 1,7V con una ganancia de 10.
Determine el incremento de prdidas en el transistor cuando se utilice el diodo antisaturacin
DAS.

5. Un transistor bipolar conmuta a una frecuencia de 10KHz y con un ciclo de trabajo del 50%
una corriente muy inductiva de 50A alimentada a 100V. Conociendo que en el apagado la
corriente cae en 5:s y que la tensin sube en 0,1:s, se pide:
a) Prdidas durante el apagado del transistor.
b) Disear una circuito de ayuda a la conmutacin (apagado) de tal manera que la tensin
entre colector y emisor llegue a su valor final al mismo tiempo que la corriente de
colector se anule.
c) Prdidas totales durante el apagado del transistor con la clula snubber.

6. Un transistor bipolar de 1000 W, conmuta a una frecuencia de 20 KHz una corriente de 150
A en una carga inductiva alimentada a 400 V. Los limites del ciclo de trabajo del transistor
son del 20% y del 80%, con tiempos de encendido y apagado de 2:s y 5:s respectivamente.
La tensin entre colector y emisor en conduccin se mantiene en 1,5 V debido a un circuito
antisaturacin.
Elija de forma razonada, las caractersticas del sistema de refrigeracin a utilizar bajo los
supuestos de una refrigeracin forzada (Tamb= 30C), una resistencia trmica unin-carcasa
de 0,7C/W y la utilizacin de grasa trmica entre el encapsulado y el radiador.
7. Un transistor bipolar conmuta 20A. en una carga resistiva de 20S con una frecuencia de
10KHz. Si los tiempos de subida y cada de la corriente son, respectivamente, 0,8 y 1:s,
determine las energas de prdidas durante la subida y la cada de la corriente, as como las
prdidas debido a la conmutacin.
Si al transistor se le aade una celula RCD snubber con un C= 7,5nF y R= 1KS, determine
las nuevas prdidas debidas a la conmutacin, asumiendo que no hay variacin en el tiempo
de cada de la corriente durante el apagado.
8. Un transistor bipolar de 1200 W, conmuta a una frecuencia de 20 KHz una corriente de 125A
en una carga inductiva alimentada a 375V. Los limites del ciclo de trabajo del transistor son
del 20% y del 80%, con tiempos de encendido y apagado de 1,5:s y 4,5:s respectivamente.
La tensin entre colector y emisor en conduccin se mantiene en 1,5V debido a un circuito
antisaturacin.
Elija de forma razonada, las caractersticas del sistema de refrigeracin a utilizar bajo los
supuestos de una refrigeracin forzada (Tamb= 30C), una resistencia trmica unin-carcasa
de 0,6C/W y la utilizacin de grasa trmica entre el encapsulado y el radiador.
9. Un transistor bipolar necesita una ganancia forzada de 8 para conmutar 5A en 0,8:s de
tiempo de subida. Durante la conduccin la ganancia forzada es de 20 y una vez que se inicia
el apagado permanece en conduccin durante 20:s. Disponiendo de fuentes de alimentacin
positivas y negativas de 10V, se pide disear un posible circuito de base al transistor que
asegure que la corriente inversa de recuperacin en la base sea igual que la de saturacin.
10. Un transistor bipolar trabaja en conmutacin, a una frecuencia de 10KHz y un ciclo de
trabajo del 50%, alimentando una carga resistiva de 2,5S desde una fuente de 250V. y con
impulsos en el circuito de base de 10V.. La ganancia especificada del transistor est en un
rango entre 15 y 40, las tensiones en saturacin entre colector-emisor y base-emisor son
respectivamente de 2V y 3V al trabajar con un factor de saturacin de 2, y la corriente de
corte de colector durante el bloqueo es de 3mA. Se pide:
a)
Resistencia de base necesaria que asegure la entrada en conmutacin.
b)
Prdidas en el transistor y rendimiento del interruptor. (Tiempos de retardo, subida,
almacenamiento y cada de la corriente de 0,5:s, 1:s, 5:s y 3:s respectivamente).
c)
Disear el circuito de refrigeracin para una potencia de disipacin de 250W, una
temperatura de la cpsula de 25C y una resistencia trmica unin-carcasa de
1C/W.

