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TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

3.1. INTRODUCCIÓN

3.2. CONSTITUCIÓN DEL BJT

3.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT

3.3.1. Zona Activa

3.3.2. Zona de Cuasi-Saturación

3.3.3. Zona de Saturación

3.3.4. Ganancia

3.4. TRANSISTOR DARLINGTON

3.5. EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

3.6. EXCITACIÓN DEL BJT

3.7. CONSIDERACIONES TÉRMICAS

3.8. AVALANCHA SECUNDARIA

3.9. ZONA DE OPERACIÓN SEGURA (SOA)

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 1 de 17

INTRODUCCIÓN. Características Generales del BJT

El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia con características muy superiores. Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en la actualidad.

Saturación Cuasi-Saturación 1/R d Ruptura Secundaria C I C (A) I C Ruptura Primaria I
Saturación
Cuasi-Saturación
1/R d
Ruptura Secundaria
C
I C (A)
I C
Ruptura Primaria
I B
Activa
B
I E
Corte
E
0
BV SUS
V CE (V)
BV CE0 BV CB0
Característica de salida (I C frente a V CE ) del transistor NPN de potencia, para

distintas corrientes de base, I B5 >I B4 >

B1 y Esquema del BJT de tipo NPN.

I

Valores máximos de V CE :

BV CB0 >BV CE0 >BV SUS

BV SUS : Continua. BV CE0 : Para I B =0 BV CB0 : Para I E =0

Definición de Corte:

de I C = -α I E +I C0 ; -I E =I C +I B ;

se deduce:

I

C

=

α

1

1

α

B

1

α

I

+

I

C 0

Posibles definiciones de corte:

a)

b)

I

B

= ⇒

0

I

C

=

1

1

α

I

C

0

10

I

C

0

I

E

=

0 I = I

C

C 0

Por tanto se considera el transistor cortado cuando se aplica una tensión V BE ligeramente negativa I B = -I C = -I C0

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 2 de 17

CONSTITUCIÓN DEL BJT

E + n B B p + n
E
+
n
B
B p
+
n

C

Transistor Tipo Meseta (en desuso)

La anchura de la base y su dopado serán lo menores posibles para conseguir una ganancia lo mayor posible (baja recombinación de los electrones que atraviesan la base).

Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un dopado pequeño.

El problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para alojar la zona de deplexión la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso.

Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia típica de corriente entre 5 y 10. (muy baja).

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 3 de 17

CONSTITUCIÓN DEL BJT

de Potencia. Transparencia 3 de 17 CONSTITUCIÓN DEL BJT B E B W E =10µm 10
B E B W E =10µm 10 19 cm -3 n + p W B
B
E
B
W
E =10µm
10 19 cm -3 n +
p
W
B =5÷20µm
10 16 cm -3
Zona de
expansión
-
10 14 cm -3
n
50÷200µm
W
C =250µm
+
10 19 cm -3
n

C

Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Típico

Ventajas de la estructura vertical:

Maximiza el área atravesada por la corriente:

Minimiza resistividad de las capas

Minimiza pérdidas en conducción

Minimiza la resistencia térmica.

En la práctica, los transistores bipolares de potencia no se construyen como se ve en esta figura, sino que se construyen en forma de pequeñas celdillas como la representada, conectadas en paralelo.

Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen empleando una estructura vertical y en forma de pequeñas celdillas en paralelo.

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 4 de 17

CONSTITUCIÓN DEL BJT Base Emisor n + n + n + n + p n
CONSTITUCIÓN DEL BJT
Base
Emisor
n +
n +
n +
n +
p
n -
n +
Colector

Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo NPN

Ventajas de la estructura multiemisor:

Reduce la focalización de la corriente debida al potencial de la base causante de la avalancha secundaria.

Reduce el valor de R B (disminuye pérdidas y aumenta la frecuencia

f T ).

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FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa R V bb V cc B + E - n
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa
R
V bb
V cc
B
+
E
-
n p
+
C
n n
Carga (Exceso de electrones en la Base) Unión Colector-Base Zona Activa: (inversamente Elevada polarizada) V
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Unión
Colector-Base
Zona Activa:
(inversamente
Elevada
polarizada)
V CE
Activa

Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia típico en activa.

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 6 de 17

E

FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturación R V bb V cc B + - +
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturación
R
V bb
V cc
B
+
-
+
n p
C
n
n
Carga (Exceso de electrones en la Base) Base Virtual Cuasi- Saturación
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Base Virtual
Cuasi-
Saturación

Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia típico, en Cuasi-Saturación.

Cuasi-Saturación:

En activa al subir I B , I C ↑ ⇒ V CE (=V CC - I C R ). Simultáneamente: V jCB (=V CE - I C R d ). Donde R d es la resistencia de la capa de expansión. El límite de la zona activa se alcanza cuando: V jCB =0 (V CE = I C R d ). Si V jCB >0 (Unión directamente polarizada):

Habrá inyección de huecos desde p a n - (Recombinación con electrones procedentes del emisor en n - ) Desplaz. a la derecha de la unión efectiva:

R d Disminuye

Aumento del ancho efectivo de la base.

β Disminuye

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E

FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturación R V bb V cc B + - +
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturación
R
V bb
V cc
B
+
-
+
n p
n n

C

Carga en exceso Q 2 Q 1 Base Virtual Saturación
Carga en
exceso
Q
2
Q
1
Base Virtual
Saturación

Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia típico, en saturación.

