Diodos

El desarrollo del transistor y el circuito integrado ha conducido a importantes

ventajas de la electrnica, el circuito integrado se utiliza casi en cualquier
aspecto de nuestra vida diaria, desde la televisin, hasta el automvil, pasando
por la computadora principal, celulares, etc.
Un ejemplo claro de la tecnologa del circuito integrado es la computadora de
escritorio las cuales ahora tienen ms capacidad que los que hace aos, los
cuales llenaban por completo una habitacin.
Un avance fundamental de la electrnica ocurri en 1947 cuando se present
el primer transistor, desde entonces, en 1959 el transistor estaba disponible
solo como un dispositivo discreto por lo que la fabricacin del circuito requiri
que las terminales de los transistores de los otros componentes.
En 1958 se present el primer circuito integrado fabricado en Germania y casi
al mismo tiempo se introdujo el circuito integrado de silicio. El desarrollo del
circuito integrado continuo a gran velocidad, a lo largo de la dcada de los 60s
basndose fundamentalmente en la tecnologa del transistor bipolar, a partir
de ah, el transistor MOS y la tecnologa del circuito integrado, han surgido
como una fuerza dominante especialmente en los circuitos digitales.
El diseo de circuitos integrados se ha vuelto ms sofisticados, en la actualidad
un circuito integrado puede obtener muchas funciones aritmticas, lgicas y de
memoria con un solo chips semiconductor. El principal ejemplo de este tipo de
circuitos integrados es el microprocesador de computadoras.

1.1.2.- concepto de electrnica

La electrnica es la rama de la fsica que estudia los electrones, la emisin y
los movimientos de los mismos en el vaci, en gases o cuerpos slidos, desde
otro punto de vista, se aplica tambin este trmino a la tcnica de fabricacin
de los dispositivos que utilizan los electrones en el estado libre como tubos
electrnicos, transistores, etc.
Otra definicin de la electrnica, es como la ciencia de movimiento de cargas
en un gas, en el vaco o en un semiconductor.
La microelectrnica, se refiere a la tecnologa de circuitos integrados, la cual
puede producir un circuito con varios componentes o varios millones de
componentes en una sola pieza del material semiconductor.
Actualmente la electrnica tiene un gran avance ya que se habla de la
nanotecnologa que es la tecnologa a nivel de tomos.

1.1.3 dispositivos activos y pasivos

En un dispositivo elctrico pasivo, la potencia promedio en el tiempo entregada
a sus dispositivos, a lo largo de un periodo infinito, siempre es mayor o igual a
cero.
Las resistencias, los capacitores y los inductores son ejemplo de dispositivos
pasivos. Los inductores y capacitores pueden almacenar energa pero no
pueden entregar una potencia promedio mayor que cero en un intervalo de
tiempo infinito.
Los dispositivos activos tales como las fuentes de alimentacin de corriente
directa, las bateras y los generadores de seales de corriente alterna son
capaces de suministrar potencia. Los transistores tambin se consideran
dispositivos activos, puesto que no son capaces de proveer ms potencia de
seal a una carga que la recibe. Este fenmeno se denomina amplificacin, en
donde la potencia adicional en la seal de salida la brinda la fuente de
alimentacin de corriente directa.

1.1.4 comportamiento
Los componentes pasivos tienen distinto comportamiento cuando se les aplica
dos corrientes de distinta naturaleza, una alterna y la otra continua.
Las resistencias son los nicos elementos pasivos, para los cuales la respuesta
es la misma tanto para la corriente alterna como para la corriente directa.

En la mayora parte de los circuitos electrnicos hay dos entradas, una entrada
proviene de una fuente de alimentacin de corriente continua, la cual
suministra voltajes y corrientes continuas para establecer su polarizacin
apropiada de los transistores. La segunda entrada es una seal que puede ser
amplificada por el circuito. Aunque es posible que la seal de salida sea mayor
que la seal de entrada. La potencia de salida nunca excede, la potencia de
corriente continua, por consiguiente, la magnitud de la fuente de alimentacin
limita la respuesta dela seal de salida.

1.1.6 circuitos discretos e integrados

Circuitos discretos: son lo que contienen
capacitores, transistores, etc.

componentes como resistencias,

Circuitos integrados: son como los amplificadores operacionales actuales, el

cual es un circuito integrado importante en la electrnica analgica.
1.1.7 seales analgicas y digitales
Una seal analgica puede tener cualquier valor, sea la amplitud puede variar
continuamente con respecto al tiempo.

Los circuitos electrnicos que procesan tales seales se denominan circuitos

analgicos.

