UNIVERSIDADE FEDERAL FLUMINENSE

CENTRO TECNOLGICO
ENGENHARIA ELTRICA

LUIS FELIPE GUAJARDO SEMENSATO

EQUIPAMENTOS FACTS E SIMULAES DIGITAIS NO PSCAD/EMTDC

NITERI
2006

LUIS FELIPE GUAJARDO SEMENSATO

EQUIPAMENTOS FACTS E SIMULAES DIGITAIS NO PSCAD/EMTDC

Dissertao apresentada ao Curso de

Graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade Federal Fluminense,
como requisito parcial para obteno
do Grau de Engenheiro Eletricista.
rea de concentrao: Sistemas
Eltricos de Potncia.

Orientadora Prof. TATIANA MARIANO LESSA DE ASSIS

Niteri
2006

3
LUIS FELIPE GUAJARDO SEMENSATO

EQUIPAMENTOS FACTS E SIMULAES DIGITAIS NO PSCAD/EMTDC

Dissertao apresentada ao Curso de

Graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade Federal Fluminense,
como requisito parcial para obteno
do Grau de Engenheiro Eletricista.
rea de concentrao: Sistemas
Eltricos de Potncia.

BANCA EXAMINADORA

Prof. Tatiana Mariano Lessa de Assis, M.Sc. - Orientadora

Universidade Federal Fluminense

Prof. Jos Eduardo da Rocha Alves Jnior, D.Sc.

Universidade Federal Fluminense

Prof. Carlos Henriques Ventura do Rosrio Oliveira, M.Sc

Universidade Federal Fluminense

Niteri
2006

Aos meus pais, s minhas irms, namorada

e todos que estiveram sempre ao meu lado.

AGRADECIMENTOS
minha orientadora, professora Tatiana
Mariano Lessa de Assis, pela dedicao,
conhecimento e confiana a mim
transmitidos.

6
SUMRIO
1 INTRODUO 9
2 PRINCIPAIS CHAVES ELETRNICAS 11
2.1 EVOLUO DAS CHAVES SEMICONDUTORAS 11
2.2 DIODO DE POTNCIA 11
2.2.1 Caractersticas bsicas 12
2.3 TIRISTOR 13
2.3.1 Caractersticas bsicas 13
2.4 GTO GATE TURN-OFF THIRISTOR 16
2.4.1 Caractersticas Bsicas 16
2.5 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO 18
2.5.1 Caractersticas Bsicas 19
2.6 TRANSISTOR MOSFET 20
2.6.1 Caractersticas Bsicas 21
2.7 IGBT 22
2.7.1 Caractersticas Bsicas 22
3. PRINCIPAIS EQUIPAMENTOS FACTS 24
3.1 COMPENSADORES SHUNT 27
3.1.1 TCR 27
3.1.2 SVC 29
3.1.3 STATCOM 30
3.2 COMPENSADORES SRIE 32
3.2.1 TSSC 32
3.2.2 TCSC 33
3.2.3 GCSC 34
3.2.4 SSSC 34
4. COMPARAO TERICA ENTRE O TCSC E O GCSC 36
4.1 DESCRIO DO TCSC 36
4.2 DESCRIO DO GCSC 40
4.2.1 Modos de operao do GCSC 41
4.2.2 Caractersticas da impedncia 41
4.2.3 Componentes bsicos 42
5 IMPLEMENTAO COMPUTACIONAL 46
5.1 PLATAFORMA COMPUTACIONAL 46
5.2 DESCRIO DAS SIMULAES 48
5.4 GCSC 55
5.4.1 Caractersticas do Circuito Simulado com o GCSC 55
5.4.2 Resultados 57
5.4.3 Anlise da Reatncia Equivalente 62
5.4.4 Anlise Harmnica 65
6 CONCLUSES 72
6.1 PROPOSTA PARA TRABALHOS FUTUROS 72
7 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 74

RESUMO
Este trabalho trata da aplicao, nos sistemas eltricos, de equipamentos
baseados no uso da eletrnica de potncia. apresentado um breve descritivo das
principais chaves semicondutoras, tais como o tiristor e o GTO. Conceitos bsicos
de compensao srie e shunt aplicveis aos sistemas de transmisso tambm so
abordados e feita uma descrio dos principais equipamentos FACTS utilizados
nos sistemas de potncia.
O trabalho analisa com uma maior nvel de detalhamento dois equipamentos
utilizados para compensao srie controlada de linhas de transmisso: o TCSC e o
GCSC. So realizados estudos simplificados com o dispositivo GCSC, atravs do
simulador digital PSCAD/EMTDC.
Embora o TCSC seja um equipamento j encontrado em instalaes reais, o
GCSC surge como uma alternativa promissora para a compensao srie controlada
em linhas de transmisso.

ABSTRACT
In this work, the application of power electronic equipment in electric systems
is explored.

A brief description of main semi-conducting switches, such as the

thyristor and the GTO, is presented. Basic concepts of series and shunt
compensation applied in transmission systems are also pointed out and a description
of main FACTS devices used in power systems is presented.
This work analyzes in more detail two devices used for controlled series
compensation of transmission lines: TCSC and GCSC. Simplified analyses about the
GCSC is performed using the PSCAD/EMTDC program.
Although the TCSC can already be found in real installations, the GCSC is a
promising alternative to realize controlled series compensation in transmission lines.

1 Introduo
A difuso da eletrnica vem se acentuando nas duas ltimas dcadas. A
combinao potncia, eletrnica e controle propicia uma enorme gama de
possibilidades para solues de problemas e surgimento de novas tecnologias. A
eletrnica de potncia revolucionou o conceito de controle de potncia para a
converso de energia, controle e acionamento de mquinas, sistemas ininterruptos
de energia e sistemas de transmisso.
Mais especificamente nos sistemas de transmisso, ocorreram mudanas
significativas no setor eltrico nos ltimos anos. Tais mudanas ou ainda a
reestruturao nos sistemas eltricos do Brasil e de diversos pases no mundo
trouxeram um aumento na competio no setor de gerao e tambm o livre acesso
rede de transmisso. Tais caractersticas requerem sistemas de transmisso mais
robustos, confiveis e flexveis.
Neste contexto, uma alternativa interessante a utilizao de controladores
FACTS

(Flexible

Alternating

Current

Transmission

Systems).

uso

de

equipamentos FACTS est baseado em um conceito tecnolgico de transporte de

energia eltrica por sistemas flexveis de transmisso em corrente alternada, que
permite novas estratgias de operao e controle dos sistemas.
Toda a flexibilidade dos dispositivos FACTS se fundamenta na utilizao da
eletrnica de potncia em conjunto com sistemas de controle que, bem projetados,
podem trazer excelentes benefcios aos sistemas eltricos.

1.1 Objetivos do Trabalho

Os principais objetivos deste trabalhos so:

Apresentar as principais chaves semicontudoras utilizadas nos

equipamentos FACTS (Captulo 2);

Descrever sucintamente alguns dos principais equipamentos FACTS,

incluindo os dispositivos de compensao srie e shunt (Captulo 3);

Fazer uma anlise terica comparativa entre o TCSC (Thyristor

Controlled Series Capacitor) e GCSC (GTO Controlled Series
Capacitor) (Captulo 4);

Apresentar as principais caractersticas do programa de simulao

digital PSCAD/EMTDC (Captulo 5);

Descrever e analisar simulaes de um simples retificador de meia

onda controlado por tiristor, com a finalidade de introduzir e demostrar
alguns recursos da ferramenta computacional adotada (Captulo 5);

Mostrar algumas caractersticas do GCSC atravs de simulaes

digitais (Captulo 5).

2 Principais Chaves Eletrnicas

2.1 Evoluo das chaves semicondutoras

O avano dos sistemas de energia eltrica mostra um aumento gradativo do
fluxo de potncia e uma maior necessidade de melhoria da qualidade da energia.
Tais fatores causam uma exigncia cada vez maior no desenvolvimento e fabricao
de materiais e equipamentos capazes de operarem em tais nveis de tenso e
corrente.

Esses equipamentos devem garantir baixas perdas, alta eficincia e

garantir solues viveis nos aspectos tcnico e econmico.

Chaves semicondutoras utilizadas em equipamentos de eletrnica de
potncia, como o tiristor e o GTO (Gate Turn-off Tyristor), vm sofrendo contnuos
avanos, melhorando a eficincia e aumantando a capacidade de operar em tenses
e correntes cada vez mais elevadas. Outras tecnologias, como o IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor), se mostram capazes de operar em altas freqncias, com
menores perdas e maior simplicidade.
Este captulo apresenta um breve descritivo das principais chaves eletrnicas
utilizadas em equipamentos de eletrnica de potncia.

2.2 Diodo de potncia

O diodo semicondutor de potncia uma estrutura pn que, dentro de seus
limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico
sentido. O dispositivo age como uma chave para realizar vrias funes nos circuitos
de eletrnica de potncia, tais como chaves em retificadores, comutao com
reguladores chaveados, inverso de carga em capacitores, transferncia de energia
entre componentes e isolao de tenso [1] [2].

