Apuntes de Diodos

UNSJ FACULTAD DE INGENIERIA
DPTO. ELECTROMECANICA
CARRERA: INGENIERIA ELECTROMECANICA
ELECTRONICA E INSTALACIONES ELECTRICAS INDUSTRIALES
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Caractersticas elctricas de diodos

Diodos semiconductores
Caracterstica I-V
Un diodo se forma al unir un material semiconductor tipo P con otro tipo N.
Como se analiz anteriormente, el comportamiento elctrico del conjunto presenta caractersticas particulares
que se pueden detallar en el plano ID=f(VD).
Este diagrama se denomina CARACTERISTICA I -V DEL DIODO. (Ver Figura)
Observando la figura podemos distinguir 5 zonas a saber:

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1- Regin de conduccin
Primer cuadrante. El diodo esta polarizado en forma directa. Los valores de iD estn comprendido entre unos
pocos uA (microamperes) y la corriente mxima del diodo. La tensin vD esta comprendida entre el valor de
Umbral (0,7 Volt para el Silicio y 0,2 Volt para el Germanio) y un valor que oscila entre 1 a 2 Volt.
En esta regin el diodo se comporta como un buen conductor.
2- Regin de Umbral.
Primer cuadrante. El diodo esta polarizado en sentido directo. La corriente es de unos pocos uA, la tensin esta
comprendida entre cero y el valor de umbral. En la juntura se recombinan los portadores mayoritarios de ambos
lados generndose una "Barrera de potencial. Para anular esta barrera debe aplicarse un potencial en sentido
directo denominada tensin de Umbral. Sobrepasado este valor el diodo comienza a conducir.
3- Regin de polarizacin inversa.
Tercer cuadrante. El diodo esta polarizado en forma inversa para los portadores mayoritarios de ambos
materiales y en forma directa para los minoritarios. La corriente inversa 'Io', depender entonces del nmero de
portadores minoritarios. El valor de esta corriente es muy pequea ( 0,1 a 10 uA, dependiendo del diodo), y
varia sensiblemente con la temperatura, dado que la cantidad de pares electrn - laguna aumentan en relacin
directa con la temperatura, la corriente Io tambin lo hace.
4- Tensin de ruptura Inversa.
Tercer cuadrante. El diodo est polarizado en sentido inverso. Cuando la tensin inversa alcanza un valor
llamado "De Ruptura", la energa del campo externo hace que comience el proceso de avalancha que rompe el
bloqueo de la juntura. Generalmente, si se llega a la tensin de ruptura se produce la destruccin del diodo. Los
diodos Zener funcionan normalmente en esta zona o regin.
5- Regin de Avalancha o Zener.
Tercer cuadrante. El diodo esta polarizado en forma inversa. La corriente inversa por el diodo aumenta
bruscamente para pequeos aumentos de la tensin inversa. Este puede considerarse como un electrn mvil
que choca con el fijo, desalojndolo libre; estos dos electrones liberan a otros dos, etc.

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2-1.1-1 Ecuacin caracterstica de diodo.

La caracterstica de un diodo puede modelar matemticamente a travs de la siguiente funcin:
Id = I (eVd .q / m.k.T 1)
0
Id = corriente a travs del diodo [A].
Vd = tensin en bornes del diodo [V].
I 0 = corriente inversa de saturacin [A].
k = constante de Boltzman,1,38x10 -23 [julios / 0K ].
q = carga del electrn, 1,6 x 10 -19 [culombios].
T = temperatura absoluta [ o K].
m = constante emprica que varia entre 1 y 2 .
A la temperatura ambiente (300 o K),
k .T
25mV
q
3
Id = I (eVd .q / m.k.T 1) = I (eVd / m.25e 1)
0
0
El uso de esta ecuacin queda restringido a los casos para aplicaciones en circuitos de muy baja potencia
(Circuitos de seal), fundamentalmente cuando se requiere aprovechar su caracterstica de funcionamiento del
tipo exponencial. Un ejemplo de esto son los circuitos logaritmadores.