Una seal alterna que est en uno de dos niveles distintos se llama seal
digital. Debido a que la seal digital tiene valores discretos se dice que esta
cuantizada. Los circuitos electrnicos que procesan seales digitales, se
conocen como circuitos digitales.

1.1.8 parmetros importantes de la corriente alterna

Frecuencia: es el nmero de veces que una corriente alterna cambia de
polaridad en un segundo. La unidad de medida es el Hertz y se le designa con
la letra F.
Otra definicin ms rigorosa es el nmero de ciclos completas de corriente
alterna
que
ocurre
en
la
unidad
de
tiempo.

F=Hertz

n ciclos ciclos 60 ciclos

=
=
1 ! tiempo seg .
1 seg . = 60 hertz

Fase = es la fraccin del ciclo transcurrido desde el inicio del mismo y su

smbolo es la letra griega

Periodo: es el tiempo que tarda en producirse un ciclo de corriente alterna

completa y se denomina por la letra t.
T= periodo

1
1
F=
F
T

Valor instantneo: es el valor que toma el voltaje en cada instante de tiempo.

Valor mximo o voltaje mximo: es el valor del voltaje en cada cresta o valle de
seal.
Valor medio: es la medida aritmtica de todos los valores instantneos de la
seal en un periodo dado valor medio.

Suma de voltajes=

v ( t ) dt
0

Valor eficaz: es el valor de la corriente alterna que produce el mismo efecto

que la seal de la corriente directa equivalente.

Valor eficaz=

2
v ( t ) dt

Valor pico a pico: es el valor del voltaje que va desde el mximo al mnimo o de
una cresta a un valle.

1.1.9 otros tipos de corriente alterna

En electrnica de utilizan infinidad de tipos de seales, por lo cual se hace
prcticamente imposible enumerarlas a todas, pero se har referencia a los
ms comunes.

Corriente contina
onda sinusoidal

1.2.- dispositivos semiconductores

1.2.1.- introduccin
Los materiales generalmente se clasifican de acuerdo a sus resistencias.
Aquellos con valores de resistividad menores que

103 ohm/cm se llaman

conductores mientras que aquellos que tienen resistividad moyores a

108

omh/cm se llaman aislantes, en la regin intermedia esta una clase de

materiales aislantes llamados semiconductores estas tienen un valor de
3

10

ohm/cm a

10

ohm/cm.

Semiconductores humanos Ge y Si

1.2.2.- aproximacin de diodo

1.2.2.1.- primera aproximacin
En la primera aproximacin de diodo se considera que conduce bien en
polarizacin directa y no conduce en polarizacin inversa.
En trminos de circuitos, un diodo ideal acta como un interruptor.

Aun cuando esta aproximacin del diodo parezca exagerada, este es un buen
principio para saber cmo operan los circuitos con diodos.

1.2.2.2.- segunda aproximacin

Habr ocasiones en las que la aproximacin ideal ser demasiada inexacta, por
esta razn se necesita de una segunda aproximacin y de una tercera
aproximacin se necesita alrededor de 0.7v para que el diodo de silicio sea
realmente un buen conductor.

1.2.2.3.- tercera aproximacin

Es la tercera aproximacin del diodo se incluye la resistencia interna del diodo.
El voltaje adicional parece aplicado a la resistencia interna, de tal manera que
el voltaje total del diodo es mayor a 0.7v cuanto mayor es la corriente mayor
ser el voltaje. El voltaje aumenta debido a que la resistencia interna es lineal.

Ejemplos:

1.2.3.- tipos de diodos y simbologa

1.2.3.1.-diodo schottky
Un diodo schottky est formado por la unin de un metal como el platino con
silicio tipo N, estos dispositivos tienen un almacenamiento de carga
despreciable y se utiliza en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad.

1.2.3.1.2.- polarizacin directa del diodo schottky.

Cuando es aplicado exteriormente un voltaje positivo entre las terminales del
diodo, los electrones de la regin N estn sometidos a un voltaje positivo en el
lado del metal de la unin J1 y aparece una circulacin de electrones.

1.2.3.3.- polarizacin inversa del diodo schottky

Cuando se invierte el voltaje aplicado al diodo de modo que el material N de
hace positivo con respecto al platino, el voltaje de la carga N aumenta, por
encima del nivel indicando y no hay circulacin de corriente cuando el diodo
schottky funciona de modo directo la corriente es debido a los electrones que
se mueven desde el silicio tipo N atreves del metal del platino.Los electrones
de mueven relativamente libre atreves por lo que el tiempo de recopilacin
dado es muy pequeo de orden 10 pico segundos.

