IMPERFEIES

CRISTALINAS

Prof. Marcos Dorigo Manfrinato

O QUE UM DEFEITO?

uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do

material, do meio ambiente, e das circunstncias
sob as quais o cristal processado.

A adio de impurezas em um metal puro pode

melhorar suas propriedades
Exemplos:
A prata pura adquire maior dureza e resistncia
mecnica se lhe for adicionado cobre (7,5% em
peso)
Em um semicondutor so adicionadas pequenas
concentraes de tomos de impurezas para
controle de propriedades eltricas.

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais

associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares

uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais

(fronteiras) duas
dimenses

Defeitos volumtricos

trs dimenses

DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel

Ocorrem em slidos inicos

VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um tomo
So formados durante a
solidificao do cristal ou
como resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)

VACNCIAS OU VAZIOS

O nmero de vacncias aumenta

exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT)

Nv= nmero de vacncias

N= nmero total de stios atmicos

Qv= energia requerida para formao de

vacncias

K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K

ou
8,62x10-5 eV/ at.K

VACNCIAS OU VAZIOS

EXEMPLO: Calcular a frao de lacunas (Nv/N) para o cobre

na temperatura ambiente (293 K) e na temperatura de 1350 K.
Assuma uma energia de ativao de 0,9 eV/tomo para as
duas temperaturas.
Dados:
A temperatura de fuso do cobre puro 1356 K.
k = 8,62 x 10 -5 eV/tomo.

INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no interstcio
(do prprio cristal)
Produz uma distoro no reticulado, j
que o tomo geralmente maior que o
espao do interstcio

A formao de um defeito intersticial

implica na criao de uma vacncia, por
isso este defeito menos provvel que
uma vacncia

INTERSTICIAIS

tomo intersticial pequeno

tomo intersticial grande

Gera maior distoro na
rede

FRENKEL
Ocorre em slidos inicos

Ocorre quando um on sai

de sua posio normal e vai
para um interstcio

SCHOTTKY
Presentes em compostos
que tem que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de um
nion e/ou um ction

IMPUREZAS NOS SLIDOS

Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos
estranhos) presentes

99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais

LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos de liga) so
adicionadas intencionalmente com a finalidade:
aumentar a resistncia mecnica

aumentar a resistncia corroso

Aumentar a condutividade eltrica
Etc.

A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas
Segunda fase

< limite de
solubilidade
> limite de
solubilidade

A solubilidade depende :

Temperatura

Tipo de impureza

Concentrao da impureza

Termos usados
Elemento de liga ou Impureza
soluto (< quantidade)
Matriz ou
Hospedeiro

solvente
(>quantidade)

SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
eletrnicas semelhantes

SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas podem ser:
- Intersticial

- Substitucional

Ordenada

Desordenada

SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS

INTERSTICIAL

Os tomos de impurezas ou os elementos de

liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios

EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C
solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910C (Fe CFC)

O C tem raio atmico bastante pequeno

se comparado com o Fe
raio C= 0,071 nm= 0,71 A
raio Fe= 0,124 nm= 1,24 A

TIPOS DE SOLUES SLIDAS

SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA

SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA

FATORES QUE INFLUEM NA

FORMAO DE SOLUES
SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico
deve ter uma diferena
de no mximo 15%, caso contrrio pode
promover distores na rede e assim formao
de nova fase
Estrutura cristalina
Eletronegatividade
Valncia

mesma

prximas

mesma ou maior que a do

hospedeiro

EXEMPLO DE SOLUO SLIDA

SUBSTICIONAL
Cu + Ni

so solveis em todas as
propores
Cu

Ni

Raio atmico

0,128nm=1,28 A

0,125 nm=1,25A

Estrutura

CFC

CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2

2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,

mecnica e supersaturao de defeitos pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela

deformao, falha e ruptura dos materiais

2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:
- Cunha
- Hlice
- Mista

VETOR DE BURGER (B)

D a magnitude e a direo de distoro da rede
Corresponde distncia de deslocamento dos tomos
ao redor da discordncia

DISCORDNCIA EM CUNHA
Envolve um SEMI-plano extra
de tomos
O vetor de Burger
perpendicular direo da
linha da discordncia
Envolve zonas de trao e
compresso

DISCORDNCIA EM CUNHA

DISCORDNCIA EM CUNHA

DISCORDNCIA EM CUNHA

DISCORDANCIA EM HLICE
Produz distoro na rede

O vetor de burger
paralelo direo da linha
de discordncia

DISCORDANCIA EM HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).

CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas

CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica, por isso a
densidade das mesmas depende da orientao
cristalogrfica
As discordncias geram vacncias

As discordncias influem nos processos de

difuso

As discordncias contribuem para a deformao

plstica

DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas
dimenses) e normalmente separam regies
dos materiais de diferentes estruturas
cristalinas ou orientaes cristalogrficas

DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Superfcie externa
Contorno de gro

Fronteiras entre fases

Maclas ou Twins

Defeitos de empilhamento

DEFEITOS NA SUPERFCIE
EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto completamente
ligados
Ento o estado energia dos tomos na superfcie
maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar est energia
A energia superficial expressa em erg/cm2 ou
J/m2)

CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de

orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados
segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada
pela clula unitria

MONOCRISTAL E
POLICRISTAL
Monocristal: Material com apenas uma
orientao cristalina, ou seja, que contm
apenas um gro
Policristal: Material com mais de uma
orientao cristalina, ou seja, que contm
vrios gros

GRO
A forma do gro controlada:

- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado
- Composio qumica

- Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao

FORMAO DOS GROS

A forma do gro controlada:

- pela presena dos gros
circunvizinhos

O tamanho de gro controlado

- Composio
- Taxa de cristalizao ou solidificao

CONSIDERAES GERAIS SOBRE

CONTORNO DE GRO
H um empacotamento ATMICO menos
eficiente
H uma energia mais elevada

Favorece a nucleao de novas fases

(segregao)
favorece a difuso

O contorno de gro ancora o movimento das

discordncias

DISCORDNCIA E CONTORNO
DE GRO

A PASSAGEM DE UMA DISCORDNCIA

ATRAVS DO CONTORNO DE GRO REQUER
ENERGIA
DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois

constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL

TWINS

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

um tipo especial de
contorno de gro

Os tomos de um lado do
contorno so imagens
especulares dos tomos
do outro lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina

ORIGENS DOS TWINS

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

O seu aparecimento est
geralmente associado
com A PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.

IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do componente

IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses
-Precipitados
- Fases
difere da matriz

Impurezas estranhas
so aglomerados de partculas cuja composio

forma-se devido presena de impurezas ou elementos

de liga (ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)

- Porosidade
gases

origina-se devido a presena ou formao de

INCLUSES

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)

LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.

INCLUSES

SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

Porosidade

As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu

processamento por metalurgia do
p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a
quantidade de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda
permanece uma porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa

COMPACTADO DE P DE
FERRO APS SINTERIZAO
A 1150C, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO

EXEMPLO DE PARTCULAS
DE SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.

CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).

microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas

fases precipitadas

Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso

EXERCCIOS