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ITM-DIE
CALCULO DE PARAMETROS
Y
OPERACIN EN ESTADO
ESTACIONARIO
DE
LINEAS DE TRANSMISION
ITM-DIE
incrementaron rpidamente desde los 3300 V hasta los 11 kV, usados para transmitir 10
MW desde Niagara Falls a Buffalo, en los Estados Unidos, a 20 millas de distancia, en
el ao de 1896. En 1936 se terminaron dos circuitos de 287 kV para transmitir 240
MW a 266 millas a travs del desierto hasta Los Angeles. La primera lnea de 345 kV
se desarroll a partir de un programa de pruebas de la AEP (American Electric Power)
en 1946 y rpidamente se superpuso al sistema de 138 kV que se usaba extensivamente.
Al mismo tiempo en Suecia se estableci el sistema de 400 kV entre sus plantas
hidroelctricas del norte, hasta los centros de carga de la regin sur.
El sistema de 345 kV estableci la prctica de usar conductores en haz, la
configuracin en V de cadenas de aisladores (con el objeto de restringir oscilaciones), y
el uso de aluminio en estructuras de lneas.
La primeras lnea de 500 kV fue energizada en 1964 en el estado de West Virginia
en EU. Una razn para la preferencia de este nivel de voltaje sobre el nivel de 345 kV
fue que el cambio de 230 kV a 345 kV, representaba una ganancia de solamente 140%
comparada a una ganancia de 400%, cuando el cambio era a 500 kV. La compaa
canadiense Hydro Qubec inaugur su lnea de 375 millas a 735 kV en el mismo ao.
En el ao de 1969 la AEP puso en servicio un nivel de voltaje de 765 kV. Los aos 80
atestiguaron la introduccin de un nivel de voltaje an ms grande en la compaa
estadounidense BPA: el sistema de transmisin de 1100 kV.
La tendencia de introducir voltajes ms grandes est principalmente motivada por el
incremento resultante en la capacidad de la lnea, mientras se reducen las prdidas por
unidad de potencia transmitida. La reduccin de prdidas es significativa y es un
aspecto importante de la conservacin de la energa. Otro beneficio del incremento de
ITM-DIE
capacidad es el mejor uso de la tierra. Esto puede ilustrarse comparando el ancho del
derecho de va de 56 m requerido para el nivel de 1100 kV con una capacidad de 10,000
MW, con el de 76 m requerido para dos lneas de doble circuito en 500 kV para
transmitir la misma capacidad de 10,000 MW.
El propsito de esta unidad 0, es el de desarrollar una comprensin adecuada en la
modelacin de lneas de transmisin, as como analizar su comportamiento. Se iniciar
por discutir los parmetros que caracterizan a la lnea de transmisin area.
PARAMETROS DE LINEAS AEREAS DE TRANSMISION ELECTRICA.
Una lnea de transmisin elctrica es modelada usando cuatro parmetros, que
afectan sus caractersticas de comportamiento. Estos cuatro parmetros son: resistencia
serie, inductancia serie, capacitancia en derivacin y conductancia en derivacin. Los
dos primeros son de suma importancia en muchos estudios de inters. Sin embargo en
algunos estudios es posible omitir los parmetros en derivacin, simplificando con ello
el circuito equivalente considerablemente.
Empezaremos con una discusin breve de la naturaleza de los conductores e
introduciremos terminologa comnmente usada.
Un alambre combinacin de alambres no aislados uno del otro es llamado
conductor.
0.46
nA =
0.005
= 1.1229322 .
ITM-DIE
Observando que nA6 = 2.005 nos conduce a concluir que el dimetro se duplica por
una diferencia de seis calibres.
En conductores trenzados en forma concntrica, cada capa sucesiva contiene seis
alambres ms que en la anterior. Existen dos construcciones bsicas: ncleo de un solo
alambre y ncleo de tres alambres. El nmero total de alambres (N) en un conductor
con n capas sobre el ncleo, est dada por
N = 3n ( n + 1) + 1
N = 3n ( n + 2 ) + 3
A
conductor total de A circular mils y N alambres es d = mils .
N
compuestos:
esencialmente
ACSR
(Aluminium
Conductor
Steel
ITM-DIE
ITM-DIE
RESISTENCIA SERIE.
La resistencia de un conductor es la causa principal de la prdida de potencia en la
lnea de transmisin. La resistencia de corriente directa est dada por la conocida
frmula
RCD =
l
A
ohm
donde
es la resistividad del conductor
l es la longitud
A es el rea de seccin transversal.
Cualquier conjunto consistente de unidades puede ser utilizado en el clculo de la
resistencia. En el sistema Internacional de unidades (SI), se mide en
ohms-
ITM-DIE
Existen sin embargo ciertas limitantes en el uso de esta ecuacin para el clculo de
la resistencia de conductores de la lnea de transmisin:
1. Se introduce un pequeo error cuando el conductor es trenzado y no slido. Esto se
debe a que los filamentos individuales son un poco ms largos que el conductor
mismo.
2. Cuando fluye corriente alterna en un conductor, la densidad de corriente no se
distribuye uniformemente sobre el rea de seccin transversal. Esto se denomina
efecto pelicular y es el resultado de una distribucin de flujo no uniforme en el
conductor. Lo anterior incrementa la resistencia del conductor al reducir el rea
efectiva de seccin transversal a travs de la cual fluye la corriente. Las tablas
proporcionadas por los fabricantes dan la resistencia a frecuencias comerciales de
25, 50 y 60 Hz.
3. La resistencia en conductores magnticos vara de acuerdo a la magnitud de la
corriente. El flujo, y por lo tanto las prdidas magnticas dentro del conductor,
dependen de la magnitud de la corriente. Las tablas de conductores magnticos
tales como ACSR, incluyen los datos de las resistencias a dos diferentes nivels de
conduccin para mostrar el efecto.