Almacenamiento de carga
Debido al tiempo de vida de los portadores minoritarios, las cargas de un diodo
polarizado directamente se almacena temporalmente en diferentes bandas de
energa cercana de la uni J1.

Cuanto mayor sea la corriente de polarizacin directa mayor es el nmero de

cargas almacenadas, este efecto se denomina almacenamiento de carga.

Tiempo inverso de recuperacin (TIR)

El almacenamiento de carga es importante cuando se trata de
conmutar un diodo de su estado de conduccin al estado de no
conduccin porque si repentinamente se invierte la polarizacin del
diodo las cargas almacenadas pueden fluir en la direccin inversa por un
momento.
El tiempo que tarda un diodo con polarizacin directa para que ya no
opere se denomina el tiempo inverso de recuperacin (TIR). El TIR es el
tiempo que requiere la corriente inversa para disminuir hasta el 10% de
la corriente de polarizacin directa.
El tir es tan corto en diodos de seales pequeos que no se nota su
efecto pero si se toma en cuenta cuando las frecuencias son mayores a
los 10 mega Hertz.

Efecto de la rectificacin

Eliminacin del almacenamiento de cargas

Cuando un diodo schottky no est polarizado, los electrones libres sobre el
lado N estn en orbitas ms pequeas que los electrones libres del lado
metlico. Esta diferencia en tamao de las orbitas, se llama barrera schottky.
Cuando el diodo esta polarizado directamente los electrones del lado N puede
adquirir suficiente energa para desplazarse a orbitas mayores, debido a esto
los electrones libres pueden cruzar la unin J1 e introducirse en el metal,
produciendo una corriente de polarizacin directa grande. Debido a que el
metal no tiene huecos, no hay almacenamiento de cargas ni tiempo inverso de
recuperacin.

La falta de almacenamiento de carga del diodo schottky significa que puede

conmutar ms rpido que un diodo ordinario rectificando frecuencias mayores
que 300 mega Hertz.
Una aplicacin muy importante de los diodos schottky es en las computadoras,
ya que la velocidad de las computadoras depende de lo rpido de sus diodos y
transistores, pueden conmutar de su estado de conduccin a su estado de no
conduccin.

Diodo tnel: el diodo tnel es ms contaminado que el diodo zenner

provocando que la zona desrtica sea pequea. Esto aumenta la velocidad de
operacin por lo que el diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad.

Diodo pin:es un dispositivo semiconductor que contiene una sucesin de 3

capas tipo N que estn regularmente dopados. En presencia de campos
elctricos elevados, se puede utilizar como interruptor o como modulador de
amplitud en frecuencias de microondas, ya que para todos los propsitos se les
puede representar como un corto circuito en sentido directo y como un circuito
abierto en sentido inverso.

Diodo gunn: este dispositivo semiconductor, esta menos dopados que el

diodo pin. Pero con campos elctricos elevados, oscila a muy alta frecuencia.

Diodo emisor de luz leds:ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la

fuente de energa elctrica en fuente de energa lumnica, el leds transforma
la corriente elctrica en lus. Es til para diversas formas de despliegues y a
veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de
comunicaciones por fibra ptica.
Un electrn puede caer de la banda de conduccin a un hueco y liberar energa
en la forma de un fotn de luz.

Identificacin de terminales de un LEDS

FOTODIODO CONVIERTEN LUZ EN ELECTRICIDAD

Rectificador de de onda

Rectificador de onda completa

UNIDAD II BJTS
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
2.1.- INTRODUCCION
El transistor de unin bipolar (BJTS) es un dispositivo elctrico de estado slido
consiste en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permiten controlar el
paso de la corriente elctrica atreves de sus terminales.

Porcentaje que sale de electrones.

100%-----emisor
95%-------colector
5%---------base
La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades, que son los huecos positivos
y los electrones negativos.

Que son de gran utilidad en un gran nmero de aplicaciones; pero tienen

ciertos inconvenientes como la impedancia de entrada muy baja.
Los transistores bipolares son los transistoresms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica, aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital como la tecnolgica TTL y BICMOS.

REGION DEL EMISOR: se diferencia de las otras dos por su nombre fuertemente
dopados, comportndose como un metal.Su nombre se debe a que esta
terminal funciona como un emisor de cortadores de cargas.

REGION DE LA BASE: es una regin intermedia muy estrecha que separa al

emisor del colector.

