C.F.P.

MOYOBAMBA - ZONAL SAN MARTN

AO DE LA CONSOLIDACION DEL MAR DE GRAU

TEMA
TRANSISTOR IGBT
INTEGRANTES:
WILDER PAZ ROJAS
BETTY
EDGAR
INSTRUCTOR
CORONEL SANTA CRUZ RAUL
CFP
SENATI MOYOBAMBA
FECHA
27 / 10 / 2016

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AGRADECIMIENTO
Antes de iniciar queremos agradecer a Dios por darnos la vida,
salud y las fuerzas para seguir y conseguir nuestras metas.
Tambin agradecer a nuestros padres y hermanos por darnos
nimos a luchar en esta vida frente a cualquier obstculo que
se nos presente.
A nuestros compaeros de estudio, a nuestro
instituto que nos forma para ser el maana y
personas de bien.

DEDICATORIA
Este trabajo va dedicado a inicialmente a Dios por darnos la
sabidura y las fuerzas para poder salir adelante cada da ms.
Tambin este trabajo va dedicado a nuestros padres
y mis hermanos.

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HISTORIA DEL IGBT

Los japoneses propusieron en el ao 1968 un dispositivo de cuatro

capas semiconductoras alternas P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera
controlado mediante una estructura de puerta de semiconductor de
xido-metlico (mos) en la cual esta patente fue concedida en 1972.
Y en 1979 fue descubierto de manera experimental por J. Jayant
Baliga, un dispositivo en la que llamo mosfet que en la cual el
solicito una patente para el dispositivo que la propuso en el mismo
ao.
Esta patente ha sido llamada la patente seminal del transistor
bipolar de puerta aislada. Esto significa sustancialmente que el
dispositivo exhibe operacin de IGBT sin enclavamiento a lo largo
de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.

EL TRANSISTOR IGBT.
DEFINICION.
Es un transistor bipolar de puerta aislada, se podra decir
que es la suma de dos transistores o bien la combinacin
del mosfet mas el transistor bjt.
Es un componente electrnico diseado para controlar
principalmente altas potencias a altas velocidades, tiene 3
terminales usados principalmente como switch electrnico
de conmutacin rpida.

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El IGBT tiene la salida de conmutacin y de conduccin

como las caractersticas de los transistores bipolares, pero
es controlado por tensin como un mosfet y entre algunas
de sus desventajas encontramos
que tiene una
relativamente baja velocidad de respuesta (20 kHz).

Durante mucho tiempo se busc la forma de obtener un

dispositivo, de una alta impedancia de entrada y capaz de
manejar altas potencias a altas velocidades, y fue as que
dicho estudio se logr obtener el transistor IGBT pero dicho
dispositivo presentaba barreras de funcionamiento es decir
era propensa a fallas, en sus funcionamiento el IGBT se
quemaba y tras generacin y generacin se iban
actualizando o estudindolos a fondo para mejorar su uso
como se quera.
Hoy en da los IGBT es una nueva tecnologa que siempre
superara a los mosfet por encima de los 300 v y los 100
amperes ya que tambin continan teniendo un crecimiento
muy dinmico en el rea de su consumo electrnica de
potencia.

FUNCIONAMIENTO.
Para poder encender el IGBT, el colector se debe polarizar
positivamente con respecto al emisor. La seal de
encendido en un voltaje positivo VG

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Que es aplicada a la compuerta. Una vez encendido el

dispositivo para apagar simplemente removiendo la seal
del voltaje en la compuerta. Y el tiempo de bloqueo puede
tomar unos 2 microsegundos por lo que la frecuencia de
conmutacin puede estar en el rango de 50 kHz.

ESTRUCTURA.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de 4 capas que se
alternan PNPN Que son controlados por un metal-oxidosemiconductor (MOS)
Combinando una puerta aislada (FET) para la entrada de
control, y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo o encapsulado.
El circuito de excitacin del IGBT es como del mosfet,
mientras que las caractersticas de conduccin son como
las del BJT
Un transistor bipolar de puerta aislada se construy de
manera similar al mosfet.

POLARIZACION

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo

del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de
las uniones del transistor pueden ser :

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Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa

de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la
unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal
del transistor para amplificacin.

Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin

inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa
de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.

Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de

ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a
aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el
transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin

directa de ambas uniones. La operacin en esta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor
cerrado (VCE 0).

APLICACIONES.

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El IGBT

es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a

circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en

sistemas de alta tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia
as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores
de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes sin
que seamos particularmente consientes de eso: automvil, tren,
metro, autobs, avin, barco, ascensor.

Y tambin podemos encontrar estos dispositivos como en

electrodomsticos: televisin, equipos de sonido, etc.
Control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida,
sistemas de soldadura, iluminacin de baja frecuencia y alta
potencia. Estn presentes en la circuitera de los automviles,
trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los
electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos
IGBT que controlan los motores elctricos.
Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren
circuitos de electrnica realmente potentes y con velocidades de
conmutacin de hasta 20KHz. Los IGBTs han estado todo momento
con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de
potencia.
Algunos fabricantes de tecnologa de consumo ya estn utilizando
para mejorar sus dispositivos o darles nuevas capacidades. Por
ejemplo estos transistores han permitidos ser integrados en
telfonos mviles para dotar cmaras de un flash de xenn
realmente potente.
Otro ejemplo de esta tecnologa es su utilizacin para activar o
desactivar los pixeles en las pantallas tctiles de nueva generacin,
sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin
telefnica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que incorporan
IGBTs.

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PARAMETROS
los IGBTs deben tener idnticos parmetros de ganancia,
transconductancia, voltaje de saturacin, tiempo de encendido y
apagado.
Una gran Ic (Corriente de colector) puede producir
enclavamiento (Latch up)
Tiene pequeas perdidas de conmutacin debido a la
corriente de cola en el apagado.
V_GE (tensin puerta-emisor) est limitada por el espesor
del xido de silicio.
Soporta temperaturas de 150C
La V_CE (tensin colector-emisor), tensin de ruptura es
muy baja y apenas vara con la temperatura.
Est diseado para que soporte corrientes de cortocircuito
V_GEmax (tensin maxima puerta-emisor) 4-10 veces la
nominal durante 5-10us y se pueda actuar cortando desde
la puerta.
Al contrario que los MOSFET, los tiempos de conmutacin
no dan informacin sobre las perdidas de conmutacin.

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CORRIENTE MEDIA: es el valor medio de la corriente que

puede circular por un terminal (ej. ICAV, corriente media por el
colector).
CORRIENTE MXIMA: es la mxima corriente admisible de
colector (ICM) o de drenador (IDM). Con este valor se determina
la mxima disipacin de potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el
emisor est en circuito abierto.

VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el

colector en circuito abierto.
TENSIN MXIMA: es la mxima tensin aplicable entre dos
terminales del dispositivo (colector y emisor con la base
abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
ESTADO DE SATURACIN: queda determinado por una
cada de tensin prcticamente constante. VCEsat entre colector
y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin R DSon en el
FET. Este valor, junto con el de corriente mxima, determina la
potencia mxima de disipacin en saturacin.
RELACIN CORRIENTE DE SALIDA - control de entrada:
hFE para el transistor bipolar (ganancia esttica de corriente) y
gds para el FET (transconductancia en directa).

CURVA DE CARACTERISTICAS

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BIBLIOGRAFIA
http://www.neoteo.com/igbt-mosfet-electronica-de-potencia
https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr
%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par
%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento