1. DEFECTOS PUNTUALES.

Los defectos puntuales son perturbaciones en los arreglos inicos o atmicos

en una estructura cristalina que de otra manera seria perfecta. Aun cuando se
le llama defectos puntuales, la perturbacin afecta una regin que involucra
varios tomos o iones. Estas imperfecciones, mostradas en la figura 1-1,
pueden ser introducidas por el movimiento de los tomos o iones cuando
ganan energa al calentarse, durante el procesamiento del material o por la
introduccin intencional o no intencional de impurezas. Por lo general, las
impurezas son elementos o compuestos que se presentan a partir de las
materias primas o del procesamiento. Por ejemplo, los cristales de silicio
crecen en crisoles de cuarzo que contienen oxigeno como impureza. Por otro
lado, los dopantes son elementos o compuestos que se adicionan de manera
deliberada, en concentraciones conocidas, en localizaciones especficas en la
microestructura, con un efecto benfico deseado sobre las propiedades o el
procesamiento. En general, el efecto de las impurezas es perjudicial,
mientras que el efecto de los dopantes sobre las propiedades de los
materiales es til.

Figura 1-1. Defectos puntuales: a) vacancia, b) tomo intersticial, c) tomo sustitucional

pequeo, d) tomo sustitucional grande, e) defecto de Frenkel y f) defecto de Schottky.
Todos estos defectos perjudican el arreglo perfecto de los tomos cercanos.
-

Por lo general un defecto puntual involucra un tomo o ion, o un par de

tomos o iones, y por tanto es distinto de los defectos extendidos, como las
dislocaciones o los lmites de grano. Un punto importante acerca de los
defectos puntuales es que aunque los defectos aparecen en uno o dos sitios,
su presencia se siente a distancias mucho mayores en el material cristalino.

1.1.

VACANCIAS.
o Se produce una vacancia cuando un tomo o ion est ausente de su
sitio normal en la estructura cristalina, como en la figura 1-1 a).
Cuando los tomos o iones estn ausentes (es decir, cuando se
presentan vacancias), aumenta la aleatoriedad o entropa general del
material, los cual incrementa la estabilidad termodinmica de un
material cristalino. Todos los materiales cristalinos tienen vacancias.
Estas se introducen en los metales y aleaciones durante la
solidificacin, a altas temperaturas, o como consecuencia del dao de
la radiacin. Las vacancias desempean una funcin importante en la
determinacin de la velocidad a la cual los tomos o iones se mueven
alrededor de o se difunden en un material slido, especialmente en
los metales puros. A temperatura ambiente ( ~ 298 K), la
concentracin de vacancias es pequea, pero la concentracin de
estas aumenta exponencialmente a medida que se incrementa la
temperatura, como se muestra por medio del siguiente
comportamiento de tipo Arrhenius:
n v =n exp(

Q v
)
RT

(1 1)

Donde:
nv es el nmero de vacancias por cm3;
n es el nmero de tomos por cm3;
Qv es la energa requerida para producir un mol de vacancias,
en (cal/mol) o (joule/mol);
R es la constante de los gases, 1.987 cal/mol*k u 8.314
joule/mol*k;
T es la temperatura en kelvin.
o Debido a la gran energa trmica cerca de la temperatura de fusin,
puede haber hasta una vacancia por cada 1000 tomos. Observe que
esta ecuacin provee la concentracin de equilibrio de las vacancias a
una temperatura dad. Tambin es posible mantener una concentracin
de las vacancias producidas a una alta temperatura enfriando
rpidamente el material. Por tanto, en muchas situaciones, la
concentracin de las vacancias observadas a temperatura ambiente no
es la concentracin de equilibrio pronosticada por la ecuacin 1-1.

Figura 2. Vacancia
1.2.

DEFECTO INTERSTICIAL.
o Se forma un defecto intersticial cuando se inserta una tomo o ion
adicional en la estructura cristalina en una posicin por lo general
desocupada, como en le figura 4-1 b). Los tomos o iones
intersticiales, aunque mucho menores que los tomos o iones
localizados en los puntos de red, siguen siendo mayores que los sitios
intersticiales que ocupan; en consecuencia, la regin cristalina
circundante esta comprimida y distorsionada. Los tomos
intersticiales como el hidrogeno se presentan con frecuencia como
impurezas, mientras que los tomos de carbono se adicionan de
manera intencional al hierro con el fin de producir acero. Para
concentraciones pequeas, los tomos de carbono ocupan sitios
intersticiales en la estructura cristalina del hierro, introduciendo un
esfuerzo en la regin localizada del cristal en su alrededor. Como se
puede observar, la introduccin de tomos intersticiales es una
manera importante de incrementar la resistencia de los materiales
metlicos. A diferencia de las vacancias, una vez introducidos, el
nmero de tomos o iones intersticiales en la estructura permanece
casi constante, aun cuando se modifique la temperatura.

