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AMPLIFICADORES DE VOLTAJE CON BJT

INTEGRANTES:
SERGIO DANIEL CARDONA
COD: 1065998365
KATHY OSORIO CARMONA
COD: 1102870698
ANDRS LPEZ OSORIO
COD: 1121912350
MATERIA:
ELECTRNICA I

DOCENTE:
ING.ESP. JULIO CSAR OSPINO
FACULTAD DE:
FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITETURA.
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
30/11/2016

Objetivo General
Anlisis de un amplificador emisor comn basado en un bipolar.
Objetivos Especficos

Calcular y medir los parmetros bsicos del amplificador Ri, Ro y

Vo
Vs

Procedimiento
Informacin
Amplificador de pequea seal
El amplificador es sumamente importante en los sistemas electrnicos, el amplificador de
pequea seal se diferencia del amplificador de gran seal porque tiene valores de tensin de
pocos milivoltios, para trabajar necesitan que el transistor est operando en modo activo directo,
las caractersticas ms importantes en un amplificador son su ganancia, impedancia de entrada e
impedancia de salida.
Un amplificador de tensin produce una seal de salida con la misma forma de onda que la seal
de entrada, pero con mayor amplitud, la ganancia de define como la relacin entre la seal de
salida y la de entrada
El amplificador de tensin se modela utilizando una fuente controlada de tensin. El modelo
incluye una resistencia Ri entre terminales de entrada, y una resistencia Ro en serie con los
terminales de salida (la tensin Vo variar segn el valor de la carga conectada a la salida segn
la ley de ohm).
Transconductancia y transresistencia
Amplificador de tensin: la propiedad de ganancia se presenta por una fuente de tensin
controlada por tensin.

Amplificador de corriente: la propiedad de ganancia se representa por una fuente de corriente

controlada por corriente. En este caso la resistencia de salida est en paralelo. La ganancia de la
fuente se llama de corriente en cortocircuito.

Amplificador de transconductancia: se modela con una fuente de corriente controlada por

tensin. La ganancia de transconductancia se da en cortocircuito.

Amplificador de transresistencia: se modela con fuente de tensin controlada por corriente. La

ganancia de transresistencia se da en circuito abierto.

Transistor Bipolar
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. El dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que va ubicada en el emisor, en funcin de la situacin de las uniones,
existen dos tipos: NPN y PNP.
La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base-Colector en inversa
(modo activo-directo). As, por la unin Base-Colector circula una corriente inversa, en el
transistor NPN, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base (electrones). Al polarizar la
unin Base-Emisor en directa y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden
del emisor llegan a la base, con mucho menor nmero de huecos, por lo que son atrados por el
colector (con alta concentracin de impurezas).

Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal
semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C), el emisor
emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base, en el colector se recogen
los portadores que no puede acaparar la base.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad
mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor de amplificacin se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:

Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por I b
(corriente que pasa por la patilla base). IC = x IB
IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) x I B, pero se redondea al
mismo valor que IC, slo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso de
sale l, o viceversa

Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo diferente. En la regin

Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente controlada. (Amplificacin), en el modo
Corte nicamente circulan las corrientes inversas de saturacin de las uniones. Es casi un
interruptor abierto, en Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es pequea, y se
puede asemejar a un interruptor cerrado y en el modo Activo inverso, no tiene utilidad en
amplificacin.

Listado de componentes
1 Resistencia de 150 k
1 Resistencia de 22 k
1 Resistencia de 50
1 Resistencia de 3 k
1 Resistencia de 2 k
1 Resistencia de 20 k
1 Transistor BC547C
1 Transistor 2N2222A
1 Fuente variable 17V
1 Condensador 33F
1 Condensador 47F
1 Condensador 220F
Justificacin de componentes
Utilizamos los componentes especificados en la lista dado que son comerciales y nos
permiten trabajar bajos las condiciones o especificaciones dadas por el docente,
Los materiales fueron asignados por el docente.
Clculos
PRIMER CIRCUITO

Para el transistor BC547; =490

Hiptesis: Se supone que el BJT est operando en saturacin
1. VBE= VBEON= 0,7 V
2. 0V VCE 0,3 V
3. VCE =0,2 V
IC
<180
4.
; IC <180 IB
IB

LVK en la malla 1
-24V + 220K IB + VBE + 2,7K IE = 0
220K IB + 2,7K IE = 24V 0,7 V

VCEO= 40V
VCESat = 0,3 V

1
0

220K IB + 2,7K IE = 23,3 V (5)