4. En una lnea de transmisin no hay uniformidad en la distribucin de la corriente,
en adicin de la causada por el efecto pelicular. En una lnea de dos conductores,
menos lneas de flujo enlazan a los elementos ms cercanos entre si en los lados
opuestos, que las lneas de flujo que enlazan a los elementos ms alejados. De aqu
que los lados ms cercanos tendrn menor inductancia que los elementos en los
lados ms alejados.
ITM-DIE
CONDUCTANCIA EN DERIVACION.
Este parmetro modela bsicamente dos fenmenos que conducen a prdidas de
potencia real: corrientes de fuga en aisladores y efecto corona.
Generalmente las prdidas de potencia real debidas a dichos fenmenos son muy
pequeas comparadas con las prdidas I2 R en los conductores.
ITM-DIE
INDUCTANCIA SERIE.
INDUCTANCIA DE UN CONDUCTOR SLIDO.
La inductancia de un circuito magntico con permeabilidad constante se puede
obtener a travs de:
1. Intensidad de campo magntico H, a partir de la Ley de Ampre.
2. Densidad de campo magntico B (B = H).
3. Encadenamientos de flujo .
4. De la razn I = L .
Calcularemos las inductancias asociadas con el flujo interno, externo y finalmente la
total, que sera la suma de estas. Lo anterior para un conductor slido inicialmente.
Posteriormente calcularemos el flujo que enlaza un conductor en un arreglo de conductores
en los que fluye una corriente.
Supondremos, sin sacrificar precisin y validez de los resultados, las siguientes
simplificaciones:
1. La longitud del conductor es infinita, esto es, se desprecian los llamados efectos
finales.
2. El material del conductor es no-magntico, es decir = 0 = 4 10 7 H/m.
3. Densidad de corriente uniforme, o sea efecto pelicular despreciable.
Consideremos la figura 1, la cual muestra la seccin transversal de un conductor
cilndrico, slido y de una longitud unitaria. Observamos que por simetra las lneas de
flujo del campo magntico es concntrico, y por lo tanto no tienen componente radial sino
nicamente tangencial, aplicamos la Ley de Ampre:
v H dl = I
Lino Coria Cisneros
(0.1)
ITM-DIE
dl
dx
flujo
v H
dl = I x
(0.2)
2 xH x = I x
(0.3)
de donde resolviendo:
x2
IX = 2 I
r
(0.4)
x
I
2 r 2
A-vuelta/m
10
ITM-DIE
xI
2 r 2
Wb/m2
A = dx y d = Bx dx .
De aqu tendremos:
d =
xI
dx
2 r 2
(0.5)
Webers
x2
Ix3
d
=
dx
r2
2 r 4
Wb vuelta / m
De lo anterior tendremos:
Ix3
dx
4
2
r
0
r
int =
de donde finalmente
int =
I
8
Wb-vuelta/m .
r =
H / m y como adems
, entonces r = 1 y tendremos
0
I
2
int = 107
Wb vuelta / m
(0.6)
y de aqu
Lint = 1 2 10 7
H /m
(0.7).
11
ITM-DIE
P1
D1
dx
D2
FLUJO
P2
Bx =
I
2 x
I
2 x
Wb / m 2
12
ITM-DIE
d =
I
dx
2 x
donde Area = dx 1m y por otro lado d = d , ya que el flujo completo enlaza solo una
vez al conductor y entonces tendremos:
12 =
D2
D1
D
I
I
dx =
Ln 2
2 x
2
D1
Wb vuelta / m
para r = 1, tendremos
12 = 2 107 Ln
D2
D1
(0.8).
Wb vuelta / m
L12 = 2 107 Ln
D2
D1
(0.9).
H /m
1
r1
r2
13
ITM-DIE
Los
conductores son slidos y uno de ellos es el retorno del circuito. Sea I la corriente fluyendo
en un conductor y I fluir en el otro. Notamos que una lnea de flujo a una distancia
mayor igual a D + r2 enlaza una corriente neta de valor cero y por lo tanto no induce
voltaje. Por toro lado, el flujo entre r1 y D r2 enlaza una corriente de valor I, mientras que
entre D r2 y D + r2, lo cual constituye la superficie del conductor, la fraccin de corriente
enlazada por el flujo vara de 1 a 0, desde D r2 hasta D + r2, respectivamente.
Consideramos que D es mucho mayor que r1 y r2, y que adems la distribucin de
corriente es uniforme. Por otro lado suponemos que el flujo exterior producido en el
conductor 1 y que se extiende hasta el centro del conductor 2 enlaza una corriente neta
cero, podemos usar (0.9) para obtener para el caso presente:
L1,ext = 2 107 Ln
D
r1
(0.10).
H /m
1
107
2
H /m
Con lo anterior la inductancia total del circuito, debida a la corriente en el conductor 1 ser:
1
D
L1 = + 2 Ln 107
r1
2
(0.11)
H /m
1
D
D
7
L1 = 2 10 + Ln = 2 10 Ln e 4 + Ln
r1
r1
4
L1 = 2 107 Ln
D
r1e
1
4
1
4
= 0.7788r1 , tendremos:
L1 = 2 107 Ln
D
r1'
H /m
(0.12).
D
r2'
H /m.
14
ITM-DIE
Para = constante, las FMM de ambos conductores se suman, as como sus inductancias.
Pare el circuito completo tendremos:
L = L1 + L2 = 4 107 Ln
D
r1' r2'
H /m
(0.13)
D
r'
(0.14).
H /m
D1P
P
D2P
2
D23
3
D3P
DnP
. . .
n
15
ITM-DIE
Sean I1, I2,, In las corrientes que circulan en los respectivos conductores. Sea
adems 1P1, los encadenamientos de flujo del conductor 1 debidos a la corriente I1,
incluyendo el flujo interno, pero excluyendo todo el flujo exterior a P.
De las ecuaciones (0.6) y (0.8):
I1
D
D
+ 2 I1 Ln 1P 107 = 2 107 I1 Ln 1'P
r1
r1
2
1P1 =
Wb vuelta / m
Por otro lado, 1P2 es el flujo que enlaza al conductor 1 y debido a la corriente I2,
pero excluyendo el flujo despus del punto P y est dado por:
D2 P
D12
Finalmente 1Pnes el flujo que enlaza al conductor 1 debido a In, la corriente
1P 2 = 2 107 I 2 Ln
fluyendo por el conductor n, y acotado por la distancia al punto P, el cual estar dado por:
DnP
D1n
al flujo que enlaza al conductor 1 y debido a la corriente
1Pn = 2 107 I n Ln
Si denotamos como 1P
fluyendo en todos los conductores, pero excluyendo el flujo despus del punto P, este ser
igual a la suma de los flujos antes mencionados, es decir
1P = 2 107 I1 Ln
D
D
D1P
D
+ I 2 Ln 2 P + I 3 Ln 3 P + ...... + I n Ln nP
'
r1
D12
D13
D1n
(0.15)
1P = 2 107 I1 Ln
1
1
1
+ I 2 Ln
+ ...... + I n Ln
+ I1 Ln D1P + I 2 Ln D2 P + ... + I n Ln DnP
'
D12
D1n
r1
1P = 2 107 I1 Ln
D( n 1) P
D
D
1
1
1
+ I 2 Ln
+ ...... + I n Ln
+ I1 Ln 1P + I 2 Ln 2 P + ... + I ( n 1) Ln
'
r1
D12
D1n
DnP
DnP
DnP
16
ITM-DIE
DiP
1 , con lo
DnP
DiP
0.
DnP
Tomando en cuenta lo arriba expuesto en la ltima ecuacin obtenemos finalmente
1 = 2 107 I1 Ln
1
1
1
+ I 2 Ln
+ ...... + I n Ln
'
D12
D1n
r1
Wb vuelta / m
(0.16).
I
K =1
= 0.
..
.
..
.
m
n
a
CONDUCTOR X
CONDUCTOR Y
17
ITM-DIE
idnticos. Suponemos que la corriente se reparte de manera uniforme, de tal manera que
sta se reparte igualmente en todos los filamentos o torzales, es decir, una corriente I/n en
cada filamento del conductor X, mientras que I/m fluye en cada filamento del conductor Y.
Si hacemos uso de la ecuacin (0.16) en el filamento a del conductor X obtenemos
I
n
a = 2 107 Ln
1
1
1
+ Ln
+ ...... + Ln
'
Dab
Dan
ra
1
1
1
7 I
+ Ln
+ ... + Ln
2 10
Ln
m Daa '
Dab '
Dam
por lo que
1 m)
a = 2 10
(
Daa ' Dab ' Dac ' ...Dan ' )
(
I Ln
(r D
'
a
ab
Dac ...Dan )
Wb vuelta / m
(1 n )
(0.17)
La =
( I n)
( D D D ...D )
Ln aa ' ab ' ac ' am
1m
= 2 n 10
(r D
'
a
ab
H /m
Dac ...Dan )
1n
(0.18)
Lb =
( I n)
= 2 n 10 Ln
(D
'
ba rb Dac ...Dbn )
1n
H /m
(0.19)
LX =
Lprom
n
L + Lb + Lc + ... + Ln
La + Lb + Lc + ... + Ln
Lprom = a
2
n
n
(0.20)
18
ITM-DIE
LX =
Lprom
n
La + Lb + Lc + ... + Ln
n2
(0.21).
+ Ln
+ ... + Ln
LX = (1 n ) 2 n 10 Ln
1n
1n
1n
'
'
r
D
D
...
D
D
r
D
...
D
(
)
(
)
( Dna Dnc ...rn' )
a ab ac
an
ba b bc
bn
Sustituyendo ra' , rb' ,... por Daa , Dbb ,... respectivamente, obtenemos finalmente
( Daa ' Dab ' ...Dam )( Dba ' Dbb ' ...Dbm ) ... ( Dna ' Dnb ' ...Dnm ) mn
LX = 2 107 Ln
1 n2
( Daa Dab Dac ...Dan )( Dba Dbb Dbc ...Dbn ) ... ( Dna Dnc ...Dnn )
H / m (0.22)
LX = 2 107 Ln
Dm
Ds
H /m
(0.23).
19
ITM-DIE
a = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln + I c Ln
'
D
D
r
a = 2 107 I a Ln
1
1
+ ( I b + I c ) Ln
'
D
r
Wb vuelta / m
a = 2 107 I a Ln
1
1
D
I a Ln = 2 107 I a Ln '
'
D
r
r
Wb vuelta / m
20
ITM-DIE
de donde finalmente
La = 2 107 Ln
D
r
(0.24).
H /m
Las ecuaciones para las fases b y c son iguales por simetra y la ecuacin (0.24) nos define
la inductancia de la lnea por fase, para la lnea trifsica con arreglo equidistante. La
ecuacin (0.24) es vlida para el caso general si consideramos DS en lugar de r para el caso
de conductores trenzados.
1
D12
D31
D23
Cond a
Cond c
Cond b
Cond b
Cond a
Cond c
Cond c
Cond b
Cond a
Pos 1
Pos 2
Pos 3
l/3
l/3
l/3
21
ITM-DIE
a1 = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln
+ I c Ln
r
D12
D13
Wb vuelta / m
a 2 = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln
+ I c Ln
r
D23
D12
Wb vuelta / m
a 3 = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln
+ I c Ln
r
D31
D23
Wb vuelta / m
a =
a1 + a 2 + a 3
3
2 107
1
1
1
=
+ I c Ln
3 I a Ln + I b Ln
.
3
r
D12 D23 D31
D12 D23 D31
a =
2 107
3
1
1
3 I a Ln I a Ln
.
r
D12 D23 D31
13
a = 2 10 I a Ln
7
Wb vuelta / m
(0.25)
22
ITM-DIE
Finalmente obtenemos
La =
Deq
a
= 2 107 Ln
Ia
r
(0.26)
H /m
Deq
DS
. Aqu
DS = GMR del conductor, mientras que Deq = Media Geomtrica de las distancias.