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Modelos estticos del diodo
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura
superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para
programas de simulacin como SIMULINK. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el
fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa.

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Diodos de Potencia
En mltiples equipos elctricos industriales los equipos que controlan o manejan altas potencias, es decir, altos
niveles del corriente y tensin, son utilizados Diodos Rectificadores de Potencia.
, ejemplos de estos equipos son:
Fuentes de corriente contina.

Variadores de velocidad de motores de C.C.
Alimentadores de electro frenos.
Alimentadores de campo de mquinas sincrnicas.
etc.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una
alta intensidad con una pequea cada de tensin. Polarizados en sentido inverso, deben ser capaces de
soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.
Nota: Este curso se referir escencialmente a este tipo de diodos.

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Caractersticas de los diodos de potencia
Caractersticas estticas:
Parmetros en estado de bloqueo (polarizacin inversa).
Parmetros en estado conduccin (polarizacin directa).
Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin inverso.
Potencias:
Potencia mxima disipable.
Potencia media disipable en funcin de la temperatura de capsula.
Caractersticas trmicas.
Resistencias trmicas
Proteccin contra sobre intensidades transitorias.
Energa especfica
Caractersticas estticas
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (V RWM ):

Es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura
por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (V RRM ):
Es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM ):
Es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR ):
Si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
caractersticas del mismo.
Tensin inversa continua (VR ):
Es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Corriente inversa
Cuando se aplica a un diodo una tensin inversa fluye a travs del mismo una pequea corriente de
prdida. El valor de esta corriente, (microamperes), resulta en comparacin muy pequea con respecto a
la corriente directa cuyo rango va de los mili amperes a varios cientos de amperes (segn el tamao del
diodo). El valor de la corriente inversa aumenta lentamente y luego tiende a permanecer constante a
medida que aumenta la tensin inversa , esto es debido a que no se dispone de mas portadores
minoritarios para la conduccin de corriente, o bien se satur la disponibilidad de portadores
minoritarios. Si la disipacin inversa es elevada (caso de tensiones inversas grandes), se produce un
aumento de la temperatura de la juntura. Esto hace que la corriente inversa aumente. Este aumento
provoca a su vez mayor disipacin trmica, aumentando mas la temperatura de juntura, generndose as
un efecto de embalamiento que puede provocar la destruccin del diodo.
Si la tensin inversa llega al valor de tensin de ruptura del diodo, la corriente inversa crece
violentamente y con ello la disipacin trmica, provocndose la destruccin de la estructura cristalina
por temperatura.

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Parmetros en conduccin
Corriente directa.
El rgimen de corriente directa de un DIODO se expresa como el mximo valor de corriente para una
determinada temperatura de cpsula.
En estas condiciones, la potencia disipada establecer una temperatura de juntura cercana o igual al
valor mximo especificado. Como la corriente sobre un DIODO en normalmente pulsante, se
establecen regimenes mximos en trminos de:
Corriente media
I media
Corriente de pico
I pico
Corriente eficaz
I eficaz
Siendo posible expresar cualquiera de estos tres valores en funcin de los otros dos. Para aclarar esto
repasamos los conceptos de valor medio y eficaz.
Corriente transitoria.
El funcionamiento de los equipos suele producirse transitorios de valor anormalmente elevado de
corriente debido a la carga de capacitores, conmutaciones de carga o cortocircuitos.
El rectificador puede absorber hasta un cierto lmite la elevada disipacin que se produce durante los
transitorios de corta duracin, sin que se produzca algn efecto ms all de la elevacin de
temperatura en la juntura.
La mxima corriente transitoria queda determinada por la amplitud y la duracin del transitorio. Es
decir a una mayor amplitud transitoria de corriente por DIODO, menor tiempo de duracin deber
tener el mismo y viceversa.
Los fabricantes suelen especificar la mxima corriente transitoria con una grfica en cuyo eje de
abcisa figura la duracin en microsegundos y sobre el eje de ordenadas la corriente.
Para diodos rectificadores de silicio, las hojas de datos (Data Sheet), suelen indicar los siguiente
parmetros relacionados con la corriente:
Intensidad media nominal (I F(AV) ): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos

sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (I FRM ): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (I FSM ): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (I F ): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de
conduccin.