11. Un transistor bipolar trabaja en conmutacin, a una frecuencia de 10 KHz y con un ciclo de
trabajo del 40%. La carga R-L (R = 0,2 S; L = 4) con diodo de libre circulacin est
alimentada a 100 V. Debido a un circuito antisaturacin, la cada de tensin entre colector
y emisor cuando el transistor est saturado es de 2V y cuando est bloqueado la corriente de
fugas medida es de 50mA. Las caractersticas dinmicas del transistor indican tiempos de
subida de la corriente y de la tensin de 5 :s y 10 :s respectivamente y tiempos de cada de
8 :s y 6 :s. Se pide:
a) Prdidas totales.
b) Disear una circuito de ayuda a la conmutacin (apagado y encendido) de tal manera
que se reduzcan a un 25% las prdidas por conmutacin en el transistor.
c) Nuevas prdidas totales.
12. Un transistor MOSFET conmuta, a una frecuencia de 30Khz con un ciclo de trabajo del 80%,
modulando potencia desde una fuente continua de 150V una carga resistiva de 7S.
Las caractersticas del transistor utilizado son:
- Tensin drenaje-fuente 250V.
- Corriente de drenaje 30A.
- Resistencia drenaje-fuente de 0,12S.
- Tiempo de retardo de 30ns, para una tensin de puerta de 10V (UDF=0V)
- Tiempo de subida de la corriente de 150ns, para una tensin de puerta de 10V
(UDF=0V)
Para una potencia media disipada de 100W, se pide:
a)
Tensin de umbral del transistor.
b)
Prdidas durante el periodo de conduccin.
c)
Prdidas durante el encendido y el apagado (considerense nulas las prdidas
durante el bloqueo).
13. Dos transistores MOSFET se conectan en paralelo para conducir una corriente de 20A. Las
tensiones drenaje-fuente de los transistores son de 2,5V.y 3V. respectivamente. Determinar
la corriente de drenaje de cada uno de los transistores y el porcentaje de corriente total
conducida, si las resistencias serie de ecualizacin son:
a)
R1=0,3S. y R2=0,2S.
b)
R1=R2=0,5S.
14. Un transistor IGBT conmuta 200A. en una carga resistiva de 2S con una frecuencia de
15KHz. Si los tiempos de subida y cada de la corriente son, respectivamente, 0,2 y 0,4:s,
determine las energas de prdidas durante la subida y la cada de la corriente, as como las
prdidas debido a la conmutacin.
Si al transistor se le aade una celula RLCD snubber con un C = 7,5nF, L = 2,2nH y R=
1KS, determine las nuevas prdidas debidas a la conmutacin, asumiendo que no hay
variacin en el tiempo de cada de la corriente durante el apagado.

En una instalacin, un SCR, alimentado a 600V de tensin continua, debe controlar la potencia
que se entrega a la carga, la cual es parcialmente inductiva y est compuesta por una bobina
de 250mH y una resistencia de 10 S ..
La instalacin no funciona!!. Tras una revisin exhaustiva se comprueba que el circuito de
disparo genera pulsos de 6V de amplitud, 100: s de duracin a una frecuencia de 10Hz, y que
la resistencia Thevenin equivalente es de 5S . Por su parte, el circuito de bloqueo ha sido
cambiado y hay seguridad de que funciona correctamente, actuando cada 100ms y con un
retraso sincronizado de 50ms en relacin con el pulso de disparo. La hoja de caractersticas del
SCR indica una tensin de trabajo de 800V y una corriente media de 100A, corrientes de
mantenimiento y de enclavamiento de 300mA y 400mA respectivamente y una derivada de
tensin de 300V/: s. La tensin y corriente de puerta especificada como tpicas son 5V/1A.
Razone los ajustes que debe hacer en el circuito para que el SCR alimente correctamente a la
carga y la instalacin funcione correctamente. La valoracin econmica es importante.
SOLUCION:
El SCR debera funcionar como un interruptor que se dispara
cada 100ms y es bloqueado a los 50ms de ser disparado. Si la
instalacin no funciona y las tensiones y corrientes que soporta
el SCR se encuentran dentro del rango de utilizacin, de
acuerdo con las caractersticas estticas del dispositivo
utilizado, el fallo debe estar produciendose en uno de los
circuitos auxiliares. Puesto que hay seguridad de que el
circuito de bloqueo funciona correctamente, analizaremos el
proceso de disparo:
La recta de carga del circuito de disparo se encuentra en la zona de disparo seguro, prxima
al punto especificado como nominal (5V/1A). Para una carga resistiva, un tiempo de duracin del
pulso de disparo de 100: s sera suficiente para hacer entrar en
conduccin el SCR, pero para una carga muy inductiva, la
corriente de nodo no tiene tiempo suficiente para superar el
nivel de la corriente de enclavamiento (ILATCHING = 400mA),
por lo que el SCR no ent ra en conduccin.