Figura 3. Defecto Intersticial o tomo de impureza intersticial

1.3.

DEFECTOS SUSTITUCIONALES.

o Se introduce un defecto sustitucional cuando reemplaza un tomo o

ion por un tipo distinto de tomo o ion en la figura 1-1 c) y d). Los
tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio de red normal. Los
tomos o iones sustitucionales pueden ser mayores que los tomos o
iones normales en la estructura cristalina, en este caso se reducen los
espaciados interatmicos circundantes, o menores, ocasionando que
los tomos circundantes tengan espaciados interatmicos mayores.
En cualquier caso, los defectos sustitucionales alteran al cristal
circundante. De nuevo, el defecto sustitucional puede introducirse
como una impureza o como una adicin de aleacin de manera
deliberada y, una vez introducidos, el nmero de defectos es
relativamente independiente de la temperatura.
o Los ejemplos de defectos sustitucionales incluyen la incorporacin
de dopantes como el fosforo (P) o el boro (B) en el Si. De manera
similar, si se adicionara cobre al nquel, los tomos de cobre
ocuparan los sitios cristalogrficos donde los tomos de nquel
estaran presentes por lo general. Los tomos sustitucionales con
frecuencia aumentaran la resistencia del material metlico. Los
defectos sustitucionales tambin aparecen en los materiales
cermicos. Por ejemplo, si se adicionara MgO al NiO, los iones Mg +2
ocuparan los sitios Ni+2 y los iones O-2 del MgO ocuparan los sitios
O-2 del NiO. Que los tomos o iones entren en los sitios intersticiales
o sustitucionales depende del tamao y la valencia de los iones
anfitriones.

Figura 4. Defecto Sustitucional: a) pequeo y b) grande

1.4.

DEFECTO DE FRENKEL.
o Un defecto de Frenkel es un par de vacancia intersticial formado
cuando un ion salta de un punto de red normal a un sitio intersticial,
como en la figura 1-1 e), dejando atrs una vacancia. Aunque por lo
general se asocia con los materiales inicos, un defecto de Frenkel
puede ocurrir en los metales y en materiales enlazados de manera
covalente.

Figura 5. Defecto de Frenkel

1.5.

DEFECTO DE SCHOTTKY.
o Un defecto de Schottky, figura 1-1 f), es nico para los materiales
inicos y se encuentra de manera comn en muchos materiales
cermicos. Cuando las vacancias ocurren en un material enlazado de
manera inica, debe estar ausente un nmero estequiometrico de
aniones y cationes de las posiciones atmicas regulares para que se
conserve la neutralidad elctrica. Por ejemplo, una vacancia de Mg+2
y una vacancia de O-2 en el MgO constituyen un par de Schottky. En
la ZrO2, por una vacancia de Zr+4, habr dos vacancias de O-2.

Figura 6. Defecto de Schottky

2. DEFECTOS SUPERFICIALES.
- Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un material
en regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones
cristalogrficas distintas.

Superficie del material. En las superficies externas del material la red

termina de manera abrupta. Cada tomo de la superficie ya no tiene el mismo
nmero de coordinacin y se altera el enlace atnico. Asimismo, la

superficie puede ser muy spera, contener pequeas muescas y quiz ser
mucho ms reactiva que el interior del material.

Fronteras de Grano. La microestructura de la mayor parte de los materiales

est formada por muchos granos. Un grano es una porcin del material
dentro del cual el arreglo atmico es idntico. Sin embargo, la orientacin
del arreglo atmico, o de la estructura cristalina, es distinta para cada grano.
En la figura 7 se muestran de manera esquemtica tres granos; la red de cada
uno de ellos es idntica pero estn orientados de manera distinta. La Frontera
de grano, que es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en
el cual los tomos no estn correctamente espaciados. Esto quiere decir que,
en algunos sitios, los tomos estn tan cerca unos de otros en la frontera de
grano que crean una regin de compresin y en otras reas tan alejados que
crean una regin de tensin.

