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MICRFONOS
MICRFONOS
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
(distorsin lineal)
(distorsin lineal)
Interesa:
Ataque rpido MMD pequea
Cada rpida sin oscilaciones QM = 0.5
(distorsin no lineal)
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en toma de sonido
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10
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Q AX =
1
2
1
d D 2 () sen d
4 = 0 = 0
() sen d
=0
Q(, ) = Q AX D 2 (, )
MICRFONOS
11
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() sen d
=0
MICRFONOS
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E r = p rSo
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1
Q AX
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MICRFONOS
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17
D()
ETSIST - TSC
1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0
-0.1
-0.3
-0.5
UPM
330
300
B
A
270
240
30
60
90
D()
D()
1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0
-0.1
-0.3
-0.5
330
300
210
B
270
0
SISTEMAS
ELECTROACSTICOS
1
30
0.9
D( )
0.8
0.7
0.6
60
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
90
0
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
180
0.3
0.2
0.1
0
30
150
330
1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0
-0.1
-0.3
-0.5
30
60
90
210
300
270
0
1
0.9
0.8
0.7
180
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
30
150
30
D( )
60
90
240
60
90
240
120
D( )
60
90
120
210
MICRFONOS
150
180
Jos Luis Snchez Bote
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MICRFONOS
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DIN/IEC 651 (
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PROBLEMA
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PROBLEMA (Solucin I)
a. Calcular S(0), D(), REE, QAX y DSF.
La sensibilidad en el eje se calcula mediante la expresin del enunciado
S(0 ) = A(1 + 3 cos 0 ) = A4 = 1010 3 VPa 1
La directividad se obtiene mediante:
S() A(1 + 3 cos ) 1 + 3 cos
D() =
=
=
S(0 ) A(1 + 3 cos 0 )
4
La eficiencia de energa aleatoria, sabiendo que existe simetra de revolucin:
1
1 1 + 3 cos
1
1
3
(
)
=
REE = D 2 () sen d =
sen
d
d
1
3
cos
2
20
2 0
4
24 0 9
1
3
= 2 (1 + 3 cos )
24 9
1
4
1
=4
REE
3
3
=
=4
2
2
4B 6B + 3 40.75 60.75 + 3
27
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SPL d
10 20
S(0 ) =
90
210510 2010103
= 6.3103 V
SPL r
10 20
S(0 ) REE =
85
210510 2010103
1 / 4 = 1.8103 V
28
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SPL r
10 20
85
10 2010103
1 = 3.6103 V
2
E do
+ E 2ro
(6.310 ) + (3.610 )
3 2
3 2
= 7.2103 V
MICRFONOS
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=
x
1 Ed
x E r 1m
=
x
1 Ed
E do
=
x E r 1m E ro 1m
Ed
E r 1m E ro 1m 3.6103
x=
=
=
= 2m
3
E do
E r 1m 1.810
E ro 1m
MICRFONOS
30
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PROBLEMA (Solucin V)
d. Repita el apartado anterior si el micrfono se gira hasta formar un ngulo de
= 60 con respecto a la fuente puntual.
Si el micrfono se gira la tensin directa se reduce debido a la directividad,
aunque la tensin reverberante se mantiene.
Por ejemplo, a 1m, la relacin entre campos
directos y reverberantes a 60 ser la misma que la
de 0, pero multiplicada por D(60)
Ed
Ed
= D(60 )
E r 1m,60
E r 1m,0
=
x , 60
1 Ed
1
Ed
E do
= D(60 )
=
x E r 1m,60 x
E r 1m,0 E ro 1m
x = D(60 )
Ed
E r 1m,0
E ro 1m,0
E do
=
D(60 ) =
E ro 1m
E r 1m
3.6103
1 + 3 cos 60
=
D
(
60
)
=
2
= 1.25m
4
1.8103
31
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MICRFONOS
32
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MICRFONOS
33
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90
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40
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(Dinmico)
(Electrosttico)
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42
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50
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L ( )
KL ( K)
p1 p2
pA
K = 1 cardioide
K = 1/3 hipercardioide
K = 0 bidireccional
A = K / (K +1)
B = 1 / (K +1)
j ( L cos + KL )
k
L
= j2SD p1e 2
(cos + K ) kL 1 D() = sen kL (cos + K )
sen
2
2
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(caso cardioide K = 1)
MICRFONOS
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ETSIST - TSC
p A ( t ) p1 ( t ) =
UPM
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p( x , t)
dx
x
Tienen efecto proximidad (mayor respuesta con ondas planas que con ondas esfricas).