2.2.1 Caractersticas bsicas

Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal,
podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por
uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de
suportar tenses mais elevadas) [2]. A Figura 2.1 mostra, simplificadamente, a
estrutura bsica de um diodo e o seu smbolo [3].

Catodo
Catodo
np

Anodo
Anodo

Figura 2.1 Estrutura interna do diodo e seu smbolo

Quando o potencial do anodo positivo em relao ao catodo, ento o diodo
est diretamente polarizado e conduz. Ao conduzir, h uma pequena queda de
tenso sobre ele. Quando o potencial do catodo positivo em relao ao anodo, o
diodo entra em polarizao reversa.
Em aplicaes reais, sob condies de polarizao reversa, uma pequena
corrente reversa (ou corrente de fuga), na faixa de microampres flui e esta aumenta
gradativamente com a tenso reversa at que a tenso de avalanche seja atingida,
levando o componente destruio [2]. H diodos com finalidade especfica para se
trabalhar nessa regio, como o diodo Zener.
Idealmente, o diodo funciona como chave sem perdas e sua caracterstica de
operao mostrada na Figura 2.2.a. Entretanto, a caracterstica de operao de
um diodo real similar quela mostrada na Figura 2.2.b [1].

13

ID

VD

Corrente
reversa de
fuga
(a) Ideal

(b) Prtico

Figura 2.2 Curva caracterstica v-i de um diodo

2.3 Tiristor
O tiristor, tambm designado Retificador Controlado de Silcio (Silicon
Controlled Rectifier, SCR), um dispositivo adequado para comando de tenses e
correntes elevadas. So extensivamente utilizados em circuitos de eletrnica de
potncia e operados como chaves biestveis, indo do estado de no-conduo para
o estado de conduo [1].

2.3.1 Caractersticas bsicas

O tiristor, Figura 2.3 [3], um dispositivo com quatro camadas de estrutura
pnpn, com trs junes. Ele tem trs terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a
corrente e porta (do ingls gate) que, a uma injeo de corrente, permite a circulao
de corrente sob certas condies, como pode ser observado na Figura 2.4 [1] [2].

14
Gate

Catodo (k)

Catodo
Gate

J3

n+
p

J2

n
J1

Anodo

Anodo (A)

Figura 2.3 Estrutura interna do tiristor e seu smbolo

Quando a tenso de anodo positiva em relao ao catodo, as junes J1 e
J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente
polarizada. No haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um
valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2.
Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com
portadores negativos indo do catodo para o gate. Por construo, a camada P ligada
porta suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3
possua energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em
J2, sendo ento atrados pelo anodo.
Desta maneira, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de
potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder
persistir mesmo na ausncia da corrente de porta.
Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas,
enquanto J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermediria,
ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1
manter o estado de bloqueio do componente.
Para que o tiristor deixe de conduzir, necessrio que a corrente por ele caia
abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira
de potencial em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de
uma tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa acelera o processo

15
de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura
cristalina, mas no garante, sozinha, o desligamento.
Devido s caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma
polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR [2].

Queda de tenso direta

(em conduo)

Corrente de
travamento
Tenso de
ruptura reversa

Corrente de
manuteno

Disparo pelo
Gatilho

IL
IH
0

VBO

VAK

Corrente reversa
de fuga

Figura 2.4 - Curva caracterstica do tiristor

O disparo de um tiristor ocorre quando se aumenta a corrente de anodo, que
pode ser conseguido atravs das seguintes formas:
Trmica - Em alta temperatura ocorre aumento da corrente de fuga na juno
pn do tiristor que pode lev-lo conduo.
Luz Se a luz atingir as junes de um tiristor, os pares eltrons-lacunas
aumentaro e o tiristor poder ser disparado.
Sobretenso Se o nvel de tenso entre anodo e catodo se elevar mais que
a tenso de ruptura poder fluir uma corrente de fuga capaz de provocar sua
conduo. Esse tipo de disparo pode ser destrutivo e deve ser evitado.

16
Taxa de crescimento de tenso direta (dv/dt) possvel mostrar que, se
a taxa de crescimento da tenso anodo-catodo for elevada, pode ocorrer disparo do
tiristor [1].
Corrente de gatilho Quando o tiristor est diretamente polarizado, a injeo
da corrente de gatilho pela aplicao de tenso positiva entre os terminais de gatilho
e catodo ir dispar-lo. medida que a corrente de gatilho aumenta, a tenso de
bloqueio direta diminui [1].

2.4 GTO Gate turn-off thiristor

Basicamente, o tiristor de desligamento pelo gatilho (do ingls gate turn-off
GTO) similar ao tiristor convencional e essencialmente alguns aspectos descritos
anteriormente tambm podem ser aplicados ao GTO [3].

2.4.1 Caractersticas Bsicas

Considere a estrutura do GTO, Figura 2.5 [3], que a mesma da Figura 3
para o tiristor, exceto que o terminal de desligamento (turn-off) foi adicionado em
paralelo com o terminal de disparo (turn-on).
Catodo

Gate
Catodo
Gate

n+
p
n
n+
p

Anodo

Anodo

Figura 2.5 Estrutura interna do GTO e seu smbolo

17
O mecanismo de disparo semelhante ao tiristor. O GTO levado
conduo atravs de uma aplicao de um pulso positivo no gate. Entretanto, a
aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo leva ao desligamento
do GTO [3].
A Figura 2.6 mostra as formas de onda durante o processo de disparo e
desligamento do GTO [3].

Pulso de
desligamento

Pulso de
disparo

Disparo

Desligamento

Figura 2.6 Processo de disparo e desligamento do GTO

Os GTOs apresentam algumas vantagens sobre os tiristores [1]:

Eliminao dos componentes de comutao na comutao forada,

resultando em reduo de custo, peso e volume;

Reduo do rudo acstico e eletromagntico devido eliminao dos

indutores de comutao;

Desligamento mais rpido;

Melhor eficincia dos conversores.

Embora o GTO no necessite de circuitos de comutao forada como os

tiristores, a corrente que deve ser aplicada ao gate para efetuar o desligamento
grande, apenas de 2 a 5 vezes menor do que a corrente de anodo a ser comutada.
Isto faz com que os circuitos de acionamento do gate sejam maiores, mais
complexos e mais caros, o que uma sria desvantagem. Alm disso, os GTOs no
toleram altas taxas de crescimento da tenso (dv/dt), o que traz a necessidade da
utilizao obrigatria de circuitos amaciadores (snubbers) de desligamento. A partir
de certo valor da corrente de anodo o controle do desligamento pelo gate perdido.

18
Portanto cuidados devem ser tomados para que sobrecorrentes no estejam
presentes. Em outras palavras: o GTO capaz de suportar surtos de corrente mas
no capaz de cort-los atravs do gate. A capacidade de bloqueio de tenso no
sentido reverso muito pequena, isto , o GTO praticamente no capaz de
bloquear tenses negativas.
A queda de tenso direta do GTO ligeiramente maior do que a do tiristor, e
a capacidade de controle de potncia quase to elevada quanto. Os tempos de
desligamento so menores do que o dos tiristores, de maneira que os GTOs podem
operar em freqncias maiores.

2.5 Transistor Bipolar de Juno

O Transistor um componente com trs camadas (duas junes).
equivalente a duas junes pn do diodo do dispostos em sentidos opostos um do
outro. H dois tipos de transistores pnp e npn, mostrados nas Figuras 2.7a e 2.7b,
respectivamente [3]:

Coletor

Base

Coletor

p
p+

p+

n
p

p
Emissor

Emissor

(a) pnp

Base

19
Emissor

Base

Emissor

n
n+

n+

p
n

Base

n
Coletor

Coletor

(b) npn
Figura 2.7 Estrutura do transistor e seu smbolo

2.5.1 Caractersticas Bsicas

Considerando apenas o transistor npn, que mais utilizado que o de camada
pnp, uma das camadas n externa (n+) denominada emissor e a outra (n)
chamada coletor. A camada p do meio designada base.
O transistor capaz de bloquear tenses positivas e pode conduzir correntes
positivas. A aplicao de tenso negativa entre os terminais coletor e emissor (VCE)
leva destruio do componente.
Para ser utilizado como chave nos conversores estticos, a corrente de base
deve ser suficientemente grande para fazer com que o transistor entre na regio de
saturao (chave ligada), ou suficientemente pequena (na realidade negativa) para
provocar o corte do transistor (chave desligada) [5].
O desligamento do transistor realizado forando-se uma corrente negativa
na base, atravs da aplicao de uma tenso negativa. A corrente negativa na base
essencial para garantir um desligamento rpido. Se a corrente de base fosse
apenas anulada, o tempo de desligamento seria excessivamente elevado. Alm
disso, mantendo tenso negativa na juno baseemissor a capacidade de bloqueio
de tenso coletoremissor aumentada.

