Fundamentos de la tcnica

Introduccin
Un microscopio electrnico de
barrido acoplado a un analizador de
rayos x por dispersin de energas
es un sistema analtico diseado
para la visualizacin y anlisis de
muestras microscpicas o de
caractersticas microscpicas de las
muestras.
No
obstante,
los
aumentos mnimos del microscopio,
en torno a 10x, permiten una
visualizacin y anlisis que
podramos
denominar
macroscpicos ya que en este caso
se tratara de una zona de la
superficie de la muestra de varios
mm2 .
La preparacin de muestras es,
en general, sencilla. Los requisitos indispensables que deben cumplir son ausencia de
lquidos, es decir, la muestra tiene que estar seca y adems debe ser conductora de la
corriente elctrica. Este ltimo requisito se cumple en los metales pero no as en otro tipo
de materiales, por lo que para hacer a la muestra conductora se la recubre de una capa de
algn material conductor tal como el carbn o el oro. Este recubrimiento ha de ser
suficientemente grueso como para que circule la corriente elctrica que se deposita en la
muestra y suficientemente delgado para que no enmascare o tape las caractersticas
superficiales de inters.
La tcnica esencialmente consiste en hacer incidir en la muestra un haz de electrones.
Este bombardeo de electrones provoca la aparicin de diferentes seales que, captadas con
detectores adecuados, nos proporcionan informacin acerca de la naturaleza de la muestra.
Vemos en el grfico algunas de las seales que se utilizan en diferentes tcnicas. No
suele ser habitual que un mismo microscopio est equipado con los detectores necesarios
para utilizar todas estas seales. En nuestro caso el equipo dispone de los tres detectores
ms comunes, que son el de electrones secundarios, el de retrodispersados y el de rayos X.
La seal de electrones secundarios proporciona una imagen de la morfologa
superficial de la muestra. La seal de retrodispersados una imagen cualitativa de zonas con
distinto nmero atmico medio, y la seal de rayos X espectros e imgenes acerca de la
composicin de elementos qumicos en la muestra. Estas tres seales y su utilizacin se
explican con ms detalle en los siguientes apartados.

Fundamentos de la tcnica
Construccin de un Microscopio
Electrnico de Barrido
La parte principal de un microscopio electrnico
de barrido es la denominada columna de electrones
la cual lleva alojados en su interior los siguientes
elementos:
Un can de electrones con un filamento que
acta como emisor o fuente de iluminacin,
por analoga con un sistema ptico.
Un sistema de lentes electromagnticas
encargado de focalizar y reducir a un
dimetro muy pequeo el haz de electrones
producido por el filamento.
Un sistema de barrido que hace recorrer el haz de electrones ya focalizado por la
superficie de la muestra.
Uno o varios sistemas de deteccin que permiten captar el resultado de la
interaccin del haz de electrones con la muestra y transformarlo en una seal
elctrica.
Una salida conectada a una o varias bombas que producen el vaco necesario para
que el conjunto funcione adecuadamente.

Adems, el microscopio posee diversos sistemas que permiten observar las seales
elctricas procedentes de los detectores, en forma de imgenes en un monitor de TV,
fotografa, espectro de elementos, etc
En el grfico animado adjunto observamos como se produce el haz de electrones en el
filamento. Este haz se dispersa a su entrada en la columna y las lentes electromagnticas o
lentes condensadoras son las encargadas de reducir su dimetro de las 5-50 m (micra) que
tiene en el punto de cruce a los 2-20 nm (nanmetro) que se utilizan en la sonda que barre
la muestra.
El sistema de barrido, alojado en la lente objetivo, hace moverse al haz un nmero
determinado de lneas (por ejemplo 512) a lo largo de la superficie barrida, repitindose el
proceso indefinidamente.
Por ltimo, en el grfico se han dibujado dos detectores. Uno, el de electrones secundarios,
que son los electrones arrancados a la propia muestra por la accin del haz incidente. Con
esta seal obtenemos en un monitor una imgen de la muestra, muy parecida a la visin del
ojo humano debido a la gran profundidad de foco de esta seal. El otro detector, de rayos
X, captura este tipo de seal, con la que obtenemos un espectro de elementos, es decir un

anlisis qumico elemental de la muestra. Estos dos tipos de seales tambin se explican
con ms detalle en el apartado Interaccin del haz de electrones con la materia .

Fundamentos de la tcnica
Interaccin del haz de electrones con
la materia
Cuando un haz de electrones e, de suficiente
energa, interacciona con la materia se producen
diferentes seales que recogidas con detectores
adecuados nos proporcionan informacin acerca de la
zona de interaccin de dicho haz con los tomos.
En el grfico animado adjunto podemos
observar el bombardeo de un haz de electrones

e sobre una muestra representada por una red de

dos tipos de tomos (rojos y azules), y tres
seales: e1, e2 y RX. Se producen tambin otras seales, no obstante en esta pgina
solo describiremos estas tres:

e1

son los electrones del haz primario e que rebotan en la muestra. Nos
proporcionan informacin acerca del nmero atmico medio de la zona
bombardeada. Se denominan electrones retrodispersados.

e2 son

los electrones arrancados a los tomos de la muestra por la accin del

bombardeo de electrones del haz primario. Nos proporcionan informacin acerca de
la topogrfa superficial. Es la seal con la que comunmente obtenemos una imagen
de la muestra. Se denominan electrones secundarios.
RX son los rayos X, caractersticos del tomo
que los ha producido. Nos proporcionan
informacin qumica elemental de la zona de
la muestra de la que proceden. Con esta seal
se obtienen los anlisis qumicos cualitativos
y cuantitativos de la composicin de la
muestra.
El proceso fsico mediante el cual se produce
las tres seales anteriores, en un tomo de la
muestra, es el siguiente:
Un electrn 1 del haz primario choca
con un electrn 2 de una capa interna del
tomo y expulsa a ste de dicho tomo. El tomo queda entonces en un estado

excitado ya que el electrn 2 deja una vacante en el nivel energtico del que
procede.
El tomo, para volver a su estado fundamental, de mnima energa, desplaza un
electrn 3 de un orbital ms energtico a la vacante dejada por el electrn 2. Para
que tenga lugar este proceso, el electrn 3 se tiene que liberar de una cierta cantidad
de energa, igual a la diferencia de los dos niveles energticos involucrados en el
proceso. Esta energa la libera en forma de rayos X (RX).
La vacante dejada por el electrn 3
ser posteriormente ocupada por otro
electrn de otro nivel ms energtico,
producindose otro fotn de RX, y
as sucesivamente.
El electrn 2 arrancado del tomo es
lo que se denomin en el grfico
anterior un electrn secundario y el
electrn 1 que procede del haz
primario,
un
electrn
retrodispersado.

Fundamentos de la tcnica
Electrones Secundarios
Como se ha venido comentando en diferentes apartados de fundamentos de la tcnica,
la seal de electrones secundarios es la que se emplea normalmente para obtener una
imagen de la muestra. Es la seal que nos proporciona una imagen ms real de la superficie
que estemos estudiando.
Se les da el nombre de secundarios a los electrones que pertenecen a la propia muestra
para distinguirlos de los primarios o procedentes del haz de electrones incidente, con el que
la bombardeamos.
En realidad, cuando captamos electrones no podemos distinguir si un determinado
electrn pertenece al propio material o procede del haz de electrones primario y ha sido
retrodispersado por la muestra. Ante esta imposibilidad de distinguirlos, en la prctica, se
considera un electrn secundario aquel que emerge de la superficie de la muestra con una
energa inferior a 50 eV(electronvoltios), y un electrn retrodispersado el que lo hace con
una energa mayor.
El grfico adjunto corresponde al espectro de emisin de electrones de una muestra al ser
excitada por el bombardeo de un haz primario de energa E 0. El eje vertical es la cantidad
de electrones emitidos y el horizontal la energa de estos electrones detectados que puede
llegar hasta la energa del haz incidente en los electrones retrodispersados elsticamente, es
decir, que no han perdido energa en su interaccin con la muestra.
Debido a la baja energa de los secundarios, en su viaje hacia el exterior de la muestra
van perdiendo energa por diferentes interacciones, de forma que solo los que estn muy

prximos a la superficie tienen alguna probabilidad de escapar del material y llegar a

nuestro detector. Por tanto, la seal de secundarios procede de la misma superficie y de una
pequesima zona por debajo de ella, en torno a unos pocos nanmetros.
El concepto de resolucin de la imagen de
secundarios es complicado pero est relacionado
con la capacidad de aumentos del microscopio
manteniendo una buena definicin de imagen. En
la actualidad, en aparatos avanzados, dicha
resolucin puede ser de orden de 2 nm
(nanometros) o menos, es decir, podemos
distinguir con claridad dos puntos en la imagen
separados por esa distancia.
En la micrografa adjunta de electrones
secundarios tomada a 50.000 aumentos,
correspondiente a partculas de oro depositadas sobre carbn, se ha sealado, en el centro,
una separacin de 5nm perfectamente distinguible entre dos de tales partculas, es decir, en
este caso esa sera la resolucin aceptada de la seal de secundarios en el microscopio.

Fundamentos de la tcnica
Electrones Retrodispersados
Como se ha venido comentando en diferentes apartados de fundamentos de la tcnica,
se admite que la seal de electrones retrodispersados est compuesta por aquellos
electrones que emergen de la muestra con una energa superior a 50 eV(electronvoltios).
Estos electrones proceden en su mayora del haz incidente que rebota en el material despus
de diferentes interacciones. Por supuesto, al igual que en el caso de la seal de electrones
secundarios, es imposible saber si un electrn procede de la propia muestra o del haz de
electrones incidente. No obstante, debido a que en las interacciones electrn-electrn la
transferencia de energa es pequea, es adecuado convenir que los electrones
retrodispersados son aquellos de energa superiores a 50 eV.
La profundidad, con respecto a la superficie de la muestra, de la que proceden los
retrodispersados es sensiblemente mayor que la de electrones secundarios. Esta
profundidad viene a ser alrededor de 0,3 veces la profundidad de penetracin del haz
incidente, que depende de la energa del haz y del nmero atmico (Z) medio de la zona de
interaccin. Esta profundidad puede ser del orden de centenas de nanometros. Es decir, la
seal de retrodispersados no solo procede de las inmediaciones de la superficie sino
tambin de bastantes capas atmicas por debajo de ella.
La intensidad de la seal de retrodispersados, para una energa dada del haz, depende
del numero atmico del material (a mayor numero atmico mayor intensidad). Este hecho
permite distinguir fases de un material de diferente composicin qumica. Las zonas con
nenor Z se vern mas oscuras que las zonas que tienen mayor nmero atmico. Esta es la
aplicacin principal de la seal de retrodispersados.

Imagen de electrones secundarios

Imagen de electrones retrodispersados

Las micrografas anteriores corresponden a la misma zona de una soldadura de un

objeto de cubertera compuesta de una aleacin Plata-Cobre-Niquel. En la imagen de
secundarios no se aprecian con claridad las fases de la aleacin, mientras que en la imagen
de retrodispersados vemos con claridad estas fases. Un anlisis de rayos X puntual de cada
fase mostrara que las zonas claras estn compuestas por Plata y las oscuras por una
aleacin Cobre-Niquel.

Microanlisis de Rayos X por Dispersin de Energas

Introduccin
Rayos X Caractersticos
Nomenclatura
Intensidad de RX Caractersticos
Resolucin Espacial de la Seal de RX
Anlisis
Perfiles de Concentracin y Mapas de RX
Introduccin
Literalmente, microanlisis, es el anlisis de muestras muy pequeas o de
caractersticas muy pequeas de las muestras por medio de cualquier tcnica. No
obstante, histricamente, el trmino tiene un significado ms concreto. Cuando
sobre una muestra inciden electrones de energa apropiada se producen rayos x
(RX), cuya energa y abundancia relativa dependen de su composicin. Este
fenmeno se usa para analizar el contenido elemental de microvolmenes (en un
rango general de una a cientos de micras cbicas) y es lo que se conoce
normalmente como microanlisis. Esta tcnica es prcticamente no destructiva, en
la mayora de los casos, y la preparacin de muestras es mnima. Existen dos tipos
de microanlisis de RX:

Por dispersin de longitudes de onda, en el que la emisin de RX se

discrimina por la difraccin de una serie de cristales analizadores. Tiene la

ventaja de conseguirse unos lmites de deteccin ms bajos, pero la

desventaja de tener que buscar elemento por elemento.
Por dispersin de energas, en el que la emisin de RX se discrimina
electrnicamente. Tiene la ventaja de obtenerse de manera simultnea todo
el espectro de elementos, pero la desventaja de unos lmites de deteccin
ms altos.