REGION DEL COLECTOR: es la regin de mayor extensin en el funciona normal

el transistor, de la unin base-emisor J1 esta polarizado en directa, mientras
que la base-colector J2 tiene polarizacin inversa. Los portadores de carga
emitidos por el emisor atraviesan la base que por ser muy angosta hay poca
recombinacin de portadores y la mayora pasa al colector.
El transistor posee 3 estados de operacin que son:
*ESTADO DE CORTE
*ESTADO DE SATURACION
*ESTADO DE ACTIVIDAD.

Corte -----polarizacin inversa-----zona amplia no conduce.

Saturacin----conduccin total----al lmite.
Actividad----se utiliza como amplificador----como interruptor.

2.2.- ESTRUCTURA INTERNA DEL BJTS

Un transistor BJTS consiste en 3 regiones semiconductores dopados que son la
regin de la base-colector. Estas regiones son respectivamente tipo PNP.

Cada regin del semiconductor est conectada a una terminal denominada

emisor, base o colector.

La base esta fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est

compuesta del material semiconductor mediamente dopado. El colector rodea
la regin del emisor haciendo casi imposible para los electrones inyectados en
la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace el valor resultante
de la ganancia de corriente se acerca mucho a la unidad y por eso se otorga al transistor
BJTS a diferencia de otros transistores normalmente no es simtrico. Esto significa que
intercambiando el colector con el emisor el transistor deja de funcionar de modo activo y comienza
a funcionar de modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor esta normalmente
optimizada para funcionar en modo activo. Al intercambiar el colector con el emisor hace que, los
valores de la ganancia de corriente alfa y beta y de modo inverso sea mucho ms pequeo. La
razn por la cual el emisor est altamente dopados, es para aumentar la eficiencia de inyeccin de
portadores del emisor para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores
inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los BJTS que se utilizan en el proceso CMOS es debido a que son
diseados simtricamente.
Los primeros transistores fueron fabricados en Germania pero la mayora de los BJTS modernos
estn compuestos de silicio. Actualmente una pequea parte de estos estn hechos de arseniuro
de galio, especialmente utilizados en amplificaciones de alta velocidad.

2.3.- funcionamiento
En una configuracin normal de la unin base-emisor se polariza en directa y la del colector J2
tiene polarizacin inversa debido a la agitacin trmica.
Los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera del potencial, emisor-base y llegar
a la base a su vez prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo
elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodocompartida.
En una operacin tpica de un transistor NPN, cuando el voltaje positivo es aplicado a la unin
base-emisor J1 el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones vagan atreves de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al
emisor, hasta la regin de baja concentracin cercana al colector estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base esta dopada con materia P, los cuales
generan huecos como portadores mayoritarios en la base .
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada para que los portadores
puedan difundirse a travs de esta en menos tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la
unin base-colector J2.

2.4.- EL ALFA Y BETA DEL BJTS

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector.
El alto dopaje de la regin del emisor y el medio dopaje de la regin de la base
causa que mucho ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base,
que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente del emisor comn est representada por f o por hpe.
Esto es aproximadamente la taza de corriente continua del colector a la corriente
continua de la base en la regin activa y es tpicamente mayor a 100.
Otro parmetro importante es la ganancia de corriente de base comn y est
representada como f la ganancia de corriente de base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde el emisor al colector es la regin
activa directa.
Esta taza normalmente tiene un valor cercano a la unidad.

f
IC
Bf
100 f = =
=0.9890998
1
IE 1+ Bf

2.5 tipo de transistor BJTS

2.5.1.- TIPO NPN
En NPN es uno de los tipos de transistores bipolares en los cuales las letras NP se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayora de los BJTS que se usan actualmente son NPN, debido
a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los huecos en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Smbolo del NPN.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

2.5.2.- TIPO PNP

Smbolo del PNP.

La direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo esta en

funcionamiento activo es contraria a la que trabaja el NPN.

2.5.3.- TRANSISTOR BIPOLAR DE HETER UNION

El TBH es una mejora del BJTS que puede manejar seales de muy altas
frecuencias, de varios cientos de giga Hertz, es un dispositivo muy comn en
circuitos ultrarrpidos generalmente en sistema de radio frecuencia.
2.6.- REGION OPERATIVA DEL TRANSISTOR
Los transistores BJTS tienen diferentes regiones operativas definidas
principalmente por la forma en que son polarizados.
REGION ACTIVA: cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni
en la regin de corte, entonces est en una regin intermedia o regin activa.
En esta regin la corriente del colector depende principalmente de la corriente
de la base y de la ganancia de corriente del transistor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar al transistor como un amplificador de
seal.
REGION INVERSA: al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento
en modo activo el BJTS entra en funcionamiento en modo inverso. Es este
modo las regiones del colector y del emisor intercambian roles. Debido que la
mayora de los BJTS son diseados para maximizar la ganancia de corriente en
modo activo al parmetro de en modo inverso es drsticamente menor al
presente en modo activo.
REGION DE CORTE: un transistor est en corte cuando la corriente del colector
y la del emisor es cero y esta se presenta cuando la corriente de la base es
cero.