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Cada de tensin en sentido directo.

La cada de tensin que se produce en la conduccin de corriente en sentido directo, determina la
mayor parte de las perdidas de potencia en un rectificador de silicio. Por lo tanto, esta caracterstica
forma la base de la mayora de las especificaciones del fabricante, cuando indica los regmenes de
mxima corriente.
Normalmente un diodo rectificador de silicio (DIODO), requiere una cada de tensin entre 0,4 a 0,8
volt, dependiendo de la temperatura y de la concentracin de impurezas de la juntura P-N, antes de que
comience a circular por el mismo una corriente significativa. Este valor de tensin denominado tensin
de umbral se lo toma comnmente igual a 0,7 Volt con un gradiente por temperatura negativo de 20mV / C. (Ver en la ecuacin del diodo la dependencia con la temperatura).
La inversa de la pendiente de la caracterstica I-V representa resistencia dinmica del rectificador, los
diodos rectificadores de potencia presentan una elevada pendiente en su caracterstica I-V en la zona
de conduccin porque su resistencia dinmica es pequea.
En la figura se observa que cuando la temperatura aumenta la tensin de umbral disminuye, este efecto
es positivo ya que disminuye la disipacin de potencia del diodo cuando los niveles de corriente son
grandes.
Este efecto compensador, si bien es beneficioso desde el punto de vista trmico, afecta la distribucin
de corriente cuando se conectan dos o ms diodos en paralelo.

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Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente.

Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF.
Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad
di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante.
La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga
espacial.
La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo
(IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
t a (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
t b (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la
prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
t rr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de t a y t b .
Q rr : se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica

de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
I rr : es el pico negativo de la intensidad.

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Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (P mx )
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que
disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (P AV )
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se
desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Se define la potencia media (PAV ) que puede disipar el dispositivo, como:
Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:
y como :
es la intensidad media nominal
es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :
Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada
por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y
el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
Potencia inversa de pico repetitiva (P RRM )
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repetitiva (P RSM )
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

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Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin juntura (T jmx )
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range"
(margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro
mximo.
Temperatura de almacenamiento (T stg )
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El

fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica juntura-cpsula (R jc )
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no

dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
R jc = (T jmx - T c ) / Pmx
siendo T c la temperatura de la capsula y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica capsula-disipador (R cd )
Es la resistencia existente entre la capsula del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se

supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante,
etc.).

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Proteccin contra sobre intensidades
Principales causas de sobre intensidades

La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga,
debido a cualquier causa o picos de corriente, como en el caso de alimentacin de motores, carga de
condesadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Esta corriente de pico, se presenta durante lapsos de tiempos muy cortos que aportan una cantidad de calor
a la juntura muy considerable (Recuerde que la potencia disipada es proporcional al valor eficaz de la
corriente, sensible al valor de pico de la misma).
Estas sobrecargas pueden considerarse del tipo adiabticas (El corto lapso en que se producen el calor
disipado es despreciable), que se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, pasando
esta de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los
ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
En este rgimen la cantidad de Energa E, para derretir el material sensible de un fusible depende de tres
factores:
Tiempo
Resistencia elctrica
corriente eficaz
El nico factor propio del fusible u elemento sometido a un impulso de corriente, es su resistencia, entonces
una forma de especificar el valor mximo de energa que soporta es el producto dando el valor I2t:
E = i 2 .R.t i 2 .t =
E
R
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus
caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no
se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y
no el diodo.
Este rgimen de los diodos resulta un nmero de mrito til, que suministra el fabricante para la eleccin
del fusible con criterios de coordinacin.