Aqu solo veremos este ltimo tipo, en el que los lmites de deteccin se sitan
por debajo del 0.1% en los casos ms favorables (elementos pesados en matrices
ligeras), y son menores de 1% normalmente.
Rayos X Caractersticos
Cuando un electrn es arrancado de una capa electrnica interna, por efecto de
la interaccin de un haz de elctrones de alta energa, el resultado es un ion en un
estado excitado. A causa de los procesos de relajacin o desexcitacin, el ion
excitado cede energa para volver a su estado normal o fundamental. El proceso ms
probable, en la mayora de los casos, es una serie de transformaciones que tienen
como resultado que un electrn de otra capa "caiga" a la vacante de la capa interna.
Cada caida est asociada a la prdida de una determinada cantidad de energa que es
la diferencia de energa entre los dos niveles electrnicos comprendidos en el
proceso. Esta energa se pone de manifiesto en forma de RX. La energa de la
radiacin indica inequivocamente el elemento qumico del que proviene, -de aqu el
nombre de emisin caracterstica- para nuestros propsitos RX caractersticos.
Los RX recorren distancias, en la muestra, mucho mayores que los electrones
ya que pueden originarse en zonas profundas donde el haz de electrones incidente
termina difundindose. Consecuentemente, la seal de RX tiene poca resolucin
espacial comparada con las seales de electrones secundarios y de retrodispersados.
Nomenclatura

Intensidad de RX Caractersticos
La intensidad detectada de la emisin de RX caractersticos est influenciada
por tres factores. El primero es el nmero atmico, tanto de un tomo emisor como

el promedio de nmero atmico en la muestra

masiva. Hay dos parmetros que caracterizan
la dependencia con el nmero atmico del
emisor: El primero es la seccin eficaz de
ionizacin, que expresa la probabilidad de
que se produzca una vacante inicial (una
ionizacin), y el segundo es la produccin de
fluorescencia, que es la probabilidad de que
una vacante, una vez creada, produzca RX
caractersticos. Por otra parte, el promedio de
nmero atmico en la muestra masiva afecta
a la cantidad de energa perdida en otros
procesos de dispersin (energa que no
interviene en la ionizacin de tomos de la
muestra).
El segundo factor que influye sobre la
intensidad, es la probabilidad de que los RX
caractersticos emitidos sean absorbidos antes
de que salgan de la superficie de la muestra.
El ltimo factor es la fluorescencia secundaria, que es un resultado de la
mencionada absorcin. Por ejemplo, RX caractersticos del elemento A pueden ser
absorbidos por un tomo del elemento B apareciendo una emisin caracterstica de
baja energa del segundo elemento. La presencia de los elementos A y B en la
misma muestra hace que aumente la emisin caracterstica del elemento B y
disminuya la del A. Este es el denominado efecto matriz, esto es, un efecto que
depende de la composicin de la muestra y que requiere un tratamiento especial en
el anlisis cuantitativo.
Resolucin Espacial de la Seal de RX
Como se coment en el apartado Construccin de un Microscopio Electrnico
de Barrido, el haz barre la muestra una superficie, determinada por los aumentos a
los que estemos trabajando, no obstante, en general, cuando queremos realizar un
anlisis de una caracterstica determinada de la muestra paramos el haz sobre dicha
caracterstica. La primera cuestion que se plantea en este caso es desde que
profundidad y anchura proceden los RX que estamos detectando?, es decir que
volumen de muestra por debajo del punto de impacto del haz estamos analizando?.
La resolucin espacial de los electrones secundarios es mucho mejor que la de los
RX. Como resultado de esto, una caracterstica de la muestra lo suficientemente
grande para ser observada con la seal de secundarios puede no ser suficientemente
grande como para contener todo el volumen de interaccin del que emanan los RX.
Con frecuencia, el haz de electrones al penetrar en la muestra causa la emisin de
RX desde regiones de la superficie o de regiones cercanas, que tienen diferente
composicin que las del punto de incidencia del haz.

Tanto el voltaje acelerador -la energa del haz-, como el nmero atmico medio de
la muestra influyen en la resolucin espacial de RX. A mayor energa de haz y
menor nmero atmico medio, mayor volumen de interaccin y por tanto menor
resolucin.
En la figura vemos las diferentes formas que puede tomar el volumen de interaccin
dependiendo de los valores del nmero atmico y de la energa del haz. Existen
mtodos para calcular aproximadamente el dimetro de este volumen, pero se puede
asegurar que en el mejor de los casos este dimetro no es menor de una micra.
Anlisis
La adquisicin de un espectro de RX consiste en recoger durante un
determinado tiempo, normalmente del orden de minutos, los fotones de RX que
proceden de la muestra, clasificndolos segn su energa.
Como puede verse en la figura, un espectro de dispersin de energas se
presenta usualmente como un histograma en donde el eje horizontal son unidades de
energa, en Kiloelectronvoltios (KeV), en este caso de 0.00 a 10.240, y el eje
vertical nmero de cuentas o intensidad, en este caso 65536 cuentas la altura total
de la escala, que se va autoajustando a medida que crece el nmero de cuentas de la
energa del pico ms alto.

El espectro de la figura corresponde a un acero inoxidable de composicin: Si

= 0.4%; Cr = 18%; Ni = 8%; Fe = resto, calculada por microanlisis, aunque
corresponde aun patrn que tiene certificados otros elementos tales como Mo, S, P,
etc, que no aparecen en el espectro por estar por debajo de los lmites de deteccin
de este sistema.
La energa de las diferentes lneas tiene un valor determinado, por ejemplo, la
lnea alfa del Fe corresponde a 6.403 KeV. Las cuentas que forman el resto del pico
a uno y otro lado de la energa terica de la lnea corresponden a variaciones
aleatorias en la cantidad de carga que los RX generan en el detector y al ruido que el
circuito electrnico introduce en la seal. La anchura de los picos a mitad de su
altura dan una indicacin de la resolucin del detector que ser tanto mejor cuanto
menor sea esta anchura. La multitud de pequeos picos por encina de todo el

espectro
representan
fluctuaciones
estadsticas.
Finalmente,
todas
esta
caractersticas
estn
superpuestas a un ruido de fondo
que decae lentamente de
izquierda a derecha.
Por ltimo, una vez adquirido el espectro, con la ayuda de patrones o sin ellos
y mediante el software adecuado se puede realizar de forma automtica el anlisis
cualitativo, es decir, la identificacin de picos y el analisis cuantitativo o calculo de
la concentracin de los diferentes elementos.
Perfiles de Concentracin y Mapas de RX
Adems de la obtencin de un espectro en un punto concreto de la muestra o en
una zona determinada, existen dos formas grficas de obtener informacin de la
seal de RX: los perfiles de concentracin o perfiles de lnea y los mapas de RX.
Perfiles de concentracin .- La tcnica consiste en obtener una grfica de la
intensidad de la seal de RX de uno o varios elementos a lo largo de una lnea de
barrido entre dos puntos de la muestra. Sirve para ver grficamente como varia la
concentracin de uno o varios elementos entre dos puntos.
La imagen adjunta corresponde a la seccin transversal de un objeto de latn
recubierto de un tipo de recubrimiento denominado comercialmente Gold-Filled. En
el centro se observa el recubrimiento; a la izquierda, la zona ms oscura es cobre
que se aplica en el laboratorio para proteger la preparacin de la muestra; a la
derecha est el metal base (latn). Este tipo de recubrimiento tiene una caracterstica
muy particular que consiste en que presenta un gradiente de concentracin de oro
desde 58,5% en el exterior del objeto hasta 0% en su unin con el metal base. El
resto de los metales que componen la aleacin del recubrimiento tambin varan su
concentracin desde el exterior hasta el metal base. Por ejemplo la plata alcanza su
mxima concentracin, aproximadamente en el centro del recubrimiento.
Mapas de RX .- La tcnica consiste en obtener un mapa de intensidad de la seal de
RX de uno o varios elementos de la zona de la muestra que estemos visualizando.
Sirve para ver grficamente como estn distribuidos los elementos en la zona
seleccionada asignando un color diferente a cada uno. Los mapas de RX tambin
ofrecen una imagen que podramos denominar semicuantitativa de la concentracin
de los elementos mediante la densidad de puntos de un determinado color en la
zona. En el caso de las imgenes adjuntas se han asignado tonos de grises en cada
elemento, de forma que las zonas ms oscuras corresponden a menor concentracin
y las zonas ms claras a mayor concentracin, es decir, el negro corresponde a la
ausencia del correspondiente elemento. La primera imagen de la izquierda es una
imagen de electrones retrodispersados.

Retrodispersados

RX: Ni

RX: Ag

RX: Cu

Las imgenes corresponden a una zona de una soldadura de una aleacin de

plata, niquel, cobre. Se observa como la plata est prcticamente aislada, sin alearse
con el cobre ni el niquel, los cuales ocupan la misma posicin y por tanto es de
suponer que formen aleacin.

Fundamentos de la tcnica
Preparacin de Muestras

Introduccin
Tcnica de recubrimiento con oro
Tcnica de recubrimiento con carbono

Introduccin
Una de las grandes ventajas del Microscopio Electrnico de Barrido es el hecho de que
la mayor parte de las muestras se pueden examinar sin apenas preparacin. No obstante, en
algunos casos, sobre todo en material biolgico, la preparacin es algo ms complicada. El
espesor de la muestra no es un inconveniente como en el caso de la microscopa por
transmisin, as, se pueden examinar muestras masivas con la nica limitacin de su
posible acoplamiento en la platina portamuestras.
Como norma general se puede decir que las muestras no deben contener lquidos y
adems su superficie debe ser conductora de la corriente elctrica. Cada tipo de muestra y
cada tipo de anlisis que vayamos a realizar requiere un tratamiento especfico, as puede
ser necesario el desengrasado, pulido de la muestra, ataque qumico, etc. Aqu solo vamos a
explicar brevemente dos tcnicas muy importantes para proporcionar una superficie
conductora a la muestra, las cuales se exponen a continuacin.

Tcnica de recubrimiento con oro

Como se ha comentado anteriormente, prcticamente todas las muestras no
conductoras examinadas en un microscopio electrnico de barrido necesitan recubrirse con
una pelcula de un material conductor. Este recubrimiento es necesario para eliminar o
reducir la carga elctrica que se crea rpidamente en la superficie de una muestra no
conductora cuando se barre con un haz de electrones de alta energa.

Cuando el propsito del analisis de una muestra no incluye la obtencin de un espectro

de RX, un elemento que se utiliza frecuentemente para recubrir
la superficie es el oro.
El grfico animado adjunto muestra esquematicamente lo que se
conoce como "sputtering". Consiste en una fuente de
alimentacin en corriente contnua regulable de 1 a 3 KV
conectada por una parte a una tarjeta de oro u oro-paladio y por
otra parte al portamuestras. El conjunto va acoplado a una
bomba de vaco. La introduccin de un gas tal como el argon en
la campana de vaco provoca que los tomos de argon impacten
en la tarjeta de oro y se desprendan tomos de dicha tarjeta que
son atrados hacia la muestra en la cual quedan depositados
proporcionando un espesor de recubrimiento que depende del
tiempodeexposicin
Tcnica de recubrimiento con carbono
La tcnica de recubrimiento con oro imposibilita, en la
mayora de los casos, la obtencin de un espectro de RX de
elementos. La pelcula de oro superficial absorbe la mayora de
los RX procedentes de la propia muestra, que intentan emerger a
travs de la superficie. Por tanto, en el caso de precisarse un
anlisis elemental en una muestra no conductora es necesario recubrir la superficie de un
elemento lo ms transparente posible a los RX. Este elemento es el carbono.
Uno de los tipos de metalizadores de carbono se muestra esquematicamente en el grfico
animado adjunto. Consiste en dos electrodos conectados a una fuente de corriente alterna de
bajo voltaje y alta intensidad entre los que se intercala una barra de carbono terninada en
una punta afilada. Al pasar la corriente, la punta de la barra se va evaporando, de forma que
roca la muestra con una fina capa de carbono. La punta va acoplada a un muelle que la
mantiene en todo momento en contacto con el otro electrodo. Todo el conjunto est
encerrado en vaco con el fin de facilitar la deposicin de la pelcula de carbono sobre la
muestra.