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 8 de 17

FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia

log(β) β max β min garantizada por el fabricante V CE-Saturación log(I C ) ≈I
log(β)
β max
β min garantizada
por el fabricante
V CE-Saturación
log(I C )
≈I Cmax /10
I Cmax

Variación de β en Función de I C

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 9 de 17

TRANSISTOR DARLINGTON

Base T A I e Emisor + + n n SiO 2 T A T
Base
T
A
I e
Emisor
+
+
n
n
SiO 2
T A
T B
p I b
I b
n -
T B
I c T A
I c
+
n
Colector Base T A T B D 1 Emisor
Colector
Base
T A
T B
D 1
Emisor

Colector

D 2

β=β B β A +β B +β A

Estructura de un Par Darlington Monolítico

Montaje Darlington para Grandes Corrientes.

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 10 de 17

EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

Colector V cc Z L I C Base I B V CE V BE
Colector
V
cc
Z
L
I C
Base
I B
V CE
V BE

Interruptor BJT conmutando una Carga Inductiva

I L I C − dI I B B I dt Bon t I Boff
I
L
I
C
− dI
I
B
B
I
dt
Bon
t
I
Boff
V
BE
V
t
CE
t=0
t s
t rv1
t rv2
t fi

Proceso de conmutación: Corte

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 11 de 17

EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

Colector V cc Z L I C Base I B V CE V BE
Colector
V
cc
Z
L
I C
Base
I B
V CE
V BE

Interruptor BJT conmutando una Carga Inductiva

I C I Bon I B I Boff t V CE V BE t t=0
I
C
I
Bon
I
B
I
Boff
t
V
CE
V
BE
t
t=0
t
t
don
ri
t fv1
t fv2

Proceso de conmutación: Saturación

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 12 de 17

I C

1

2

3

EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN Potencia 4 5 disipada muy alta Potencia disipada muy baja 6
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
Potencia
4
5
disipada
muy alta
Potencia disipada
muy baja
6

V CE

1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo Trayectorias en el plano I C -V CE durante la conmutación

I L I 1 2 3 4 C − dI 5 6 I B B
I
L
I
1
2
3
4
C
− dI
5
6
I
B
B
I
dt
Bon
t
I Boff
V
BE
V
t
CE
t=0
t s
t rv1
t rv2
t fi
I C I Bon I B 6 5 4 1 I Boff t V CE
I C
I Bon
I B
6
5
4
1
I Boff
t
V CE
V BE
t
t=0
t
t don
ri
t fv1
t fv2

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 13 de 17

EXCITACIÓN DEL BJT

Aislamiento galvánico entre circuitos de control y potencia V CC Amplificador Fotoacoplador Acoplamiento λ BJT
Aislamiento galvánico
entre circuitos de
control y potencia
V CC
Amplificador
Fotoacoplador
Acoplamiento
λ
BJT de potencia
C b
Señal digital
de control
Tierra de
Tierra digital
potencia
-V CC

Circuito Típico de Excitación de Base para BJTs de Potencia

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 14 de 17

CONSIDERACIONES TÉRMICAS

V V control BE V BE V cc Las pérdidas en corte suelen despreciarse al
V
V
control
BE
V
BE
V
cc
Las pérdidas en corte
suelen despreciarse al ser
t
la corriente muy baja.
V
cc
I
90%
C
Las
pérdidas
en
10%
R
conducción
pueden
ser
C
V
CE
t
t
t
aproximadas por:
f
d
t
I C
r
t
I B
s
V
CE
T
V
P
=
I
V
ON
BE
on
c
CEsat
T
P
d
t
t

T=1/f

Las pérdidas en conmutación pueden estimarse suponiendo que la corriente y la tensión siguen una línea recta durante la conmutación:

dW

r

=

V

CE

⋅⋅+

c

I

dt

V

BE

⋅⋅ ≅

B

I

dt

V

CE

dt

⋅⋅ = (

I

c

V

cc

R

c

I

cmax

RI

c

cmax

W

r

=

t

0

r

=− V

cc

VI

cc

cmax

V

CEsat

V cc

(

V

CE Saturacion

0)

dW

r

t

)

t

1

⋅− ⋅⋅ =⋅ ⋅

t

r

t

r

6

(1

dt

V

cc

I

cmax

t

r

;

=

V

cc

I

cmax

análogamente se hace para W f :

W

com

=

WW +

r

f

1

=⋅ VI

6 cc

cmax

(

t

t

r

)

I

⋅⋅ dt

t

t

r

t

⋅−(1 )⋅⋅ dt

cmax

t

t

r

t

r

t

r

+

t

f

) ;

La potencia media disipada en el período T será por tanto:

1 W com P = = ⋅ V ⋅ I ⋅ f ⋅ ( t
1
W com
P
=
=
V
I
f
(
t
+
t
)
com
cc
cmax
r
f
T 6

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AVALANCHA SECUNDARIA

Caída de tensión Concentración Caída de tensión de corriente B B E B E B
Caída de tensión
Concentración
Caída de tensión
de corriente
B
B
E
B
E
B
+
+
n
n
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
-
e
e
e
-
-
-
p
p
e
e
e
n
n
C
C
a)
b)

Concentración o Focalización de Corriente en un BJT. a) En la Conmutación a

Saturación (I B >0) y b) en la Conmutación a Corte (I B <0)

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ZONA DE OPERACIÓN SEGURA

Límite I C térmico f 3 I CM f 2 f 1 dc Avalancha Secundaria
Límite
I C
térmico
f 3
I CM
f 2
f 1
dc
Avalancha
Secundaria
βV CE0
V CE

a) FBSOA (f 1 <f 2 <f 3 )

I C I CM V BEoff <0 V BEoff =0 βV CE0 βV CB0 V
I C
I CM
V BEoff <0
V BEoff =0
βV CE0 βV CB0
V CE

b) RBSOA (Trancisiones de menos de 1 µs) Zonas de Operación Segura del Transistor Bipolar

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