2
N
2
B
4
N
3
N 1
23
ITM-DIE
de donde obtenemos:
R=
2 sen ( N )
2 R sen 2 R sen
2 R sen .... 2 R sen
N
N
N
N
N
N
N
de donde obtenemos:
2
N 1
N 1
GMR = DS = r ( 2 R )
sen sen
....sen
N
N
N
1N
12
3
3
= ( 3rR 2 )
13
2
3
= ( 4rR 3 )
14
24
ITM-DIE
2
5
6
6
6
= ( 6rR 5 )
16
En general tenemos:
GMR = ( NrR N 1 )
1N
Por esto tratamos aqu explcitamente dicho caso, aunque con las bases proporcionadas
hasta ahora, su anlisis no resulta difcil, ni mucho menos novedoso.
D3
D3
g
f
p
B
D2
p
D2
1a seccin
D2
D1
D1
D3
D1
B
2a seccin
B
3a seccin
a1 = 2 107 I a Ln
1
1
1
1
1
1
+ Ln + I b Ln
+ Ln + I c Ln
+ Ln .
r
f
D3
g
D2
h
25
ITM-DIE
a 2 = 2 107 I a Ln
1
1
1
1
1
1
+ Ln + I b Ln
+ Ln + I c Ln
+ Ln .
r
p
D1
g
D3
g
a 3 = 2 107 I a Ln
1
1
1
1
1
1
+ Ln + I b Ln
+ Ln + I c Ln
+ Ln .
r
f
D2
h
g
D1
1
( a1 + a 2 + a 3 ) , por lo que
3
2 107
1
1
1
1
1
1
+ Ln 2 + I c Ln
+ Ln 2
a =
I a 3 Ln + Ln 2 + I b Ln
3
r
f p
g h
g h
D1 D2 D3
D1 D2 D3
a =
2 107
1
1
1
1
+ Ln 2 .
I a 3 Ln + Ln 2 + ( I b + I c ) Ln
3
r
f p
g h
D1 D2 D3
a =
2 107
3
a = 2 10
1
1
2
I a 3 Ln + Ln 2 + I a Ln ( D1 D2 D3 g h )
r
f p
13
1
1
2
I a Ln + Ln
+ Ln ( D1 D2 D3 g h )
13
2
r
( f p)
factorizando obtenemos:
( D D D )1 3
a = 2 10 I a Ln 1 2 3
r
g 2 3 h 1 3
f p
Wb-vuelta/m
26
ITM-DIE
Y de aqu finalmente
La =
a
Ia
= 2 10
( D D D )1 3
1 2 3
Ln
r
g 2 3 h 1 3
f p
H /m.
CAPACITANCIA.
CAMPO ELECTRICO Y VOLTAJE EN UN CONDUCTOR CILINDRICO
SOLIDO.
Otro parmetro en la lnea de transmisin es la capacitancia. Este parmetro modela
el campo elctrico que se establece entre los conductores de la lnea de transmisin, y entre
los conductores y tierra, y que es debido a la presencia de carga en dichos conductores.
La capacitancia entre conductores en un medio de permitividad constante se puede
obtener como sigue:
1. A partir de la ley de Gauss obtenemos la intensidad de campo elctrico E.
2. En funcin de la intensidad de campo elctrico, obtenemos el voltaje entre
conductores, y finalmente
3. Conocido el voltaje podemos obtener la capacitancia por unidad de voltaje
( C = q/V ).
Antes de seguir con el procedimiento indicado arriba, es importante mencionar que
el mtodo descrito no es el nico, pero uno de los ms usados. Para estudiar
procedimientos alternativos, se sugiere al lector consultar los libros listados en la
bibliografa.
La ley de Gauss establece que
D ds = E ds = Q
encerrada
(27)
donde:
D: Densidad de flujo elctrico
E: Intensidad de campo elctrico
27
ITM-DIE
P2
V12
P1
+
+
1m
+
+
EX
Ex ( 2 x )(1) = Q
28
ITM-DIE
(0.28)
V /m
2 x
V12 =
dx
(0.29)
D1
D2
D2
2 x dx = 2 Ln D
volts
(0.30).
D1
...
.
rm
m
Dmk
+
Dmi
V ki
_
2
1
29
ITM-DIE
Sea Vkim el voltaje entre los conductores k e i debido a la carga qm actuando sola.
Entonces el valor de este voltaje estar dado por la ecuacin
Vkim =
qm Ln
Dmi
Dmk
(0.31)
volts
Vki =
1
2
q
m =1
Ln
Dmi
Dmk
voltios
(0.32).
I
-I
rX
rY
30
ITM-DIE
Vxy =
Dyx
Dyy
Dyx Dxy
1
q
q Ln
Ln
q Ln
=
2
Dxx
Dxy 2
Dxx Dyy
(0.33)
Vxy =
Ln
D
rx ry
voltios
(0.34).
=
Vxy Ln D
rx ry
F / m linea linea
(0.35).
C xy =
Ln
D
r
F / m linea linea
(0.36).
31
ITM-DIE
LINEA TRIFASICA.
Consideremos la lnea trifsica mostrada en la figura 13.
Vab =
Dab
D
D
1
+ qb Ln bb + qc Ln bc
qa Ln
Daa
Dab
2
Dac
Vab =
1
D
r
D
qa Ln + qb Ln + qc Ln
2
r
D
D
(0.37)
Vab =
1
D
r
+
q
Ln
q
Ln
a
b
2
r
D
(0.37).
32
El tercer trmino qc Ln
ITM-DIE
D
= 0 debido a que los conductores a y b son equidistantes del
D
Vac =
Dca
D
D
1
+ qb Ln cb + qc Ln cc
qa Ln
Daa
Dab
Dac
2
Vac =
1
D
r
+
q
Ln
q
Ln
a
c
2
r
D
D
= 0 , obtenemos:
D
(0.38)
voltios
3
1
Vac = Vca = 3 Van 300 = 3 Van
j
2
2
(0.39)
D
D
2qa Ln + ( qb + qc ) Ln
r
D
33
ITM-DIE
Van =
1
2
qa Ln
D
r
(0.40)
voltios
Can =
qa
=
Van
2
D
Ln
r
F / m linea neutro
(0.41).