Icolector=Iemisor=0 Ibase=0
REGION DE SATURACION: un transistor est saturado cuando la corriente del
colector es igual a la corriente del emisor y la corriente mxima.
Icolector=Iemisor=Imaxima

2.7.- VOLTAJES DE RUPTURA

Cuando las dos partes del transistor son diodos, un voltaje inverso elevado
puede ocasionar ruptura en cualquiera de ellos. Este voltaje de ruptura
depende del ancho de la capa de agotamiento y de los niveles de
contaminacin, debido a que el nivel de contaminacin del diodo o emisor es
alto tiene un bajo voltaje de ruptura entre 5v y 30v

2.8.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

El transistor se puede usar como un amplificador de seales variables en el
tiempo o como interruptor.
Como amplificador

Como interruptor

El voltaje de entrada determina cuando el transistor como interruptor debe

conducir o no corriente. Cuando el voltaje de entrada es un voltaje bajo, no hay
flujo de corriente por la unin base-emisor, con una corriente de base nula, no
hay corriente de colector y por lo tanto no circula corriente por la carga, sea
que el transistor est cortado o en corte.
Corte----no conduce=-5volts
Saturacin----conduce=+5volts

2.9.- CALCULOS PARA EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Cuando el transistor se silicio est en corte, el voltaje de entrada es menor que
0.7v para que no fluya corriente de base al transistor.
Cada de voltaje de base-emisor Para no conducir.
Si =0.7volts----0.3v
Ger=0.3volts----0.15v
Sch= 0.25volts ----0.125v
Para garantizar el corte del transistor los circuitos se disean para que el
voltaje de entrada sea menor que 0.3v.
Para energizar la carga, el transistor debe de saturarse (conducir), apareciendo
todo el voltaje de alimentacin +VCC en las terminales de la carga.
Idealmente la corriente del colector, debido a la ley de ohm es:

vcc

Icolector en saturacin= R . carga

La corriente de la base es:
Ibase en saturacin=

Icolector en saturacion

Sustituyendo la primera ecuacin en la segunda ecuacin se tiene que:

Ibase en saturacin

+vcc
R .carga

Como el circuito de la base es resistencia de base en serie con la unin baseemisor, entonces el voltaje de entrada es:
Ventrada = (V=R.baseIbase)+0.7v
Sustituyendo ecuacin 3 en la 4

Ventrada=

Vcc . Rb
. Rcarga +0.7v

2.10.- COMPARACION DEL TRANSISTOR CON UN INTERRUPTOR

Debido a que el transistor no puede saturarse hasta el punto de que el voltaje
colector-emisor sea absolutamente cero ya que tiene 0.1volts
No se recomienda conectar en serie varios transistores, porque estas pequeas
cadas se suman y producen una cada de voltaje apreciable.

VENTAJAS DE LOS TRANSISTORES SOBRE LOS INTERRUPTORES MECNICOS

CONVENCIONALES
a).- no tienen partes mviles. Por tanto no sufren desgastes y pueden operar
un nmero ilimitado de veces.
b).- no tiene contactos fsicamente expuestos, por tanto es imposible que en
sustancias extraas se adhieran a su superficie e impidan un buen cierre.
c).- el transistor como interruptor es mucho ms rpido que un interruptor
convencional, los cuales cierran en milisegundos mientras que el transistor
cierra en microsegundos.
d).- el transistor no presenta el rebote inerte de los interruptores mecnicos,
que se cierran y abren rpidamente antes del cierre perfecto.

e).- cuando el transistor acciona una carga inductiva no se produce arco

elctrico al desconectar la carga.

2.11 CONFIGURACION DE LOS TRANSISTORES

Emisor comn V entrada con la salida pasa en el emisor.

Base comn V entrada con la salida pasa en la base

Colector comn V entrada con la salida pada en el colector.

UNIDAD III FETS

Hay dos tipos de transistores de campo FETS

Canal N
JFETS

canal P

FETS

Enriquecimiento de canal N
MOSFET

enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P

Aunque el concepto bsico de los FETS ya se conoca desde 1930 los

dispositivos solo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la dcada
de los 80s. los FETS comprados con los BJTS ocupan menos espacio, dentro
de un circuito integrado caben ms FETS la fabricacin es ms simple adems
existen un gran nmero de funciones lgicas que pueden implementarse
nicamente con FETS, sin resistencias ni nodos. Esta ha hecho en los FETS el
componente preferido en electrnica digital.
Estructura interna del transistor JFETS de canal N.

Corte----- abierta
Regiones de operacin del FETS

lineal -----amplificada

Saturacin----- cerrada

Circuito equivalente del fet.

Empobrecimiento de canal N

Empobrecimiento de canal P

Las aplicaciones de los FETS.

En electrnica analgica, se emplean transistores preparados para conducir
grandes corrientes y soportar un elevado voltaje de corte.
*como resistencia variable del valor gobernable por voltaje, variando la
anchura del canal.
*amplificadores de voltaje, especialmente en la amplificacin inicial de seales
de muy baja potencia.
*control de potencia elctrica entregada a una carga.
La aplicacin de los FETS en electrnica digita, se emplean los MOS debido a
su capacidad de trabajar entre dos estados diferentes de conduccin y no
conduccin, y a su bajo consumo de potencia de control.
Para esta aplicacin se emplean dispositivos que idealmente puedan
considerarse que:
*la cada de tensin en conduccin sea muy pequea y que la transicin entre
el estado de corte y el de conduccin sea instantnea.

El transistor efecto de campo es una familia de transistores que se basa en el

campo elctrico para controlar la conductividad de un canal en un material
semiconductor. Los FETS se pueden considerar como resistencias controladas
por diferencia de voltaje.
Los FETS ms conocidos son los JFETS, los MOSFETS y los MISFETS

Tienen tres terminales denominados puerta o gatedrenador o drain y fuente o

source.
La terminal G (puerta) es la terminal equivalente a la base del BJT. El FET se
comporta como un interruptor controlado por la tensin, donde el voltaje
aplicado a la terminal G permita hace que fluya o no corriente entre la terminal
(DRENAJE) D y la terminal S (fuente).
El funcionamiento del FET es distinto al BJT. En los MOSFET la puerta no
absorbe corriente comparado con los BJT donde la corriente que atraviesa la
base pese a ser pequea en comparacin con la corriente que circula por las
otras terminales, no pueden ser despreciables.
Los MOSFET adems presentan un comportamiento capacitivo, as como los BJT
se dividen en NPN y PNP, los FETS son tambin de dos tipos que son de canal
N y canal P. los transistores de efecto de campo ms usados extensamente en
electrnica digital ya que son el componente fundamental de los circuitos
integrados o en chips digitales.

Clasificacin de los FETS por mtodo de aislamiento entre el canal y

la puerta.
MOSFET: usa un aislante de xido de silicio (SIO2).
JFET: usa una unin PN.
MESFET: sustituye la unin PN de JFET por una barrera schottky
HEFET: denominado HFET, la banda de material dopado con huecos forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
MODFET: transistor de efecto de campo modulado dopado en modulacin.
IGBT: es un dispositivo para control de potencia, son usados cuando el rango de
voltaje entre el drenaje-fuente esta entre los 200 a 3000 volts (compuerta
aislada).
FREDFET: FET especializado, diseado para recuperacin ultra rpida del
transistor (ALTO DOPAJE).
DNAFET: tipo especializado de FET, acta como biosensor, usando una puerta
fabricado de molculas de AND de una cadena para detectar cadenas de ADN
iguales.

Una diferencia distintiva entre los BJTS y los FETS es que la variable de
entrada que controla a un BJT es el nivel de corriente, mientras que para el
FET, la variable de control es el voltaje, sin embargo en ambos casos, la
variable de salida controlada es el nivel de corriente.

Polarizacin fija
Polarizacin de los FETS

auto polarizacin
Pol. Divisor de voltaje

Polarizacin fija

auto polarizacin

Polarizacin por divisor de voltaje

Ventajas
a).- son dispositivos sencillos al voltaje con alta impedancia de entrada. Como
la impedancia de estrada es mayor que los BJTS se prefieren FETS para la
etapa de entrada (impedancia de entrada es alta).
b).- los FETS generan nivel de ruido menor que los BJTS.
c).- los FETS son ms estables con la temperatura.
d).- los FETS son ms fciles de fabricar, se fabrican mayor nmero de
dispositivos en un circuito integrado, tiene menos capas y ms pequeos
(mayor nmero de FETS en un circuito integrado).
c).- se comportan como resistencias variables controladas por voltaje.
f).- la alta impedancia de entrada de los FETS le permiten almacenar cargas,
el tiempo suficiente para permitir su uso como elementos de almacenamiento
(memoria).