20
A Figura 2.8 mostra as caractersticas para de conduo da corrente do
dispositivo em funo da tenso para diferentes valores de correntes de base. As
curvas de operao de um transistor indicam os limites IC x VCE que devem ser
observados para um funcionamento confivel. Isso significa que o transistor no
deve ser submetido a condies de IC e VCE que extrapolem o limite imposto pelas
curvas [3] [5].

Linha

de satu
rao

IC
ib4
ib3
ib2
ib1

VCE
Figura 2.8 Curva caracterstica do transistor: Tenso x Corrente para diferentes
valores de corrente de base

2.6 Transistor MOSFET

O MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) apresenta
considervel capacidade de conduo de corrente e bloqueio de tenso. Este
dispositivo se tornou largamente utilizados em aplicaes de baixa potncia (kW) e
inapropriado para altas potncias. Os MOSFETs so os mais rpidos transistores de
potncia hoje disponveis, possuindo baixas perdas por comutao. Alm disso,
necessitam de pouca potncia no terminal de controle. A Figura 2.9 mostra a
estrutura do MOSFET e seu smbolo [3].

21
Fonte

n+

Gate

SiO
p

n+

nn+

Dreno

Figura 2.9 - Estrutura do transistor npn e seu smbolo

2.6.1 Caractersticas Bsicas

O MOSFET pode ser um dispositivo pnp ou npn (somente a estrutura npn
mostrada na Figura 2.9). Existe uma camada dieltrica de xido de silcio (SiO) entre
o gate e as junes p e n+.
Os MOSFETs tm caractersticas semelhantes curva corrente-tenso
mostrada na Figura 2.8. Entretanto, a corrente de base substituda pela tenso no
gate.
Uma grande vantagem do MOSFET ser um dispositivo controlado por
tenso, isto , a corrente de carga (de dreno) pode ser variada atravs da tenso
gate-fonte, que atua abrindo ou fechando o canal. Ou seja, a resistncia entre o
dreno e a fonte (rDF) controlada pela tenso entre o gate e a fonte VGF [3] [5]. Da o
fato de quase nenhuma potncia ser necessria para comandar o MOSFET.
Para ligar basta apenas carregar a capacitncia gate-fonte, e descarreg-la
no desligamento. Apenas flui corrente no terminal gate quando o dispositivo est
sendo ligado ou desligado, o que equivale dizer que o dispositivo possui alta
impedncia de entrada. Desta forma, os circuitos de acionamento de gate dos
MOSFETs de potncia so mais simples e mais baratos do que aqueles utilizados
nos transistores [5].

22
2.7 IGBT
O surgimento desse tipo de transistor, o IGBT(Insulated Gate Bipolar
Transistor), no final dos anos 80 representou um enorme avano na rea da
eletrnica de potncia. Embora com velocidades menores do que as do MOSFET, o
IGBT mais rpido do que o transistor bipolar, e pode controlar potncias muito
mais elevadas do que o MOSFET [5].

2.7.1 Caractersticas Bsicas

Os terminais do IGBT so o gate, coletor e emissor. Como pode ser visto na
Figura 2.10, o IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de controle (gate)
isolado, ou seja, um dispositivo controlado por tenso, o que representa circuitos
de acionamento de gate menores, mais simples e mais baratos do que os utilizados
nos transistores convencionais [3] [5].

Emissor

n+

Gate

Emissor

SiO
n-

n+

Gate

n+
p+
Coletor

Coletor

Figura 2.10 Estrutura do IGBT e seu smbolo

O IGBT rene caractersticas do transistor bipolar e do MOSFET. Na
realidade, a caracterstica de entrada do IGBT a mesma do MOSFET, enquanto a
caracterstica de sada similar do transistor. Esta ltima confere ao IGBT quedas
de tenso coletor-emissor pequenas, mesmo nos dispositivos com maior capacidade
de bloqueio de tenso.

23
O disparo do IGBT feito de maneira similar do MOSFET. Deve-se carregar
a capacitncia gate-emissor com uma tenso suficiente. O desligamento efetuado
fazendo-se VGE inferior ao valor limite VCE [3] [5].

A Figura 2.11 ilustra as aplicaes dos dispositivos de potncia junto com a

faixa de operao [1].

Figura 2.11 Aplicaes dos dispositivos de potncia

3. Principais Equipamentos FACTS

Neste captulo ser feito um breve descritivo dos principais equipamentos
FACTS destinados compensao de reativo em linhas de transmisso, sendo
divididos em srie e shunt. Existem ainda equipamentos que so conectados
simultaneamente atravs de ligaes srie e shunt, como por exemplo o UPFC
(Unified Power Flow Controller) [3]. Tais equipamentos no sero abordados neste
trabalho.
Os FACTS so equipamentos capazes de fornecer correntes reativas - ora
indutivas ou capacitivas - de forma contnua e controlada, com dinmica rpida
devido alta velocidade de comutao das chaves semicondutoras.
A principal idia dos FACTS pode ser explicada pelas equaes bsicas (I e
II) para a transmisso em corrente alternada, representada na Figura 3.1.

V1, 1

V2, 2

X
1

Figura 3.1 Potncia Transmitida

As equaes do fluxo de potncia ativa e reativa so dadas respectivamente
por [3]:

P12 =

V1V2
sen( 1 2 )
X

(I)

Q12 =

V2 (V2 V1 cos( 1 2 ))
X

(II)

Onde V1, 1 e V2, 2 so as magnitudes e ngulos de tenso da barra de

origem,1, e destino, 2, e X a reatncia da linha.
A potncia transmitida entre dois ns do sistema depende das tenses em
ambos os pontos da interconexo, da impedncia da linha e da diferena do ngulo
da fase entre ambos os sistemas. Os diferentes dispositivos FACTS podem
ativamente influenciar um ou mais destes parmetros para o controle de fluxo de
potncia e para a melhoria da estabilidade da tenso no n da interconexo. Por
exemplo, equipamentos conectados em derivao (shunts) podem ser utilizados
para controlar a amplitude das tenses. Por outro lado, dispositivos srie podem
ajudar a impedncia equivalente do sistema, de forma a controlar o fluxo de
potncia.
No que diz respeito funo dos componentes eletrnicos, os controladores
FACTS podem ser divididos em trs grupos [7]:
a) chaveados;
b) controlados;
c) avanados.

a) FACTS chaveados
Os compensadores passivos, tais como os reatores e capacitores, foram
inicialmente propostos com chaveamento mecnico.
O avano da eletrnica de potncia, a partir da dcada de 70, permitiu que os
capacitores e reatores pudessem ser chaveados eletronicamente utilizando os
tiristores.

26
Neste grupo encontram-se, entre outros:

TSSC (Thyristor Switched Series Capacitor) Capacitor srie chaveado a

tiristor.

TSC (Thyristor Switched Capacitor) Capacitor chaveado a tiristor.

b) FACTS controlados
Neste grupo de controladores, a insero de potncia reativa para
compensao se d de maneira suave, ao contrrio dos controladores FACTS
chaveados, onde a insero de reativos se d em blocos.
Entre os FACTS controlados, podemos destacar:

SVC (Static Var Compensator) Compensador esttico de reativos.

TCSC (Thyristor Controlled Series Compensator) Compensador srie

controlado por tiristor;

GCSC (GTO Controled Series Compensator) Compensador srie controlado

por GTO.

c) FACTS avanados
So controladores baseados na utilizao de conversores como fonte de
tenso VSC (Voltage Source Converter) para realizar a compensao de potncia
reativa, ao invs dos tradicionais elementos passivos (reatores e capacitores). Tais
equipamentos podem possuir tambm a habilidade de compensar potncia ativa.
Entre os FACTS avanados, pode-se destacar:

STATCOM (Static Synchronous Compensator) Compensador Esttico

Sncrono.

SSSC (Static Synchronous Series Compensator) Compensador Esttico

Sncrono Srie.

27

Os compensadores tambm so divididos como a forma de conexo, em

srie ou shunt, como ser exposto nos captulos subseqentes.

3.1 Compensadores Shunt

A razo deste tipo de compensao reativa alterar as caractersticas
eltricas naturais da linha de transmisso para torn-la mais compatvel com a
demanda de carga. Desta forma, conexo shunt de reatores, fixos ou chaveados
mecanicamente so aplicados para minimizar sobretenses em linhas sob condies
de baixa carga. Conexo shunt de capacitores, fixos ou chaveados mecanicamente
so aplicados para manter o nvel de tenso sob condies de carga elevada.
Com a evoluo da eletrnica de potncia, surgiram diferentes equipamentos
FACTS para compensao de potncia reativa injetada ou drenada do sistema. Uma
breve descrio de alguns desses equipamentos ser apresentada nas sees
seguintes.

