Sei sulla pagina 1di 7

LABORATORIO DE ELECTRNICA GENERAL

Practica N 2
DIODO SEMICONDUCTOR
Karen Mishell Jara Cevallos, Alex David Lozada Parra, Paulina Gabriela Mena Pstor
kami.jace@hotmail.es
alexlozada2695@hotmail.com
paulimenap94@gmail.com

Resumen:

ABSTRACT.
Semiconductor diode consists mainly of a ju

El diodo semiconductor est constituido


fundamentalmente por una unin P-N,
aadindole un terminal de conexin a cada
uno de los contactos metlicos de sus
extremos y una cpsula que aloja todo el
conjunto, dejando al exterior los terminales
que corresponden al nodo (zona P) y al
ctodo (Zona N)
En esta prctica se pretende calcular los

nction, adding a terminal connection toeach


of the metal contacts at their ends and a caps
ule that houses the whole, leaving the outsid
e terminals that correspond to (area P) anode
and cathode (area N)
This practice is intended
to calculate the parameters indicated for each
circuit of diodes networks; in series in parall
el and in series-parallel.

parmetros indicados para cada circuito de


redes de diodos; en serie en paralelo y en
serie-paralelo.

KEY WORDS:
Diode, anode, cathode, Semiconductor,
Resistor, voltage, intensity, source of sup

Palabras Clave:

ply, multimeter.

Diodo, nodo, Ctodo, Semiconductor,


Resistor, Voltaje, Intensidad, fuente de
alimentacin, multmetro.

1. INTRODUCCIN.

La prctica realizada se ha basado en el

2 Diodos 1N4007 y un diodo de

tema del diodo semiconductor el cual se

germanio,
1Led Rojo
1 resistencia de 680 , 2.2 K, 1 K,

lo

define

como

un

dispositivo

semiconductor ms sencillo y se puede


encontrar,

prcticamente

en

5.6 K.
4. PROCEDIMIENTO:

cualquier circuito electrnico.

A CONFIGURACION DE DIODOS EN
Los diodos se fabrican en versiones de
silicio (la ms utilizada) y de germanio.
Viendo

el

smbolo

del

diodo

SERIE
1 Arme el circuito de la figura 1.

en

el grfico se observan: A nodo, K


ctodo.

Los diodos constan

de

dos

partes, una llamada N y la otra llamada


P,

separados

por

una

juntura

llamada barrera o unin. Esta barrera o


unin es de 0.3 voltios en el diodo de
germanio y

de

0.6

voltios aproximadamente en el diodo de


silicio.
2. OBJETIVOS:
Figura 1. Red de diodos en serie
Comprobar el funcionamiento de redes

Mida los siguientes parmetros y

de diodos en serie, en paralelo y en serie-

llene la tabla 1. E, VD1, VD2, VR,

paralelo.

ID1, IR.
En el circuito de la figura 1polarizar

Determinar voltajes y corrientes en los

inversamente un diodo de silicio,

diodos.
3. MATERIALES:
Fuentes de alimentacin de 5V a 15V /
1A.
Multmetro.

repetir el procedimiento y anotar los


4

valores en la tabla 2.
Arme el circuito de la figura 2.

4. Arme el circuito de la figura 4.

Figura 2. Red de diodos de Si y Ge en serie


Figura 4. Red de diodos de Si y Ge en
5

paralelo
5. Mida los siguientes parmetros y

Mida los siguientes parmetros y


llene la tabla 3. E, VD1, VD2, VR,

llene la tabla 6. E, VD1, VD2, VR,

ID1, ID2.
Implemente un circuito en serie con

IR,

un diodo de silicio y un led, mida los


siguientes
V LED

parmetros

, VR, ID,

I LED

E,

VD,

, utilice la

resistencia de 680 para limitar la


corriente y llene la tabla
B CONFIGURACION DE DIODOS EN
PARALELO
1. Arme el circuito de la figura 3.

IDSi

ID .

5. PREGUNTAS
Los

resultados

experimentales

eran

idnticos a los resultados prcticos?


No

son

exactamente

iguales

sino

aproximados ya que en los resultados


prcticos no se puede identificar ese pequeo
porcentaje de perdida lo que si se lo puede
hacer en el caso experimental en cada
medicin que se realiza.
Mediante

la

prctica

realizada

se

comprob la polarizacin directa en el


Figura 3. Red de diodos de Si en paralelo

diodo?
Si se pudo comprobar ya que cuando el

2. Mida los siguientes parmetros y llene la

diodo se encontraba en polarizacin directa

tabla 4. E, VD1, VD2, VR, IR, ID1, ID2.


3. Para el circuito de la figura 3 polarizar

por medio de la medicin con el multmetro

inversamente los diodos, repetir el


procedimiento anterior y anotar todos
los valores en la tabla 5.

se verifico que el diodo si conduca


corriente.

En la prctica realizada se pudo verificar

Se pudo encender el led conectado en el

si un diodo puede actuar como conductor

circuito sin ningn problema e identificar

o aislante?

el nodo y ctodo del mismo?