Adems debido a la simetra del caso, se obtienen los mismos resultados para las otras
fases:
Cbn =
qb
Vbn
Ccn =
qc
.
Vcn
34
ITM-DIE
Cualquier otra
(b,a,c)
2
D12
D23
1
(a,c,b)
3
D31
(c,b,a)
35
ITM-DIE
Vab1 =
D
1
D12
r
+ qb1 Ln
+ qc1 Ln 23
qa1 Ln
r
D12
D13
2
(0.42)
Vab 2 =
D23
D
1
r
+ qb 2 Ln
+ qc 2 Ln 31
qa 2 Ln
r
D23
D12
2
(0.43)
Vab 3 =
D31
1
r
D
+ qb 3 Ln
+ qc 3 Ln 12
qa 3 Ln
r
D31
D23
2
(0.44).
Si despreciamos la cada de voltaje en cada seccin, Vab ser igual en todo el ciclo
de transposicin.
ecuaciones ms que igualen a cero la suma de las cargas en cada seccin del ciclo de
transposicin.
conduce a la obtencin de las 9 cargas qai , qbi , qci para i = 1, 2,3 . Lo anterior, aunque
posible, es muy complicado y optamos por una alternativa diferente para obtener la
solucin.
Supondremos, sin menoscabo de la validez de este anlisis, que :
qa1 = qa 2 = qa 3
qb1 = qb 2 = qb 3
qc1 = qc 2 = qc 3
(0.45).
Vab( promedio ) =
1
(Vab1 + Vab 2 + Vab3 )
3
36
ITM-DIE
Vab =
+ qc Ln
.
b
3
6
r
Notar que el argumento del ltimo trmino logartmico de esta ecuacin es igual a
uno, por lo que esta expresin se reduce a:
Vab =
Deq
1
r
+ qb Ln
qa Ln
2
r
Deq
(0.46)
Vac =
Deq
1
r
+ qc Ln
qa Ln
2
r
Deq
(0.47)
Deq
Deq
1
1
r
qa Ln
2 qa Ln
=
3 qa Ln
r
2
r
Deq 2
de donde obtenemos
Van =
Deq
qa
Ln
r
2
(0.48)
Can =
qa
2
=
Deq
Van
Ln
r
F / m a neutro
(0.49).
37
ITM-DIE
En esta seccin, analizaremos una lnea de transmisin trifsica con haces de dos
conductores por fase. Suponemos que las cargas qa, qb, y qc son las cargas de las fases y
que cumplen la condicin: qa + qb + qc = 0 . Adems suponemos que cada conductor de
fase ( a y a por ejemplo) tiene una carga igual a la mitad de la carga por fase (qa/2 en fase
a). Por otro lado haremos la suposicin de que los espaciamientos entre fases son mucho
mayores que los espaciamientos entre los conductores del haz, por ejemplo,
( Dab d ) o ( Dab + d ) = D .
d
Dab
Dbc
Dac
m=
a ,a,b, b, c, c tenemos:
Vab =
Dab qa
D
q
D
q
D
q
D
q
D
1 qa
+ Ln ab ' + b Ln bb + b Ln bb ' + c Ln bc + c Ln bc '
Ln
Daa 2
Daa ' 2
Dab 2
Dab ' 2
Dac 2
Dac '
2 2
=
r
Dbc Dbc
d qc
1 qa
Dab Dab qb
+
Ln
Ln
+
+
+
+
Ln
d 2
2 2
r
Dab Dab 2
Dac Dac
=
Dab
D
rd
1
+ qb Ln
+ qc Ln bc
qa Ln
Dab
Dac
2
rd
(0.50)
rd en (0.33), obtenemos la
ecuacin (0.50).
38
ITM-DIE
C1 = C2 =
2
Deq
Ln
Dsc
(0.51)
F /m
14
13
Amp
(0.52)
= YxyVxy2 = C xyVxy2
(0.54).
y la potencia reactiva:
QC =
Vxy2
XC
Para una lnea trifsica transpuesta con voltajes Van = Van 00 en fase a:
I c = YVan = j C1VLN
Amp
(0.55)
2
Qc1 = YVan2 = C1VLN
var s
(0.56)
2
Qc 3 = 3 Qc1 = 3C1VLN
= C1VLL2
var s
(0.57)
39
ITM-DIE
EFECTO DE TIERRA.
Si observamos la ecuacin (0.30), vemos que si el argumento del logaritmo permanece
constante, el potencial entre dos puntos en el espacio tambin ser constante, es decir, todos
los puntos del espacio donde la razn ( D2 D1 ) , ( r2 r1 ) en la grfica, permanece constante.
El lugar geomtrico descrito por la condicin mencionada lo constituyen las curvas
mostradas, las cuales se denominadas crculos armnicos. Estas representan las superficies
equipotenciales alrededor de la lnea. En este caso no hay ningn otro conductor en la
vecindad, lo cual incluye por supuesto a tierra.
40
ITM-DIE
41
ITM-DIE
Reemplazamos ahora la tierra por un conductor del mismo radio que el original y
situado directamente debajo de este y con signo contrario al original, tal como se muestra
en la figura 17.
Se puede observar de la figura 17, que podemos quitar el plano de tierra sin que el
patrn de lneas de campo elctrico se altere; por tanto el efecto de tierra se puede simular a
travs de la carga de signo contraria agregada, la cual se denomina carga imagen.
Aplicamos este mtodo al caso de una lnea monofsica, lo cual se muestra en la
figura 18.
42
+Q
ITM-DIE
-Q
H
HXY
HXX
-Q
+Q
Vxy =
Dyy
H yx
H yy
q Dxy
Ln
Ln
+ Ln
Ln
2 Dxx
Dxy
H xx
H xy
=
H yx H xy
q Dyx Dxy
Ln
Ln
2 Dxx Dyy
H xx H yy
H xy
q D
Ln Ln
.