Transcurridos los 100: s de duracin del pulso de disparo, es


necesario un escaln de corriente de 160mA en la corriente
de nodo para superar la corriente de enclavamiento y
mantener la conduccin.
La solucin ms econmica consiste en aadir una resistencia,
en paralelo con la carga, que proporcione el escaln de
corriente necesario:

Un mdulo de tres SCRs en serie est diseado para poder soportar una tensin de bloqueo de
4 kV. disponiendo para ello de clulas de
ecualizacin de R1 = 20kS, R2 = 20S y C =
0,1:F. Las hojas de caractersticas de los
SCRs 1, 2 y 3 proporcionan respectivamente
los siguientes datos:
Corrientes de fugas: 25, 20 y 18mA.
Carga almacenada durante el
apagado: 140, 150 y 130:C.
Se pide:
a) Distribucin de tensiones en los SCRs en estado de bloqueo.
b) Distribucin de tensiones en los SCRs durante el proceso de apagado.
c) Corriente mxima de descarga de los condensadores cuando el mdulo entra en
conduccin.
SOLUCIN:
a)

En el estado de bloqueo, el mdulo soportar la totalidad de la tensin de bloqueo ( 4 kV)


y la distribucin de las tensiones en los SCRs quedar establecida por las corrientes de fugas
junto con las resistencias R1.
Siendo IF la corriente total de fugas en el mdulo, y UT1, UT2 y UT3 las tensiones entre nodo
y ctodo de cada uno de los SCRs
U T1 + U T2 + U T3 = 4000 V

3
3
U T1 = 1253V
U T1 = I F 25 10 20 10
I F = 87,67 mA U T2 = 1353V
U T2 = I F 20 10 3 20 10 3
U T3 = 1393V

U T3 = I F 18 10 3 20 10 3

(
(
(

b)

Durante el apagado, el primer SCR que se recupera es el ms rpido(T3), el cual obligas a


establecer un almacenamiento de cargas en la unin de bloqueo de los SCRs T1 y T2 de
10:C y de 20:C respectivamente. La tensin en el condensador de T3 crecer en funcin
de la corriente de carga que fluye a travs de los otros SCRs (T1 y T2) que todava no se han
recuperado.
La carga transferida al condensador en paralelo con T3 ser la correspondiente a los 10:C
de T1 ms 10:C de los 20:C de T2, antes de que el T1 se apague. Los restantes 10:C de T2
sern transferidos igualitariamente (caso ideal) entre los condensadores en paralelo con T3
y T1, cuando el T1 se recupera, es decir, 5:C para cada uno.