Descripcin de la Unidad y Finalidad de la Tcnica

La instrumentacin bsica de anlisis de esta Unidad es un microscopio electrnico de
barrido Zeiss DSM 950, acoplado a un microanalizador de rayos X por dispersin de
energas Tracor TN5500. La Unidad, tambin dispone de otros aparatos, ms sencillos, para
la preparacin de las muestras de ensayo, tales como un microscopio ptico, una cuba
electroltica, un metalizador, tanto para oro como para carbn, un sistema de preparacin de
muestras metalogrficas, y algunos otros elementos comunes en un laboratorio.
La finalidad general de esta tcnica es la visualizacin microscpica de las muestras y el
anlisis, tanto cualitativo como cuantitativo, de sus elementos qumicos. Las principales

posibilidades

que

ofrece

esta

tcnica

son

las

siguientes:

Observar y fotografiar zonas de la

muestra, desde 10 aumentos a
200.000, con una resolucin espacial
de 5nm.
Medida de longitudes, siendo la
menor longitud medible 14nm.
Distincin, mediante diferentes tonos
de grises, de zonas con distinto
nmero atmico medio.
Anlisis cualitativo y cuantitativo de
volmenes de muestra en un rango
de una a varios millones de micras
cbicas.
Mapas de distribucin de elementos
qumicos, en los que se puede
observar
simultneamente
la
distribucin
de
hasta
ocho
elementos, asignando un color
diferente a cada uno
Perfiles de concentracin, es decir, la
curva
de
variacin
de
la
concentracin de un elemento
qumico entre dos puntos de la
muestra.

Las muestras analizadas mediante esta tcnica han de ser slidas, entendindose tambin
como tales los residuos slidos de cualquier tipo de muestra obtenidos por desecacin,
calcinacin o filtracin.

Algunas Aplicaciones en el Control de Productos

El campo de aplicacin de la Microscpica Electrnica de Barrido es verdaderamente
extenso. Los requisitos para las muestras en estudio suelen ser poco restrictivos y
virtualmente se puede analizar cualquier muestra que no descomponga o colapse el haz de
electrones o el vaco del instrumento.
La Microscopa Electrnica de Barrido utiliza cualquiera de los diferentes tipos de
seal que producen una imagen de la muestra. En cada caso el microscopio se emplear en
un modo de operacin particular. La tabla adjunta recoge los modos de operar ms
utilizados
junto
con
la
informacin
que
se
puede
obtener.

MODO

TIPO DE SEAL
CAPTADA

INFORMACION

Reflexin

Electrones
retrodispersados

Composicin
cristalogrfica

Emisin

Electrones
secundarios

Topogrfica
< 5 nm
Contraste de voltaje
10 nm
Campos elctricos
1 m
y magnticos

Catodoluminiscencia Fotones

RESOLUCION
ESPACIAL
100 nm

Composicin

100 nm

Conduccin

Corriente en
la muestra

Conductividad
inducida

100 nm

Rayos X

Fotones

Composicin

1 m

Absorcin

Corriente absorbida
Topogrfica
por la muestra

1 m

Auger

Electrones Auger

Composicin

1 m

Transmisin

Electrones
transmitidos

Cristalogrfica

1 - 10 nm

No obstante, conviene resaltar que aunque la instrumentacin bsica de todas las

tcnicas es el microscopio, cada rea de aplicacin precisa de distintos dispositivos
instrumentales apropiados, lo cual significa que cada equipo se monta solamente con los
mecansmos necesarios a las aplicaciones que se van a llevar a cabo.
A continuacin exponen brevemente las siguientes reas de aplicacin en el campo del
control de la calidad de productos de uso y consumo:
Fibras Curtidos Plsticos Joyera Album de fotos

1Introduccin
LITERALMENTE, microanlisis es el anlisis de muestras "muy pequeas", por medio de
cualquier tcnica apropiada. No obstante, histricamente, el trmino ha tenido siempre un
significado ms concreto. Cuando una muestra es bombardeada por electrones de energa
apropiada, se produce la emisin de rayos X cuyas energas y abundancia relativa dependen
de la composicin de la muestra. El uso de este fenmeno para analizar el contenido
elemental de microvolmenes (desde una a varios cientos de micras cbicas) es lo que se
conoce normalmente como microanlisis. Aqu solo hablaremos del microanlisis por
dispersin o separacin de energas, en el que la emisin de rayos X se ordena
electrnicamente al contrario que en la tcnica de separacin de longitudes de onda que se
realiza por medio de la difraccin de un cristal (ver el apartado "un poco de historia" .

En general, el microanlisis es el mtodo ms fcil (y a veces el nico) para analizar

muestras microscpicas. Es sensible a bajas concentraciones -los lmites de deteccin
mnimos (LDMs) estn por debajo del 0.1% en los mejores casos y tpicamente son
menores de 1%- ;su rango dinmico va desde el LDM hasta el 100%, con una precisin
relativa del 1% al 5% a travs de todo el rango. Por otra parte, la tcnica es prcticamente
no destructiva en la mayora de los casos y los requerimientos para la preparacin de
muestras son mnimos.
El tratamiento del tema lo dividiremos en tres grandes partes. Primero consideraremos
los procesos que siguen a la excitacin de una muestra por un haz de electrones. Estamos
interesados en el proceso por el cual se emiten rayos X pero tambin tendremos en cuenta
otras interacciones que pueden ocurrir. A continuacin veremos como se recogen, clasifican
y cuentan los rayos X emitidos. Es decir veremos como la emisin energtica de un
electrn que excita una muestra se traduce en datos analizables. Finalmente,
consideraremos las tcnicas de anlisis propiamente dichas.
El proceso de la emisin de rayos X se muestra esquemticamente en la figura 1-1
(guardaremos las complicaciones para ms tarde). Inicialmente, un electrn, procedente por
ejemplo de un microscopio electrnico de barrido, expulsa a un electrn de una capa
interna de un tomo de la muestra. La vacante resultante es ocupada por un electrn de una
capa ms energtica del tomo. Al "caer" a un estado de menor energa, este electrn que
pasa a ocupar dicha vacante debe ceder parte de su energa, la cual aparece en forma de
radiacin electromagntica. La energa de la radiacin emitida es exactamente igual a la
diferencia de energa entre los dos niveles electrnicos involucrados en el proceso. Ya que
esta diferencia de energa es grande para capas internas, la radiacin aparece como rayos X.

Figura 1-1. El microanlisis de rayos X se basa en transiciones electrnicas

entre capas internas del tomo. Un electrn energtico procedente de una
columna de electrones expulsa a un electrn de una capa de baja energa (E 1).
Un electrn de una capa de alta energa (E 2) ocupa la vacante, perdiendo
energa en el proceso. La energa perdida aparece como radiacin emitida de
energa igual a E2 - E1.

Para complicar un poco este asunto diremos que hay varios niveles de energa -y por
tanto varios mecanismos potenciales de rellenar vacantes- dentro de cada tomo. Como
consecuencia de esto ltimo, por ejemplo una muestra de hierro puro emitir rayos X de
distintas energas. No obstante cabe decir que cuando se excita una muestra con electrones
de suficiente energa, cada tomo de dicha muestra emite un nico y caracterstico espectro
de rayos X. Adems, para unas condiciones de anlisis dadas el nmero de rayos X
emitidos para cada elemento aparece ms o menos relacionado con la concentracin del
elemento.
El convertir estas emisiones de rayos X en datos analizables es la tarea de una serie de
componentes electrnicos (ver figura 1-2), que, al final, producen un espectro digital de la
radiacin emitida. El fotn de rayos X primero crea un pulso de carga en un detector
semiconductor. El pulso de carga se convierte despus en un pulso de voltaje cuya amplitud

esta relacionada con la energa del rayo X detectado. Finalmente este pulso de voltaje se
convierte en una seal digital que proporciona una cuenta que se aade al correspondiente
canal de un analizador multicanal. Despus de un cierto tiempo, las cuentas acumuladas
producen un espectro de rayos
X como el de la figura 1.3.

Figura
1-2.
En
microanlisis por dispersin
de energas cada rayo X
emitido produce un pulso de
carga
en
un
detector
semiconductor.
Esta
pequesima corriente, de
corta vida, se convierte
primero en un pulso de
voltaje y despus en una
seal digital que refleja la
energa del rayo X original.
La seal digital, a su vez,
aade
una
cuenta
al
correspondiente canal de un
analizador
multicanal
(AMC).

El extraer informacin cuantitativa de un espectro de rayos X es complicado y la

realidad no es tan sencilla como en la figura 1-1 la cual est muy simplificada. Por ejemplo,
el ruido de fondo de la figura 1-3 procede de una de las complicadas interacciones que se
producen. Otras producen picos espreos o picos verdaderos mayores o menores que los
esperados tericamente y, por supuesto, el solapamiento de picos tambin dificulta su
resolucin.

Figura 1-3. Las caractersticas dominantes de un

espectro de rayos X son los picos de los elementos
mayoritarios superpuestos a un ruido de fondo. Una
observacin detallada al pico ms intenso
(etiquetado "cobre") revela la serie de canales
individuales que componen el conjunto del espectro.

Tpicamente, entonces, el anlisis cuantitativo de un espectro adquirido comprende

cinco pasos: (1) reconocimiento de picos espreos, (2) identificacin de los elementos
presentes en la muestra a partir de los picos que aparecen en el espectro, (3) extraccin del
ruido de fondo, (4) resolucin de los picos espectrales, y (5) cmputo de la concentracin

de elementos, proceso ste que implica tener en cuenta los efectos de unos elementos sobre
otros en la muestra. A pesar de estas aparentes dificultades los sistemas modernos pueden
adquirir y analizar un espectro complejo de rayos X en pocos minutos.
Un poco de historia
Poco despus de que fuesen descubiertos los rayos X en 1895, se empez a poner de
manifiesto que las energas de los rayos X estaban ntimamente relacionadas con la
estructura atmica de las sustancias de las que procedan. Y ya que la estructura atmica de
cada elemento qumico era diferente, se dedujo que cada elemento -cuando se le estimula a
tal efecto- emitee un diagrama diferente de rayos X. Hacia 1920 estos diagramas
caractersticos de rayos X estaban registrados para la mayora de los elementos. No
obstante, hasta finales de los aos cuarenta, los espectros registrados de rayos X
permanecieron en el entorno de los investigadores cientficos.
En 1948 se desarroll el primer prototipo comercial de espectrmetro de rayos X.
Variantes de este primer instrumento permanecen hoy en uso. En estos instrumentos, se
excita una muestra de composicin desconocida con un haz de rayos X. Cuando los tomos
excitados vuelven a su estado fundamental emiten sus diagramas caractersticos. Estos
rayos X se separan por longitudes de onda mediante un cristal de difraccin y
posteriormente se detectan y se miden. La presencia de un cristal como base para la
resolucin de las diferentes longitudes de onda de los rayos X definen este tipo de
instrumento como espectrmetro de dispersin de longitudes de onda.
Al ao siguiente se construy la primera microsonda de electrones. Los principios eran
los mismos, pero la fuente de excitacin era un haz de electrones en lugar de rayos X. Al
contrario que en los sistemas basados en rayos X, las microsondas pueden examinar
volmenes de muestra tan pequeos como una micra cbica, obtenindose, en principio, el
mismo espectro de rayos X emitido.
Posteriormente, a mediados de los sesenta, se desarroll en el laboratorio Lawrence de
Berkeley un detector semiconductor de radiacin que introdujo la espectrometra de
dispersin de energas o espectrometra de energas de rayos X. La versin actual de este
detector, un monocristal de silicio de 3 mm de espesor y 7 mm de dimetro, es el principal
elemento de uno de estos sistemas. Junto con amplificadores electrnicos apropiados y
procesadores de seal, evita las complejidades de un cristal de difraccin. En su lugar, el
sistema de dispersin de energas recoge los rayos X emitidos de cualquier longitud de
onda y los ordena electrnicamente.
Ya que la radiacin electromagntica se puede clasificar en base a su longitud de onda y,
al mismo tiempo, considerar como paquetes de energa denominados fotones, las tcnicas
de longitud de onda o de energa estn midiendo el mismo fenmeno. La equivalencia
viene dada por la ecuacin de Planck:
L= hc / E

donde L es la longitud de onda de la radiacin, c es la velocidad de la luz, h es la constante

de Planck, y E es la energa de la radiacin. Sustituyendo las constantes por sus valores y
despejando
E = 12.4 / L
donde la energa se mide en kiloelectronvoltios y la longitud de onda en angstroms.

2Fsica del Proceso

EN ESTE CAPTULO veremos una descripcin ampliada, pero todava breve de la emisin
de rayos X caractersticos. Al mismo tiempo introduciremos las interacciones ms
importantes que tienen lugar cuando se excita la muestra. Por conveniencia, dividiremos el
proceso en interacciones electrn- muestra e interacciones fotn-muestra.
2.1 INTERACCIONES ELECTRON-MUESTRA
2.1.1 Electrones Secundarios
2.1.2 Electrones retrodspersados
2.1.3 Contnuo de Rayos X
2.1.4 Rayos X Caractersticos
2.1.5 Emisin de Electrones Auger
2.2 INTERACCIONES FOTON-MUESTRA
2.2.1 Absorcin
2.2.2 Fluorescencia Secundaria
2.1 INTERACCIONES ELECTRN-MUESTRA
En una columna de electrones estos se aceleran a travs de un campo elctrico. De esta
forma adquieren energa cintica, la cual se deposita en la muestra por la accin del
bombardeo y su disipacin produce una variedad de seales como puede verse en la figura
2-1. Para el propsito de la siguiente discusin el modelo atmico de Bhor ser suficiente,
as, los tomos de la figura 2-2, se componen de un ncleo con carga positiva rodeado de
electrones en rbitas discretas, cada uno en un nivel de energa bien definido. Los orgenes
de algunas seales se muestran en estos diagramas simples.