H xx
r
C xy =
q
=
Vxy
H xy
D
Ln Ln
r
H xx
F /m
(0.58)
43
ITM-DIE
Consideremos una lnea trifsica con N conductores neutros (hilos de guarda), como
se muestra en la figura 19.
n1
n2
nN
. .. .
b
Dan1
PLANO DE TIERRA
Haa
Hab
a
c
. .. .
n1
n2
nN
Los
conductores
a, b, c, n1 , n2 ,..., nnN
conducen
cargas
Vkk =
=
H km nN
D
1 nN
q
Ln
qm Ln km
m
2 m = a
Dkm m = a
H km
2
nN
q
2
m=a
Ln
H km
Dkm
(0.59).
44
ITM-DIE
1
1
Vkn = Vkk =
2
2
nN
m=a
Ln
H km
Dkm
(0.60)
donde:
k = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
m = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
Por otro lado, todos los conductores est aterrizados y por lo tanto:
Vkn = 0
para k = n1 , n2 ,...., nN
(0.61).
Pab
Pac
Pan1
. . .
Pbb
Pcb
Pbc
Pcc
Pbn1
Pcn1
. . .
. . .
.
.
.
.
.
.
. . .
. . .
. . .
PnNb
PnNc
PnNn1
. . .
. . .
PanN qa
PbnN qb
PcnN qc
. qn1
. .
. .
. .
PnNnN qnN
(0.62)
Pkm =
1
2
Ln
H km
Dkm
m/ F
(0.63)
donde:
k = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
m = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
La ecuacin (0.62) se puede escribir en forma particionada:
VP PA
0 = P
C
PB qP
PD qn
(0.64)
45
ITM-DIE
VP = PA qP + PB qn
(0.65)
0 = PC qP + PD qn
(0.66).
qn = PD1 PC qP
(0.67)
VP = ( PA PB PD1 PC ) q p
(0.68)
qP = CPVP
(0.69)
donde:
CP = ( PA PB PD1 PC )
F/m
(0.69)
Caa
CP = Cba
Cca
Cab
Cbb
Ccb
Cac
Cbc F / m
Ccc
(0.70)
46
ITM-DIE
CP es una matriz cuyos elementos diagonales son positivos y los de fuera de la diagonal son
negativos. Lo anterior est de acuerdo con el hecho de que cuando se aplica un voltaje de
fase a neutro positivo en una de las fases, se induce carga positiva en esa fase y por otro
lado se inducen cargas negativas en las otras fases.
En general CP no satisface las condiciones para una matriz de capacitancias
simtrica. Sin embargo, si la lnea es transpuesta, los elementos diagonales y fuera de la
diagonal de CP se promedian y obtendremos:
C aa
C P = C ab
Cab
C ab
C
aa
C ab
C ab
C ab F / m
C aa
(0.71)
donde:
1
C aa = ( Caa + Cbb + Ccc )
3
1
C ab = ( Cab + Cbc + Cac )
3
F /m
F /m
YP = j CP = j ( 2 f ) CP
S /m
(0.72)
YP = jC P = j ( 2 f ) C P
S /m
(0.73)
47
ITM-DIE
-ab
-ab
-ab
c
aa+2ab
aa+2ab
aa+2ab
48
ITM-DIE
Esto
49
ITM-DIE
IR
IS
+
RED DE DOS
PUERTOS
VS
_
VR
_
voltios
I S = CVR + D I R
amp
(1)
en forma matricial:
VS A B VR
I = C D I
R
S
(2)
AD BC = 1
(3).
50
IS
ITM-DIE
IR
Z=zl=(R+jL)l
VS
VR
_
y = G + j C
Z = zl
Y = yl
% RV =
VR 0 VR
VR
100
l = longitud de la lnea m.
Para obtener los parmetros ABCD para este modelo de lnea corta aplicamos LVK (Ley de
Voltajes de Kirchhoff) y LCK (Ley de Corrientes de Kirchhoff) al circuito de la figura 2:
VS = VR + Z I R
(4)
IS = IR
(5)
VS 1 Z VR
I = 0 1 I
R
S
(6)
p.u.
B=Z
C=0
S.
Si la longitud de la lnea supera los 80 Km., pero no rebasa los 250 Km., es decir,
80 l 250 Km., la admitancia capacitiva en derivacin no puede despreciarse, aunque
an la consideracin de parmetros concentrados no hace diferencia importante an en los
51
ITM-DIE
IS
IR
Z=zl=(R+jL)l
VS
Y/2=yl/2
Y/2=yl/2
VR
VS = VR + Z I R + R = 1 +
VR + ZI R
2
2
(7)
IS = IR + R + S
2
2
(8)
VR Y YZ
Y
+ 1 +
VR + ZI R
2
2
lo cual conduce a:
YZ
YZ
I S = Y 1 +
VR + 1 +
IR
4
2
(9).
52
ITM-DIE
Z
1+
V
2
VS
R
=
I
S Y 1 + YZ 1 + YZ I R
4
2
(10).
A = D = 1+
YZ
2
B=Z
p.u.
YZ
C = Y 1 +
S.
% RV =
VR 0 VR
VR
100
donde:
53
ITM-DIE
54
ITM-DIE
I(x+x)
I(x)
zx
V(x)
yx
V(x+x)
(x+x)
V ( x + x ) = V ( x ) + ( z x ) I ( x )
voltios
(13)
de aqu:
zI ( x ) =
V ( x + x ) V ( x )
x
= zI ( x )
(14).
I ( x + x ) = I ( x ) + ( yx ) V ( x + x )
(15)
= yV ( x + x ) .
55
ITM-DIE
= yV ( x )
(16).
