UNIVERSIDAD MAYOR DE

SAN ANDRES
FACULTAD DE TECNOLOGA

ELECTRNICA Y
TELECOMUNICACIONES
LOBORATORIO DE ELECTRONICA I
PRE INFORME
Laboratorio N 6

CARACTERITICAS DEL
TRANSISTOR
BJT
Participante

Edwin Ramos

Quispe
Docente : Lic. Juan Carlos Valencia
T.
Auxiliar : Juan Carlos Montero
Fecha
: 16 / 06 / 2016

1. Explique el funcionamiento, la identificacin de los electrodos

(base, colector y emisor) y comprobacin de los tipos de
transistores (NPN y PNP).
Si nos fijamos en la tabla siguiente, ya podemos determinar si
eltransistor es NPN o PNP.
Si la punta que tenemos conectada ala base es la roja (recordemos,
negativo de la batera), y con los otros dos terminales nos
da resistencia alta, el transistor es del tipo NPN; si por el contrario,
con esta punta conectada a la base, nos da resistencia baja con los
otras patillas del transistor, el transistor es del tipo PNP.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o

sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite

controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los

transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital
como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est
formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que
esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen ms N en su
nombre, esto quiere decir que utilizan partculas subatmicas de
signo Negativo para transportar la corriente.
Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con ms P en su nombre, por
lo que utilizan partculas subatmicas de signo Positivo para
transportar la corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos
transistores depende de si son de tipo NPN o PNP, debido a que los
signos de voltaje de entrada difieren dependiendo del tipo de
transistor. Otra diferencia es el material con el que estn elaborados
ya que generalmente los PNP se construyen con Germanio mientras
los NPN mas comnmente son construidos con Silicio.
Cuando te encuentras realizando algn circuito que requiera un
transistor y no tengas a la mano su hoja de datos, puedes saber si
este es NPN o PNP mediante un sencillo circuito:
2. En el Manual de Semiconductores busque los transistores que
se detallan a continuacin e indique sus caractersticas
tcnicas, forma fsica, funcin y reemplazo:
3. Describa con detalle las caractersticas ms importantes de
las regiones de funcionamiento del transistor BJT en sus
curvas caractersticas de salida.
Regiones de trabajo

Existen cuatro condiciones de

polarizacin
posibles.
Dependiendo del sentido o del
signo de los voltajes de
polarizacin en cada una de las
uniones del transitor, ste se
puede encontrar en alguna de
las cuatro regiones que se
pueden observar en el grfico
de la derecha. Estas regiones son; Regin activa directa, Regin de
saturacin, Regin de corte y Regin activa inversa. A continuacin
podemos
observar
el
comportamiento de cada
una de estas regiones.
La
regin
activa
directa corresponde
a
una polarizacin directa
de la unin emisor-base.
Esta es la regin de
operacin normal del
transistor
para
amplificacin.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de
base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la

base procedentes del emisor podemos observar que all donde haba
un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un in negativo
inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones
negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones
procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de
la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga
huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto,
por cada
electrn

recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la

carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente
IB pequea) la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a
la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser
aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:
en donde es un coeficiente adimensional, denominada ganancia
directa de corriente, o bien ganacia esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base,
atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden
atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector I C
Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta
drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo basecolector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin
Regin activa inversa
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a
una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es
usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La
operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos

uniones
estn
polarizadas
en
inversa, por lo que
existen zonas de
depleccin en torno
a las uniones BE y
BC. En estas zonas
no hay portadores
de carga mviles,
por lo tanto, no
puede establecerse
ninguna corriente de
mayoritarios.
Los
portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones plarizadas
en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un
transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La
operacin den esta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en
el
modo
encendido, pues
el
transistor
acta como un
interruptor
cerrado (VCE 0).
Avalancha
secundaria.
Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mcima tensin permitida entre colector y base
con el emisor abierto (VCBO), o la tensin mxima permitida entre
colector y emisor con la base abierta (V CEO), la unin colector - base
polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de
cualquier diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos
trabajando con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido
a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de
base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base emisor en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un
campo magntico transversal en la zona de base que reduce el paso
de dicha polarizacin se crea un campo magntico trransversal en la
zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una
pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de
potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de
polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la V CE, y
alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un
fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las
prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos

catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el

nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).
El efecto que produce la
avalancha secundaria sobre
las curvas de salida del
transistor es producir unos
codos bruscos que desvan la
curva de la situacin prevista
(ver grfica inferior derecha).
El transistor puede funcionar
por encima de la zona lmite
de la avalancha secundaria
durante cortos intervalos de
tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas
curvas lmite en
la zona activa con
los
tiempos
lmites
de
trabajo,
conocidas como
curvas FBSOA.
Podemos
ver
como existe una
curva
para
corriente
continua y una
serie de cruvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es
para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se
produce
para
el ton del
dispositivo. Durante el tof, con la
polarizacin inversa de la unin
base-emisor
se
produce
la
focalizacin de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un
rea ms pequea que en
polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con
niveles ms bajos de energa. Los
lmites
de
IC y
VCE durante
el tof vienen reflejados en las
fabricante.

curvas

RBSOA

dadas

por

el

4. Investigue como afecta la temperatura en el punto de trabajo

e un transistor (Q) y los parmetros del mismo afecta.

