SAMUEL BALTAZAR FRUCTUOSO

Valo
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ELECTRNICA ANALGICA

GUA DE OBSERVACIN PARA TAREAS

Si/No

La tarea se entrega en hoja de block tamao carta cuadriculado, sobre todo

se genera grficas.
Debe contener como encabezado: nombre, fecha, horario de la materia y no.
progresivo de actividad.
El producto debe estar completo y correcto (todo a mano).
Uso de letras y nmeros legibles con ortografa y redaccin correcta
(mximo3 errores)
Anexar la gua de observacin abajo del encabezado

Modelo de Shockley del Diodo

El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el
de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el
comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que
liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia
de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente )
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin
del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
El trmino VD es la diferencia de tensin entre sus dos extremos.
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los
modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an,
que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son
los llamadosmodelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la
figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.