Figura 2-1. Ilustracin

esquemtica
de
los
principales resultados de
la interaccin de un haz
de electrones con la
muestra. Como se aprecia
en la figura, los electrones
Auger
y
secundarios
proceden
de
zonas
cercanas a la superficie de
la
muestra,
y
los
electrones
dispersados
elsticamente lo hacen
con ngulos mayores que
aquellos
dispersados
inelsticamente.

2.1.1 Electrones secundarios

El electrn primario (excitador) puede interaccionar con un electrn de la muestra,
expulsndole con una cierta cantidad de energa cintica. Si el electrn expulsado estaba
debilmente ligado, entonces emerge con solo unos pocos eV de energa y se le denomina
electrn secundario (estrictamente hablando, cualquier electrn expulsado de un tomo de
la muestra es un electrn secundario, cualquiera que se a su energa. No obstante, para los
microscopistas, los electrones secundarios son aquellos cuya energa es menor de 50 eV).
Debido a su baja energa, solo pueden escapar de la muestra y ser detectados si proceden de
zonas prximas a la superficie, lo que implica que aportarn informacin acerca de la
topografa de la muestra. Como se muestra en la figura 2-3, los electrones secundarios
creados en un pico topogrfico tienen mayor posibilidad de escapar de la muestra que los
que se producen en un valle.

Figura 2-2. Modelos clsicos mostrando la procedencia de

diversas seales detectadas en la columna de electrones. En
el dibujo superior, los electrones se dispersan tanto
elsticamente como inelsticamente debido a la carga
positiva del ncleo. El electrn dispersado inelsticamente
pierde energa que aparece como bremsstrahlung. La
dispersin elstica, que significa sin prdida de energa, solo
puede explicarse por procesos de mecnica cuntica.
Tpicamente, los electrones dispersados elsticamente (en
los que estn incluidos los electrones retrodispersados) lo
hacen a ngulos mucho mayores que aquellos dispersados
inelsticamente. En el conjunto de dibujos inferiores un
electrn procedente del haz de electrones primario con el
que se bombardea la muestra ioniza un tomo de esta
expulsando un electrn de una capa interna. La
desexcitacin produce radiacin X caracterstica o un
electrn Auger. Los electrones secundarios que tpicamente
se detectan en las columnas de electrones son expulsados
con muy poca energa y proceden de estados poco ligados,
un proceso no ilustrado aqu.

Figura 2-3. Una ilustracin de la sensibilidad a la

topografa de los electrones secundarios de baja energa.
Estos electrones tienen ms probabilidad de emerger desde
los picos que desde los valles, de aqu que los electrones
secundarios
sean
especialmente
sensibles
a
las
caractersticas superficiales de la muestra.

Cuando los electrones primarios interaccionan con la muestra se dispersan y difunden en

esta. El volumen en el que los electrones primarios interaccionan con la muestra tiene,
generalmente, forma de pera (figura 2-4). Debido a la gran densidad de electrones
secundarios que crea el haz primario, dichos secundarios proporcionan una relativamente
alta resolucin espacial comparada con otras de las seales disponibles. Los electrones
secundarios aportan poca informacin acerca de la composicin elemental de la muestra;
sin embargo, su sensibilidad a la topografa y alta resolucin espacial hacen que sea la seal

usada ms comnmente para realizar fotografas. Es esta sensibilidad a la topografa la que

hace que las imgenes de electrones secundarios (IES) sean fcilmente interpretables
visualmente. (Los electrones secundarios, tambin se generan, a veces eficientemente, por
electrones dispersados fuera del rea de impacto del haz primario. Estos electrones as
generados aaden ruido a la seal y degradan la calidad de las IES.
2.1.2 Electrones retrodispersados
Si el electrn primario interacciona con el ncleo de un tomo de la muestra puede ser
dispersado en cualquier direccin con una pequea prdida de su energa. Algunos de estos
electrones vuelven a salir de la muestra -incluso despus de ms de una interaccinpermitiendo ser detectados. Estos electrones retrodispersados (BSE) son mucho ms
energticos que los electrones secundarios y as pueden emerger de zonas ms profundas
dentro de la muestra. Comparados con los electrones secundarios, los retrodispersados
aportan poca informacin acerca de la topografa de la muestra y su resolucin espacial es
peor. Sin embargo tienen una ventaja compensatoria. Aportan informacin del nmero
atmico medio del volumen de la muestra en el que interaccionan. Cuanto mayor es el
nmero atmico de un tomo, mayor es la carga positiva de su ncleo y mayor la
probabilidad de que una interaccin produzca un BSE. La seal de BSE, por tanto, aporta
cierta informacin acerca de la composicin de la muestra.
2.1.3 Continuo de rayos X
El electrn primario tambin puede ser dispersado inelsticamente por el campo
coulombiano del ncleo del tomo (parcialmente apantallado por las capas electrnicas
internas), cediendo as parte de su energa. Esta energa puede emitirse en forma de
radiacin X denominada bremsstrahlung (del alemn "radiacin de frenado"). Ya que el
electrn primario puede ceder cualquier cantidad de energa esta distribucin de energa de
los rayos x emitidos es continua. Este componente de la seal de rayos X tambin se
denomina el continuo. Cuanto ms cercana es la interaccin entre el electrn primario y el
tomo mayor es dicha interaccin y mayor es la energa perdida en el proceso. En el caso
ms extremo, el electrn aporta toda su energa en el proceso, lo cual proporciona un lmite
superior en la energa de distribucin del continuo, que es el voltaje acelerador Eo de la
columna de electrones. una pequea prdida de energa es ms probable que una prdida
mayor (la cual es a su vez ms probable que una prdida total); as, es de esperar que la
distribucin de energa decaiga desde la energa ms baja .Este argumento simple lleva a
una distribucin como la de la lnea discontinua de la figura 2-5. En la prctica, sin
embargo, los rayos X de baja energa son absorbidos por la muestra y en la ventana del
detector, produciendose una distribucin real como la que muestra la lnea continua (ver
tambin el ruido de fondo de la figura 1-3).
2.1.4 Rayos X caractersticos
Cuando un electrn es expulsado de una capa atmica interna por medio de un haz de
electrones de alta energa, el resultado es un ion en un estado excitado. A travs de un
proceso de relajacin o desexcitacin, este ion cede energa para volver a su estado
fundamental. El proceso ms probable, en la mayora de los casos, es una serie de
transformaciones en cada una de las cuales un electrn de una capa externa "cae" a una

capa ms interna. Como ya hemos visto cada cada da lugar a la prdida de una cierta
cantidad de energa, concretamente, a la diferencia de energa de los dos niveles
electrnicos involucrados en cada proceso. Esta energa aparece en forma de radiacin
electromagntica -rayos X en el caso de transiciones que innvolucren niveles energticos
internos de alta energa. la energa de la radiacin indica de forma inequvoca el elemento
del cual procede, de aqu el nombre de emisin caracterstica. -para nuestros propsitos
rayos X caractersticos. Los rayos X recorren dentro de la muestra distancia mucho
mayores que los electrones y por tanto emergen de profundidades hasta las que llega el haz
primario. Consecuentemente, la seal de rayos X tiene una resolucin espacial peor que la
seal
de
electrones
secundarios
y
retrodispersados.

Figura
2-4.
Ilustracin
general de los volmenes de
interaccin
de
diversas
interacciones
electrnmuestra.
Los
electrones
Auger
(no
mostrados)
emergen de una regin
incluso ms estrecha que la
de electrones secundarios.
Los rayos X que a su vez
excitan rayos X en la propia
muestra
(fluorescencia
secundaria) es la seal que
emerge
desde
mayor
profundidad y que tiene la
peor resolucin espacial.

Figura 2-5. Grfico de la intensidad del continuo de

rayos X (bremsstrahlung) en funcin de la energa. La
desviacin de la curva terica observada a bajas
energas se debe a la absorcin de rayos X entre el
punto de origen de los rayos X y el cristal detector.

Nomenclatura

Antes de seguir puede resultar til una discusin acerca de la nomenclatura empleada en la
emisin de rayos X Usualmente, las lneas se nombran de acuerdo a la capa en la que
ocurre la vacante inicial y con respecto a la capa desde la que cae el electrn para llenar
dicha vacante (figura 2-6). Por ejemplo, si la vacante inicial ocurre en la capa K y el
electrn cae desde la capa adyacente (la capa L), decimos que se emite un rayo X Ka . Si el
electrn cae desde la capa M -dos capas ms all- el rayo X emitido se denomina K .
(Debido a la complejidad de la estructura electrnica, la nomenclatura se vuelve ms
compleja cuando la vacante inicial ocurre en niveles de alta energa) Los microanlisis se
realizan generalmente con las series de rayos X K, L y M, por este motivo al hacer
referencia a las lneas de emisin utilizaremos la expresin lneas KLM.

Figura 2-6. Algunos tipos de lneas tpicamente observadas en

los espectros de rayos X. Cada capa contiene realmente varios
niveles de energa; as, las transiciones posibles son ms (y la
nomenclatura ms complicada) que las que aparecen en el
grfico.

Ley de Moseley
La propiedad ms til de los rayos X es la variacin de su energa con el nmero atmico
del tomo emisor. Esta relacin obedece a la Ley de Moseley:
E = c1(Z - c2)2
donde E es la energa del rayo X caracterstico, Z es el nmero atmico, y c1 y c2 son
constantes para un tipo de lnea dado. la figura 2-7 ilustra esta relacin. Para un tipo de
lnea dado (por ejemplo las lneas Ka ), la energa de los rayos X aumenta con el nmero
atmico. As, partiendo de la energa de emisin de rayos X, se puede determinar el nmero
atmico del emisor si se conoce el tipo de lnea.
Intensidad de rayos X caractersticos
La intensidad detectada de la emisin de rayos X caractersticos, para unas condiciones de
excitacin dadas, est influenciada por tres factores. El primero es el nmero atmico -tanto
del tomo emisor como el promedio de nmero atmico de la muestra masiva. hay dos
parmetros que caracterizan la dependencia del nmero atmico del emisor. El primero es
la seccin eficaz de ionizacin, la cual expresa la probabilidad de que ocurra una vacante
inicial (una ionizacin) bajo ciertas condiciones. El segundo es la produccin de
fluorescencia que es la probabilidad de que una vacante, una vez creada, produzca rayos X

caractersticos. Por otra parte, el promedio de nmero atmico de la muestra afecta a la

cantidad de energa perdida por otros procesos de dispersin -energa que no estar
dispoonible
para
ionizar
un
tomo
de
la
muestra.
El segundo factor de influencia en la intensidad es la probabilidad de que los rayos x
caractersticos emitidos se absorban antes de salir por la superficie de la muestra. Sobre este
punto se hablar ms en la siguiente seccin sobre las interacciones fotn-muestra. El factor
final es la fluorescencia secundaria, que es un resultado de la absorcin. Por ejemplo, un
rayo x caracterstico de alta energa del elemento A puede ser absorbido por un tomo del
elemento B, estimulando as una emisin caracterstica de baja energa del segundo
elemento. la presencia de los elementos A y B en la misma muestra incrementar la
intensidad de emisin caracterstica del elemento B y disminuir la del elemento A. este es
el denominado efecto matriz, es decir, un efecto que depende de la matriz de la muestra - lo
cual requiere un tratamiento especial durante el anlisis cuantitativo.

Figura 2-7. Dibujo de la energa, en funcin del

nmero atmico, de las principales lneas de
rayos X observadas por debajo de 10 KeV.