=z
dI ( x )
dx
= zyV ( x )
de donde
d 2V ( x )
dx 2
zyV ( x ) = 0
(17)
V ( x ) = A1e x + A2 e x voltios
(18)
donde:
A1 y A2 son constantes de integracin
= zy
m1
(19)
A1e x A2 e x dV x
( )
= A1e x A2 e x = zI ( x )
ZC
dx
56
ITM-DIE
A1e x A2 e x
.
z
De la ecuacin (19):
z y=
z
zy
z
.
y
Definimos entonces:
ZC =
z
y
(20),
(21).
A1 A2
ZC
(22)
de donde obtenemos:
VR + Z C I R
2
V ZC I R
A2 = R
2
A1 =
(23).
V + Z C I R x VR Z C I R x
V ( x) = R
e
e +
2
2
(24)
V + Z C I R x VR Z C I R x
I ( x) = R
e
e +
2ZC
2ZC
(25).
57
ITM-DIE
Factorizando estas dos ltimas ecuaciones obtenemos, una forma matemtica ms adecuada
de expresar los voltajes y corrientes anteriores:
e l = e (
l + j l )
I ( x) =
x
x
= e l e j l = e l l V x = e + e
( )
2
1
ZC
e x e x
e x + e x
V
+
R
2
e x e x
V
Z
+
R
C
2
IR
IR
(26)
(27).
V ( x ) = cosh ( x ) VR + ZC senh ( x ) I R
(28)
1
senh ( x ) VR + cosh ( x ) I R
ZC
(29).
I ( x) =
=
I
x
(
)
C ( x ) D ( x ) I R
(30)
donde:
A ( x ) = D ( x ) = cosh ( x )
B ( x ) = ZC sen h ( x )
1
sen h ( x )
ZC
C ( x) =
p.u.
(30)
VS A B VR
I = C D I
R
S
(31)
donde:
A ( l ) = D ( l ) = cosh ( l )
B ( l ) = ZC sen h ( l )
1
sen h ( l )
ZC
C (l ) =
p.u.
(31)
58
ITM-DIE
= + j
m 1
(32).
= e l e j l = e l l
(33).
e l = e(
l + j l )
Los resultados obtenidos hasta este punto, no dan una idea clara del fenmeno
fsico, y resulta imprescindible para un ingeniero comprender el fenmeno desde un punto
de vista ms real. Lo anterior se debe a que las ecuaciones en trmino fasoriales son
prcticas en cuanto al clculo se refiere, pero la mencionada visin fsica se dar
nicamente si tenemos la informacin en el dominio del tiempo.
Para esto debemos escribir las ecuaciones obtenidas arriba en funcin del tiempo,
siguiendo los conceptos de la definicin de fasor. Para esto empezamos recordando la
definicin de = + j , la constante de propagacin. Las componentes de esta constante
son, : constante de atenuacin, y : constante de fase.
Empezamos escribiendo la ecuacin (24) como
V ( x) =
VR + Z C I R x j ( x +1 ) VR Z C I R x j ( x 2 )
e e
+
e e
2
2
(34)
donde
1 (VR + I R ZC )
2 (VR I R ZC )
V + Z C I R x j (t + x +1 )
V Z C I R x j (t x 2 )
+ 2 R
v x ( t ) = e 2 R
e e
e e
2
2
(35).
Vemos que el voltaje instantneo consiste de dos trminos, cada uno de los cuales es una
funcin de dos variables, distancia y tiempo. Entonces representan ondas viajeras. Si
consideramos que el voltaje instantneo se compone de:
59
ITM-DIE
vx = vx1 + vx 2
(36),
podemos analizar cada componente por separado y ver como se comportan. Empezamos
analizando vx1 , donde
vx1 = 2
VR + Z C I R x
e cos (t + x + 1 )
2
(37).
t
. A esta onda
t
t+t
x
t
, por lo que la onda se mueve en
el sentido contrario a la onda incidente, es decir del punto de recepcin al punto de envo,
por lo que se denomina a esta onda reflejada. Esta onda senoidalmente distribuida, por
60
ITM-DIE
t+t
t
x
CIRCUITO EQUIVALENTE.
Adems de los parmetros ABCD para el modelo de lnea larga, es conveniente
IR
VS
Y/2
Y/2
VR
61
ITM-DIE
Con referencia al circuito de la figura 27, vemos que las ecuaciones obtenidas en el modelo
de lnea media, usando el circuito nominal, son vlidas en el caso del circuito de dicha
figura, nada ms tomando en cuenta que los parmetros en el presente caso son diferentes,
distinguidos a travs de la comilla superior.
Y Z
2
p.u.
(38)
Y Z
C = Y 1 +
z
senh ( l )
y
(39).
l zy
(40)
donde:
F1 =
senh ( l )
p.u.
(40).
Y Z
= cosh ( l )
2
de donde:
Y cosh ( l ) 1
=
.
2
Z
Adems
tanh ( l 2 ) =
cosh ( l ) 1
senh ( l )
62
ITM-DIE
Y yl tanh ( l 2 ) yl tanh ( l 2 )
=
=
2
2
z yl 2
zy l 2
y 2
Y Y
= F2
2 2
(41)
donde:
F2 =
tanh ( l 2 )
l 2
p.u.
(41).
Las ecuaciones (40) y (41) nos dan los factores de correccin F1 y F2 para
convertir Z y Y del circuito nominal a Z y Y del circuito equivalente.
z = jL
/m
y = jC
S/m.
63
ITM-DIE
ZC =
jL
=
jC
z
=
y
( jL)( jC ) =
= zy =
donde = LC
L
C
j LC = j
m-1
m-1
ZC es real para el caso de lnea sin prdidas. ZC se denomina, para el caso sin prdidas,
impedancia natural (surge impedance en ingls). es imaginaria pura.
Parmetros ABCD.
Los parmetros ABCD, para lnea sin prdidas son, de (31')
e jx + e jx
= cos( x )
2
(42)
pu
pu
senh(x ) j sen( x )
=
ZC
L
C
L
sen( x )
C
(43)
(44)
64
ITM-DIE
(45).
jl
j l
tanh
senh
2
2 Y
Y' Y
=
=
jl
jl
2 2
2 jl
cosh
2
2
2
jCl
=
2
Y ' jC' l
=
2 2
l
l
j sen
tan
2
jCl 2
=
jl l 2 l
cos
2
2 2
(46).