3.1.1 TCR
O TCR (Thyristor Controlled Reactor) um dispositivo FACTS que apresenta
certa simplicidade de construo e operao, por isso so muito utilizados nos atuais
sistemas de potncia.
A funo do TCR produzir uma reatncia indutiva que pode ser controlada
pelo ngulo de disparo () dos tiristores dispostos em srie. Um esquema bsico do
compensador mostrado na Figura 3.5 [3] [8].

28

T1

T2

reator

Figura 3.5 Esquema bsico do TCR

O valor de pode variar continuamente desde 90 at 180. O reator estar

totalmente inserido no circuito quando for 90 e em 180, ocorrer sua remoo

Admitncia Equivalente

total, de acordo com o grfico da Figura 3.6 [8].

Ymax

90

180

ngulo de Disparo

Figura 3.6 Variao da admitncia do TCR em funo do ngulo de disparo

dos tiristores

29
3.1.2 SVC
O TCR, apesar de proporcionar compensao indutiva contnua, desde zero
at o valor mximo definido pela sua indutncia, no permite compensao
capacitiva.
A introduo de um capacitor em paralelo no circuito da Figura 3.5 transforma
o TCR em um SVC (Static Var Compensator), compensador shunt tambm
conhecido como Compensador Esttico de Reativos (CER), representado na Figura
3.7 [8].
Por meio do controle do ngulo de disparo dos tiristores, pode-se fornecer ao
sistema reatncia tanto indutiva quanto capacitiva.

T1

T2

reator

Figura 3.7 - Esquema bsico do SVC

De forma semelhante ao TCR, quando o ngulo de disparo dos tiristores for
igual a 180, o reator est totalmente fora do circuito e a compensao somente
capacitiva. Quando o ngulo de disparo for 90, o reator estar completamente
inserido ao circuito e a compensao pode ser indutiva.

30
3.1.3 STATCOM
O

STATCOM

(Static

Synchronous

Compensator)

utiliza

chaves

autocomutadas, tais como o GTO e propicia compensao contnua tanto indutiva

quanto capacitiva. A principal vantagem do STATCOM sobre o SVC a capacidade
de manter altos nveis de compensao reativa, mesmo quando opera com tenso
terminal baixa (teoricamente nula) [3].
Existem diferentes tipos de STATCOMs, classificados em funo da
caracterstica do circuito (fonte de corrente ou fonte de tenso) e tambm em funo
do tipo de controle. A ttulo de ilustrao, a Figura 3.8 mostra a representao
simplificada de um STATCOM baseado em um conversor fonte de tenso (VSC
Voltage Source Converter). Cada chave do conversor composta por um GTO
conectado em anti-paralelo com um diodo.
Rede CA

Transformador

VSC

Figura 3.8 Representao simplificada de um STATCOM

A conexo e o princpio de funcionamento do STATCOM so apresentados

na Figura 3.8. O inversor responsvel por transformar a tenso contnua em uma
tenso alternada V1, que pode ser controlada de modo a ser maior ou menor do que
a tenso na barra do sistema V2 [8].

31
I

jX

VL
V1

Compensador

V2

Sistema

I
V1

V2

V1

V2

V1

VL

VL

V2

I
(a)

(b)

(c)

Figura 3.9 Conexo e princpio de funcionamento do STATCOM

O esquema da Figura 3.8 pode ser explicado atravs das equaes I e II,
respectivamente.
Quando o sistema est em operao normal, a diferena entre os ngulos das
barras (1 2) prxima de zero, pois no h fluxo de potncia ativa entre o
STATCOM e o sistema. Ou seja:

P12 = 0

(III)

Assumindo que cos(1 2) seja igual a 1, a equao da potncia reativa

(Equao 2), torna-se:

Q12 =

V2 (V2 V1 )
X

(IV)

Analisando (IV), pode-se observar que a compensao reativa depende da

diferena das tenses V1 e V2.
Quando a tenso do compensador, V1, for igual tenso do sistema, V2,
mostrada na Figura 3.8 (a), no h injeo nem absoro de potncia reativa.

32
Quando V1 for maior que V2, Figura 3.8 (b), O compensador se comporta
como um capacitor, injetando reativo no sistema.
Se V1 for menor que V2, Figura 3.8 (c), o compensador se comporta como um
indutor, absorvendo reativo.

3.2 Compensadores Srie

A transmisso em corrente alternada limitada pela impedncia reativa srie
da linha. A compensao srie capacitiva foi introduzida dcadas atrs com o
objetivo de cancelar parte da impedncia reativa da linha e, com isso aumentar a
potncia transmitida. Com o surgimento dos FACTS tambm foi demonstrado que a
compensao srie varivel melhora o controle de fluxo de potncia e aumenta a
estabilidade da linha. As sees seguintes apresentam alguns compensadores srie.

3.2.1 TSSC
O TSSC (Thyristor-Switched Series Capacitor) consiste basicamente em um
determinado nmero de capacitores conectados em srie com a linha e em cada
capacitor disposto em paralelo por um par de tiristores conectados em antiparalelo
[3].
O arranjo do circuito bsico do TSSC mostrado na Figura 3.2 [3].

VC1

VC2

VCm-1

VCm

i
C1

C2

Cm-1

Cm

Figura 3.2 Esquema bsico do TSSC

O grau de compensao srie controlado pelo aumento ou diminuio do
nmero de bancos de capacitores em srie conectados ao sistema. Para isso cada

33
banco controlado por tiristor em paralelo, que insere ou retira o capacitor do
circuito [3] [6].
A insero de um determinado banco de capacitores no sistema feita
atravs do disparo dos tiristores no instante de cruzamento pelo zero da tenso.

3.2.2 TCSC
O TCSC, capacitor srie chaveado a tiristor (Thyristor Controlled Series
Capacitor), consiste basicamente em um banco de capacitores fixo conectado em
paralelo com um reator controlado a tiristor (RCT), dispostos em srie com a linha de
transmisso. Os mdulos RCT e TCSC podem ser observados na Figura 3.3. Esse
arranjo semelhante estrutura do TSSC e, se a impedncia do reator, XL, for
suficientemente menor que a do capacitor, XC, este pode ser operado em estado
ligado/desligado como no TSSC [3].
Entretanto, a idia bsica do TCSC permitir que o nvel de compensao
srie de uma linha de transmisso seja controlado de forma contnua que se torna
possvel atravs da variao da capacitncia do capacitor srie. O grau de
compensao srie do TCSC ajustado atravs da variao do ngulo de disparo
() dos tiristores [3] [6].
No Captulo 4 sero apresentadas algumas caractersticas adicionais do
TCSC.

VC
i
C
reator

RCT
TCSC

Figura 3.3 Esquema simplificado do TCSC

34
3.2.3 GCSC
Um esquema simplificado do Capacitor srie Controlado a Tiristor (GCSC GTO Thyristor-Controlled Series Capacitor) mostrado na Figura 3.4 [3]. Consiste
basicamente em um banco de capacitores fixo em paralelo com um par de GTOs.

VC
i
C

Figura 3.4 Esquema simplificado do GCSC

O objetivo do GCSC controlar a tenso sobre o capacitor. Quando o GTO
est conduzindo, no passa corrente pelo capacitor, ento sua tenso nula.
Quando o GTO est aberto, a corrente passa pelo capacitor, surgindo uma tenso
sobre o terminal do capacitor. A tenso no capacitor controlada pelo ngulo de
corte dos GTOs [3].
No Captulo 4 sero apresentadas algumas caractersticas adicionais do
GCSC.

3.2.4 SSSC
O SSSC (Series Static Synchronous Compensator) semelhante ao
STATCOM (apresentado na Seo 3.1.3), porm com conexo srie. Este
equipamento produz uma tenso alternada controlada que inserida, por exemplo,
em srie com uma linha de transmisso, fazendo compensao ora indutiva ora
capacitiva.

35
A Figura 3.9 apresenta a topologia de um SSSC inserido prximo ao extremo
gerador de uma linha de transmisso, por meio de um transformador srie [8].

Ps

+ Vc -

Pr

VR

Vs

+
Extremo
Gerador

Vd
-

Figura 3.9 Topologia bsica do SSSC

Extremo
Receptor

4. Comparao Terica entre o TCSC e o GCSC

O objetivo desse captulo descrever melhor as caractersticas bsicas do

TCSC e do GCSC, fazendo uma anlise comparativa das suas principais
caractersticas.
Dentre os dois compensadores srie capazes de variar continuamente a sua
reatncia, somente o TCSC est disponvel comercialmente. O GCSC surge como
uma alternativa ao TCSC, quando se quer controlar continuamente a compensao
srie de uma linha de transmisso.

4.1 Descrio do TCSC

Como dito anteriormente, o TCSC um equipamento que utiliza tiristores e
permite que o nvel de compensao srie de uma linha de transmisso seja
controlado de forma contnua.
No Brasil, o TCSC est sendo considerado como elemento fundamental para
a interligao Norte-Sul. A Figura 4.1 mostra um mapa da interligao. A princpio,
sua funo amortecer possveis oscilaes entre os geradores das regies
Norte/Nordeste e Sul/Sudeste/Centro-Oeste. Entretanto nada impede deste tambm
ser usado para o controle do fluxo de potncia.