LVK en la malla 2
-24V + 2,7K Ic + VCE + 2,7K IE = 0
-24V + 2,7K Ic + 0,2 + 2,7K IE = 0
2,7K IC + 2,7K IE = 24V 0,2 V
2,7K IC + 2,7K IE = 23,8 V (6)
Ecuacin auxiliar
IE= IC + IB (7)
Se reemplaza (7) en (5) y (6)
220K IB + 2,7K (IC + IB) = 23,3 V (8)
2,7K IC + 2,7K (IC + IB) = 23, 8 V (9)
Se despeja IB de (8)
220K IB + 2,7K (IC + IB) = 23, 3 V
220K IB + 2,7K IC + 2,7K + IB = 23, 3 V
222,7K IB+ 2,7K IC= 23, 3 V

IB =

23,3 V 2,7 K IC
222,7 K

Se despeja IC de (9)

(10)

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1

2,7K IC + 2,7K IC + 2,7K IB = 23, 8 V

5,4KIC + 2,7K IB = 23, 8 V

IC =

23, 8 V 2,7 K I B
5,4 K

(11)

Se reemplaza (10) en (11)

IC =

23, 8 V
K23,3 V 2,7 K IC
2,7
5,4 K
222,7 K
5,4 K

IC =

23,8
276,28 m32734,62 mIC
5,4 K
5,4 K

IC= 4,407 mA+ 51, 16 A 6, 0619 mIC

IC + 6, 0619 mIC =4, 4581 mA

IC =

4,4581 mA
1006,0619 m

= 4, 4312 mA (12)

Se reemplaza IC en (10)
IB= 50, 9014 A (13)
Se reemplaza (12) y (13) en (7)
IE= (4, 4312 mA) + (50, 9014 A) = 4,4809014 mA

1
2

Para el transistor BC547; =462

Hiptesis: Se supone que el BJT est operando en saturacin

1. VBE= VBEON= 0,7 V
2. 0V VCE 0,3 V
3. VCE =0,2 V
IC
<462
4.
; IC <462 IB
IB

VCEO= 45V

LVK en la malla 1
-24V + 220K IB + VBE + 2,7K IE = 0
220K IB + 2,7K IE = 24V 0,7 V
220K IB + 2,7K IE = 23,3 V (5)
LVK en la malla 2
-24V + 2,7K Ic + VCE + 2,7K IE = 0
-24V + 2,7K Ic + 0,2 + 2,7K IE = 0
2,7K IC + 2,7K IE = 24V 0,2 V
2,7K IC + 2,7K IE = 23,8 V (6)
Ecuacin auxiliar
IE= IC + IB (7)

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3

Se reemplaza (7) en (5) y (6)

220K IB + 2,7K (IC + IB) = 23,3 V (8)
2,7K IC + 2,7K (IC + IB) = 23, 8 V (9)
Se despeja IB de (8)
220K IB + 2,7K (IC + IB) = 23, 3 V
220K IB + 2,7K IC + 2,7K + IB = 23, 3 V
222,7K IB+ 2,7K IC= 23, 3 V

IB =

23,3 V 2,7 K IC
222,7 K

(10)

Se despeja IC de (9)
2,7K IC + 2,7K IC + 2,7K IB = 23, 8 V
5,4KIC + 2,7K IB = 23, 8 V

IC =

23, 8 V 2,7 K I B
5,4 K

(11)

Se reemplaza (10) en (11)

IC =

23, 8 V
K23,3 V 2,7 K IC
2,7
5,4 K
222,7 K
5,4 K

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4

IC =

23,8
276,28 m32734,62 mIC
5,4 K
5,4 K

IC= 4,407 mA+ 51, 16 A 6, 0619 mIC

IC + 6, 0619 mIC =4, 4581 mA

IC =

4,4581 mA
1006,0619 m

= 4, 4312 mA (12)

Se reemplaza IC en (10)
IB= 50, 9014 A (13)
Se reemplaza (12) y (13) en (7)
IE= (4, 4312 mA) + (50, 9014 A) = 4,4809014 mA
SEGUNDO CIRCUITO

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5

Vth=

22 V (10 K )
=1,1578V
180 K +10 K

Rth = 9, 4736 K

Para el transistor 2N3904; =180

Hiptesis: Suponemos que el BJT est operando en modo activo directo
1.
2.
3.
4.
5.