g).- los FETS pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas de los FETS
a).- exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada (trabaja con poca frecuencia).
b).- los FETS presentan linealmente muy pobre.

c).- se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica. (Se daan

con la electricidad esttica).
Aplicacin

ventajas

uso
Aislador o separador
buffer
Amplificador de radio
frecuencia
mezclador
Amplificador C.A.G
Amplificador cascode

Impedancia de entrada
alta y de salida baja
Bajo ruido
Baja distorsin de
intermodulacin
Facilidad de control de
ganancia
Baja cap. De entrada

Troceador
Como resistor variable de
voltaje

Se controla por voltaje

Amplificador de baja
frecuencia

Capacidad pequea de
acoplamiento

oscilador

Mnima variacin de
frecuencia

Circuitos MOS digital

Pequeo tamao

En equipo de medida
receptores
Sintonizador de FM y
equipo de computo
Receptores de FM y TV y
equipo de comunicacin
Receptores y
generadores de seal.
Instrumentos de
medicin y equipo de
prueba
Amplificador de C.C.
Amplificadores
operacionales en rganos
electrnicos, y controles
de tomo
En audfonos para
sordera, traductores
inductivos
Generadores de
frecuencia patrn y en
receptores
Integracin a gran
escala, computadores, en
memorias

UNIDAD IV AMPLIFICADORES
Introduccin
En general cualquier dispositivo electrnico que aumente dinmicamente ya
sea e voltaje, la corriente o la potencia es un amplificador.

Un amplificador es un circuito electrnico que recibe una seal de entrada, la

procesa internamente y entrega a la salida una seal que es una rplica
ampliada de la seal de entrada.
Los amplificadores solo manejan seales elctricas de corriente, voltaje o
potencia o representaciones elctricas de cantidades fsicas, como: voz, sonido,
temperatura, luz, etc. La conversin de estas ltimas en seales elctricas o
viceversa la efectan transductores como: parlantes o bocinas, micrfonos,
cmaras termistores, etc.
Las seales elctricas son amplificadas por dispositivos activos como:
transistores, fets circuitos integrados, vlvulas capacitores, bobinas
transformadores, etc.
La complejidad de un amplificador depende del tipo de seal a amplificar y de
la cantidad de amplificacin o ganancia que esta requiera y dependientemente
en comn las siguientes caractersticas:
a).- todos utilizan por lo menos un dispositivo activo ya sea BJTS, FETS,
MOSFETS, VALVULAS, CIRCUITOS INTEGRADOS, ETC.
b).- todos requieren de una fuente de alimentacin de corriente continua doble
o sencilla.
c).- su operacin se puede resumir especificando la ganancia, la impedancia de
entrada y la impedancia de salida y la respuesta de frecuencia
La ganancia es una medida de la cantidad de amplificacin se define como la
relacin numrica de la seal de salida entre la seal de entrada.

G=

seal salida
saal de entrada

Se habla de ganancia de corriente, ganancia de voltaje y ganancia de potencia.

GI=

Isalida
VS
PS
GV =
GP=
Ientrada
VE
PE

La ganancia de un amplificador tambin se puede expresar en decibeles, como

sigue.

GI=

ISalida
IEntrada ---- GI(db)=20log

IS
IE

GV =

VSalida
VS
VEntrada ----GV(db)=20log VE

GP=

PS
PS
----GP(db)=10log
PE
pE

Ejemplo: si la potencia de entrada de un amplificador es de medio watts y la

potencia de salida es de 5 watts la ganancia en decibeles es:

GP=

PS
PS
----GP(db)=10logaritmo
PE
PE

5
=GP ( db )=10 db
0.5

Una relacin de potencia de 10 corresponde a un cambio de 10 db, una

relacin de potencia corresponde a un cambio de 20 db una relacin de 1000
corresponde a 30 db.
El odio humano responde logartmicamente a la relacin de potencias y no a su
diferencia por esta razn se persibe el mismo cambio de intensidad sonora
cuando la potencia de un sonido se incrementa de 0.1 watts a 1 watts. Que
cuando lo hace de 1 watts a 10 watts en ambos casos la relacin de cambio es
de 10 db.

La impedancia de entrada es la resistencia del amplificador vista por la fuente

que genera la seal que genera seal que va hacer amplificado. Se define
como la relacin del voltaje entre la corriente en las terminales de entrada del
amplificador.

La impedancia de entrada depende no solamente de la resistencia de entrada

del elemento activo de amplificacin sino tambin de la presencia de
capacitores, inductores, etc. En el circuito.