Figura 4.1 Interligao Norte-Sul

Os quatro TCSCs da interligao Norte-Sul foram fabricados por trs
diferentes empresas e encontram-se instalados nas subestaes de Serra da Mesa
e Imperatriz, conforme indicado na Tabela 4.1.

Subestao
Serra da Mesa
Imperatriz

Circuito 500kV
Serra da Mesa-Gurupi C1

Transmissora
Furnas

Fabricante do TCSC
Siemens (em 1999)

Serra da Mesa-Gurupi C2

Novatrans

GE (em 2004)

Colinas-Imperatriz C1

Eletronorte

ABB (em 2004)

Colinas-Imperatriz C2

Novatrans

GE (em 2004)

Tabela 4.1 Localizao e fabricantes dos TCSC da interligao Norte-Sul

A diversidade de fabricantes envolvidos nos empreendimentos resultou na
adoo de diferentes estratgias de controle para os TCSCs da interligao NorteSul. Por outro lado, desde a entrada em operao do segundo circuito desta
interligao, em 2004, verifica-se operao em paralelo entre os dois TCSCs de
Serra da Mesa e entre os dois de Imperatriz. A operao adequada e coordenada
dos equipamentos, considerando diferentes condies operativas do sistema,

38
constitui um grande desafio para os tcnicos envolvidos na operao do Sistema
Interligado Nacional (SIN).

4.1.1 Caracterstica da impedncia

A caracterstica terica da impedncia do TCSC em funo do ngulo de
disparo dos tiristores est representada no grfico da Figura 4.2. O ngulo de
disparo medido a partir do cruzamento por zero da tenso no equipamento.

Figura 4.2 Curva caracterstica da impedncia do TCSC em funo do

ngulo de disparo dos tiristores ()
Podemos observar no grfico da Figura 4.2 que o TCSC se comporta como
um capacitor fixo quando os tiristores esto bloqueados (=180). Com ngulo de
disparo igual a 90, os tiristores conduzem continuamente e o TCSC se comporta
como uma indutncia de pequeno valor. Esta condio de operao denominada
bypass. Atravs do controle do ngulo de disparo dos tiristores possvel variar a
reatncia do TCSC nas faixas capacitiva e indutiva [3] [8].
Para determinados ngulos de disparo dos tiristores, a impedncia de
operao do TCSC pode atingir valores indesejveis. o caso da regio de
ressonncia, onde a impedncia do TCSC tende a infinito. Neste caso, o prprio

39
controlador do TCSC dever impor limitaes a esses valores dos ngulos de
disparo.
O ajuste do ngulo de disparo do TCSC permite introduzir efeito amortecedor
para oscilaes eletromecnicas verificadas em determinada interligao do sistema
eltrico. O fluxo de potncia ativa na interligao pode ser utilizado como sinal de
entrada de um controlador, que dever gerar sinal que se oponha s variaes de
potncia, ou seja, quando a tendncia for de elevao do fluxo na interligao, o
controlador dever alterar o ngulo de disparo a fim de aumentar a impedncia do
TCSC. Da mesma forma, quando a tendncia for de reduo do fluxo na
interligao, o controlador dever reduzir a impedncia do TCSC.
4.1.2 Modos de operao
O TCSC normalmente operado no Modo TCSC. Nesta modalidade, toda a
faixa de impedncia fica disponvel e as operaes de bypass ficam habilitadas.
Neste caso, a vlvula pode estar em uma das seguintes condies:
Bloqueio As vlvulas so bloqueadas e no h disparo dos tiristores. O capacitor
est inserido e o TCSC se comporta como um banco de capacitores srie fixo.
Vernier Neste estado a corrente que flui pelo capacitor aumentada em funo
dos pulsos de corrente no reator. Nesta condio, pode-se alterar a reatncia efetiva
do TCSC de forma bastante rpida (poucos ms).
Bypass Neste modo a conduo dos tiristores completa. Quase toda a corrente
da linha flui pelo reator e pela vlvula. Esta a nica condio em que a impedncia
do TCSC fica indutiva.

4.1.3 Componentes Bsicos

O banco de capacitores geralmente equipado com varistores de xido
metlico (MOV) que limitam a tenso em seus terminais quando da ocorrncia de
curto-circuitos. Para proteger os varistores, so utilizados gaps forados (triggered

40
air gap), que so disparados quando h indicao que a capacidade de dissipao
dos varistores ser excedida. Utiliza-se ainda um disjuntor de bypass que permite
que o TCSC seja isolado do sistema.
A Figura 4.3 apresenta um TCSC genrico, com os principais dispositivos de
proteo associados (disjuntor de bypass, varistor e gap).

DJ

GAP
MOV

Capacitor

LT

Reator

Figura 4.3 TCSC com dispositivos de proteo associados

4.2 Descrio do GCSC

O GCSC consiste basicamente em um banco de capacitores e um par de
GTOs conectados em anti-paralelo. Sua configurao bsica pode ser vista na
Figura 4.4 [9].

41

C
linha

linha

G1

G2
Controle
GCSC

Figura 4.4 Capacitor srie controlado a GTO

4.2.1 Modos de operao do GCSC

Quando os GTOs estiverem conduzindo, a tenso sobre os terminais do
capacitor nula, no havendo nenhuma compensao reativa. Entretanto, se os
GTOs estiverem em estado de corte, a corrente passa pelo capacitor, surgindo
tenso sobre o mesmo e assim ocorre compensao.
Os GTOs comeam a conduzir somente quando a tenso anodo-catodo tende
a ser positiva, exatamente quando a tenso no capacitor (Vc) zero. A corrente da
linha flui alternadamente atravs das chaves e do capacitor srie [10].

4.2.2 Caractersticas da impedncia

O nvel de compensao srie dado pela tenso sobre os terminais do
capacitor. Este nvel pode ser variado atravs do controle do ngulo de bloqueio
dos GTOs. A Figura 4.5 mostra a curva tpica da impedncia do GCSC, em funo
do ngulo de bloqueio. Xmx a reatncia mxima do capacitor, obtida com ngulo
de bloqueio igual a 90, isto , os GTOs no conduzem. A reatncia mnima, Xmim,

42
igual a zero quando o ngulo de bloqueio igual a 180, quando toda a corrente
passa pelos GTOs [9].
0

Xc () (pu)

-Xmax

90
(graus)

180

Figura 4.5 Impedncia tpica caracterstica do GCSC

O ngulo contado a partir do zero da corrente da linha, o capacitor entra e
sai alternadamente em srie com a linha de transmisso e uma tenso Vc surge
sobre o capacitor.

4.2.3 Componentes bsicos

O capacitor srie do GCSC formado por vrias unidades capacitivas. As
unidades so as usadas habitualmente em compensao srie fixa ou nos
compensadores srie controlados a tiristor (TCSC).
As vlvulas a GTO esto disponveis no mercado por vrios fabricantes.

4.3 Comparao do GCSC com o TCSC

Os TCSCs so a primeira gerao de dispositivos FACTS para compensao
srie. Atualmente so empregados em sistemas eltricos no Brasil e no mundo e
sua eficincia e robustez j so comprovadas. Utiliza tiristores, com os quais se tem
larga experincia em sistemas de transmisso de extra alta tenso. Embora o TCSC
seja capaz de um ajuste contnuo da reatncia, tem a desvantagem de apresentar
uma regio de ressonncia, a operao nessa regio instvel e deve ser evitada.

43
Para algumas comparaes, assume-se que o TCSC e o GCSC apresentam
compensao capacitiva mxima de mesmo valor. Entretanto o TCSC, alm de
operar normalmente na regio capacitiva, deve ser designado a operar na regio
indutiva devido indutncia em srie com as chaves.
A Figura 4.6 mostra as curvas de impedncia para o GCSC e o TCSC, em
funo dos ngulos de disparo. A regio de ressonncia do TCSC tambm
mostrada.
Na Figura 4.6 (b), Zmax e Zmin so os valores mximo e mnimo da impedncia
do TCSC operando na regio capacitiva. Zmim corresponde somente reatncia
capacitiva, isto , neste ponto os tiristores no conduzem e o reator no est
presente no circuito. Zmax corresponde ao valor da impedncia equivalente do
capacitor e do indutor para um ngulo mnimo de disparo. Este ngulo limitado
para evitar a operao na regio de ressonncia.
A capacitncia do TCSC obtido pela seguinte equao:

CTCSC =

1
2fZ min

(V)

Onde f a freqncia do sistema.