2.1.5 Emisin de electrones Auger

El tomo excitado por el haz primario de electrones tambin sufre desexcitaciones por un
proceso alternativo. Solo por conveniencia, lo discutiremos como una secuencia de dos
sucesos independientes; en realidad se trata de un proceso simple que produce un electrn
de energa caracterstica en lugar de rayos X caractersticos. En primer lugar, una vacante
producida en una capa interna es ocupada en la forma usual producindose un rayo x
caracterstico. Posteriormente, este rayo X es reabsorbido en el mismo tomo expulsando
un electrn de baja energa (ver figura 2-2). De esta forma, el rayo X caracterstico no se
detecta. En su lugar, puede emitirse un rayo X secundario cuando la segunda vacante es
ocupada. Ms importante es, sin embargo, que el electrn expulsado posee una energa
exactamente igual a la diferencia entre la energa del rayo X caracterstico original y la
energa de enlace del electrn expulsado. estos electrones expulsados se conocen como
electrones Auger. Son los nicos electrones emitidos desde la muestra que aportan
informacin qumica especfica acerca del tomo que los ha originado. Por otra parte, en
contraste con los rayos X caractersticos, los electrones Auger tienen muy poca energa y
pueden solo viajar una corta distancia dentro de la muestra. La informacin que portan es

as especfica de la superficie de la muestra, de solo las primeras capas atmicas. La

desexcitacin de un tomo ionizado puede ocurrir bien por la emisin de un electrn Auger
o bien por la emisin de un rayo X caracterstico. Este hecho se refleja en la produccin de
fluorescencia, que depende principalmente del nmero atmico del tomo excitado. para
nmeros atmicos bajos, el proceso de la emisin Auger se ve favorecido y la produccin
de fluorescencia es baja. Inversamente, la elevacin de nmero atmico favorece la emisin
de rayos X caractersticos.
2.2 INTERACCIONES FOTON-MUESTRA
Como se apunt anteriormente, los fotones de rayos X interaccionan con los tomos de la
muestra. De hecho, estas interacciones son la base de la espectroscopa de fluorescencia de
rayos X. Nosotros estamos interesados en las interacciones entre la muestra y los rayos X
caractersticos o el continuo, una vez que ya han sido creados.
2.2.1 Absorcin
Cuando un rayo X viaja a travs de la muestra, su energa puede ser absorbida enteramente
por un electrn expulsando a este electrn de su orbital. La probabilidad de que un rayo X
sea absorbido en este proceso depende de su energa y de la energa de enlace del electrn
con su ncleo. La probabilidad de absorcin aumenta cuando la energa del rayo X se
aproxima a su energa de enlace desde valores ms altos, y alcanza un mximo cuando la
energa del rayo X es justo mayor que la energa de enlace. En este punto hay una
discontinuidad -un borde de absorcin- en la curva de probabilidad; los rayos X de energa
ms baja no tienen suficiente energa para superar la energa de enlace, y la probabilidad de
absorcin cae a un valor ms bajo. La probabilidad de absorcin aumenta entonces de
nuevo cuando la energa del rayo X se aproxima a la energa de enlace de un electrn ligado
ms debilmente. Como ilustra la figura 2-8, una curva de absorcin para un elemento dado
incluye un borde de absorcin para cada capa electrnica. Cada borde se denomina con el
nombre de la capa electrnica y el subndice ab,as, K ab es el borde de absorcin de la-capaK.
La probabilidad de absorcin como funcin del camino recorrido en la muestra est
dado por la ley de Beer:
I/I0 = exp (-m d)
donde I/I0 es la fraccin de rayos X emitidos a travs de un material de espesor d y
densidad . El parmetro m se denomina coeficiente msico de absorcin, que es funcin
del nmero atmico Z del absorbente y de la energa E del rayo X. Para un elemento dado,
el valor de m puede obtenerse de curvas de absorcin (similares a las de la figura 2-8) en
las que m se dibuja en funcin de la energa, o tambin puede obtenerse de tablas. El
coeficiente msico de absorcin para muestras complejas es el promedio con relacin al
peso de los coeficientes de los elementos constitutivos de la muestra.

Figura 2-8. Dibujo esquemtico de la

curva de absorcin de rayos X para un
elemento de alto peso atmico. las
caractersticas cualitativas de la curva
permanecern idnticas mientras que el
eje vertical represente la probabilidad de
absorcin de rayos X, el poder de frenado
del elemento, o el coeficiente msico de
absorcin m.

2.2.2 Fluorescencia secundaria

Cuando un rayo x es absorbido por un tomo de la muestra, el tomo queda en un estado
excitado. Desexcitndose despus al emitir rayos X caractersticos. Este proceso se
denomina fluorescencia secundaria. Debido a que un rayo X solo puede ser absorbido en la
interaccin con un electrn que tenga una energa de enlace menor que la energa del rayo
X absorbido, la energa de los rayos X de fluorescencia secundaria tienen una energa
necesariamente menor que los rayos X primarios que los excitaron. las relativamente
grandes distancias que los rayos X (primarios o secundarios) atraviesan en la muestra y la
posibilidad de que se produzcan procesos de emisin secundaria alejados de la emisin
primaria hace que la resolucin espacial de rayos X se degrade.

3La Fuente de Excitacin: La Columna de Electrones

3.1 Corriente de Haz
3.2 Voltaje Acelerador
3.3 Geometa de Haz-Muestra-detector
3.3.1 Angulo Slido
3.3.2 Angulo de salida
3.3.3 Angulo de incidencia
3.4Sistemas de Vaco y Contaminacin
UNA VEZ DESCRITA la fsica de las interacciones que se producen cuando se excita la
muestra, volveremos atrs para considerar la fuente de la excitacin.
Las columnas de electrones modernas se pueden clasificar en tres categoras. Los
Microscopios Electrnicos de Barrido (MEB) son los ms comunes y estn diseados para
proporcionar imgenes de alta resolucin espacial, usando normalmente la seal de
electrones secundarios. La imagen mostrada en un tubo de rayos catdicos (CRT) se crea
barriendo, de una forma determinada, con un haz focalizado de electrones cierta rea de la
muestra mientras que simultneamente se barre en sincronismo de la misma manera el
CRT. El brillo del CRT se modula en base a la intensidad de la seal de inters. Los MEB

tpicamente utilizan voltajes aceleradores de entre 5 y 30 KeV. La preparacin de la muestra

suele ser mnima y la resolucin espacial que se puede obtener es del orden de pocos
nanmetros.
Un segundo tipo de columna es la microsonda electrnica, aunque la diferencia con los
SEM en los instrumentos modernos es mnima. Esencialmente una microsonda est
diseada para proporcionar corrientes de haz estables de alta intensidad; pudiendo tener o
no posibilidad de barrido y de obtencin de imagen. la mayora de las microsondas estn
equipadas con espectrmetros de dispersin de longitudes de onda mltiples en donde es
necesaria una alta intensidad de electrones para proporcionar suficiente intensidad de rayos
X caractersticos necesaria para el anlisis con esta tcnica. Por tanto, mientras los SEM se
disean para proporcionar imgenes de alta calidad, las microsondas se disean para
obtener
anlisis
cuantitativos
elementales
fiables.
La tercera categora son los Microscopios Electrnicos de Transmisin (MET). En un
MET la muestra tiene que ser lo suficientemente delgada como para transmitir un flujo de
electrones de alta intensidad. La muestra es atravesada por un homogneo y ancho flujo de
electrones dispersos, en lugar de barrerla con un haz fino y focalizado. Las interacciones
con los tomos de la muestra causan perturbaciones en este, el cual posteriormente se
focaliza de forma anloga a los rayos de luz en microscopa ptica. La imagen se obtiene en
un plano luminiscente que est situado por debajo de la muestra desde el que se pueden
obtener fotografas. Los MET se caracterizan por utilizar voltajes aceleradores entre 100 y
300 KeV, o incluso mayores, y proporcionan resoluciones espaciales del orden de pocos
angstrons.
La
preparacin
de
la
muestra
suele
ser
complicada.
Una moderna variacin del MET es el STEM (microscopio electrnico de barrido y
transmisin). Combina los principios del MEB y del MET. Un haz fino y focalizado de
electrones barre una muestra transparente a estos y la imagen se presenta en un CRT.
Aunque la imagen procede de los electrones transmitidos se presenta de la misma forma
que en un MEB. La gran ventaja que presentan los anlisis por STEM es que se elimina el
esparcimiento del haz de electrones, siempre presente en muestra masiva, as se pueden
obtener imgenes de alta resolucin en muestras que en forma masiva presentaban baja
resolucin (ver figura 2-4).

3.1 Corriente de Haz

La intensidad de la seal emitida de rayos X vara directamente con la corriente del haz
primario de electrones. la corriente de haz ip, se puede expresar como:
ip ~ K Cs -2/3 dm8/3
donde K es una constante de proporcionalidad, Cs es el coeficiente de aberracin esfrica
para la lente final, es el brillo del can de electrones, y d m es el dimetro del haz en su
punto ms fino. Pueden obtenerse algunas conclusiones de esta ecuacin. Primero, cuanto
ms brillo posea una fuente de electrones ms intensidad de corriente se obtendr. Esto es
lgico ya que el brillo se define como la densidad de corriente (corriente por unidad de
rea) por unidad de ngulo slido. Comercialmente estn disponibles tres fuentes de
electrones, que de mayor a menor brillo son: las de filamento de tungsteno, las de filamento
de hexaborato de lantano (LaB6) y las de filamento de emisin de campo. Segundo, se
puede conseguir un significativo aumento en el conteo (el cual depende de i p) con solo un
pequeo decrecimiento en el dimetro del haz dm. Finalmente, una disminucin en el

coeficiente de aberracin esfrica aumenta la corriente de haz para un dimetro dado. La

disminucin de la aberracin esfrica puede obtenerse aumentando la corriente de la lente
final, de esta forma se reduce la distancia focal, lo que requiere que la muestra se site ms
prxima a la lente objetivo. Tambin son deseables las distancias de trabajo cortas para
aumentar
el
conteo
de
rayos
X
sin
disminuir
la
resolucin.
Otro parmetro que afecta a la corriente de haz es tamao del diafragma objetivo. Un
gran diafragma maximiza la corriente de haz pero disminuye la profundidad de campo de
las imgenes.
Adems de la intensidad debe considerarse la estabilidad del haz. Todos
los esquemas convencionales de cuantificacin requieren que la cantidad total de carga
depositada sea conocida. A pesar de las tcnicas que existen para medir continuamente la
intensidad de la corriente de haz mientras que se estn adquiriendo datos de rayos X, el
analista, usualmente, realiza medidas de la corriente antes y despus del anlisis,
asumiendo que el haz a permanecido estable durante el anlisis. As, la estabilidad del haz
es crtica. Entre los factores que afectan a la estabilidad del haz estn la antigedad del
filamento, la alineacin de los elementos de la columna, la limpieza de las superficies de la
columna, y la eficiencia de su sistema de vaco.

3.2 Voltaje acelerador

El voltaje acelerador usado en la columna de electrones afecta tanto a la resolucin espacial
de rayos X como a la eficiencia con que estos se generan en los tomos de la muestra.
Voltajes altos producen electrones de alta energa que penetran ms en la muestra y se
esparcen en volmenes mayores que los electrones de energas menores. El resultado de un
voltaje acelerador elevado es una perdida de resolucin espacial, por una parte, pero una
mejor excitacin de rayos X, por otra. Se acepta una solucin de compromiso que es un
sobrevoltaje de 2,5 a 3 veces la energa de la lnea que se quiera excitar. Por ejemplo, para
excitar la lnea K del cobre (8.047eV)el voltaje acelerador tendra que estar comprendido
aproximadamente
entre
20KeV
y
24
KeV.
Como muestra la figura 2-7, se pueden observar al menos un conjunto de lneas de rayos
X (K, L o M) por debajo de 10 KeV para cada elemento. Por este motivo, lo normal es
adquirir los espectros de rayos X entre 0 y 10 KeV, aunque tambin se utiliza el rango de
energas mayores -usualmente cuando los picos de diferentes elementos se solapan en bajas
energas la identificacin puede ser ambigua. Por ejemplo, existe un notorio solapamiento
entre las lneas K del azufre y las L del molibdeno en torno a los 2,3 KeV. La presencia de
molibdeno puede confirmarse si aparece la lnea K de este justo por encina de 17 KeV. Los
voltajes aceleradores mximos de los SEM, en torno a 30 Kv permiten excitar esta lnea, y
en el rango de 0 a 10 KeV permiten el sobrevoltaje de 2,5 a 3 veces mencionado para
cualquier lnea en este rango.

3.3 Geometra de Haz-Muestra-Detector

La geometra del sistema afecta al anlisis cuantitativo de diversas maneras pero todos los
efectos provienen de la pequea parte de rayos X que se detecta en comparacin a los que
se generan. El anlisis entonces consiste en extrapolar conclusiones de los rayos X emitidos
a partir de los detectados. La geometra del sistema afecta enormemente a la fraccin de los
rayos x detectados.
3.3.1 ngulo slido

Al considerar el nmero de rayos X detectados, quiz la relacin ms directa sea la que se

establece entre el ngulo slido w subtendido por el detector y la eficiencia en la deteccin
de rayos X (no confundir con la eficiencia del detector, que se trata en la seccin 4.1.4). El
detector perfecto sera aquel que fuese esfrico con centro en el punto de interaccin del
haz de electrones con la muestra. Este detector recogera tericamente todos los rayos x
generados que escapan de la muestra. En la prctica, mucho menos perfecto, los detectores
tienen forma de disco y conocemos que rea de la hipottica esfera cubren. Esta porcin se
expresa por el ngulo slido del detector, que es funcin de su rea, su orientacin con
respecto al punto de impacto del haz y la distancia a dicho punto (figura 3-1). En general,
un detector lo ms grande posible, que este orientado directamente a la muestra y tan
prximo como sea posible a ella, produce la eficiencia en la deteccin ms alta.