Adems describa con detalle los tipos de circuitos de

compensacin (de temperatura) de la polarizacin de
transistores (amplificadores de salida).
Estabilidad de Temperatura del Transistor
A medida que aumenta la temperatura de un transistor, la corriente
de colector aumentar porque
La corriente de semiconductor intrnseca entre el colector y la base
aumenta con la temperatura. Su flujo a travs de las resistencias de
polarizacin, hace la base ms positiva, aumentando la polarizacin
directa en el diodo base-emisor. Para un diodo de silicio Simpson, se
cita un aumento de 2 nA para un aumento de 10C de temperatura.
El voltaje base-emisor que se requiere para una corriente de colector
determinada, disminuir. Esta disminucin es de aproximadamente
-2,5 mV/C.
Una relacin aproximada para el cambio de corriente de colector es:

Un aumento de la temperatura produce un aumento en la corriente

portadora minoritaria, y un cambio negativo en VBE, de modo que
ambos efectos conducen a un aumento de la corriente de colector
con la temperatura. Puesto que la resistencia de emisor aparece en
el denominador de ambos trminos, esto demuestra que para una
deseable estabilidad de temperatura, RE debe tener un valor grande.
La presencia de RE proporciona una realimentacin negativa que
estabiliza el circuito contra los cambios de temperatura, tensin de
alimentacin, etc, pero tambin disminuye la ganancia de voltaje

5. Polarice los circuitos de la figura (a), (b) y (c). considere los

siguientes datos: Vce = 5[V] Ic = 5m[A], Vcc = 15[V]. utilice el
transistor 2N2222
6. Calcule la expresin del factor de estabilidad en los tres tipos
de
polarizacin
(POLARIZACION
FIJA,
POLARIZACION
COLECTOR BASE y POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE).
7. Investigue las caractersticas de los siguientes transistores:
Transistores de efecto de Campo FET.

Vamos a comenzar el estudio de los transistores de efecto de campo

con los JFET (Junction Field Effect Transistor).
Estructura Bsica.
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
JFET de canal n
JFET de canal p
En la Figura, se ha representado la construccin bsica de un JEFT de
canal n.
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de
material tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos
hmicos en ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este
canal se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p +
(material tipo p fuertemente
dopado)
con
sendos
contactos
hmicos
que
constituyen los terminales
de puerta. En algunos casos
los dos terminales de puerta
estn accesibles (JFET de
doble puerta) aunque lo
ms habitual es que ambos
terminales
estn
cortocircuitados teniendo un
nico terminal de puerta
(dispositivo
de
tres
terminales).
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p n que
aparecen estn sin polarizar. El resultado es una regin de
vaciamiento o zona de deplexin (regin carente de portadores
libres) de forma similar a la que se vio en su da al analizaren el diodo
la unin p n en ausencia de polarizacin.
D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los
portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los
huecos en el de canal p)
S= Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los
portadores.
G= Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se
controla la corriente de portadores a travs del canal.
Smbolo
Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier
caso, de dispositivos con tres terminales cuyos smbolos aparecen
representados
en la Figura

Transistores de Efecto de Campo Metal Oxido Semiconductor

MOSFET
Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de
transistores de efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a
ver que existen dos tipos de transistores MOSFET.
MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento
MOSFET de deplexin o empobrecimiento
MOSFET de Acumulacin.
Vamos a comenzar el estudio de los transistores MOSFET viendo en
primer lugar el MOSFET de acumulacin.
Estructura Bsica.
Como podemos ver en la Figura en la que aparece representada la
estructura bsica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona
de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo
n+ con contactos metlicos a los terminales de drenador y fuente. La
zona roja representada corresponde a una capa de material aislante,
en este caso xido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal
de puerta, vemos como tenemos
una
zona
metlica
(correspondiente
al
contacto
hmico) una zona de xido y una
zona
de
semiconductor.
Es
precisamente debido a esta
estructura de dnde le viene el
nombre al dispositivo de Metal
xido Semiconductor (MOS).
Adems, este dispositivo tendra
un cuarto terminal, el terminal del
Sustrato
(SS),
aunque
habitualmente ste se encuentra
conectado a la fuente.
Es preciso que notemos una caracterstica fundamental de este
dispositivo y es que la puerta est aislada elctricamente del
dispositivo, es decir, no hay conexin elctrica entre la puerta y el
sustrato.
Por otra parte, indicar que en este caso y en las sucesivas
representaciones de los transistores MOSFET a lo largo de este
captulo no se han representado las zonas de carga de espacio que
evidentemente aparecern en las uniones pn por simplificar los
dibujos, ya que en este caso, y a diferencia del JFET, las zonas de
carga de espacio no juegan un papel primordial en el funcionamiento
del dispositivo.
Smbolos.
Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en
circuitos de los MOSFET de acumulacin son los que aparecen
representados a continuacin:

Transistor Monounin UJT (en ingls: UniJuntion Transistor)

Es un tipo de transistor que contiene dos zonas
semiconductoras.
Tiene
tres
terminales
denominados emisor (), base uno () y base dos ().
Est formado por una barra semiconductora tipo N,
entre los terminales , en la que se difunde una
regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo
de la barra, lo que determina el valor del
parmetro , standoff ratio, conocido como razn
de resistencias o factor intrnseco.

Consiste en una placa de material

ligeramente dopado de silicio tipo-n.
Los dos contactos de base se unen a
los extremos de esta superficie tipo n.
Estos
se
indican
como
y
respectivamente. Un material de tipo p
se utiliza para formar una juntura p-n
en el lmite de la varilla de aluminio y la
placa de silicio tipo n. El tercer terminal
llamado emisor () se hace a partir de
este material tipo-p. El tipo n est
ligeramente contaminado, mientras
que el de tipo p est fuertemente
contaminado. Como el tipo n est
ligeramente dopado, ofrece una alta
resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad
puesto que est fuertemente contaminado.
Caractersticas
Fijndose
en
la
curva
caracterstica del UJT se
puede notar que cuando el
voltaje sobrepasa un valor
de ruptura, el UJT presenta
un
fenmeno
de
modulacin de resistencia
que,
al
aumentar
la
corriente que pasa por el
dispositivo, la resistencia de
esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta
regin se llama regin de resistencia negativa. Este es un proceso
con realimentacin positiva, por lo que esta regin no es estable, lo
que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de
tiristores y en osciladores de relajacin.
Transistores Monounion Programable PUT y Foto Transistores.
Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes en
construccin y en modo de operacin. La designacin se ha hecho en
base a que presentan
caractersticas
tensincorriente y aplicaciones
similares. Mientras que el
UJT es un dispositivo de dos
capas, el PUT lo es de
cuatro capas. El trmino
programable
es
usado
porque los valores de Rbb,
n y Vp pueden controlarse
mediante una red externa. En la figura 7 puede observarse la
conformacin fsica y circuital del PUT.
Figura 1.- Circuito y Representacin del PUT

Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en

dicho terminal es:
Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb
El circuito no se disparar hasta tanto el potencial en el terminal de
nodo no sea superior en el voltaje
de polarizacin directa de la juntura
pn entre nodo y compuerta y el
voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb
La curva tensin-corriente que
representa la caracterstica de
funcionamiento del PUT es mostrada
en la figura 8.
Figura 1.- Curva Tensin-Corriente del PUT
Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto,
por lo cual los niveles de corriente sern muy bajos. Una vez se
alcance el nivel Vp, el dispositivo entrar en conduccin presentando
una baja impedancia y por lo tanto un elevado flujo de corriente. El
retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevar al dispositivo a su
estado de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak caiga lo
suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de
mantenimiento I(br).
Aplicaciones
El PUT es utilizado tambin como oscilador de relajacin. Si
inicialmente el condensador est descargado la tensin Vak ser
igual a cero. A medida que transcurre el tiempo ste adquiere carga.
Cuando se alcanza el nivel Vp de disparo, el PUT entra en conduccin
y se establece una corriente Ip. Luego, Vak tiende a cero y la
corriente aumenta. A partir de este instante el condensador empieza
a descargarse y la tensin Vgk cae prcticamente a cero. Cuando la
tensin en bornes del condensador sea prcticamente cero, el
dispositivo se abre y se regresa a las condiciones inciales. En la
figura puede observarse la configuracin circuital para el oscilador.
FOTOTRANSISTORES
Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la deteccin
de luz y la ganancia. Su construccin es similar a la de los
transistores convencionales, excepto que la superficie superior se
expone a la luz a travs de una ventana o lente como se muestra en
la Figura

Los fotones
incidentes
generan pares electrn-hueco en la proximidad de la gran unin CB.
Las tensiones de polarizacin inversa de la unin CB, llevan los
huecos a la superficie de la base y los electrones al colector. La unin
BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de base a
emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base. En
este punto la accin convencional del transistor se lleva a cabo con
los electrones inyectados del emisor cruzando la pequea regin de
la base y alcanzando el colector que es ms positivo. Este flujo de
electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz.
Los pares electrn-hueco foto inducidos contribuyen a la corriente de
base y si el fototransistor se conecta en configuracin de emisor
comn, la corriente de base inducida por la luz, aparece como
corriente de colector multiplicada por hfe