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TALLER DE TECNICAS CVD

JHON RICARDO ALARCON MESA

Presentado a:
Ph.D. CARLOS MAURICIO TELLEZ MORENO

UNIVERSIDAD PEDAGGICA Y TECNOLGICA DE COLOMBIA


FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE INGENIERA METALRGICA
TUNJA
2016

DEPOSICIN QUMICA DE VAPOR (CVD)

Es un proceso qumico utilizado para producir productos de alta pureza y de alto


rendimiento de materiales slidos. El proceso se utiliza a menudo en la industria
de semiconductores para producir pelculas delgadas. En un proceso CVD
estndar el sustrato (oblea) se expone a uno o ms precursores voltiles, que
reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para producir el
depsito deseado. Con frecuencia, tambin se producen subproductos voltiles,
que son eliminados por medio de un flujo de gas que pasa a travs de la cmara
de reaccin.
Los procesos de microfabricacin CVD se emplean ampliamente para depositar
materiales en diversas formas, incluyendo: monocristalino, policristalino, amorfo,
y epitaxial. Estos materiales incluyen: silicio, fibra de carbono, nanofibras de
carbono, filamentos, nanotubos de carbono, SiO 2, siliciogermanio, tungsteno, carburo de silicio, nitruro de silicio, oxinitruro de
silicio, nitruro de titanio, y diversos dielctricos de alta k. El proceso de CVD se
utiliza tambin para producir diamantes sintticos. Existen diversas tcnicas de
CVD como las siguientes:

CVD activado Trmicamente


Cuando la activacin se realiza nicamente por calentamiento de os gases
reactivos, se distinguen dos tipos de tcnicas segn sea la presin del reactor:
presin atmosfrica o presin reducida. En este ltimo caso la presin de los ases
se sita alrededor de 1 torr o inferior.

Tcnicas de APCVD: es la ms simple ya que no requiere el uso de vaco.


Los gases se introducen en el reactor una vez caliente, normalmente
produciendo una sobrepresin con objeto de evitar el reflujo del aire de la
atmosfera por l boca de salida de los gases. Previamente es preciso hacer
un purgado de la atmosfera de aire de reactor mediante un barrido con
algn gas inerte. Al no requerir equipo de evacuacin, el equipamiento
necesario para esta tcnica se reduce al reactor con el horno
correspondiente y al sistema de entrada y de control del flujo de gases. La

velocidad de reaccin puede ser bastante elevada sobre todo si la reaccin


ocurre a temperaturas altas, por lo que esta tcnica se usa a menudo
cuando se pretende obtener pelculas gruesas de un material. Este tipo de
aplicaciones tiene el inconveniente de que la alta presin de los gases
favorece la reaccin en fase homognea, produciendo una concentracin
elevada de partculas sobre el sustrato y a su vez defectos en el
recubrimiento. La homogeneidad del espesor tambin puede ser un
problema, sobre todo en los puntos de difcil acceso a los gases reactivos.
[1]

Tcnicas de LPCVD: segn hemos visto en el apartado anterior, para


reacciones de CVD en fase no homognea, la velocidad de deposicin de
pelculas delgadas est determinada por la velocidad de la etapa ms lenta
de los procesos que se suceden durante la reaccin CVD:
fundamentalmente la difusin a travs de la capa limite y la reaccin de
superficie. En la tcnica APCVD la velocidad de cada uno de estos
procesos es del mismo orden de magnitud. Sin embargo cuando se baja la
presin, a una temperatura dad, aumenta notablemente la velocidad de
difusin en relacin a la velocidad de reaccin de superficie. Este hecho
amplia el dominio del control de la velocidad de deposicin por la reaccin
en superficie a temperaturas ms elevadas, donde la velocidad de
deposicin es mayor. El trabajo de deposicin reducida permite adems la
deposicin de un gran nmero de muestras en un solo experimento
colocando las muestras muy prximas entre s sin prdida de la
homogeneidad de espesor. Esto hace que resulte muy econmica. [1]

CVD ASISTIDA POR PLASMA DE RADIOFRECUENCIA


Una descarga de arco a baja presin, generada a una radio frecuencia fija (450
kHz o 13.56 MHz) se utiliza para generar un plasma bien capacitivamente dentro
de la cmara de reaccin (caso de sistemas con electrodos paralelos) o bien
inductivamente desde el exterior del reactor.
Recordemos que un plasma es materia gaseosa fuertemente ionizada, con igual
nmero de cargas libres positivas y negativas. Tambin se entiende como un gas

ionizado que contiene el mismo nmero de electrones que de iones positivos y,


por consiguiente es buen conductor de la electricidad. [3]
Un caso tpico de depsito por Plasma-CVD es el del silicio amorfo hidrogenado

Est tcnica es muy utilizada para depositar capas de Si 3N4 empleadas como
mscaras de difusin en microelectrnica y para aislamiento entre diferentes
niveles de metalizacin.
Tambin se utiliza para depositar silicio amorfo con aplicaciones en clulas
solares. [3]

ACTIVACION POR FOTONES


En la tcnica de activacin por fotones, las molculas son excitadas mediante
radiacin electromagntica de energa suficientemente elevada. El mecanismo de
excitacin puede ser muy variado, lo cual hace que en este grupo se engloben
tcnicas de caractersticas muy diversas. Entre los diferentes tipos, cabe distinguir:

Excitacin por radiacin ultravioleta (photo-CVD o PCVD): la utilizacin de


radiacin ultravioleta (por ejemplo, la emitida por una lmpara de mercurio)
lleva a las molculas de los gases reactivos a estados muy excitados muy
reactivos, y con ello se incrementa notablemente la velocidad de
deposicin. Los tomos de mercurio absorben la energa muy
eficientemente, y posteriormente la transfieren a las molculas del gas por
colisiones. La complejidad de la tcnica, y la posible contaminacin con
mercurio hace que este mtodo sea de aplicaciones restringidas. [3]
Excitacin por lser (laser-CVD): diferentes mtodos de deposicin han
sido desarrollados para explotar las posibilidades del lser como fuente de
radiacin electromagntica: i) En la pirolisis directa se focaliza el haz del
lser sobre la superficie del substrato para producir un calentamiento en la
superficie y aumentar con ello la temperatura del gas en contacto con el
substrato. De este modo, se activa la reaccin en superficie y se obtienen
velocidades de deposicin elevadas. Debido al carcter localizado del haz,
el mtodo puede ser utilizado para hacer escritura directa. ii) En la fotolisis
por laser las molculas de los gases reactivos son excitadas por absorcin
directa de la radiacin emitida por el laser. Al ser la longitud de onda de la
radiacin laser de un valor muy definido, se requiere un acoplamiento muy
crtico entre la energa de la radiacin y la de excitacin de las molculas.
Cuando esto es posible, la pureza del material depositado es muy elevada.
La velocidad de deposicin suele ser sin embargo, ms bien baja. [3]

Fuente: http://www.icmm.csic.es/fis/espa/cvd.html.

DEPOSICIN QUMICA DE VAPOR POR LECHO FLUIDIZADO (CVD-FBR)


La deposicin qumica de vapor por lecho fluidizado es una variante de la tcnica
de deposicin qumica de vapor que combina las ventajas de la activacin trmica
por calentamiento con el lecho fluidizado, aumentando la transferencia de masa y
calor entre el gas, el lecho y las muestras inmersas dentro del reactor, permitiendo
tener una mayor uniformidad en la temperatura y una muy buena mezcla de los
gases reactivos con las partculas fluidizadas; logrndose un alto grado de
reaccin de todas las especies activadas en el lecho, ya que en la fluidizacin
existe un excelente contacto entre las partculas slidas y el medio de fluidizacin
gaseoso. Mediante la deposicin por CVD-FBR se pueden recubrir piezas de
grandes reas, in-situ, lo que significa una ventaja desde el punto de vista
econmico. El proceso de CVD-FBR utiliza un horno y un reactor en lecho
fluidificado; donde se encuentra una mezcla de polvos de varios materiales, uno
metlico usado como donador, un xido estable como relleno y un gas activador o
una sal, los cuales son mezclados y fluidificados por un flujo constante de gas
inerte (Ar). El material donador; consiste en un metal en polvo o masteralloy, de
mismo dimetro de partcula y que generalmente es utilizado del tipo del elemento
que se cubrir. [2]
El proceso CVD-FBR es un mtodo interesante de producir materiales ultra puros,
compuestos y de sinterizar catalizadores. As como, la tcnica permite obtener
tanto ventajas econmicas como practicas frente a otros procesos equivalentes
realizados a presin atmosfrica; estas ventajas son:
1) Reduccin del tiempo del ciclo para conseguir la microestructura y la calidad de
la superficie requerida.
2) Los costos de montaje y operacin son relativamente bajos.
3) Rpido ajuste de la atmosfera del horno para las condiciones requeridas.
4) Una alta y uniforme transferencia de calor.
5) Capas uniformes
Desventajas:

La principal desventaja de la deposicin qumica por lecho fluidizado es la


necesidad de encontrar un buen diseo del distribuidor del gas, quien esta
inevitablemente asociado con la deposicin gradual de slidos y la generacin de
los aglomerados, que nos permita una constante frecuencia del movimiento
relativo. [2]

CVD ASISTIDO POR LASER (LCVD)


Dentro de una cmara de vaco se colocan un blanco del material de inters y el
substrato sobre el que se quiere depositar la pelcula, la luz intensa de un lser
pulsado (del orden de entre108 Wcm-2 a 1010 Wcm-2), al enfocarse sobre el
blanco, proporciona la energa para la evaporacin. Se produce un plasma que
emite luz en muchas frecuencias (pluma). Los tomos, iones y molculas que
forman parte del plasma se condensan sobre el substrato depositando la pelcula.
[4]

La utilizacin del lser para iniciar el depsito se basa en tres mecanismos


bsicos:
1. Pirolisis: el lser calienta el sustrato localmente de forma que los gases
prximos a ese punto sufren una descomposicin trmica.
2. Evaporacin: el mecanismo es similar al de la pulverizacin catdica. Sobre
un blanco situado prximo al sustrato se hace incidir un haz lser que arranca el

material y este se deposita en el sustrato (ver tcnicas de depsito fsicas


ablacin lser).
3. Fotlisis: es el ms empleado en los procesos CVD inducidos por lser. Las
especies gaseosas absorben la radiacin del lser, pasando a estados excitados e
incluso fragmentando la molcula en radicales altamente reactivos. [4]

VENTAJAS
Flexible, fcil de implementar
Posibilidad de crecer en diferentes atmsferas
Buena conservacin de la estequiometria (ej. YBCO)
Velocidad de crecimiento fcil de modificar
Puede obtenerse un crecimiento epitaxia a menores temperaturas
Posibilidad e interacciones resonantes (plasmones en metales, picos de
absorcin en dielctricos y semiconductores)
Excelente control del crecimiento a travs de los parmetros del lser.

DESVENTAJAS.
Dificultades con la homogeneidad para reas grandes
Defectos por emisin de macropartculas
Complejidad de mecanismos de crecimiento y manejo de parmetros. [4]

BIBLIOGRAFIA E INFOGRAFIA

JOSE M. ALBELLA. Laminas delgadas y recubrimientos: preparacin


propiedades y aplicaciones. Pg. 250 [1]
http://www.scielo.org.co/pdf/dyna/v80n181/v80n181a20.pdf [2]
Tcnicas de depsito-parte 2. Diapositivas. Formato PPT
http://www.google.com.pe/url?
sa=t&rct=j&q&esrc=s&source=web&cd=5&ved=0ahUKEwjv49PIqNbPAhXDqh4
KHTn2CsQFggyMAQ&url=http%3A%2F%2Fjserra.webs.uvigo.es%2Farchivos
%2520de%520docencia%2FT ecnicas-2004-2005%2FTecnicas%2520de
%2520deposito-parte
%25202.ppt&usg=AFQjCNHz2tqtiNnoUrde7xsuOI04rJP_ow
http://indico.ictp.it/event/a11203/session/76/contribution/46/material/0/0.pdf [4]