Figura 3-1. Ilustracin de los parmetros que determinan

el ngulo slido w subtendido por el detector y la fuente
de rayos X. El ngulo slido se expresa en
estereoradianes. Un detector hipottico esfrico subtiende
un
ngulo
slido
de
4
estereoradianes.

3.3.2 ngulo de salida

Un segundo parmetro que debe ser considerado es el ngulo de salida . Es el ngulo
formado por la superficie de la muestra y la lnea que une el punto de produccin de rayos
X
con
el
centro
del
detector
(ver
figura
3-2).
Aunque los rayos X se crean en todo el volumen de interaccin por debajo de la
superficie de la muestra, los esquemas de cuantificacin hacen la aproximacin de que
dichos rayos X se crean en un solo punto dentro del volumen de interaccin. Como se
muestra en la ley de Beer de la pgina 10, la probabilidad de absorcin de un rayo X
depende de la longitud de la trayectoria de escape a travs de la muestra. Esta longitud est
determinada por la profundidad del punto en el que se considere que se crean los rayos X y
por el ngulo con el que emergen de la muestra, el ngulo de salida.

Figura 3-2. Ilustracin esquemtica del ngulo de salida .

Para una incidencia dada de los electrones la longitud del
camino de absorcin d es directamente proporcional a csc .

Como puede verse en la figura 3-2, cuanto mayor es el ngulo de salida menor es la
trayectoria de absorcin. La relacin entre y la absorcin de rayos X en la muestra se ve
explcitamente en la figura 3-3. La fraccin de rayos X transmitidos aumenta rpidamente
cuando el ngulo de salida aumenta de 0 a 30, pero por encima de este rango el cambio es
menos rpido. Entonces, como norma se debe procurar trabajar por encima de 30. No solo
el acortamiento del camino de absorcin aumenta el conteo sino que tambin minimiza la
correccin que debe aplicarse a los datos debido a la absorcin de rayos X y a la
fluorescencia secundaria en la muestra. Los coeficientes msicos de absorcin son todava
tema de controversia y una de las mayores fuentes de incertidumbre en todos los esquemas
de correccin.
3.3.3 ngulo de incidencia
Debemos considerar un aspecto final de la geometra que es el ngulo de incidencia del haz
de electrones en la superficie de la muestra. Este parmetro afecta al promedio de
profundidad del volumen de interaccin. Cuanto ms pequeo es este ngulo ms prximo
est el volumen de interaccin a la superficie de la muestra y, por tanto, menor es el camino
de absorcin y mayor la intensidad medida y menores las correcciones de absorcin
necesarias.

Figura 3-3. Grfico de e-csc en funcin del ngulo de salida . Como se

expresa en la ley de Beer, la probabilidad de absorcin de rayos X es
directamente proporcional a e-d, donde d aqu es proporcional a csc .

4Instrumentacin de Rayos X
4.1 El Detector
4.1.1 La Fsica de la Deteccin de rayos X
4.1.2 Prdida de Corriente y Dopado con Litio
4.1.3 Resolucin Espectral
4.1.4 Eficiencia del Detector
4.1.5 La Capa Inerte
4.1.6 Picos de Escape
4.2 Preamplificador
4.3 Amplificador del Procesador de Pulsos
4.3.1 Proceso de Tiempo Variable
4.3.2 Rechazo de Apilamiento de Pulsos
4.4 EDC y Analizador Multicanal
LOS COMPONENTES tpicos de un sistema de microanlisis por dispersin de energas se
muestran esquemticamente en la figura 4-1. Es el conjunto de componentes desde el
detector al analizador multicanal que transforman la informacin contenida en las seales
de rayos X en un espectro de rayos X. Los siguientes prrafos discuten estos elementos del
sistema, comenzando por el detector.

Figura 4-1. Componentes

de un sistema tpico de
microanlisis de rayos X
por dispersin de energas.
El
pulso
de
carga
procedente del detector se
convierte
en
el
preamplificador
en
un
paso, en una rampa de
voltaje. El procesador de
pulsos convierte la seal
en un pulso de voltaje de
forma bien definida, con
una amplitud proporcional
a la energa del rayo X.

4.1 El Detector
Todos los espectrmetros de dispersin de energas tienen en comn un detector de estado
slido (figura 4-2). En microanlisis este detector esta fabricado, casi siempre, a partir de
un monocristal de silicio. Como en otros semiconductores, la conductividad del silicio vara
grandemente, dependiendo principalmente de su pureza y de la perfeccin de la red
cristalina. En un cristal perfecto de silicio hay un sitio para cada electrn y cada electrn

est en su sitio. Las impurezas, por el contrario, perturban esta estructura perfecta, creando
zonas locales de sobreabundancia o escasez de electrones. Los electrones o huecos
resultantes sirven como portadores de carga en presencia de un campo elctrico aplicado.
As, mientras que un cristal perfecto conduce muy poca corriente, uno imperfecto permite
el paso de una corriente mayor. para la deteccin de rayos x se intentan usar cristales de
estructura perfecta y alta pureza.
4.1.1 La fsica de la deteccin de rayos X
Los tomos de silicio forman el cristal y se mantienen en su estructura peridica mediante
un mecanismo de enlace covalente que esencialmente comparte electrones entre orbitales
de tomos vecinos. Estos electrones compartidos ocupan la banda de valencia del cristal.
Cuando un rayo X penetra en el cristal existe una alta probabilidad de que sea absorbido en
una interaccin con un electrn producindose un fotoelectrn de lata energa. El
fotoelectrn disipa su energa en interacciones que provocan saltos de electrones de la
banda de valencia a la banda de conduccin dejando huecos en la banda de valencia.
Existen otros procesos (por ejemplo generacin de calor), diferentes a la generacin de
pares electrn-hueco, que intervienen en la disipacin de la energa de los rayos X
depositados. No obstante, existe una buena correlacin estadstica entre la cantidad de
energa disipada y la cantidad de pares electrn-hueco generados. En promedio, se disipan
de 3.8 a 3.9 eV en la creacin de cada par. Este bajo valor, relativo a la energa de los rayos
X (tpicamente de cientos de eV) conduce a una buena precisin estadstica en un cristal
detector de silicio. El proceso de la deteccin de rayos X consiste, entonces, en medir el
nmero de cargas libres (pares electrn-hueco) creadas en el cristal durante el proceso de
absorcin de cada rayo X. El cristal opera como un diodo inversamente polarizado bajo un
voltaje aplicado de 100 a 1000 V. Cualquier carga libre creada en el diodo lleva a un
aumento temporal de su conductividad. Si la corriente resultante se integra respecto al
tiempo, se encuentra que la carga total conducida es directamente proporcional a la energa
del
rayo
X
absorbido.

Figura 4.2. Seccin transversal de un tpico detector

de silicio dopado con litio. Los rayos X crean pares
electrn- hueco en la regin intrnseca del
semiconductor; estos portadores de carga migran
entonces a los electrodos bajo la influencia de un
voltaje de polarizacin.

4.1.2 Prdida de corriente y dopado con litio

Es de esperar que incluso un semiconductor perfecto muestre conductividad residual
despus de la absorcin de un rayo X. Esta lnea base de conductividad es debida a la

excitacin trmica aleatoria de los electrones a travs de la discontinuidad entre la banda de

valencia y la de conduccin. para minimizar este fondo trmicamente inducido, o prdida
de corriente, los detectores operan a bajas temperaturas. As, todos los detectores
incorporan un aparato refrigerante de nitrgeno lquido denominado criostato. Como hemos
mencionado anteriormente, las imperfecciones e impurezas en la estructura cristalina del
silicio tambin contribuyen a la conductividad del cristal y ,por tanto, a la prdida de
corriente. realmente no se fabrican cristales de silicio lo suficientemente puros para
mantener el requerido voltaje de polarizacin. La mayora contienen impurezas que causan
huecos presentes como portadores de carga extrnsecos. Es posible, no obstante,
"compensar" estas impurezas e imperfecciones mediante un proceso denominado dopado
con litio. En este proceso se difunden tomos de litio en el cristal para compensar las
impurezas originales del cristal. El resultado es un detector de silicio dopado con litio o
detector Si(Li).
4.1.3 Resolucin espectral
Debido a la naturaleza compleja de la interaccin de los rayos X con la red cristalina del
silicio y los diferentes procesos de disipacin de la energa, los pulsos de carga asociados
con la deteccin de rayos X idnticos no necesariamente equivalen en magnitud. En la
prctica varan estadsticamente alrededor de cierto valor medio (ver el apartado de la
pgina 26). Para un gran nmero de pulsos, la forma de la distribucin resultante se
aproxima a una distribucin normal. Un indicador de la calidad del espectrmetro es el
ancho de su distribucin, relativo a su altura. Este indicador se denomina resolucin
espectral y por convenio se mide como la anchura total de la distribucin a mitad de su
altura (FWHM). (Hay que tener en cuenta que la resolucin espectral no solo refleja las
prestaciones del cristal detector sino tambin los dems componentes en la cadena del
procesamiento de la seal). La resolucin es tambin funcin de la energa medida de los
rayos X. As, la resolucin, por convenio, se especifica para una lnea de rayos X dada y
para unas condiciones instrumentales dadas (normalmente los 5.9 KeV de la lnea K del
manganeso, a 1000 cuentas por segundo y con una constante del procesador de pulsos de 8
microsegundos).
4.1.4 Eficiencia del Detector
Tambin se deben hacer algunas consideraciones sobre la eficiencia del detector. Un rayo
X, despus de escapar de la muestra y llegar al detector, puede no ser detectado por dos
importantes razones. Primera, puede no llegar al propio cristal detector. debido a los
requerimientos de alta pureza de los detectores, el cristal debe funcionar en un muy alto y
muy limpio vaco. As, en los detectores convencionales el vaco del cristal se mantiene
separado
del
vaco
de
la
columna
de
electrones.

Figura 4-3. Grficos de la

eficiencia terica del detector
como funcin de la energa de
rayos X. Se muestran curvas para
tres espesores de una ventana de
berilio y para tres espesores del
detector de silicio. La curva de la
esquina superior izquierda es la
eficiencia terica de un detector
sin ventana.

Este aislamiento se lleva a cabo encerrando el cristal dentro de un tubo y cerrando dicho
tubo con una ventana de algn material que sea relativamente transparente a los rayos X de
inters. Uno de estos materiales es el berilio. Fabricado con un espesor de 7.5 m, el berilio
soporta la diferencia de presin entre el cristal y el entorno de la muestra y transmite los
rayos X de elementos con nmero atmico mayor de 11 (los rayos X con energa mayores
que 2 Kev se transmiten con un 100% de eficiencia). Por el contrario, los rayos X de
elementos por debajo del sodio son absorbidos por la ventana de berilio y por tanto no son
detectados. Solo los detectores sin ventana o de ventanas ultrafinas transmiten los rayos X
de elementos ligeros. Tambin hay otras barreras para los rayos X, si bien menos
importantes que la ventana de berilio. Los rayos X tambin pueden ser absorbidos por los
contaminantes que se van depositando en la ventana; por la capa conductora de oro en la
superficie de la ventana y por la inevitable capa inerte de silicio justo debajo de la capa de
oro. La absorcin en la ventana limita as la sensibilidad en la deteccin de rayos X de baja
energa. Tambin existe un lmite en la eficacia de la deteccin de rayos X de alta energa.
A medida que aumenta la energa de los rayos X, aumenta la posibilidad de que estos
transpasen el detector con al menos una parte de su energa. Por supuesto, cuanto mayor es
el espesor del cristal mejor absorbern toda la energa de los rayos X. Sin embargo el
proceso de fabricacin del cristal impide obtener cristales de mas de 2 o 3 mm. Un cristal
de 3 mm mantiene una eficacia del 100% en la deteccin de rayos X hasta 20 Kev. la figura
4.3 ilustra este efecto del espesor del cristal en relacin a su eficacia.
4.1.5 La Capa Inerte
La capa inerte mencionada anteriormente, es una capa en al superficie del cristal de silicio
en la que no se ha producido la neutralizacin en el proceso de dopado con litio. El exceso
de huecos permanece. El resultado es una recogida incompleta de carga, o trampa de carga,
en la que las cargas creadas como resultado de una absorcin de rayos X quedan atrapadas
en el cristal, en lugar de llegar al detector de pulsos por medio del voltaje de polarizacin
aplicado. El tamao del pulso de carga detectado est as reducido en cierta cantidad y el
rayo X es asignado a una energa algo menor que la real. esta reduccin de energa aparece

