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Bancada: 01.
Equipe:
Fortaleza - Cear
14/04/2015
SUMRIO
1. Objetivos...............................................................................................................................
03
2. Introduo............................................................................................................................
03
3. Material Utilizado.................................................................................................................
04
4.
Anlise Computacional..........................................................................................................
05
5. Procedimento Experimental .................................................................................................
06
6. Questionrio..........................................................................................................................
07
6. Concluso..............................................................................................................................
11
7. Bibliografia...........................................................................................................................
12
1. Objetivos
O objetivo principal desta prtica levantar e traar as curvas caractersticas
de um transistor de TBJ na configurao emissor-comum mediante simulao e
experimentao.
2. Introduo
Os dispositivos semicondutores de trs terminais so muito mais utilizados
que os de dois terminais (diodos) porque podem ser usados em vrias aplicaes,
desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos digitais de memria. O
princpio bsico de operao de dispositivos de trs terminais o uso de uma tenso
entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. A tenso
de controle pode ser tambm usada para fazer com que a corrente no terceiro
terminal varie de zero at um valor significativo, comportando-se como uma chave,
elemento bsico de circuitos digitais. O TBJ constitui-se de 3 regies
semicondutoras: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C), cada um ligado a um
terminal metlico para acesso externo. No transistor npn a base do tipo p e as
outras regies so do tipo n. No transistor pnp, a base do tipo n e as outras regies
so do tipo p. O transistor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base (JEB)
e a juno coletor-base (JCB). Dependendo da condio de polarizao de cada
juno, so obtidos diferentes modos de operao para o transistor. Logo abaixo
encontra-se uma tabela sobre os modos de funcionamento do transistor.
Tabela 01 Modos de Funcionamento do TBJ
Modo de
Funcionamento
Corte
Ativo
Saturao
Polarizao JEB
Polarizao JCB
Inversa
Direta
Direta
Inversa
Inversa
Direta
Fonte: [1]
0
3. Material Utilizado
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc = 0 a 15 [V] [Tenso contnua aplicada ao circuito de sada];
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes consideraes:
Ibb = 20 a 80 [uA] [Corrente de base contnua aplicada a o circuito de
entrada];
Q1 BC546 [Transistor NPN utilizado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prtica so listados a seguir:
Voltmetro (1);
Ampermetro (2);
Fonte de tenso CC (2)
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Abaixo segue o esquemtico do circuito utilizado na simulao do OrCAD.
Figura 02: TBJ
R C
100
1B
R B
VBB
Q 1
1B
VC C
0Vdc
BC 546A
100k
0Vdc
Fonte: Prpria
Portanto,
VBB = 2,7 a 8,7 [V]
Alm disso, podemos notar que o passo da fonte VBB de 2 V. Para a fonte
VCC, quanto menor o passo maior a preciso da curva caracterstica obtida por
simulao. Neste procedimento, consideramos um passo de 0,01 V para esta fonte.
Figura 03: Curvas do TBJ
20mA
15mA
10mA
5mA
0A
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
11V
12V
13V
14V
15V
IC(Q1)
V(Q1:c)
Fonte: Prpria
VCE (V)
80
14,756
14,812
15,044
15,275
15,853
16,458
6. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
Aps a realizao da anlise computacional, seguido do preenchimento da
Tabela 02, o circuito experimental proposto foi montado na bancada. A partir das
instrues dadas no Manual de Prticas, foi possvel determinar os valores
experimentais para os parmetros j determinados anteriormente atravs da
simulao.
6
16V
VCE (V)
80
22,90
25,80
14,50
15,10
17,20
18,30
7. QUESTIONRIO
a)
IC = f(VCE)
Experimental
30.00
20.00
IC [mA] 10.00
0.00
0.5
10
15
10
15
VCE [V]
IBB = 20 [uA]
IBB = 60 [uA]
IBB = 40 [uA]
IBB = 80 [uA]
IC = f(VCE)
Simulada
IC [mA]
0.5
VCE [V]
IBB = 20 [uA]
IBB = 60 [uA]
IBB = 40 [uA]
IBB = 80 [uA]
IC
IB
1=
I C1 4 m
=
=200
I B1 20
2=
I C2 7,7 m
=
=192,5
I B2 40
3=
I C3 11 m
=
=183,33
I B3 60
4=
I C4 15 m
=
=187,5
I B 4 80
7. Concluso
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13
14
15