(a)

(b)

Figura 4.6 Curvas de impedncia tpicas (a)GCSC, (b) TCSC

44

Para o GCSC, a reatncia mnima igual a zero, como pode ser visto na
Figura 4.6 (a). A reatncia mxima, que corresponde reatncia do capacitor, deve
ser igual Zmax do TCSC para se obter o mesmo nvel de compensao. O valor do
capacitor do GCSC dado por:

CGCSC =

1
2fZ max

(VI)

Comparando os valores dos capacitores para o TCSC e o GCSC chega-se a

seguinte relao:

CGCSC Z min
=
CTCSC Z max

(VII)

Atravs de (VII), pode-se dizer que o capacitor do GCSC tem uma

capacitncia menor que o caso do TCSC. O fator de reduo depende da relao
entre impedncias mnima e mxima do TCSC. Se a relao for de 0,25, o capacitor
do GCSC ser quatro vezes menor. Considerando que o GCSC no necessita de
reator, este necessita de menos componentes passivos que o TCSC [10].

A tabela 4.2 mostra uma comparao entre algumas caractersticas do GCSC

e GCSC [6].

45
Caracterstica

Configurao

GCSC
Utiliza apenas um
capacitor e as chaves
semicondutoras em
anti-paralelo.

Utiliza GTOs, com os

quais no se tem muita
experincia em
Chaves Semicondutoras
sistemas de
transmisso de extra
alta tenso.

Variao da reatncia
capacitiva

Operao na regio
indutiva
Perdas

Regio de Quasiressonncia

TCSC
Alm do capacitor e da
chave, necessita de um
reator.

Utiliza tiristores, com os

quais se tem larga
experincia em sistemas
de transmisso de extra
alta tenso.

Varia continuamente
entre 0 e 100% de Xc.

Varia entre 100% de Xc a

- , teoricamente. Na
prtica, o limite superior
imposto pela regio de
quasi-ressonncia.

No opera nesta
regio**.

Varia entre 100% de Xl e

+ .

Apenas no capacitor e
nos GTOs.

No capacitor, tiristores e
reator.

No Possui.

A reatncia infinita para

um dado ngulo de
disparo. A operao
nesta regio instvel e
deve ser evitada.

Tabela 4.2 Comparao entre o GCSC e o TCSC

** possvel operar o GCSC na regio indutiva se for adicionado um reator em srie com ele.

5 Implementao computacional
Este captulo descreve a plataforma computacional utilizada nas simulaes,
bem como algumas anlises do GCSC. Inicialmente, foi estudado um simples
circuito retificador, com o objetivo de apresentar algumas funes bsicas do
programa.

5.1 Plataforma Computacional

O PSCAD (Power System Computer Aided Design) / EMTDC, desenvolvido
pelo Centro de Pesquisas de Manitoba no Canad, uma ferramenta de simulao
profissional para anlise de sistemas, tendo sua aplicao principal em sistemas
eltricos de potncia. O PSCAD a interface grfica do usurio enquanto que o
EMTDC o software de simulao.
A interface grfica do PSCAD aumenta sensivelmente o alcance do EMTDC.
Essa permite ao usurio construir esquematicamente o circuito, processar a
simulao, analisar os resultados e administrar os dados num ambiente
completamente integrado, a Figura 5.1 ilustra a interface grfica do programa.
Embora o PSCAD/EMTDC seja um aplicativo voltado para fins comerciais,
est disponvel uma verso gratuita para fins acadmicos em [11].

Figura 5.1 Interface grfica do PSCAD

O PSCAD/EMTDC possui uma biblioteca completa de modelos prprogramados e testados, que vo desde elementos e funes de controles passivos
simples a modelos mais complexos tais como mquinas eltricas, dispositivos
FACTS, linhas da transmisso e cabos de energia. Alguns dispositivos comuns
modelados no PSCAD/EMTDC so.
A seguir esto representados alguns modelos comuns encontrados nos
sistemas estudados no PSCAD:

Resistores, inductores e capacitores;

Transformadores;

Linhas de Transmisso e cabos em funo da freqncia;

Fontes de corrente e tenso;

Chaves e disjuntores;

48

Diodos, tiristores e GTOs

Funes de controles analgicos e digitais;

Mquinas de corrente alternada, excitatrizes, governadores e estabilizadores;

Funes para medies;

Controles genricos de controles de corrente contnua e alternada;

HVDC (High-voltage direct current), SVC, e outros controladores FACTS.

5.2 Descrio das Simulaes

As simulaes realizadas no PSCAD/EMTDC foram realizadas em trs
etapas. Em primeiro lugar, foram simulados circuitos tais como retificadores
utilizando diodos, tiristores e GTOs para uma melhor familiarizao com o programa
e entendimento do comportamento dos componentes, manipulao dos dados e
anlise das respostas atravs dos resultados e grficos.
Neste captulo ser incluso apenas uma das simulaes realizadas como
exemplo. A escolha foi baseada no fato deste apresentar uma boa visualizao dos
resultados e a utilizao de funes fundamentais para as etapas seguintes.
Na seqncia, sero realizadas simulaes de um circuito simplificado do
GCSC. O objetivo demonstrar algumas caractersticas bsicas de funcionamento
tais como comportamento das formas de ondas e ngulo de bloqueio dos GTOs.
Alm disso, uma anlise dos nveis de reatncia em funo dos ngulos de bloqueio
e do comportamento dos componentes harmnicos tambm apresentada.
Como ser mostrado adiante, nas simulaes realizadas foram utilizados
modelos simplificados para os equipamentos estudados. Alm disso, o sistema foi
representado por uma fonte de corrente perfeitamente senoidal.

5.2.1 Exemplo de um Circuito Retificador

Neste item ser ilustrado um exemplo de simulao de um circuito retificador,
tendo como objetivo principal a demonstrao de alguns recursos e a facilidade de
uso deste programa para simulaes e construo de grficos.

49
O primeiro circuito, mostrado na Figura 5.2, consiste em um conversor
monofsico simples controlado a tiristor com carga resistiva.

Figura 5.2 Exemplo de circuito simulado

As formas de ondas geradas a partir do circuito so expostas na Figura 5.3.
Neste caso, o ngulo de disparo do tiristor de 60.

(a)

(b)

50

(c)
Figura 5.3 Formas de ondas: a) corrente na carga; b) tenses na fonte e na carga;
c) tenso no tiristor com =60.
Os grficos das formas de onda so obtidos atravs de um canal de sada
(Output Channel) mostrado a seguir, Figura 5.4. Seleciona-se o sinal de entrada,
neste caso a tenso na fonte, Ea, e o canal de sada gera o grfico.

Figura 5.4 Output channel

- Controle do disparo do tiristor
O ngulo de disparo do tiristor pode ser controlado manualmente por um
painel de controle que um componente especial usado para relaes de controle
ou medio e pode ser colocado em qualquer lugar na pgina do projeto. No
exemplo simulado, pode-se observar na Figura 5.5 um painel de controle para
escolha manual do ngulo de disparo e medio da corrente na carga, Ic.

51

Figura 5.5 Painel de controle

- Pulsos de disparo do tiristor

O pulso de disparo do tiristor gerado pelo componente denominado
Interpolated Firing Pulses, Figura 5.6. Este componente retorna o pulso de disparo e
o tempo de interpolao requeridos para conduo dos tiristores.

Figura 5.6 - Interpolated Firing Pulses

52
A entrada L recebe a informao da amplitude do ngulo de disparo em graus
e compara com os sinais recebidos na entrada H, produzidos pelo Voltage
Controlled Oscillator (VCO), Figura 5.7. A sada o pulso de disparo um vetor de
dois elementos. O primeiro um 0 ou 1 e representa o pulso no gate. O segundo
informao a respeito do tempo de comutao.

Figura 5.7 - VCO

O VCO produz sinais em rampa peridicos, limitados entre -2 e 2, em uma

determinada freqncia (neste caso, 60 Hz). Sua forma de onda mostrada na
Figura 5.8. Neste circuito, o VCO

Neste circuito, o VCO assume um controle

simplificado. Na prtica dever ser usado um esquema mais elaborado, como, por
exemplo o uso de um bloco PLL (Phase Locked Loop). Com um PLL, podem ser
gerados sinais de disparo sempre sincronizados com uma dada referncia,
independentemente das alteraes ou oscilaes na rede.

Figura 5.8 - Forma de onda do VCO

53

Para se obter grficos com valores RMS (eficazes), usa-se a funo SinglePhase RMS Meter. No caso da Figura 5.9, o medidor recebe o valor da corrente na
carga e fornece seu valor RMS. O grfico mostra o resultado obtido.

Figura 5.9 Grfico RMS da corrente na carga

- Resultados com o ngulo de disparo do tiristor igual a 120

A Figura 5.10 ilustra os resultados obtidos para um ngulo de disparo de 120o.

(a)

54

(b)

(c)

(d)
Figura 5.10 Formas de ondas para ngulo de disparo igual a 120

55
5.4 GCSC
Neste captulo so apresentados os resultados e anlises obtidos nas
simulaes com o GCSC.