QT 1 = 10 C
QT 2 = 20 C
QT 3 = 0 C
c)

)
)
)

QC1 = 5 C
QC 2 = 0 C
QC 3 = 25 C

QC 3
= 250V
C
QC1
=
= 50V
C

U T 1 T 2 =
U T 3 T 2

La mayor corriente de descarga cuando el mdulo entra en conduccin ser la proporcionada


por el condensador ms cargado y estar limitada por la resistencia R2 :

IcT 3 =

UT3
= 69,65 A
R2

Un transistor IGBT conmuta a una frecuencia de 1KHz y con un ciclo de trabajo del 80% una
carga muy inductiva de 16 S desde una fuente continua de 400V. Las caractersticas estticas
y dinmicas del transistor IGBT para una temperatura en rgimen permanente de la unin de
150C son:
- Tensin colector-emisor en saturacin UCE(SAT)=1,9V.
- Corriente de fugas IF=20 mA.
Durante el encendido:
- Tiempo de retardo: 25ns.
- Tiempo de subida de la corriente de colector: 35ns.
- Tiempo de cada de la tensin colector-emisor: 40ns.
Durante el apagado:
- Tiempo de descarga: 1:s.
- Tiempo de cada de la corriente de colector:120ns.
- Tiempo de subida de la tensin colector-emisor: 200ns.
Se pide:
a) Corriente de colector.
b) Prdidas totales en el transistor IGBT.
c) Rendimiento del interruptor con ciclos de trabajo del 25% y del 75%.
d) Radiador a utilizar si la resistencia trmica del transistor es de 2,5C/W.
e) Prdidas en el transistor si la frecuencia de conmutacin es de 10KHz.
SOLUCIN:
a)

La corriente del colector, cuando el transistor conmuta una carga muy inductiva a una
frecuencia de 1Khz y con un ciclo de trabajo
del 80%, viene dada por:

U CC U CE SAT

19,905 A
R
En conduccin y en bloqueo podemos evaluar
las prdidas de la siguiente manera:
IC

PCOND U CE SAT I C 30,25 W


PBLOQ U CE I F 1 1,6 W
b)

PON POFF 1Khz 298,5 mW


P
POFF WOFF 1Khz 1,274 W TOT

Las prdidas en conmutacin pueden ser


evaluadas linealizando las curvas
caractersticas UCE/IC para el caso de
carga inductiva:
U CE I C
WON
t ON 298,57 J
2
U I
WOFF CE C t OFF 1273,92 J
2
Las prdidas totales en el transistor IGBT para
la frecuencia de 1Khz y un ciclo de trabajo del
80%
PCOND PBLOQ PON POFF 33,42 W son:

c)

El rendimiento del convertidor depender de la potencia til en la carga:

t cond
1 tcond
u

dt

CE
C
T 0
T
Para 80% I C 19,905 A

PCARGA

PCARGA

99,47%

P

Perdidas

CARGA

Para otros ciclos de trabajo:

*%

IC

PCARGA

EPrdidas

25%

6,22 A

619 W

9,45 W

98,49%

75%

18,66 A

5571,4 W

30,06 W

99,46%

80%

19,9 A

6339,3 W

33,42 W

99,47%

Dos transistores MOSFET conectados en paralelo y ecualizados con sendas resistencias en el


drenador, conducen una corriente total de 20A. desde una
batera de 100V. Durante la conduccin, la tensin
drenador-fuente del transistor T1 es de UDF1 = 2,5V y la del
transistor T2 es de UDF2 = 3V.
Se pide determinar la corriente de drenaje de cada
transistor y la diferencia de distribucin de corriente a
travs de los transistores si las resistencias de ecualizacin
son de:
a) Rd1 = 0,2S y Rd2 = 0,3S
b) Rd1 = Rd2 = 0,5S
SOLUCIN:
Es posible plantear desde el circuito equivalente de la figura las ecuaciones de las corrientes que
permiten determinar la distribucin de las corrientes de drenaje en los dos
transistores:

Id 1 + Id 2 = 20 A

Id 2 = 20 A Id 2

Id 1 Rd 1 + 2,5V = Id 2 Rd 2 + 3V

Id 1 Rd 1 Id 2 Rd 2 = 0,5V

despejando, las corrientes Id1 e Id2 sern:

Id 2 = 20 A Id 2
Id 1 =
a)

Para el caso en el que Rd1 = 0,2 S y Rd2 = 0,3 S, las corrientes de drenaje y su distribucin
porcentual sern:

Id 1 = 13 A
Id 2 = 7 A
b)

0,5V + 20 Rd 2
Rd1 + Rd 2

Id 1 = 65 % It
Id 2 = 35 % It

Para el caso en el que Rd1 = Rd2 = 0,5 S, las corrientes de drenaje y su distribucin
porcentual sern:

Id 1 = 10,5 A
Id 2 = 9,5 A

Id 1 = 52,5 % It
Id 2 = 47,5 % It

Se dispone de radiadores cuya resistencia trmica es de 0,117C/W, 0,057C/W y 0,037C/W y


de un transistor MOSFET de 250V, 30A, cuya hoja de caractersticas especifica que la
resistencia entre drenaje y fuente es de RDS(ON) = 0,1+0,133A10-3ATun S siendo Tun la temperatura
en la unin, y que la resistencia trmica entre la unin y el encapsulado es de 1C/W.
a) Para una temperatura mxima en la unin de 150, una temperatura ambiente de
25C y una resistencia trmica entre el encapsulado y el ambiente de 29C/W,
determine la mxima corriente que puede conducir un transistor MOSFET sin
radiador.
b) Determine la mxima corriente que puede conducir un MOSFET con cada uno
de los radiadores disponible. Razone las respuestas.
c) Para incrementar la corriente, el transistor MOSFET se conecta en paralelo con
otro no igual pero de caractersticas similares, excepto en que la resistencia entre
drenaje y fuente es de RDS(ON) = 0,2+0,2A10-3ATun S . Determine la distribucin de
corriente en los dos transistores si estn montados en un nico radiador que fija
la temperatura del encapsulado en 80C.
SOLUCION:
En este ejercicio se asume que la corriente de drenaje ID del transistor MOSFET es constante y
que las prdidas por conmutacin son nulas.

a) El circuito equivalente trmico del transistor MOSFET en rgimen permanente es el de la


figura anterior, y su ecuacin trmica: ) T= PD A E RT.
Para Tun = 150 $ RDS(ON) = 0,12 S

.
/

PD = ID2 A RDS(ON)
Luego, la mxima corriente que puede conducir el transistor en las condiciones establecidas
es:
ID = 5,89A
b) El circuito equivalente trmico se modifica con la utilizacin del radiador:

Para Tun = 150 $ RDS(ON) = 0,12 S


PD = ID2 A RDS(ON)
RTc-rad = 0,1C/W

/
/
/

Para cada un de los radiadores la mxima corriente que podra conducir el transistor MOSFET
ser:
Rtrad-amb =0,117C/W $ ID = 29,25 A El transistor est cerca del lmite de corriente.
Tericamente puede operar pero en la prctica no
sera posible.
Rtrad-amb =0,057C/W $ ID = 30 A
El transistor se encuentra operando en el lmite de
corriente mxima. Funcionamiento no posible.
Rtrad-amb =0,037C/W $ ID = 30,3 A
El transistor se encuentra fuera de rango.

c) El caso ms desfavorable ser aquel en que uno de los transistores conduzca la mayor
corriente posible y que esta, fuerce a que la temperatura en la unin sea de 150C.
Estableciendo las ecuaciones de:
*
*
*
*

Corriente total.
Cada de tensin en cada transistor.
Potencia que disipa cada transistor.
Temperatura en la unin de cada
transistor (dependiente de la
RDS(ON) correspondiente.