Para garantizar la mxima transferencia de voltaje entre una fuente de seal y

una carga. La resistencia de la carga debe ser grande comparada con la
resistencia interna de la fuente;
Regla general la impedancia de entrada debe ser mayor 10 resistencia interna
de la fuente y la resistencia de la carga debe ser mayor a la impedancia de
salida as mismo para garantizar la mxima transferencia de potencia entre
una fuente de seal y una carga, la resistencia de la carga debe ser igual a la
resistencia interna de la fuente, esto implica que la resistencia interna de la
fuente es igual a la impedancia de entrada y la impedancia de salida es igual a
la R carga.
La respuesta de frecuencia de un amplificador est ntimamente relacionada
con la ganancia, generalmente la ganancia de un amplificador no es constante
para todas las frecuencias de seales posibles. Dos o ms seales de la misma
amplitud y forma de onda pero de frecuencias diferentes no reciben
necesariamente la misma cantidad de amplificacin. Por esto cuando se
especifica la ganancia de un amplificador, tambin debe de especificarse el
rango de frecuencias dentro del cual es vlida esa ganancia. Este rango recibe
el nombre de ancho de banda. Y se expresa en unidades de frecuencia
CHERTZ, KHERTZ, MEGAHERTZ, GIGAHERTZ. ETC.
El ancho de banda tambin se puede especificar en trminos de lmites. Estos
se puede especificar en trminos de lmites. Estos lmites se denominan
frecuencias de corte superior e inferior. La banda de 30 HERTZ a 20 Hertz es el
rango de frecuencias que puede ser percibido por el odo humano; las
frecuencias mayores de 20 kilo Hertz se denominan ultrasnicas y las menores
a 30 Hertz se denominan subsnicas.
4.1 clasificacin de los amplificadores
Los circuitos amplificadores se pueden clasificar de varias maneras:
a).- cuando los amplificadores se segn su aplicacin, se dividen en dos
grupos, que son: amplificadores de tensin o voltaje y amplificadores de
potencia o corriente.
b).- cuando los amplificadores se clasifican de acuerdo a sus condiciones, se
dividen en cuatro clases que son A, AB, B, C. los amplificadores de clase A
estn polarizados para que trabajen en el centro de sus curvas de operacin,
por la cual la corriente de salida fluye durante todo el ciclo de voltaje de

entrada por lo tanto no existe distorsin. Los amplificadores de clase AB estn

polarizados de manera que la corriente de salida fluya durante un lapso mayor
durante un semiciclo de entrada pero menor de un ciclo completo. Los
amplificadores de clase B estn polarizado al corte, de modo que fluya la
corriente de salida por un semi ciclo de voltaje de entrada. Los amplificadores
de clase C estn polarizados ms alla del corte, de modo que la corriente de
salida solo fluye durante el tiempo de corriente positiva del ciclo de entrada.
c).- cuando los amplificadores se clasifican de acuerdo a su acoplamiento, se
dividen en cuatro mtodos bsicos que son: acoplamiento de resistencia
capacitancia, acoplamiento por impedancia o bobina, acoplamiento por
transformador t acoplamiento directo

d).- ancho de la banda

Cuando los amplificadores se clasifican segn el ancho de la banda se dividen
en dos tipos que son: los sintonizados que, amplifican un rango restringido de
frecuencia y los no sintonizados, que amplifican un rango alto de frecuencia.
e).- cuando los amplificadores se clasifican de acuerdo a su configuracin del
circuito, se dividen en tres tipos que son: emisor comn, base comn, colector
comn.
Emisor comn--------------potencia
Base comn-----------------voltaje
Colector comn------------corriente
4.3.- el amplificador con retro alimentacin
Los amplificadores operacionales reciben este nombre debido a que se utilizan
en las computadoras para efectuar operaciones matemticas como: sumar,
restar, promediar, integrar, diferenciar, etc. El amplificador operacional es un
tipo especial de amplificador de corriente continua de alta ganancia, que
emplea cantidades considerables de alimentacin. Un amplificador de corriente
continua amplifica cualquier seal de cualquier frecuencia desde corriente
continua hasta cierto valor mximo de corriente alterna, que depende de las
caractersticas del amplificador. El principal objetivo de los amplificadores
operacionales, es vencer las perdidas y las cargas cuando se conectan entre si
muchos circuitos calculadores pasivos. El amplificador de alta ganancia con
alta retro alimentacin cumple con los requisitos de mantener baja la
impedancia de salida del circuito, sea que el amplificador operacional es un

dispositivo ideal para aislar una carga de un circuito de clculo sin introducir,
perdidas la Figuera siguiente muestra la disposicin esquemtica de un
amplificador que incorpora una malla retro alimentadora.