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Definiciones
Valor medio de la corriente y tensin.
El valor medio de cualquier magnitud variable en un intervalo de tiempo dado es el valor constante que multiplicado por el intervalo de tiempo dado es
igual a la integral de la magnitud variable dada tomada entre los lmites del mismo intervalo; de esta manera el valor medio correspondiente al intervalo
sealado representa la misma rea del grfico (en funcin del tiempo) qu la magnitud variable dada; adems, las reas de las superficies que estn debajo
del ej e de las abscisas se consideran negativas.
Los grficos de tensin y corriente de los circuitos de corriente alterna tienen, generalmente, una forma tal que en el transcurso de cada perodo completo
el rea de la superficie del grfico que se halla sobre el eje de abscisas es igual al rea de la superficie que se encuentra debajo de este eje.
Por esta razn los valores medios de estas magnitudes correspondientes a un perodo entero son iguales a cero, y cuando se trata de valor medio de la
corriente y tensin, se entiende el valor medio correspondiente a un semiperodo considerado entre dos valores consecutivos iguales a cero de estas
magnitudes.
As, por ejemplo, el valor medio de corriente alterna es:
2 T /2
i (t ) dt
T 0
Si la corriente es senoidal :
i(t ) = I pico sen( .t )
Im ed =
Im ed = I pico .
T /2
sen( .t ).dt =
Integramos en medio periodo :

Im ed =
I pico
I pico
. sen( .t ).dt =
.[cos( .t )] = 2.
0
I pico
Puesto que :
2.
Luego : T = 2.
.T =
T
2
Im ed = .I pico 0,64.I pico
Anlogamente podemos expresar el valor medio de la tensin.

Valores eficaces de la corriente y la tensin.
En la Tcnica de las corrientes alternas hay que ocuparse frecuentemente de los efectos trmicos y mecnicos de la corriente.
Tanto el rgimen de produccin de calor, como, en muchos casos, la magnitud de las fuerzas mecnicas, son proporcionales al cuadrado del valor de la
corriente. Por esta razn, tratndose de corriente alterna, el rgimen medio
De produccin de calor y, correspondientemente el valor medio de las fuerzas mecnicas, resultan proporcionales al valor medio del cuadrado de la
corriente tomado sobre un perodo completo.
La raz cuadrada de esta magnitud, es decir, el valor medio cuadrtico de la corriente, que se expresa como sigue:
T
I eficaz =
1 2
. i (t ).dt
T 0
Se llama valor eficaz de la corriente.

En otros trminos el valor eficaz de la corriente alterna es igual al valor de una corriente continua que en un lapso igual a un periodo produce en una
resistencia cualquiera la misma cantidad de calor que la corriente alterna.
En efecto, esta cantidad de calor es igual a:
T
Q = i 2 .R.dt = R. i 2 .dt = I 2 .R.T

Para corriente alterna senoidal se tiene:
2.
I eficaz
1
2
=
. I pico
. sen 2 ( .t ).dt =
.T 0
2
I pico
= 0,707.I pico

es decir el valor eficaz de una corriente senoidal es
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2 veces menor que su amplitud.
Como los diodos permiten el paso de la corriente en un solo sentido, la conduccin se desarrolla solamente
cuando este se polariza directamente, en un semiciclo del ciclo completo de la onda senoidal de corriente alterna
(En aplicaciones monofsicas). Por lo tanto la corriente media I media es solamente la mitad del valor
considerado para el ciclo completo, y la corriente eficaz I eficaz es igual a la raz cuadrada de la mitad del valor
medio de los cuadrados para conduccin de ciclo completo.
Cuando el ngulo de conduccin disminuye como ocurre en aplicaciones polifsicas, el valor de la corriente
media tambin lo hace, no obstante el valor eficaz de la corriente (que provoca la disipacin de calor), no
diminuye en la misma medida, aumentado, en relacin al valor medio.
Es por esto que para distintos ngulos de conduccin del DIODO, la corriente mxima directa media cambia.