5.4.1 Caractersticas do Circuito Simulado com o GCSC

- Foi utilizada uma fonte de corrente fixa monofsica, 60 Hz, com valor de
1,50 kA (eficaz) e um capacitor em srie com 66,0 F. O circuito completo, incluindo
os GTOs em antiparalelo, pode ser visto na Figura 5.11.

Figura 5.11 Circuito do GCSC

Onde:

Ia: corrente da fonte;

Icap: corrente no capacitor;

Igto: corrente nos GTOs;

Ec: tenso no capacitor;

disp e disp2: pulsos nos GTOs.

Os pulsos de disparo so gerados de acordo com o esquema da Figura 5.12.

56

Figura 5.12 Controle dos ngulos nos GTOs

O controle dos ngulos de disparo e bloqueio foram feitos de forma a serem
simtricos nos dois GTOs, tanto no semi-ciclo positivo quanto no negativo, conforme
ilustrado na Figura 5.13. Note a simetria dos ngulos de bloqueio G1 e G2.

Figura 5.13 ngulos de bloqueio dos GTOs

A Figura 5.13 tambm mostra que o ngulo de bloqueio dos GTOs
contado a partir do zero da corrente da fonte.

57
A forma de onda Ec, representada na Figura 5.13, foi multiplicada por um
fator de escala 0,025 apenas para facilitar a visualizao das duas curvas em
conjunto.
A Figura 5.14 mostra o painel de controle manual do ngulo de bloqueio junto
com um medidor.

Figura 5.14 Controle do ngulo de bloqueio do GTO e medidor

5.4.2 Resultados
a) Para ngulo de bloqueio igual a 120
A figura abaixo mostra os resultados obtidos para um ngulo de bloqueio de 120o.

(a)

58

(b)

(c)
Figura 5.16 Formas de onda para o GCSC a. Corrente na fonte (kA); b. Corrente
nos GTOs (kA); c. Corrente no capacitor (kA)
Note que a superposio dos grficos da corrente no capacitor e nos GTOs
tem como resultante a mesma forma de onda da fonte.
A fonte da corrente tem como valor 1,50 kA, valor RMS. Atravs do grfico
pode-se comparar com o valor de pico da fonte que 2,12 kA que coincide com os
picos de onda da Figura 5.16.
A forma de onda tenso no capacitor (Ec) mostrada na Figura 5.17.

59

Figura 5.17 Formas de Onda da Tenso no capacitor

b) Para ngulo de bloqueio igual a 90

Com ngulo de bloqueio de 90o, os GTOs ficam bloqueados e a corrente da
fonte passa integralmente pelo capacitor. Isso significa dizer que o nvel de
compensao se torna mximo. A figura abaixo mostra os resultados da simulao.

(a)

(b)

60

(c)
Figura 5.20 Formas de onda para o GCSC a. Corrente na fonte; b. Corrente nos
GTOs; c. Corrente no capacitor

As formas de onda da corrente da fonte e tenso no capacitor (Ec) so

mostradas na Figura 5.21.

Figura 5.21 Formas de Onda Tenso no capacitor

Nota-se que na Figura 5.21, a forma de onda da tenso sobre o capacitor
praticamente senoidal. Neste caso a corrente passa integralmente pelo capacitor.

61
c) Para ngulo de bloqueio igual a 180
Com ngulo de bloqueio de 180o, os GTOs esto conduzindo plenamente e a
corrente da fonte passa somente pelos GTOs. Isso significa dizer que o nvel de
compensao se torna mnimo. A figura abaixo mostra os resultados da simulao.

(a)

(b)

(c)
Figura 5.22 Formas de onda para o GCSC a. Corrente na fonte (kA); b. Corrente
nos GTOs (kA); c. Corrente no capacitor (kA)

62
As formas de onda da corrente da fonte e tenso no capacitor (Ec) so
mostradas na Figura 5.23.

Figura 5.23 Formas de Onda da tenso no capacitor

Nota-se que na Figura 5.23, a tenso sobre o capacitor nula. Neste caso a
corrente passa integralmente pelos GTOs, curto-circuitando o capacitor.

5.4.3 Anlise da Reatncia Equivalente

O nvel de compensao srie do GCSC foi analisada atravs da reatncia
equivalente em funo do ngulo de bloqueio. Os valores de reatncia equivalente
obtidos atravs das simulaes foram confrontados com valores tericos.
O valor da reatncia equivalente calculado atravs das simulaes foi obtido
por:

X eq =

ECrms
I arms

Onde:

Iarms: corrente RMS da fonte;

ECrms: tenso RMS no capacitor.

(VIII)

63
A Figura 5.24 mostra o esquema montado no simulador para medio da
reatncia equivalente:

Figura 5.24 Clculo da reatncia equivalente

Os sinais Ecrms e Iarms da Figura 5.15 foram obtidos atravs da leitura dos
medidores dispostos no circuito como mostrado na Figura 5.11. A leitura para cada
ngulo contm os componentes harmnicos resultantes do chaveamento dos GTOS,
o que pode causar uma certa oscilao e uma pequena discrepncia nos resultados
das anlises se comparado aos valores obtidos teoricamente, como ser visto
adiante. A oscilao pode ser notada atravs da Figura 5.25.

Figura 5.25 Oscilao da reatncia equivalente

64
No caso do valor terico, utilizou a equao (IX), obtida na referncia [6].

X eq =

XC

(2 2 sen(2 ))

(IX)

Sendo que:

XC =

1
j 2fC

(X)

Onde:

: ngulo de bloqueio, em radiano;

XC: reatncia do capacitor;

f: freqncia do sistema.

a) Resultados

Os grficos da reatncia em funo do ngulo de bloqueio foram gerados com

o auxlio do programa Excel. Os resultados das leituras das simulaes foram
exportadas para uma planilha onde tambm foram calculados os valores tericos em
valores por unidade (pu).
Na tabela 5.1 so mostrados os valores da reatncia equivalente, simulados e
tericos, em funo do ngulo de bloqueio.

65
Resultados das simulaes
ngulo de bloqueio
Xeq (pu) - Simulado
90
1,000
100
0,788
110
0,595
120
0,426
130
0,283
140
0,170
150
0,050
160
0,034
170
0,007
180
0,000

Xeq (pu) - Terico

1,000
0,780
0,573
0,391
0,242
0,131
0,058
0,018
0,002
0,000

Tabela 5.1 Valores da Xeq simulados e tericos em funo de

O grfico comparativo dos resultados simulado e terico so mostrados no

grfico da Figura 5.26.

Xeq (pu)

Impedncia do GCSC em funo do ngulo de bloqueio

1,000
0,900
0,800
0,700
0,600
0,500
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000

Xeq Simulao
Xeq Terico

90

100

110

120

130
140
(Graus)

150

160

170

180

Figura 5.26 Impedncia do GCSC em funo do ngulo de bloqueio

Pode-se observar que houve uma pequena discrepncia entre os valores

tericos e simulados. Isso pode ser explicado pela oscilao observada no grfico da
impedncia equivalente.

5.4.4 Anlise Harmnica

A tenso em um GCSC no puramente senoidal, conforme se pode ver na
Figura 4.6. Alm do componente fundamental, a tenso possui harmnicos.

66
Atravs do esquema disposto na Figura 5.27, pode-se gerar os valores dos
componentes harmnicos de 3, 5 e 7 ordens e em seguida 9, 11 e 13 ordens. O
bloco FFT calcula os componentes harmnicos da entrada usando a Transformada
Rpida de Fourier.

Figura 5.27 Circuito para se obter os componentes harmnicos

Alm da anlise dos resultados simulados, ser feita uma comparao com
os valores tericos dos componentes harmnicos obtidos atravs de (XI),
desenvolvida em [9].

An =

4 1 sen[(n + 1) ] 1 sen[(n 1) ]
sen(n )
+
cos

n +1
2
n 1
n
2

(XI)

Com n = 3, 5, 7, 9 ...

a) Resultado Simulado
Com os valores das medies obtidos atravs do circuito da Figura 5.25, para
componentes harmnicos de tenso de 3, 5, 7, 9, 11 e 13 ordens, obtm-se a
Tabela 5.2 e o grfico da Figura 5.28, em funo do ngulo de bloqueio.