VBE= VBEON= 0,7V

IC= * IB= 180 IB
IE= ( +1) * IB = (181)*IB
IB > 0A ; IC> 0A ; IE > 0A
LVK en la malla 1

VCEO= 40V

-1,1578V + IB (9,4736K) + 0,7 V + IE (3K) = 0

VCESat = 0,3 V

(6)

1
6

Se reemplaza (3) en (6)

-1,1578V + IB (9,4736K) + 0,7 V + (3K) (181)*IB = 0
-1,1578V + IB (9,4736K) + 0,7 V + 543KIB= 0
552,473KIB = 1,1578V 0,7V
552,473KIB = 0,4578V

IB =

0,4578 V
552,473 KIB

= 0, 82863 A (7)

Se reemplaza (7) en (2)

IC= 180 (0,82863 A) = 149,1534 A
Se reemplaza (7) en (4)
IE= 181(0,82863 A) = 149, 98 A
8. LVK en la malla 2
-22V + 3KIC + VCE+ 3K IE = 0
-22V + 3K (149,1534 A) + VCE+ 3K (149, 98 A) = 0
-22+ 0,4474 V + VCE + 0,4499 V = 0
VCE = 22 0,4474 V- 0,4499 V
VCE = 21,1027 V
Para el transistor BC547; =462

1
7

Hiptesis: Suponemos que el BJT est operando en modo activo directo

1.
2.
3.
4.
5.

VBE= VBEON= 0,7V

VCEO= 45V
IC= * IB= 462 IB
IE= ( +1) * IB = (463)*IB
IB > 0A ; IC> 0A ; IE > 0A
LVK en la malla 1
-1,1578V + IB (9,4736K) + 0,7 V + IE (3K) = 0

Se reemplaza (3) en (6)

-1,1578V + IB (9,4736K) + 0,7 V + (3K) (463)*IB = 0
-1,1578V + IB (9,4736K) + 0,7 V + (3K) (463)IB = 0
9,4736K+ (3K) (463)IB = 1,1578V 0,7V
IB = 0,3273 A
Se reemplaza (7) en (2)
IC= 462 (0,3273 A) = 0,1512 mA
Se reemplaza (7) en (4)
IE= 463(0,3273 A) = 0,1515 mA
8. LVK en la malla 2
-22V + 3KIC + VCE+ 3K IE = 0
-22V + 3K (0,1512 mA) + VCE + 3K (0,1515 mA) = 0
-22+ 0,4536 V + VCE + 0,4545 V = 0

(6)

1
8

VCE = 22 0,4536 V - 0,4545 V

VCE = 21,0919 V
Mediciones Directas
CIRCUITO 1
Transistor 2N3904
VR220K= 11,2 V
VR2, 7KIC= 11,9 V
VR2, 7KIE= 12V
VCE= 0,17 V
VBE= 0,69 V
IB= 50,9 A
IC= 4,40 mA
IE= 4, 44 mA
CIRCUITO 1
Transistor BC547
VR220K= 11,3 V
VR2, 7K IC= 12V
VR2, 7K IE=12,2 V
VCE= 0,19 V
VBE= 0, 69 V
IB= 51,36 A
IC=4,44 mA
IE=4,51 mA
CIRCUITO 2
Transistor 2N3904
VR180K= 20,9 V
VR10K= 1,16 V
VR3KIC= 0,5 V
VR3KIE= 0,5 V
VCE= 21,01V
VBE= 0,6 V
IB= 0,88 A
IC=157,5A
IE=157,6 A
CIRCUITO 2
Transistor BC547
VR180K= 20, 7 V
VR10K=1,15 V
VR3KIC=0,5 V
VR3KIE= 0,51 V

1
9

VCE= 21,12 V
VBE=0, 61 V
IB=0, 36 A
IC=0,154 mA
IE= 0, 1535 mA

Conclusiones
Se aprendi a identificar los modos de operacin de los transistores en los
circuitos analizados, entonces se puede concluir que el modo de saturacin el
voltaje colector-emisor se comporta como un corto circuito, por esta razn la
corriente de la base tiende a 0, entonces la corriente del colector es
aproximadamente la corriente del emisor. En cambio en el modo activo directo
aunque la corriente de la base es pequea podemos notar una mayor diferencia

entre la corriente del emisor y la corriente del colector.

Se comprob los valores tericos en la prctica realizada en el laboratorio, dando
a conocer que el anlisis aprendido para los transistores BJT son de gran utilidad
al momento de predecir un comportamiento de un circuito antes de ensamblarlo.

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0

Bibliografa o Infografa
BOYLESTAD, R. L., & NASHELKY, L. (2009). ELECTRNICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS. Naucalpan de Jurez: PEARSON EDUCACIN.
Floy, T. L. (2008). Dispositivos Electrnicos . Naucalpan de Jurez: PEARSON Educacin.
(MrElberni, 2015)

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