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Compuertas lgicas
1. Investigue las caractersticas de las compuertas con tecnologa TTL y CMOS.
Los diseadores de circuitos integrados solucionan los problemas que se plantean en la integracin,
esencialmente, con el uso de transistores. Esto determina las tecnologas de integracin que,
actualmente, existen y se deben a dos tipos de transistores que toleran dicha integracin: los bipolares y
los CMOS y sus variantes.
a) Tecnologa TTL: Lgica de Transistor a Transistor. Esta tecnologa, hace uso de resistencias, diodos
y transistores bipolares para obtener funciones lgicas estndar.
b) Tecnologa CMOS: Lgica MOS Complementaria. Esta tecnologa, hace uso bsicamente de
transistores de efecto de campo NMOS Y PMOS.
En ingeniera electrnica, se puede referir a uno de dos conceptos relacionados: una familia lgica de
dispositivos circuitos integrados digitales monolticos, es un grupo de puertas lgicas (o compuertas)
construidas usando uno de varios diseos diferentes, usualmente con niveles lgicos compatibles y
caractersticas de fuente de poder dentro de una familia. Muchas familias lgicas fueron producidas
como componentes individuales, cada uno conteniendo una o algunas funciones bsicas relacionadas,
las cuales podran ser utilizadas como construccin de bloques para crear sistemas o como por as
llamarlo pegamento para interconectar circuitos integrados ms complejos.
TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, "lgica transistor a transistor". Es
una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos
electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y
salida del dispositivo son transistores bipolares.
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V
(como se ve un rango muy estrecho).
Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,2V y 0,8V
para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta
caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han
aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los CMOS: HC,
HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250 MHz.
Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos
adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).
TTL trabaja normalmente con 5V.
Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la
fabricacin de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta
de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el
consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS.
Esto incluye microprocesadores, memorias,procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de
circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.
Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie 4000 que fue
introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las primeras series CMOS. La serie
74C que su caracterstica principal es que es compatible terminal por terminal y funcin por funcin
con los dispositivos TTL. Esto hace posibles remplazar algunos circuitos TTL por un diseo
equivalente CMOS. La serie 74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la
velocidad de conmutacin. La serie 74HCT es tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo
que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL.
Los voltajes de alimentacin en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores van de 3 a
15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lgicos se expresa como un porcentaje
del voltaje de alimentacin. Tenemos entonces:
VOL(max) = 0 V
VOH(min) = VDD
VIL(max) = 30%VDD
VIH(min) = 70% VDD
Por lo tanto los margenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla anterior y tenemos que es
de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los CMOS pueden ser utlizados en medios con
mucho ms ruido. Los margenes de ruido pueden hacerse todava mejores si aumentamos el valor de
VDD ya que es un porcentaje de este.
En lo que a la disipacin de potencia concierne tenemos un consumo de potencia de slo 2.5 nW
cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida aumenta a slo 10 nW. Sin embargo
tenemos que la disipacin de potencia sera baja mientras estemos trabajando con corriente directa. La
potencia crece en proporcin con la frecuencia. Una compuerta CMOS tiene la misma potencia de
disipacin en promedio con un 74LS en frecuencia alrededor de 2 a 3 Mhz.
Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande que casi no consume
corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada se limita el nmero de entradas CMOS que se
pueden manejar con una sola salida CMOS. As pues, el factor de carga de CMOS depende del mximo
retardo permisible en la propagacin. Comnmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias,
para altas frecuencias el factor de carga disminuye.
Los valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de alimentacin que se emplee, por
ejemplo en una 4000 el tiempo de propagacin es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V.
Como podemos ver mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias ms elevadas.
Hay otras caractersticas muy importantes que tenemos que considerar siempre, las entradas CMOS
nunca deben dejarse desconectadas, todas tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje, esto es
por que los CMOS son, al igual que los MOS muy susceptibles a cargas electrostticas y ruido que
podran daar los dispositivos.
Caractersticas de la familia CMOS.
La tecnologa MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura bsica MOS de un
electrodo metlico montado en un aislador de xido sobre un subestrato semiconductor. Los
transistores de la tecnologa MOS son transistores de campo denominados MOSFET. La mayora de los
CI digitales MOS se construyen exclusivamente con MOSFET.
2. Realizar el esquema elctrico para probar el funcionamiento y verificar la tabla de verdad de los
circuitos integrados 74LS04 (6 compuertas NOT), 74LS14 (6 compuertas NOT smith triger), 74LS08 (4
compuertas AND), 74LS32 (4 compuertas AND), 74LS00 (4 compuertas AND,.74LS86 (4 compuertas
AND). Indicar los niveles de las fuentes de alimentacin a utilizar.
U2A
74LS04D
74LS08D
5V
74LS04
50.25
2.0 a 7.0
-0.5 a 0.8
Unidad
V
V
V
2.7 a 3.4
0.35 a 0.5
mx -0.4
mx 8
9.5
mA
mA
ns
U1A
74LS32D
U1C
U3B
74LS04D
U2B
74LS08D
74LS32D
U2C
U1B
74LS32D
R1
10
LED1
74LS08D
VDD
5V
XSC1
R1
3.9k
Ext Trig
+
_
B
U1A
74LS04D
J1
Key = A
4. Para el circuito de la figura obtener la tabla de verdad para las salidas S1 y S2 en funcin de A, B y
C.
VDD
5V
R1
3.9k
R2
3.9k
R3
3.9
U3A
U3B
74LS08D
74LS08D
U1A
J1
Key = A
J2
Key = B
J3
Key = C
74LS11D
R4
470
R5
470
LED2
LED1
F ABC1=( B C ) A
F ABC2=( A B C )
Tabla de verdad
A
(B C )
F ABC1
F ABC2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
5. Para el circuito de la figura obtener la tabla de verdad para las salidas S1 y S2 en funcin de A, B, y
C.
VDD
5V
R1
3.9k
R2
3.9k
R3
3.9k
U2A
U2B
74LS32D
74LS32D
U1A
J1
Key = A
J2
Key = B
J3
Key = C
74LS27D
R4
470
R5
470
LED2
LED1
F ABC1=( B+C )+ A
F ABC2=( A+ B+C )
Tabla de verdad
A
( B+ C )
F ABC1
F ABC2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
6. Para el circuito de la figura obtener la tabla de verdad para la salida S1 en funcin de A y B. Indicar a
que compuerta conocida corresponde la tabla de verdad de este circuito.
VDD
5V
R1
3.9k
U1A
R2
3.9k
74LS04D
U1B
74LS04D
J1
Key = A
U3A
74LS08D
U3B
U2A
74LS32D
R4
470
74LS08D
LED2
J2
Key = B
F ABC1= A B+ B A
Tabla de verdad
A
A B
B A
F ABC1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0