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ESTRUCTURA DE UNA HOJA DE CARACTERSTICAS

En la prctica vamos a trabajar con una serie de hojas de caractersticas que nos sern proporcionadas por los
distintos fabricantes.
Toda hoja de caractersticas suele estructurarse de la siguiente forma:
Descripcin externa y enfatizada de las caractersticas ms interesantes del elemento. Ambas se

efectan de una forma general y sin incorporar medidas o parmetros especficos. Adicionalmente
puede darse el patillaje del elemento.
Valores lmites: se corresponden con las caractersticas del elemento. Normalmente el fabricante
agrupar las caractersticas por grupos (trmicas, dinmicas, estticas, etc...), indicando en todo
momento las condiciones en que se han realizado las medidas para obtener los valores dados. Los
valores se suelen dar indicando los extremos mximos y mnimos admisibles, tambin puede darse el
valor tpico o medio en algunos fabricantes.
A continuacin se presentarn las curvas caractersticas ms apropiadas al tipo de diodo que tratemos.
Normalmente habr una serie de curvas que aparecern en todas las hojas sea cual sea el tipo de diodo y
otras que slo las dar el fabricante si son necesarias para poder trabajar con el elemento. Tambin es

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posible que se adjunte la definicin de algn parmetro para comprender mejor los datos
proporcionados.
Adicionalmente el fabricante puede proporcionar los circuitos empleados para efectuar las medidas de
una o todas las caractersticas, adems de la explicacin de algn parmetro importante.
Finalmente se aaden las caractersticas mecnicas del elemento, que proporcionan las medidas del
mismo para su correcta situacin y montaje.

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Hay que resaltar el hecho de que cada fabricante puede alterar segn su conveniencia el orden de la estructura
dada, anular alguna parte, o aadir informacin adicional (como tablas de conversin, referencia rpida de la
familia, etc.).

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Circuitos simples con diodos

Recta de carga de corriente contina
Para realizar un anlisis grfico y analtico de un componente no lineal, en este caso el diodo, asociado a
componentes circuitales de comportamiento lineal (fuentes de tensin, fuentes de corrientes, resistencias,
reactancias etc.), en un mismo plano se dibuja la caracterstica IV del diodo y la caracterstica de
funcionamiento del resto del circuito, representado por la Recta de Carga. La intercepcin de la
caracterstica del diodo y la recta de carga representa el punto de funcionamiento del circuito.
A los efectos de aplicar lo antes dicho, analizaremos el circuito de la figura, considerando que la tensin vi(t)
valga:
a) Alimentacin con tensin de corriente contina.
vi(t)= Cte
b) Alimentacin con tensin senoidal pura.
vi(t)= Vim . Sen(wt)
c) Alimentacin con tensin compuesta (Seal dbil).
vi(t)= Vdc + Vim . Sen(wt) , donde Vim<<Vdc
Para el anlisis de estos tres casos reemplazamos el circuito asociado externamente al diodo, por su equivalente
Thevenin, siendo este:
VT = vi
RT = RL + ri
Siendo VT la tensin de Thevenin
y RT la Impedancia de Thevenin.
El circuito queda como:

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El circuito exterior representado por su equivalente Thevenin tendr entre sus terminales (A,B) la tensin vD y
por l circular una corriente iD. Entonces su ecuacin de funcionamiento puede representarse en el mismo
plano que la ecuacin caracterstica del diodo, considerada:
iD = I 0 (e
v D q / m.kT
1)
El funcionamiento del circuito externo al diodo es representado en el plano vD, iD, por la Recta de carga de
corriente continua.
Dicha ecuacin se puede determinar conociendo dos puntos de la misma, en general resulta prctico determinar
los siguientes puntos:
Si vD=0 , iD= VT/RT Ordenada al Origen
Si iD=0 , vD= VT
El punto donde la recta corta a la abscisa
La figura representa lo indicado:

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La ecuacin de la recta es:
y = p.x + b
1
vD
vD +
iD =
RT
RT
1
vi
1
iD =
vD +
=
(vi vD)
RL + ri
RL + ri RL + ri
p=
1
RL + ri
(pendiente)
Considerado el planteo efectuado anteriormente:

a) Si vi = cte=Vi
La corriente y tensin del diodo queda determinado por la igualdad:
1
v
(vi vD) = iD = I 0 (e D q / m. k T 1)
RL + ri
Resolviendo analticamente esta igualdad por algn mtodo iterativo, permite determinar el valor de VDQ,
consecuentemente reemplazando en una de las ecuaciones se puede determinar IDQ.
Generalmente la resolucin grfica es la ms conveniente. Ver la figura.
En la interseccin de ambas curvas queda determinado el punto Q de funcionamiento del circuito.
b) vi(t)= Vim . Sen(wt) => Senoidal

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Como de observa en la figura el punto Q se desplazar alternativamente entre Q1 y Q2, que corresponden a
vi=+Vim y vi=-Vim respectivamente.
La solucin grfica en la determinacin de iD=f(t) se observa en la siguiente figura:

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Vemos que la corriente iD se Rectifica, es decir queda bloqueada medio ciclo y ademas se deforma debido a la
caracterstica no lineal del diodo.
Este tipo de anlisis es vlido cuando el valor de Vim es pequeo, del orden de la tensin de umbral del diodo.
Cuando Vim es de varias decenas de Volt, como en el caso de un circuito rectificador de potencia donde Vim
>> 0,7 Volt se desprecia la cada en el diodo cuando este esta polarizado en sentido directo.
c) vi(t)= Vdc + Vim . Sen(wt) , donde Vim<<Vdc => Seal dbil

Cuando se trabaja con seal dbil, el desplazamiento del punto Q respecto de su posicin definida por Vdc. Ver
figura., es pequeo. Entonces se puede considerar lineal su caracterstica entorno de dicho punto. Esta
linealizacin supone que el diodo posee una resistencia fija = rd , denominada Resistencia dinmica del diodo.
Podemos descomponer la corriente del mismo en un valor de fijo IDQ determinado por Vdc y otro variable
determinado por la componente senoidal: Vim.Sen(wt) es decir:

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Si se determina graficamente el valor de VDQ e IDQ, analizamos

la seal por separado siendo :
iD = IDQ + Idm sen( .t )
donde :
Idm =
Vim
(ri + rd + RL)
El valor de rd (Resistencia dinmica), puede estimarse a partir de la ecuacin del diodo de la sgte. forma:
La pendiente de la caracterstica I-V del diodo en el punto Q de funcionamiento es la inversa de su resistencia en
dicho punto. Si cambiamos el punto Q de funcionamiento, cambiar tambin la pendiente y por lo tanto
alrededor de dicho punto deber considerarse otro valor de resistencia. Por esto dicha resistencia se la denomina
"Dinmica".

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Entonces:
rd =
d
diD
d
v
v
=
I 0 (e D q / m . k T 1)
I 0e D q / m . k T
dvD
dvD dvD
rd = I 0e
v D q / m.kT
q
q
= iD
m.K .T
m.K .T
Si i D corresponde a Q
rd
25mV
m.K.T/q
m.
a 300 0K
I DQ
I DQ

