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n p (0 ) = n p 0 e
V BE
VT
n p (WB ) = n p 0 e
V BC
VT
I C = AqDn
definindo I s =
n p ( 0)
WB
dn p ( x)
IC =
dx
J n = qDn
AqDn n p 0
WB
V BE
VT
n p ( 0)
WB
V BE
AqDn ni2 VT
e
IC =
WB N D
Corrente de base
I B1 =
qAD p
I B1 = qA
onde p nE (0) = p nE 0 e
p nE (0)
Lp
D p p nE 0
Lp
V BE
VT
I B1 = qA
V BE
VT
D pn2
i
Lp ND
V BE
VT
n p ( 0) W B
I B2 =
Qe
= qA
n p ( 0) W B
2 n
V BE
n p0 WB
I
=
qA
e VT
B
2 n
I B 2 = qA
n 2 WB
i
2 n N A
V BE
VT
Portanto,
D p n 2 n 2 WB
i
+ i
I B = I B1 + I B 2 I B = qA
L
N
p D 2 n N A
V BE
VT
e
IC e
F =
V BE
VT
IB e
1
D p WB N A
+
2 b Dn Dn L p N D
WB2
V BE
VT
F =
IC
IB
ND
W B , N
A
F CI 50 500
transistores laterais 10 100
Corrente de emissor
I
I
I E = IC + I B = IC + C = C
F =
F
1+ F
F =
onde
F =
1
T
D p WB N A
1+
+
2 b Dn Dn L p N D
WB2
1
W B2
1+
2 b Dn
1
eficincia de injeo de emissor
D p WB N A
1+
Dn L p N D
Efeito Early
I C
VCE
IC =
V
qAD n n i2
exp BE
QB
VT
I dQB
I C
= C
QB dVCE
VCE
VA =
IC
I C
VCE
dWB
variaes pequenas para junes polarizadas reversamente cte
dVCE
transistores de base estreita tem IC com grande dependncia de VCE
IC = I S e
V BE
VT
V
1 + CE
VA
Regio de saturao
Juno base-emissor e juno base-coletor polarizadas diretamente
VCE 0,05-0,3V
Quanto menor for feito forado com relao a F mais saturado est o transistor
Modelo EBERS-MOLL
V BE
V
Uma corrente resulta de np1(x) I ES = I ES e T 1
VBC
Assim,
V BC
V BE
I C = F I ES e T 1 I CS e T 1
V BC
V BE
I E = I ES e T 1 + R I CS e T 1
R razo entre IE/IC quando o transistor estiver operando invertido ( Juno BE polarizada
reversamente e juno BC polarizada diretamente). Valores entre 0,5-0,8.
Assim, o ganho de corrente reverso R ser:
R =
R
1R
valores entre 1 e 5
Considerando:
V BE
I F = I ES e T 1
V BC
V
I R = I CS e T 1
Tem-se:
IC = F I F I R
I C = I F + R I R
I B = (1 F ) I F + (1 + R ) I R
V BC
V BE
V
IS V
I C = I S e T 1
e T 1
V BC
V BE
IS
VT
1 + I S e T 1
IE =
e
F
Configurao base-comum.
F =
IC
> 1 para VCB > 60 V
IE
I C = F I E
1
V
1 CB
BVCBO
Configurao emissor-comum
Anlise mais sutil lacunas gerados so varridas para a base.
I B = ( I C + I E ) I C =
M F
IB
1 M F
F
V
1 CEO
BVCBO
=1
BVCEO
BVCEO
n
Gummel plot.
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Elementos parasitas
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V BE
I CC = I S e T 1
V BC
I EC = I S e T 1
I CT = I CC I EC
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