I = 37,11 A
Luego, la distribucin porcentual de corriente en cada transistor ser:
Transistor 1
Transistor 2

$
$

65,07%
34,93%

En el circuito de la figura, el SCR T1 controla la potencia que entrega una fuente de tensin
continua de UB = 1000V a la resistencia de carga RC = 2 S , conmutando
a una frecuencia de 4Khz. Las hoja de caractersticas de los SCRs
utilizados especifican tiempos de apagado de 20: s. Se pide:
a) Valores de R y C a utilizar en el circuito de conmutacin.
b) Valor mximo de la corriente que entrega la fuente.
c) Valor mximo de la tensin y valor de la corriente media en el
SCR T1.
SOLUCIN:
a) El anlisis del funcionamiento en rgimen permanente del circuito establece que la corriente
y la tensin en el condensador durante el proceso de carga vienen dadas por:

Durante el apagado del SCR T1, el tramo t3 -t4 define el tiempo de bloqueo tb del SCR, que
debe ser superior al tiempo de apagado toff:

Considerando que el condensador se carga en un tiempo igual a cinco veces la const ante de
tiempo (5AJ), el mximo valor posible de la resistencia R vendr dada por:
R=1,333 S
b) El valor mximo de la
corriente que entrega la fuente se
produce cuand o entra en
conduccin el SCR T1 y el
condensador se descarga a travs
de la resistencia R:

c) La tensin mxima que


soporta el SCR T1 entre nodo y
ctodo es la tensin de batera,
tanto en bloqueo directo como
inverso, mientras que la corriente media vendr dada por:
ImT1 = 320 A
UAK T1 = UB = 1000 V

Un interruptor automtico como el de la figura, conecta una batera de UB = 1000 V a una


carga resistiva de R = 10 S. El interruptor consta de un SCR
de potencia T1 y dos SCRs auxiliares (T2 y T3) que forman el
circuito de bloqueo junto con un condensador C = 4:F y una
bobina de L = 1,6 mH. Se pide:
a) Explicar, razonadamente, una secuencia posible de
funcionamiento del circuito de conmutacin.
b) Tiempo de bloqueo del SCR principal (T1).
c) Mxima frecuencia posible de operacin del interruptor.
d) Potencia en la carga para la frecuencia anterior.
SOLUCIN:
a) El tiristor T1 es el SCR principal y T2, T3, C y L son los elementos auxiliares para el bloqueo.
Inicialmente, el tiristor T2 debe dispararse
para permitir que el condensador se cargue a
la tensin de la batera y, una vez que el
proceso de carga del condensador haya
finalizado, se apagar de forma natural. En
rgimen permanente, cuando T1 es disparado
para aplicar tensin a la carga, se dispara
tambin T3 para cambiar la polaridad de la
tensin en el condensador y permitir el
bloqueo (por fuente inversa de tensin) del
SCR T1 cuando se dispare el SCR T2..
b) El anlisis del funcionamiento en rgimen
permanente del circuito establece que la tensin en el condensador durante el proceso de carga
viene dada por:

uC (t ) = 2 U B (1 e t / RC ) U B

Durante el apagado del SCR T1, el tiempo de bloqueo


tb, que debe ser superior al tiempo de apagado toff , es
aquel en que la tensin entre nodo y ctodo aplicada
permanece negativa.

0 = 2 U B (1 e tb / RC ) U B t b ln 2 RC

tb = 27 :s.
c) Considerando que el condensador se carga en un tiempo igual a cinco veces la constante de
tiempo (5AJ), la mxima frecuencia posible vendr dada por:

T = 5 R C + L C

f =1/T = 2,2KHz

d) La potencia en la carga vendr dada por P = +Af

u i dt

0 t L C u = UB
0 t 5 R C u = 2 U B e

t / RC

P = 72,9 Kw

1 = 25,13 Julios
2 = 8 Julios

Una carga muy inductiva de 10A es controlada por el circuito de conmutacin de la figura, en
la que el SCR principal conecta la batera a la carga y el SCR auxiliar la desconecta. Asumiendo
que los dos SCRs tienen un tiempo de apagado de 100:s se pide:
a) Valor de los componentes reactivos para una
frecuencia de funcionamiento de 400Hz.
(Tomese L2 $ 10 AL1).
b) Valores lmite de la tensin en la carga.
c) Tensiones y corrientes de pico de los SCRs.
SOLUCION:
El apagado del SCR principal TPr se realiza al aplicar, en la
bobina situada en serie (L1) y por tanto en el ctodo, una
tensin superior a la de la batera, provocando un apagado
o bloqueo por fuente inversa de tensin.
Previamente al encendido del SCR auxiliar Taux, el condensador C se carga con polaridad positiva
y a una tensin entre 1,5 2 veces (dependiendo de las resistencias parsitas del circuito
resonante) la tensin de la batera, a travs de la bobina L2 y el diodo D1, evitando este ltimo
la corriente inversa del circuito resonante. El encendido del SCR principal TPr conecta la carga
a la batera a travs de la bobina L1. Cuando el SCR auxiliar Taux es disparado, la tensin del
condensador se aplica a la bobina L1, polarizando de forma inversa al SCR principal TPr que se
apaga rpidamente.
El circuito resonante formado por L1 y C
oscilar aproximadamente medio ciclo,
hasta que el SCR auxiliar Taux se apaga de
forma natural por la propia corriente
inversa resonante, cargando el condensador
con polaridad negativa . El condensador se
recarga de nuevo a travs de la bobina L2
y el diodo D1 preparando su polaridad y
carga para el ciclo siguiente. Para que la
descarga del condensador C sobre L1 sea
independiente de la bobina L2 es necesario
que la frecuencia de resonancia de C-L2
sea mucho menor que la de CL1(L2$10AL1).
El tiempo de apagado de los SCRs limita la
frecuencia de funcionamiento del equipo,
siendo una condicin de diseo que el
tiempo en que el SCR permanece con una
fuerte polarizacin negativa durante el
apagado debe ser mayor (en el lmite igual)
que el tiempo de apagado del SCR, es decir tb $ toff (100:s).
a) Asumiendo que el condensador se carga a una tensin de 2 veces la de la batera (400V)
antes del bloqueo del SCR principal TPr, y analizando el circuito resonante L1-C cuando
el SCR Taux se dispara, en el instante inicial, la corriente en la bobina L1 es la propia
corriente de carga IO =10A.


C
sen w 1 t + I O cos w 1 t
L1

L1

u = U C cos w 1 t + I O
sen w 1 t
C

i = UC

Imponiendo las siguientes condiciones de diseo:


a1)

I P = UC

Corriente de pico en el SCR principal


I P 2 IO
Simplificando y tomando como valor aproximado:

UC
C
=
= 20A
L1
w 1 L1

Para U C = 400V

w 1 L 1 = 20

L1 = 400 C

a2) Tiempo de bloqueo igual al tiempo de apagado del SCR principal:


200 = 400 cos w 1 t b 10 w 1 L1 sen w 1 t

tb = 100:s

L 1 C = 1,554 10 4

Luego, los componentes reactivos sern:


L1=3,11mH

C=7,76:F

L2=31,1mH

b) El SCR principal Tpr estar en condiciones de ser disparado cuando se restablezcan las
condiciones de carga del condensador. De acuerdo con la grfica de funcionamiento del
circuito, las condiciones se restablecen en un tiempo aproximado a la mitad de los
perodos de oscilacin de los dos circuitos resonantes (tof fmin). Para una frecuencia de
funcionamiento de 400Hz (T=2,5ms), el ciclo de trabajo mximo ser:

2 1
1
t onmax
= 2,032 ms
t off min =

+
2 w1 w 2
100 % = 18,72 %
max % =
T

t on max = T t off min = 0,468ms

por lo que el valor mximo de la tensin en la carga ser:


UCARGA = UBAT A *max % = 37,44V
c) Los valores mximos de corriente y tensin que deben soportar los dos SCRs del circuito
pueden deducirse de la grfica de funcionamiento. El SCR principal TPr conduce una
corriente mxima igual a la de la carga IO, mientras que el SCR auxiliar Taux conduce la
corriente resonante con un valor de pico IP. Ambos SCRs deben soportar la tensin de
carga del condensador UC:
= U C = 400V
U
SCR Tpr AK
I MAX = I O = 10A