Si se puede verificar ya que al conectarle al

Mediante la correcta realizacin del circuito

diodo en polarizacin directa este si conduce

y con la resistencia indicada, si se logr

corriente mientras que en polarizacin

encender el led sin ningn problema en el

inversa este no conduce.

circuito adems se identific su ctodo (-)

Cundo se conecta en el circuito en


paralelo los diodos de silicio y germanio
que pasa con el diodo de silicio?

que es su lado achatado de su estructura que


recubre al led.
6. RESULTADOS

En la seccin diodo de silicio se convierte en


una circuito abierto y este no conduce por lo
que la corriente se dirige por el diodo de
germanio ya que este tiene menor voltaje
(0.3 V)
Tabla 1
Magnitud

ID
Intensidad

Valor

R
E
VD1
VD2
VR
IR
Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin en
Intensidad
la fuente
el diodo 1
el diodo 2
la
en la R
resistencia
5.6 K
9V
0.6 V
0.6 V
7.85 V
1.39 mA

medido
Valor

5.6 K

1.36 mA

9V

0.7 V

0.7 V

7.6 V

1.36 mA

en el diodo
1.39 mA

calculado
Tabla 2
Magnitud

Valor
medido

R
E
VD1
VD2
VR
IR
Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin en
Intensidad
la fuente
el diodo 1
el diodo 2
la
en la R
resistencia
5.6 K
9V
-1.97 V
8.87 V
0.2 V
0 mA

ID
Intensidad
en el diodo
0 mA

Valor

5.6 K

9V

0V

9V

0V

0 mA

0 mA

calculado
Tabla 3
Magnitud

R
E
VDSi
VDGe
VR
IDSi
Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin en
Intensidad
la fuente
el diodo 1
el diodo 2
la

Valor

5.6 K

12 V

0.6 V

0.3 V

resistencia
11.1 V

medido
Valor

5.6 K

12 V

0.7 V

0.3 V

11 V

R
Resistenc

E
Tensin

ia

en

IDGe
Intensidad

1.9 mA

1.9 mA

1.96 mA

1.96 mA

calculado
Tabla 4
Magnitud

VD1
Tensin
la en

VD2
Tensin
el en

VR
Tensin
el en

IR
Intensida
la

fuente

diodo 1

diodo 2

resistenci

d en la R

ID 1
Intensida

ID 2
Intensida

d en el d en el
diodo 1

diodo 2

Valor

1 K

9V

0.647 V

0.647 V

a
8.35 V

8.4 mA

3.48 mA

3.28 mA

medido
Valor

1 K

9V

0.7 V

0.7 V

8.3 V

8.3 mA

4.15 mA

4.15 mA

R
Resistenc

E
Tensin

VD1
Tensin

VD2
Tensin

VR
Tensin

IR

ID 1
Intensida

ID 2
Intensida

ia

en

calculado
Tabla 5
Magnitud

fuente

la en
diodo 1

el en

el en

Intensida
la

diodo 2

resistenci

Valor

1 K

9V

9V

9V

a
-0.1 mV

medido
Valor

1 K

9V

9V

9V

0 mV

calculado
Tabla 6

d en la R

d en el d en el
diodo 1

diodo 2

0 mA

0 mA

0 mA

0 mA

0 mA

0 mA

Magnitud R
Resistenc
ia

E
Tensin
en

VDSi
Tensin
la en

fuente

VDGe
Tensin
el en

diodo 1

VR
Tensin
el en

IR
Intensida
la d en la R

IDSi
Intensida

IDGe
Intensidad

diodo 2

resistenci
5.38 mA

0 mA

5.36 mA

Valor

2.2 K

12 V

0.334 V

0.335 V

a
11.68 V

medido
Valor

2.2 K

12 V

0.3 V

0.3 V

11.7 V

5.31 mA

0 mA

5.31 mA

E
Tensin

VD
Tensin

VDled
Tensin

VR
Tensin

IR
Intensida

ID

IDled
Intensidad

calculado
Tabla 7
Magnitud R
Resistenc
ia

Valor

en

0.68 K

medido
Valor

la en

el en el led

fuente

diodo 1

12 V

0.71 V

en

la d en la R

12 V

0.7 V

resistenci
2.1 V

a
9.21 V
mA

0.68 K

Intensida

1.8 V

9.5 V

calculado

mA

7. CONCLUSIONES (mnimo 3)

13.63 13.63

13.63 mA

mA
13.97 13.97

13.97 mA

mA

Se deber seguir un orden coherente


en el ensamble del circuito para no
presentar

En

esta

experiencia

se

ha

corroborado de manera prctica las

inconvenientes

en

la

obtencin de los voltajes.


El cambio de las terminales de

se

medicin del multmetro hace que el

diodo

diodo se polarice inversamente, ya

semiconductor. Como por ejemplo la

que al seleccionar resistencia hmica

polarizacin directa e inversa


Comparando los resultados de la

en el multmetro, este funciona

tabla 6 se llega a la conclusin de

la comprobacin del estado del

que el diodo de germanio es el que

diodo.

aplicaciones

tericas

explicaron

de

que

un

menos voltaje necesita para cada


corriente, al contrario el silicio.

como una fuente DC y hace posible

8. RECOMENDACIONES

Comprobar

que

las

resistencias

TEORA

DE

CIRCUITOS

funcionen correctamente antes de

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,

armar el circuito.
Para medir las intensidades se debe

BOYLESTAD

abrir el circuito para no producir un

PRENTICE HALL.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,

corto.
Colocar correctamente el nodo y el
ctodo segn la lnea de corriente.

9. BIBLIOGRAFIA.

&

NASHELSKY,

dcima edicin, 2009, PEARSON

FLOYD

THOMAS

edicin,

2007,

EDUCACI

L,

octava

PEARSON

Potrebbero piacerti anche