67
ngulo de
bloqueio (graus)

n=3
0,0000
-0,0604
-0,1154
-0,1380
-0,1273
-0,0930
-0,0521
-0,0197
-0,0033
-0,0001

90
100
110
120
130
140
150
160
170
180

n=5
0,0000
0,0353
0,0504
0,0321
-0,0022
-0,0275
-0,0295
-0,0154
-0,0031
-0,0001

V(pu)
n=7
0,0000
-0,0223
-0,0198
0,0066
0,0205
0,0098
-0,0082
-0,0106
-0,0030
-0,0001

n=9
0,0000
0,0151
0,0044
-0,0133
-0,0042
0,0099
0,0035
-0,0052
0,0025
0,0001

n=11
0,0000
-0,0105
0,0035
0,0073
-0,0071
0,0016
0,0056
-0,0013
0,0020
0,0000

n=13
0,0000
0,0070
-0,0060
0,0007
0,0041
-0,0049
0,0021
0,0010
-0,0016
0,0000

Tabela 5.2 Valores dos componentes harmnicos simulados

Componentes Harmnicos de Tenso n=3; 5; 7

0,150
0,100

V (pu)

0,050

n=3

0,000

n=5
n=7

-0,050
-0,100
-0,150
90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

(Graus)

Figura 5.28 Componentes harmnicos de tenso de 3, 5 e 7 ordens

Note-se

que

harmnico

que

possui

maior

amplitude

(aproximadamente 0,14 pu para um ngulo de bloqueio em torno de 120). Um outro

aspecto interessante a se observar que os valores mximos destes componentes
harmnicos no ocorrem para o mesmo ngulo de bloqueio.
A Figura 5.29 mostra os harmnicos de ordens 9, 11 e 13. O valor mximo do
9 harmnico inferior a 0,02 p.u. Percebe-se que quanto maior a ordem do
harmnico, e conseqentemente a sua freqncia, menor a sua amplitude.

68
Componentes Harmnicos de Tenso n=9; 11; 13
0,0200
0,0150

V (pu)

0,0100
n=9

0,0050

n=11

0,0000

n=13

-0,0050
-0,0100
-0,0150
90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

(Graus)

Figura 5.29 Componentes harmnicos de tenso de 9, 11 e 13 ordens

b) Resultado Terico
Atravs de (XI), obtm-se a Tabela 5.3 para componentes harmnicos de
ordens 3, 5, 7, 9, 11 e 13.
ngulo de
bloqueio (graus)
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180

n=3
0,0000
-0,0715
-0,1223
-0,1400
-0,1246
-0,0877
-0,0467
-0,0162
-0,0022
0,0000

n=5
0,0000
0,0395
0,0505
0,0280
-0,0076
-0,0297
-0,0280
-0,0132
-0,0021
0,0000

V(pu)
n=7
0,0000
-0,0247
-0,0173
0,0100
0,0208
0,0059
-0,0100
-0,0094
-0,0020
0,0000

n=9
0,0000
0,0159
0,0006
-0,0140
-0,0012
0,0104
0,0016
-0,0055
-0,0018
0,0000

n=11
0,0000
-0,0100
0,0063
0,0051
-0,0080
0,0005
0,0051
-0,0022
-0,0015
0,0000

n=13
0,0000
0,0059
-0,0071
0,0031
0,0024
-0,0048
0,0031
0,0001
-0,0013
0,0000

Tabela 5.3 Valores dos componentes harmnicos tericos

A Figura 5.30 mostra as formas de ondas geradas a partir da Tabela 5.3.

69

Componentes Harmnicos de Tenso n=3; 5; 7 - Valores tericos

0,10

V (pu)

0,05
0,00

n=3
n=5

-0,05

n=7

-0,10
-0,15
90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

(Graus)

(a)
Componentes Harmnicos de Tenso n=9; 11; 13 - Valores tericos
0,020
0,015

V (pu)

0,010
0,005

n=9

0,000

n=11

-0,005

n=13

-0,010
-0,015
-0,020
90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

(Graus)

(b)
Figura 5.30 Componentes harmnicos de tenso tericos. (a) 3, 5 e 7 ordens;
(b) 9, 11 e 13 ordens

70
c) Anlise da Distoro Harmnica Total (DHT)
Harmnicos so componentes de freqncias adicionais presentes nas
tenses ou correntes, sendo mltiplos da freqncia fundamental.
Normalmente, a Distoro Harmnica Total (DHT) usada para mensurar e
impor limites de contedo harmnico da tenso em barramentos de sistemas de
potncia.
A DHT dada pela seguinte equao:

nmax

DHT =

V
n=2

2
n

(em %)

(XII)

Onde:

n: ordem do componente harmnico;

Vn: tenso dos componentes harmnicos, em pu;

Com os dados das Tabelas 5.2 e 5.3, pode-se calcular a DHT em funo do
ngulo de bloqueio. Os valores do DHT so mostrados na Figura 5.31.
DHT em funo do ngulo de bloqueio
16
14

DHT (%)

12
10

Terico

simulado

6
4
2
0
90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

V (graus)

Figura 5.31 DHT em funo do ngulo de bloqueio

71
Nota-se que o maior nvel de DHT ocorre em torno do ngulo de bloqueio
120, aproximadamente 14,3 %. Isso ocorre devido ao 3 harmnico que possui
maior amplitude em =120, como pode ser visto nas Figuras 5.27 e 5.29.

6 Concluses
O trabalho apresentou as principais chaves semicondutoras, fundamentais
para aplicaes em sistemas de potncia. As caractersticas elementares de cada
chave foram descritas para um entendimento introdutrio s sees seguintes.
Foram abordados princpios bsicos de transmisso de energia e os
principais equipamentos FACTS foram apresentados.
Foi realizada uma anlise terica entre os dispositivos TCSC e GCSC, ambos
utilizados para a compensao srie controlada de linhas de transmisso. Foi visto
que o GCSC pode surgir como um novo equipamento que, somado ao
aprimoramento da tecnologia dos GTOs ou de outras chaves autocomutadas,
poder se tornar uma alternativa ao TCSC.
Uma introduo ao programa de simulao digital PSCAD/EMTDC foi
apresentada. Este ferramenta foi utilizada para analisar um circuito retificador e um
modelo simplificado do GCSC.

Os resultados obtidos indicaram o bom potencial do

PSCAD/EMTC para anlise de equipamentos FACTS.

6.1 Proposta para Trabalhos Futuros

Inmeros trabalhos podem ser futuramente desenvolvidos com base dos
tpicos aqui abordados. Entre eles, podem ser citados:

Anlise das caractersticas duais do GCSC e o TCR;

Implementao de um sistema de controle em malha fechada para o GCSC,

visando o controle do fluxo de potncia em linhas de transmisso;

Implementao trifsica do GCSC e outros equipamentos FACTS no

programa PSCAD/EMTDC;

Desenvolvimento de modelos analticos para o GCSC e outros equipamentos

FACTS.

7 Referncias bibliogrficas

[1] RASHID, Muhammad H. Eletrnica de potncia: Circuitos, dispositivos e

aplicaes. So Paulo: Makron Books, 1999. 856 p.
[2] POMILIO, J. A. Componentes semicondutores de potncia. Disponvel em: <
http://www.dsce.fee.unicamp.br/%7Eantenor/pdffiles/eltpot/cap1.pdf>. Acesso em: 29
setembro 2006.
[3] HINGORANI, Narain G.; GYUGYI Laszlo. Understanding FACTS: Concepts and
technology of flexible AC transmission systems. New York: IEEE Press, 1999. 432 p.
[4] SILVA, Jos Fernando Alves da. Eletrnica Industrial. Lisboa: Lisboa Fundao
Calouste Gulbenkian, 1998. 456 p.
[5] SOUZA, Flvio Maurcio de. Unidade II: Interruptores estticos. Disponvel em:
<http://www.ipuc.pucminas.br/eletronica/disciplinas/Anexos/Eletronica%20de%20Pot
encia%201/unidade_II_ET.pdf#search=%22flavio%20mauricio%20de%20souza%20
eletronica%20de%20potencia%22>. Acesso em 4 outubro 2006.
[6] SOUZA, Luiz Felipe Willcox de. Capacitor Srie Controlado a GTO.

Rio de

Janeiro, 1998. 138 p. Tese (Mestrado em cincias em engenharia eltrica)

COPPE, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, 1998.

[7] ALAMPI, Sergio. Anlise de controladores eletnicos em sistemas de distribuio

de energia.

So Paulo, 2005. 194 p. Tese (Mestrado em sistemas de energia

eltrica) UNESP, Universidade Estadual Paulista, Ilha Solteira, 2005.

[8] AREDES, Maurcio; SANTOS, Gilson. Pesquisa e desenvolvimento: Modelo
Digital dos TCSCs da Interligao Norte/Sul com Anlise do Comportamento
Harmnico. Relatrios de acompanhamento, Rio de Janeiro, 2006.
[9] SOUZA, Luiz Felipe Willcox de; WATANABE, Edson Hirokazu; AREDES,
Maurcio.

GTO

Controled

Series

Capacitors:

Multi-module

and

multi-pulse

arrangements. IEEE Transactions on Power Delivery, Abril 2000. Volume 15, N.o 2,
7 p.
[10] WATANABE, Edson Hirokazu et al. GCSC Gate controlled series capacitor: a
new Facts device for series compensation of transmission lines. IEEE/PES
Transmission & Distribution conference & exposition, 2004. 6 p.
[11]

Verso

estudante

http://pscad.com/>

do

programa

PSCAD/EMTDC

disponvel

em

<