MICRFONOS
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K
K +1
=
correspondencia con la simplificacin
C A R A RC
sin circuito acstico
K=
dL / c
1
K +1
MICRFONOS
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transduccin en velocidad
FD = pSD
(micrfono de presin)
ZMD
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60
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kD nmero de onda de la
vibracin transversal
en el diafragma
MICRFONOS
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MICRFONOS
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6
1
1
2.405 2 C MD M MD 2 C MD M MD
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80
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Efectos:
1. Directividad alta.
2. Amplificacin del sonido en el eje del
paraboloide (mayor sensibilidad).
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
R
L
Caractersticas conjuntas
de MS ( R L)
R=
L=
Ventaja principal de la tcnica MS los dos canales R y S estn pareados aunque los
micrfonos M y S sean diferentes (siempre que el bidireccional S sea simtrico: fcil).
MICRFONOS
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divisor microfnico
(splitter)
phase phase phase
pan
pan
pan
master
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L=MS
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R=M+S
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100
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101
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Se usan para medir la funcin de transferencia de la cabeza para escucha biaural (sonido 3D)
(HRTF Head-Related Transfer Function).
MICRFONOS
102
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MICRFONOS
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103
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MICRFONOS
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
*.
Ancho de banda RF (ambos lados de f0): B = 2(fmax + fmax) con fmax la frecuencia
mxima de audio (20 kHz tpico). B = 200 kHz para mxima calidad.
(fmax)
(fmax)
= 1.5 m.
(*) Aunque la transmisin FM analgica
sigue predominando, actualmente
= 30 cm. existen diversos mtodos de
transmisin digital, todava no
estandarizados que usan las bandas
reservadas a la microfona FM
analgica o bandas sin licencia
MICRFONOS
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110
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alto nivel ()
alto nivel
bajo nivel ()
bajo nivel
t
MICRFONOS
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115
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119
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MICRFONOS
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
120
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MICRFONOS
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121
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MICRFONOS
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122
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MICRFONOS
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123
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MICRFONOS
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
124
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Resistencia Dimetro
D.C.
0.115"
120 km-1
125
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
Ejemplo
R0 = 200
K = 150pFm-1
fH = 20kHz
L = 265m
MICRFONOS
126
ETSIST - TSC
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
Ejemplo
C0 = 10 pF
K = 50 pFm-1
L=1m
G0 = 0.17 ( 16dB)
MICRFONOS
127
ETSIST - TSC
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MICRFONOS
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
128
ETSIST - TSC
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MICRFONOS
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
129
ETSIST - TSC
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
130
ETSIST - TSC
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MICRFONOS
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
131
ETSIST - TSC
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
132
ETSIST - TSC
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48V
E+
48V
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
MICRFONOS
133
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MICRFONOS
SISTEMAS ELECTROACSTICOS
134
ETSIST - TSC
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MICRFONOS
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135
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MICRFONOS
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136
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138
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
MICRFONOS
140
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SISTEMAS ELECTROACSTICOS
Ejemplo
R0 = 100, RI = 50k
n = 22.4, G0 = 11.2 ( 21dB)
K = 150 pFm-1
L = 1061m
MICRFONOS
141
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Ejemplo
R0 = 100, RI = 50k
n = 22.4, G0 = 11.2 ( 21dB)
K = 150 pFm-1
L = 2.1m
MICRFONOS
142