= U C = 400V
U
SCR Taux AK
I MAX = I P = 20A

PROBLEMA CC01:
Una carga muy inductiva de 100A es controlada por el circuito de conmutacin de la figura, en el que
el SCR principal Tr1 conecta la batera de 48 V a la carga y el SCR auxiliar Tr2 la desconecta.
Asumiendo que el valor hmico de la resistencia R es
muy elevado y que los tiempos de apagado de los SCRs
Tr1 y Tr2 son de 80:s y de 2:s respectivamente, se pide:
a)

Valor de los componentes reactivos para una


frecuencia de funcionamiento de 500Hz y un
ciclo de trabajo del 50%..
Tensiones y corrientes de pico de los
semiconductores.
c) Mxima frecuencia de funcionamiento.

b)

SOLUCIN:
Tramo t < t0:
Los dos SCRs estn en estado de bloqueo y el
condensador cargado a la tensin de la batera Ub.
Tramo t0 < t < t1:
En el instante t0 se dispara el SCR Tr1 conectando
la batera a la carga y polarizando directamente el
SCR auxiliar de bloqueo Tr2.
Tramo t1 < t < t3:
En el instante t1 se dispara el SCR auxiliar Tr2,
produciendose la circulacin de una corriente
resonante a travs de Tr1-Tr2-L-C y Tr1-D1-L-C,
que bloquea al SCR principal Tr1 en el instante t3:

C
I P U BAT
L
i L I P sen ( t )
1

LC
Tramo t3 < t < t4:
A partir de t3 se bloquea el SCR principal Tr1, se elimina el circuito resonante y la carga establece la
circulacin de una corriente constante I0 que carga linealmente el condensador a travs del circuito
Bateria-C-L-D1-Carga. Durante tb, el SCR principal Tr1 soporta una tensin inversa que varia

I 0 I P sen (t 3 t 2 )

Uc1 U B cos (t 3 t 2 )
Uc1

1 t3
I dt
C t2 0

Uc1 U B cos arcsen 0


IP

I 0 tb
C
t b toff SCR1
Uc1

toff SCR1 I 0
I

U B cos arcsen 0
IP

linealmente, desde un mnimo Uc1 hasta 0V, para seguir soportando, a continuacin, una tensin directa
igual a la carga lineal del condensador, hasta un mximo que es la tensin de la batera Ub.
Tramo t > t4:
Cuando la tensin en la carga se anula entra en conduccin el diodo D2, que conducir junto con el diodo

D1 hasta que este se apague, para que posteriormente conduzca toda la corriente I0 de recuperacin de
la carga inductiva. El condensador se llegar a cargar hasta aproximadamente 80V, que dependiendo de
su circuito de descarga mantendr o descargar hasta los 48 V del valor de la batera.
a)

Del desarrollo anterior se deduce que para que el SCR principal Tr1 se bloquee, es necesario que
la corriente IP sea mayor que la corriente de carga I0.

I P 1,5 I 0

toff SCR1 80 s

b)

Uc1 0,745 U B

C
IP UB

C 223,6 F
L 22,9 H

C 230 F
L 25 H

a drenando corriente al diodo D1 entrando en conduccin empieza a circular corriente por el diodo
D2

Un TRIAC alimenta una horno (R=5 S ) desde una red de 440V eficaces. Al producirse una
sobretensin en la red, el circuito de disparo del semiconductor falla provocando que el TRIAC
se mantenga siempre en conduccin durante el modo de funcionamiento III, mientras que el
circuito de proteccin electrnica acta limitando el valor de la componente continua en la
carga al mximo permitido de 10A. Se pide:
a) ngulo de control del TRIAC.
b) Potencia en la carga.
c) Factor de potencia.
SOLUCIN:
a) El circuito equivalente del TRIAC manteniendose
siempre en conduccin durante el modo de funcionamiento III
es equivalente a un SCR y un diodo en antiparalelo. En esas
condiciones y para mantener una corriente continua en la
carga de 10, el ngulo de control se estabilizar en:

" =60,32

b) La potencia activa en la carga es la consumida


en la resistencia:

ief = 83,53 A
P = 34,8 Kw
c)

El factor de potencia vendr dado en funcin de la potencia aparente:

cos n = 0,951

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