como una cola aadida a la zona de menor energa del pico correspondiente. Como una
indicacin de la magnitud de este efecto a veces se utiliza la relacin entre el FWHM y el
FWTM ( la anchura del pico a un dcimo de su altura).
4.1.6. Picos de escape
Adems de la trampa de carga, a veces ocurre un segundo fenmeno cercano a la superficie
del cristal. A la emisin de un fotoelectrn de silicio debido a los rayos X, a veces le sigue
la emisin de un rayo X caracterstico de silicio -el mismo proceso de desexcitacin que se
produce en la muestra. Si este rayo X es posteriormente absorbido por el cristal contribuye
adecuadamente al pulso de carga medido en el rayo X original. No obstante, el rayo X de
silicio puede escapar con una energa bien definida, concretamente 1.74 KeV, la energa del
pico K , siendo ahora la energa del rayo X original menor, exactamente en esa cantidad.
As, es de esperar que para los picos de los elementos mayoritarios en la muestra aparezcan
picos de escape a 1.74Kev por debajo de dichos picos. Este pico es el resultado de la suma
de eventos del fenmeno descrito. La intensidad de los picos de escape depende
principalmente de dos parmetros, el ngulo con el que los rayos X entran en el cristal
detector y la energa del pico originario. El ngulo de incidencia influye en la profundidad a
la que se generan los rayos X de silicio. La incidencia normal tiende a aumentar esta
profundidad media y de esta forma se reduce el nmero de sucesos de escape. Por el
contrario la inclinacin en la incidencia aumenta el nmero de sucesos de escape. Ya que
esto est gobernado por una curva como la de la figura 2.8, la probabilidad de la iotizacin
del silicio aumenta cuando la energa de los rayos X originales se aproxima a la energa
frontera de la capa K del silicio (1.84KeV) desde arriba. Consecuentemente los rayos X de
alta energa tienen ms probabilidad de penetrar ms profundamente que los de baja energa
antes de ser absorbidos. Los sucesos de escape son as ms probables cuando la energa del
rayo X primario est justo por encima de 1.84 KeV. No se observan picos de escape de
picos originarios con energas menores de 1.84KeV. A pesar de que los picos de escape
estarn presentes para picos originarios por encima de 1.84 Kev, los picos de escape son
relativamente raros en la mayora de las situaciones. Usualmente la magnitud de los picos
de escape es un tanto por ciento muy pequeo de su pico originario.
4.2 PREAMPLIFICADOR
El siguiente paso en la cadena de procesamiento de la seal es el preamplificador. Es aqu
donde la corriente conducida por el cristal detector es integrada y amplificada. La primera
etapa es un circuito de amplificacin que incorpora un transistor de efecto campo (FET).
Los primeros diseos de amplificadores incorporaban un retroalimentador resistivo en este
paso, no obstante, el ruido electrnico asociado con esta tcnica condujo a un mecanismo
de retroalimentacin alternativo. En la actualidad se usa una configuracin denominada
retroalimentacin de pulsos pticos. En este diseo, la salida del FET se establece en un
rango de lmites preestablecidos. Cuando alcanza el lmite superior un diodo de emisin de
luz (LED) luce en el FET e inicializa el circuito regulado la respuesta fotoelctrica del
transistor. La salida del circuito de amplificacin, entonces, es un voltaje en forma de diente
de sierra al que se superponen los incrementos de escalones (ver la seal emergente del
preamplificador en la figura.4-1). La magnitud de cada escaln es proporcional a la
corriente integrada conducida por el detector para cada evento de rayos X. Con el fin de
reducir la transmisin trmica y de ruido, el FET se sita cercano al cristal detector y se

refrigera criognicamente. En este punto es necesario introducir el concepto de tiempo

muerto del analizador. Para situarnos en el problema hay que recordar que el fin ltimo es
deducir la concentracin de elementos a partir de nmero de cuentas de rayos X. La manera
ms directa de realizar esto es comparar las cuentas de la muestra con las de un patrn, bajo
idnticas condiciones instrumentales. Esto se realiza en un tiempo de duracin
determinado, no obstante hay perodos de tiempo en los que el analizador no cuenta rayos
X. Esto es lo que se denomina tiempo muerto. As dos medidas realizadas en el mismo
tiempo real se pueden comparar si se asume que han tenido el mismo tiempo muerto. El
tiempo muerto se produce en varias etapas de la cadena de procesamiento de la seal. Una
fuente de tiempo muerto es el que transcurre durante la reinicializacin del FET por el
circuito de retroalimentacin ptica de pulsos. El tiempo muerto en este caso vara de una
adquisicin a otra. Por ejemplo, una muestra que emite 1000 rayos X de 10KeV por
segundo, provoca ,rigurosamente, doble de corriente en el circuito del FET que una que
emite 1000 rayos X de 5 KeV por segundo. El circuito del FET debe as reinicializarse
doble de veces y provoca un tiempo muerto doble. Los analizadores actuales incorporan
circuitos de correccin de tiempo muerto que automticamente tienen en cuenta estas
variaciones. La adquisicin espectral se basa entonces en segundos de tiempo activo en
lugar de segundos de tiempo muerto. Otros diseos de preamplificador no causan tiempo
muerto. tales diseos se conocen como restauracin de carga dinmica. En este esquema el
circuito es esencialmente reinicializado o restaurado en cada pulso procesado.
4.3 AMPLIFICADOR DEL PROCESADOR DE PULSOS
El tercer paso en la cadena del procesamiento de la seal es el procesador de pulsos o
amplificador principal. En este punto, la aceptacin del aumento de escaln generado por el
amplificador est condicionado por el convertidor analgico-digital. Se usan comnmente
dos mtodos. El primero comprende una diferenciacin inicial y una subsecuente
integracin mltiple de la seal. El resultado es un pulso de voltaje, de forma bien definida,
cuya altura corresponde a la magnitud del escaln de entrada. Puede pensarse en la
integracin mltiple como un filtro diseado para extraer componentes de frecuencia no
deseada de la seal. La informacin deseada la porta el voltaje de corriente continua
asociado con la salida de escalones del amplificador. Cualquier variacin (ac) de corta
duracin en el nivel de la seal constituye ruido. Mientras se convierte la seal en una
forma aceptable para la digitalizacin es deseable preservar la informacin contenida en los
cambios de los escalones mientras se atena o se filtra cualquier ruido. Los filtros se
pueden caracterizar por un parmetro denominado constante de tiempo. Cuanto ms grande
es la constante de tiempo, menos sensible es el filtro al ruido de frecuencia de alta energa
en la entrada. Entonces, pensando en la exactitud, es deseable operar con una constante de
tiempo lo mayor posible. No obstante, la constante de tiempo est relacionada con la
cantidad de tiempo requerido para que la salida del filtro alcance un nivel especfico, dando
un cambio instantneo en la salida, as esta tambin relacionado con el tiempo requerido
para procesar cada suceso individual de rayos X. Entonces se establece una solucin de
compromiso entre la velocidad a la que los rayos x se procesan (la capacidad de velocidad
de conteo) y la exactitud con la que cada pulso individual se puede procesar ( resolucin
espectral).
4.3.1 Proceso de tiempo variable

En el mtodo de amplificacin descrito anteriormente, la constante de tiempo no varia para

la fase de aumento y disminucin de cada pulso. Sin embargo podemos deducir la
informacin que necesitamos, es decir, la altura del pulso tan pronto como esta alcanza su
mximo de intensidad. El tiempo durante el cual el pulso est decayendo a cero
esencialmente se pierde. Durante este tiempo el siguiente pulso no puede ser aceptado ya
que se podra aadir al nivel de la seal decreciente. Para reducir este tiempo perdido se
emplea un segundo mtodo de procesamiento de pulsos conocido como procesamiento de
tiempo variable. En el proceso de tiempo variable, se aplica una constante de tiempo
durante la fase de aumento del pulso que optimiza la informacin que porta la seal. Una
vez que el pulso mximo ha sido medido, se cambia la constante de tiempo a un valor ms
pequeo permitiendo al pulso decaer ms rpidamente. Los procesadores de tiempo
variable ofrecen un compromiso ms atractivo entre la resolucin y la velocidad de conteo,
aunque los diseos actuales tienen ciertas restricciones en su uso con sistemas de columnas
de electrones. En particular, son sensibles a las variaciones en el conteo que
inevitablemente ocurren durante el proceso de barrido en una muestra no homognea.
4.3.2 Rechazo de apilamiento de pulsos
Cada pulso de seal debe medirse individualmente con referencia al nivel cero, y no puede
medirse cuando se superponen tanto el principio como el final de un pulso cercano (ver
figura 4-4). El rechazo de apilamiento de pulsos es la tcnica mediante la cual los pulsos
cercanos
coincidentes
son
rechazados.

Figura 4-4. Ilustracin del apilamiento de pulsos. En el caso

mostrado aqu, el fallo al discriminar (y rechazar) los dos
pulsos puede conducir a un anmalo gran pulso que puede ser
digitalizado
y
almacenado.

Todos los circuitos de rechazo de apilamiento dependen de la discriminacin del principio

de un pulso en un denominado amplificador de canal rpido. Proporcionando la constante
de tiempo usada en el amplificador, es entonces posible calcular cuando ocurren los
solapamientos. No obstante debido a los requerimientos de la discriminacin por canal
rpido, los circuitos de rechazo de apilamiento de pulsos pierden su eficacia a bajas energa,
donde la amplitud de los procesos de rayos X se aproxima a la amplitud de los sucesos de
ruido. El rechazo de apilamiento de pulsos es otra fuente de tiempo muerto. De hecho,
debido a que dos pulsos coincidentes deben rechazarse, un aumento a la velocidad a la cual
los rayos X entran en el detector no resulta necesariamente en un aumento en la velocidad a
la que los rayos x son aceptados y procesados. Cuanto ms alta es la velocidad de entrada
mayor es el nmero de pulsos rechazados. Como regla general, la mxima entrada sucede
cuando el tiempo muerto es aproximadamente el 60% del tiempo real (figura 4-5).

Figura 4-5. Grfico de la velocidad

de conteo de salida como funcin
de la velocidad de conteo de
entrada para cuatro constantes de
tiempo. Debido al circuito de
rechazo de apilamiento de pulsos,
una velocidad de entrada que
produce en torno a un 60% de
tiempo muerto, maximiza el conteo
de salida para una constante de
tiempo dada.

4.4 EDC Y ANALIZADOR MULTICANAL

En el convertidor de energa a digital, la altura del pulso de voltaje procedente del
procesador de pulsos (que es proporcional a la energa del rayo X detectado) es medido y
asignado a un nmero de canal. El nmero de cuentas de este canal en el analizador
multicanal se aumenta entonces en uno. El convertidor de energa a digital ms usado en
sistemas de microanlisis es conocido como convertidor de descarga capacitiva
temporizado. En este convertidor el pulso de voltaje carga un condensador , al que se le
permite entonces descargarse a una velocidad constante. El tiempo requerido para descargar
el condensador es una medida de la altura del pulso de voltaje. El analizador multicanal es
entonces el medio por el cual la informacin de la seal se acumula y construye el espectro.
Por otra parte, el control de la pantalla y del espectrmetro se lleva a cabo mediante un
terminal de video y un teclado asociado al analizador multicanal.

5 Analisis
5.1 ANLISIS CUALITATIVO
5.1.1 Extraccin de los picos de escape
5.1.2 Solapado de picos
5.1.3 Efectos del Voltaje Acelerador
5.1.4 Perfiles de lnea, mapas de puntos y resolucin espectral
5.2 ANLISIS CUANTITATIVO
5.2.1 Extraccin del fondo
La parte final de esta discusin se desarrolla en torno al anlisis (la tarea siguiente a la
adquisicin de un espectro). Muchos aspectos del anlisis estn automatizados, pero en
analista puede escoger entre diferentes rutinas analticas que varan de sistema a sistema.
Como veremos algunas alternativas particulares, el tono de la siguiente discusin ser
eminentemente prctico. Como puede verse en la figura 1-3, un espectro de dispersin de

energa se presenta usualmente como un histograma en donde el eje horizontal son

unidades de energa y el eje vertical nmero de cuentas o intensidad. La figura 5-1 muestra
una parte de otro espectro en el que se observan algunos rasgos tpicos. Los ms obvios son
los grandes picos caractersticos del hierro cromo y nquel (componentes de la muestra).
Para cada uno de estos elementos, tanto los picos K como los K estn presentes, aunque el
pico K del nquel est a la derecha, fuera de la pantalla. Los picos de escape del cromo y
del hierro tienen caractersticas discernibles en el espectro original, pero han sido extrados
y se presentan a lo largo de la lnea base. El ms grande est situado en 1.74 KeV por
debajo del correspondiente pico originario o matriz K . la multitud de pequeos picos por
encima de todo espectro representan fluctuaciones estadsticas canal a canal. Finalmente,
todas las caractersticas estn superpuestas a un espectro bremsstrahlung que decae
lentamente
de
izquierda
a
derecha.