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Conexin de diodos en serie

En una cadena de diodos conectados en serie sin equilibrar se presentan grandes diferencias en la distribucin de
tensiones a travs de cada uno de los diodos debida a las inevitables dispersiones de sus caractersticas, como
muestra la fig.. Como puede verse, Las impedancias equivalentes varan continuamente al conmutar la serie de
diodos de un estado a otro.
Cuando la cadena se polariza en sentido inverso despus de la conduccin directa, se presenta una situacin
de conduccin inversa; la desigual distribucin de tensin depende de la capacidad de la unin de cada diodo y
de
el tierno de recuperacin. El diodo que haya almacenado la carga menor ser el primero en crear una barrera de
potencial, con lo que absorber toda la tensin inversa.
Durante el estado de polarizacin inversa, las diferencias de resistencia de fuga
producirn nuevamente una mala distribucin de la tensin.
Debido a la corriente de fuga comn el diodo que tenga resistencia ms elevada tomar la mayor parte de la
tensin inversa aplicada.
El efecto de una desigual distribucin de tensin se elimina colocando un resistor cuyo valor est comprendido
entre 1/3 y 1/10 del valor previsto para la mnima resistencia de fuga del diodo.
Se puede aadir en paralelo con cada diodo un capacitor para hacer frente a las condiciones dinmicas.
Los capacitores aportan suficiente equilibrio cuando los diodos pasan al estado de conduccin, pues el
transitorio que se produce en este caso es menor que para la recuperacin inversa.

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Conexin en paralelo de diodos.

Si se conectan diodos de potencia en paralelo es preciso asegurar una adecuada distribucin la corriente Para
equilibrar la corriente se pueden utilizar distintas tcnicas, pero adems debern seleccionarse diodos apareados
cuyas curvas caractersticas y comportamiento trmico se eligen similares para acotar los limites del
desequilibrio.
La figura muestra como se produce la mala distribucin de las corrientes por dos diodos conectados en paralelo.
Cuando aumenta la temperatura se produce un aumento de la resistencia dinmica del diodo, pero an mas
apreciable es la disminucin de la tensin de umbral (2mV/C), esto hace que el proceso de desequilibrio se
acentu. Es decir que el diodo que ms conduce, se calentar mas, entonces conducir mas an debido a la
disminucin de su tensin de umbral. Este proceso denominado embalamiento puede provocar que la
distribucin inadecuada termine por la destruccin de algn diodo.
La tcnica ms comn y econmica de lograr una mejor distribucin es la conexin a cada diodo de una
resistencia en serie, cuyo valor es de 1 a tres veces el valor de la dinmica del diodo.
La figura muestra como se produce el equilibrado.

PAG. 27

Apuntes de Diodos

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Caractersticas elctricas de diodos

Observando la figura podemos distinguir 5 zonas a saber:

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2-1.1-1 Ecuacin caracterstica de diodo.

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Modelos estticos del diodo

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Fuentes de corriente contina.

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Caractersticas de los diodos de potencia

Tensin inversa de pico de trabajo (V RWM ):

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Intensidad media nominal (I F(AV) ): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos

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Cada de tensin en sentido directo.

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Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente.

Q rr : se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica

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Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

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Temperatura de la unin juntura (T jmx )

Temperatura de almacenamiento (T stg )

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El

Resistencia trmica juntura-cpsula (R jc )

Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no

Resistencia trmica capsula-disipador (R cd )

Es la resistencia existente entre la capsula del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se

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Proteccin contra sobre intensidades

Principales causas de sobre intensidades

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Integramos en medio periodo :

Anlogamente podemos expresar el valor medio de la tensin.

Se llama valor eficaz de la corriente.

Q = i 2 .R.dt = R. i 2 .dt = I 2 .R.T

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2 veces menor que su amplitud.

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ESTRUCTURA DE UNA HOJA DE CARACTERSTICAS

Descripcin externa y enfatizada de las caractersticas ms interesantes del elemento. Ambas se

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Circuitos simples con diodos

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La ecuacin de la recta es:

Considerado el planteo efectuado anteriormente:

En la interseccin de ambas curvas queda determinado el punto Q de funcionamiento del circuito.

b) vi(t)= Vim . Sen(wt) => Senoidal

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La solucin grfica en la determinacin de iD=f(t) se observa en la siguiente figura:

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c) vi(t)= Vdc + Vim . Sen(wt) , donde Vim<<Vdc => Seal dbil

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Si se determina graficamente el valor de VDQ e IDQ, analizamos

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