Observamos lo siguiente: Z' y Y' son imaginarios puros. Para l < radianes, Z' es
inductiva pura y Y' es capacitiva pura. El circuito equivalente para lnea sin prdidas ser
como se muestra en la figura 28.
IS
IR
VSj
_
Y/2
Y/2
VRj0
_
65
ITM-DIE
donde:
sen( l )
Z ' = ( jLl )
= jx '
l
Y'
=
2
l
tan
jCl 2 jC ' l
=
2 l
2
2
S.
Longitud de onda.
La longitud de onda es la distancia requerida para cambiar la fase del voltaje corriente por
2 rads 3600.
Para la lnea sin prdidas:
I ( x ) = C( x )VR + D( x ) I R = j
sen( x )
VR + cos( x ) I R
ZC
2
1
=
LC f LC
(47)
(48)
(49).
1
LC
(50)
LC 3 10
Para lneas de
3 108
m/s y a 60 Hz
= 5 10 6 m = 5,000 km.
60
66
ITM-DIE
Es la potencia enviada por una lnea sin prdidas a una carga resistiva igual a la impedancia
caracterstica Z C =
L
.
C
VR
V ( x ) = cos( x )V R + j sen( x ) I R = cos( x )VR + jZ C sen( x )
ZC
= ( cos( x ) + j sen( x ))V R = e jxV R
(51)
volts
de donde vemos que: |V(x)| = |VR|. Lo anterior implica que al SIL el perfil de voltaje de la
lnea es plano, sea que la magnitud de voltaje es constante a lo largo de toda la lnea.
I ( x) =
V
j sen( x )
VR + cos( x ) R
ZC
ZC
I ( x ) = ( cos( x ) + j sen( x ))
VR
VR
= ( e jx )
ZC
ZC
Amp (52).
e jxVR
VR
= ( e V R )
=
ZC
ZC
jx
(53).
67
ITM-DIE
Por lo tanto, el flujo de potencia real a lo largo de la lnea al SIL permanece constante. El
flujo de potencia reactiva es cero, lo que indica, que la potencia reactiva producida por
efecto capacitivo es consumida en la inductancia serie de la propia lnea.
A voltaje nominal, la potencia real suministrada SIL ser:
2
Vnom
SIL =
ZC
(54)
Perfiles de voltaje. La figura que se muestra abajo proporciona los perfiles de voltaje,
para el caso de un voltaje de envo fijo de magnitud VS desde x = 0y x = l = /4. Se
muestran cuatro condiciones:
1. En vaco, IRNL = 0 y de (51): V NL ( x ) = cos( x )VRNL . Vemos que el voltaje se incrementa
en el lado de envo de VS = cos( l )VRNL , en el lado de envo, a VRNL en el lado de recepcin.
2. De (51) al SIL vemos que el perfil de voltaje es plano.
3. Para carga en corto circuito (ZL = 0), VRSC = 0 y la ecuacin (47) nos conduce a:
VSC ( x ) = ( Z C sen( x )) I RSC
(55)
Vemos que el voltaje decrece de VS = (sen l)(ZCIRSC) ,en el lado de envo, a un valor de
VRSC=0, en el lado de recepcin.
4. El perfil de voltaje a plena carga depende de la corriente a plena carga IFL, y est
entre el perfil al SIL y a corto circuito.
68
ITM-DIE
entre VS y VR.
IS
IR
VRj0
Y/2
Y/2
VSj
_
Aplicando LVK
IR =
=
VS VR Y'
VR
Z'
2
VS e j VR jC' l
VR
jx'
2
(56)
VS e j VR
jC' l 2
S R = V I = VR
VR
+
2
jx'
R R
VS e j VR jC' l 2
= VR
VR
+
jx'
2
(57)
P = PS = PR = Re{S R } =
Pmax =
Lino Coria Cisneros
VS VR
x'
VRVS
sen
x'
(58)
(59)
69
ITM-DIE
/2
P=
VS VR sen VS VR
=
Z C sen l Z C
sen
2 l
sen
(60)
VS VR Vnom
P=
Vnom Vnom Z C
sen
2 l
sen
sen
2l
sen
(61)
Pmax =
sen
(62)
70
ITM-DIE
La ecuacin (59) revela dos aspectos acerca del lmite de estabilidad en estado estable:
10 Se incrementa con el cuadrado del voltaje de lnea.
20 Decrece con la longitud de la lnea (debido a que aumenta x').
Cargabilidad.
El nivel de carga de la lnea de transmisin, (expresado en % del SIL) como funcin de la
longitud de la lnea, que es permisible considerando los lmites: trmico, de cada de voltaje
, y de estabilidad de estado estable, se denomina cargabilidad. En la figura se muestran las
curvas de cargabilidad de lneas de transmisin no compensadas, para VSpu = Vrpu = 1.0 pu.
A = cosh( l) = AA
B = Z' = Z' Z
71
VS = VS
ITM-DIE
VR = VR 0
VS e j ( Z ) AVR e j ( A Z )
S R = PR + jQR = V I = VR
Z'
R R
VR VS j( Z ) AVR2 j( Z A )
e
e
=
Z'
Z'
(63).
De aqu:
VR VS
AVR2
PR = Re{S R } =
cos( Z )
cos( Z A )
Z'
Z'
Q R = Im{S R } =
VR VS
AVR2
sen( Z )
sen( Z A )
Z'
Z'
(64)
(65)
Para la lnea sin prdidas: A = 00, B = Z' = jx', Z' = x' , Z = 900 y podemos simplificar la
expresin para PR :
PR =
VR VS
AVR2
cos( 90 )
cos( 90 0 )
x'
x'
72
PR =
VR VS
sen
x'
ITM-DIE
(66).
PR max
VR VS AVR2
=
cos( Z A )
Z'
Z'
(67)
73