Figura 5-1. Parte de un espectro de rayos X (de 3 a 8 KeV

aproximadamente) de una muestra de acero inoxidable. Los picos
fuera de escala son los K y K del hierro y cromo y el K del nquel
(el K del nquel est a la derecha fuera de la pantalla. Los picos de
escape han sido extrados mediante un algoritmo que calcula sus
posiciones tericas e intensidades, y que aade el conteo extrado
a sus picos correspondientes.

Una caracterstica no ilustrada en los espectros de las figuras 1-3 y 5-1 es la suma de picos
que resulta de la coincidencia exacta (o gran proximidad) en la deteccin de los rayos X. El
circuito de rechazo de apilamiento de pulsos tiene algunas limitaciones, como la separacin
mnima entre dos pulsos distintos. los pulsos con separacin menor que la mnima son
procesados como un solo pulso de una magnitud igual a la suma de los pulsos individuales.
En un espectro de una muestra pura (como el espectro de titanio de la figura 5-2) la suma
de picos puede a veces situarse en energas que son la suma de los picos mayores. En un
espectro con unos cuantos picos grandes, las combinaciones de energas de rayos X
conducen a muchas sumas tericas y el tamao de cada pico es por consiguiente
relativamente
pequeo.

Figura 5-2. Un Espectro de titanio obtenido a alta

velocidad de conteo. Los picos suma son visibles en
9.02 KeV ( Ka + Ka ) y 9.44 (Ka + K). El pico suma
para K + K es demasiado pequeo para verse.

La probabilidad de que se produzca una suma de picos es proporcional al producto de la

velocidad de conteo de los picos originales, por lo que el tamao de la suma de picos vara
como el cuadrado de la velocidad de conteo. Aunque las correcciones de la suma de picos
se suelen hacer sobre estas bases, lo usual, por simplicidad, es reducir la velocidad de
conteo para eliminar esta correccin, bien reduciendo la intensidad del haz de electrones, o
bien aumentando la distancia entre la muestra y el detector.
5.1 ANLISIS CUALITATIVO
El anlisis cualitativo es el proceso de identificacin de elementos presentes en la muestra.
como se sugiri en la discusin de los lmites de deteccin mnimos, el anlisis cualitativo
tiene como fin poder obtener un resultado de la siguiente forma: "Los elementos X, Y y Z
estn con toda seguridad presentes en la muestra. Si hay otros elementos presentes, estos
deben tener concentraciones menores que el MDL". Los MDL deben tenerse siempre en
cuenta en los anlisis cualitativos. En resumen, el anlisis cualitativo consiste en determinar
la energa de los picos presentes en el espectro y compararlos con unas tablas de energa de
emisin de rayos X. Los analizadores modernos tienen automatizado este proceso y la
mayora muestra en la pantalla de vdeo el nmero atmico o el smbolo. En las versiones
altamente automatizadas, las rutinas de software detectan la posicin de los picos
espectrales, los comparan con los valores tabulados de energa, hacen chequeos de
incongruencias (por ejemplo, un aparente pico K sin su correspondiente pico K ), muestran
un listado de los elementos presentes, etc. En general, no obstante, las rutinas de este tipo
no realizan sofisticados juicios, pero bastan para un uso normal.
5.1.1 Extraccin de los picos de escape
Antes de efectuar cualquier identificacin cualitativa, es necesario extaer los picos de
escape del espectro en bruto. Ya se vio el origen de estos picos en la discusin del detector.
Para su evaluacin, el analizador computa su intensidad terica basada en la intensidad y
energa del pico original y en la geometra del sistema, los extrae y suma el conteo extaido
al pico original. el espectro de la figura 5-1 ha sido procesado de esta manera.

5.1.2 Solapado de picos

La mayor fuente de error en el anlisis cualitativo son los picos que pueden ser asignados a
ms de un elemento. esto sucede cuando se solapan picos de diferentes elementos. Un
ejemplo notorio que se muestra en la figura 5-3, es el solapado entre el bario y el titanio. las
lneas K del titanio aparecen aproximadamente en 4.5 y 4.9 KeV, mientras que las lneas L
del bario estn cerca de los 4.5 y 4.8 kev. En el espectro de la figura 5-3 el analizador puede
confirmar la presencia del bario en base al diagrama de picos mltiples, pero se requiere
informacin acerca de la intensidad relativa de la emisin para establecer la contribucin
( o no contribucin) del titanio a los dos picos de mayor intensidad.

Figura 5-3. Un espectro de (Ba Ti Si3 O9 ), mostrando el

solapamiento de las lneas K del Titanio con las L del Bario. la
disposicin de los cuatro picos es caracterstica del Bario, pero
la presencia del Titanio se puede deducir de la altura relativa
de los picos.

Este ejemplo del titanio y el bario tambin ilustra la dependencia de los MDL en el
solapamiento de picos. En la deduccin terica de los MDL se hizo la hiptesis implcita de
que los picos se distinguan de un fondo continuo (una hiptesis que aqu, obviamente, no
es vlida). Aqu el MDL para el titanio en una muestra conteniendo bario, es
considerablemente ms alto que en una muestra que no contenga este elemento, que
interfiere en el anlisis.
5.1.3 Efectos del Voltaje Acelerador
Cuando se hacen determinaciones cualitativas basadas en la intensidad relativa de las lneas
es necesario recordar la influencia del voltaje acelerador. Un excelente ejemplo lo
proporciona la comparacin del espectro del cobre adquirido a 10 y 20 KeV (figura 5-4). A
10 KeV las lneas K de cobre a 8.04 y 8.91 KeV no se excitan suficientemente, en contraste
con las lneas L, justo por debajo de 1 KeV. la relacin de intensidades entre lneas cambia
bruscamente cuando el voltaje acelerador aumenta a 20 KeV. Estos espectros son un buen
ejemplo de la "regla del sobrevoltaje" mencionado en la pgina 13.

Figura 5-4. Espectros de cobre

puro
adquiridos
a
10
KeV
(espectro superior) y a 20 KeV
(espectro inferior). A 10 KeV solo
las
lneas
L
se
excitan
suficientemente. (Kab=8.98KeV).

5.1.4 Perfiles de lnea, mapas de puntos y resolucin espectral

El resultado de un anlisis cualitativo puede presentarse convenientemente en dos formatos
grficos. la primera se denomina perfil de lnea. Se obtiene normalmente tomado
exposiciones mltiples sobre una misma micrografa. La primera exposicin crea la
micrografa electrnica. La segunda separa una lnea de barrido para examinarla en detalle.
En la tercera exposicin la lnea escogida se barre de nuevo muy despacio, y se toma la
seal de rayos X (de un intervalo seleccionado de energa) en cada punto de barrido. La
intensidad de la seal de rayos X de la regin de energa de inters se usa para modular la
deflexin del haz del CRT en la direccin Y. En el ejemplo mostrado en la figura 5-5, se
superpone un perfil de lnea de silicio sobre una micrografa de un circuito integrado en
donde ha sido depositado aluminio sobre un substrato de silicio. La otra forma grfica es el
mapa de puntos (figura 5-6). En esta tcnica, el brillo del haz del CRT del SEM, en cada
punto de la pantalla se modula con la emisin de rayos X del elemento de inters. Una
caracterstica interesante de algunos analizadores es la posibilidad de extaer el recuento de
fondo del mapa de puntos. La emisin del continuo es sencillamente aleatoria respecto al
tiempo, producindose una distribucin aleatoria de baja densidad espacial sobre el mapa
de puntos.

Figura 5-5. Un perfil de lnea de silicio de una parte de un circuito

integrado. El trazo quebrado muestra la intensidad relativa de los
rayos X de silicio detectados sobre una lnea de barrido.

Figura 5-6. Un mapa de puntos de aluminio de la misma regin

que el circuito integrado mostrado en la figura 5-5. La densidad de
puntos refleja la concentracin relativa de aluminio.

Veamos por ltimo la resolucin espacial de los perfiles de lnea, mapas de puntos, y en
general de la seal de rayos X. Como se observa en la figura 2-4, la resolucin espacial de
los SE es mucho mejor que la de los RX. Como consecuencia de esto, una caracterstica de
la muestra lo suficientemente grande para ser observada con la seal de SE puede no ser
suficientemente grande como para contener todo el volumen de interaccin del que emanan
los RX. Con frecuencia, el haz de electrones al penetrar en la muestra causa la emisin de
RX desde regiones de la superficie o de regiones cercanas, que tienen diferente
composicin que las del punto de incidencia del haz. Tanto el voltaje acelerador como el
nmero atmico medio de la muestra influyen en la resolucin espacial de la seal de RX.
La figura 5.7 muestra cualitativamente el efecto de ambos sobre el tamao y la forma del
volumen
de
interaccin.

Figura 5-7. Descripcin esquemtica de la variacin de la forma

del volumen de interaccin con el promedio de nmero atmico
(Z) de la muestra y el voltaje acelerador (Eo) del haz de
electrones.

Para obtener una estimacin numrica de la resolucin espacial del cualitativo de RX, se
utiliza el nomograma de la figura 5.8. (Para los propsitos de esta figura, la resolucin
espacial del cuantitativo de RX se define como el dimetro del volumen de interaccin que
proporciona
el
99%
de
los
RX
que
se
producen.).

Figura 5-8. Nomograma para el clculo de la resolucin

espacial de RX ( en m) para un voltaje acelerador Eo ( en
KeV), el voltaje crtico de excitacin Ec ( en KeV) y la densidad
media de la muestra d ( en g/cc). El voltaje crtico de
excitacin es numricamente equivalente a la energa del borde
de absorcin del elemento de inters. En este ejemplo, Ec es
7.5 KeV, Eo es 20 KeV y d es aproximadamente 7 g/cc. El
dimetro
esperado
del
volumen
de
interaccin
es
aproximadamente1.8 m.

Una tcnica para mejorar la resolucin espacial es seccionar la muestra en lminas ms

delgadas que la profundidad de interaccin que tendra una muestra masiva. De la figura 24 podemos observar que si quitamos la parte baja del volumen de interaccin se mejora la
resolucin espacial. De hecho, en pelculas delgadas, la resolucin espacial de los RX se
aproxima al dimetro del haz de electrones. Los modernos STEM estn diseados para
obtener esta mejora en la resolucin.

5.2 ANLISIS CUANTITATIVO

El anlisis cuantitativo se emplea no solo para establecer la identidad de los elementos
presentes en la muestra, sino tambin sus concentraciones, junto con una indicacin de la
confianza que podemos esperar en el cmputo de los resultados. Suponiendo que el anlisis
cualitativo ha concluido, el siguiente paso es el anlisis cuantitativo, que consiste en varias
etapas: extraccin del fondo, separacin de los picos solapados, y clculo de la
concentracin elemental.
5.2.1 Extraccin del fondo
El fondo bremsstrahlung se puede eliminar de varias formas por una simple interpolacin
de modelos tericos. Cada forma tiene sus ventajas y sus desventajas. La manera ms
simple y directa de eliminar el fondo de una regin de inters (ROI) es representar el fondo
como una interpolacin lineal entre las reas de fondo adyacentes al pico. Esta tcnica tiene
la ventaja de ser extremadamente rpida, sin embargo, el fondo adyacente a cada pico no
siempre es evidente y se presentan dificultades al estimar los puntos finales de la
interpolacin. Hay un mtodo que no necesita que la interpolacin sea lineal. Cuando se
utiliza esta tcnica el analizador escoge una serie de puntos, sobre el fondo del espectro,
entonces se ajusta a una curva con los puntos asignados. Este mtodo no es tan rpido como
una interpolacin lineal, pero generalmente alcanza mejores ajustes del fondo. No obstante
se necesita un gran nmero de juicios subjetivos, que pueden degradar la reproduccin de
los resultados. Finalmente, algunos algoritmos calculan un modelo terico de fondo
incluyendo bordes de absorcin (ver figura 5-9). Esta tcnica proporciona una alta
seguridad ya que hace un recuento adecuado para la mayora de los fenmenos conocidos
asociados con el fondo continuo. Tiene la desventaja de ser ms lenta que otras tcnicas de
extraccin del fondo.

Figura 5-9. Un espectro de acero inoxidable mostrando el ruido de

fondo terico computado por una rutina de extraccin del fondo.
Los bordes de absorcin para el hierro y para el cromo son
claramente visibles en el modelo terico.