Figura 7. Los tomos cerca de las fronteras de los tres granos no tienen un
espaciamiento o arreglo de equilibrio
-

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlando el

tamao de los granos. Reduciendo el tamao de estos se incrementa su
nmero y, por tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier
dislocacin se mover solamente una distancia corta antes de encontrar una
frontera de grano, incrementando as la resistencia del metal. La ecuacin de
Hall Petch relaciona el tamao de grano con el esfuerzo de cedencia del
material:
y = 0 + K d
Donde:

1
2

(1.2)

y es el esfuerzo de cedencia, es decir, el esfuerzo bajo el cual el

material se deforma de manera permanente

d es el dimetro promedio de los granos
o
0 y K son constantes del metal
o

Figura 8. Efecto del tamao de grano en el esfuerzo de cedencia del

acero a temperatura ambiente.
3. DEFECTOS DE VOLUMEN.
- Los defectos volumtricos se forman cuando un grupo de tomos o de
defectos puntuales se unen para formar un vaco tridimensional o poro. De
manera inversa, un grupo de tomos de alguna impureza puede unirse para
formar un precipitado tridimensional.
- El tamao de un defecto volumtrico puede variar desde unos cuantos
nanmetros hasta centmetros o, en ocasiones, puede ser mayor.
- Un defecto tridimensional o volumtrico puede ampliarse a una regin
amorfa dentro de un material poli cristalino.
- En este tipo de defecto se incluyen poros, grietas, inclusiones y otras fases.
Estos defectos se introducen durante las etapas de procesado y fabricacin.

3.1.

Precipitados
o Los precipitados son segundas fases que se forman en las aleaciones
metlicas debido a la disminucin de solubilidad de las soluciones
slidas.
3.2.
Porosidad
o Son intersticio entre las partculas o molculas que constituyen un
cuerpo. Suelen afectar con una distribucin uniforme, a grandes
zonas de la pieza, o incluso, a su totalidad (porosidad uniforme).
3.3. Grietas

o Las grietas son huecos debido a oclusin de gases, contraccin

durante la solidificacin o tensiones producidas en los procesos de
fabricacin de las piezas.

4. MOVIENTO DE LA DISLOCACION.
- El movimiento de la dislocacin es un mecanismo que permite al cristal
deformarse plsticamente cuando est sujeto a una tensin aplicada .si
definimos el plano de deslizamiento como aquel que contiene al vector de
Burguers y a la lnea de dislocacin , podemos diferenciar dos tipos de
movimientos :deslizamiento o movimiento conservativo , en el que la
dislocacin se desplaza a lo largo del plano de deslizamiento y tan solo
requiere una recombinacin de los vecinos , por lo que se conserva el
nmero de tomos alrededor de la dislocacin ;y el movimiento de escalada
o no conservativo , en el que el desplazamiento es perpendicular a dicho
plano y requiere que se produce una difusin atmica (absorcin de tomos o
emisin de vacantes ).

Figura 9. a) Cuando se aplica un esfuerzo cortante a la dislocacin en a), los tomos se

desplazan, b) ocasionando que la dislocacin se mueva un vector de Burgers en la
direccin de desplazamiento. c) El movimiento continuo de la dislocacin con el tiempo

crea un escaln, d) y el cristal se deforma. e) El movimiento de una oruga es anlogo al

movimiento de una dislocacin.
-

Mientras que en las dislocaciones de borde y mixtas se pueden dar ambos

tipos de movimientos, en el de tornillo no se da la de escalada, ya que el
vector de Burguers es paralelo a la lnea de dislocacin y , por eso, el plano
no est nicamente definido .
En realidad, el movimiento de las dislocaciones es una combinacin de
escalada y deslizamiento donde, dependiendo de la tensin, temperatura y
otras condiciones, uno de los mecanismos es dominante. A bajas
temperaturas, el deslizamiento suele ser dominante, mientras que a altas
temperaturas o en condiciones de saturacin de vacantes, la escalada puede
convertirse en el movimiento dominante.
Si consideramos que el movimiento de deslizamiento es el dominante, la
movilidad de la dislocacin puede estar influenciada por factores
extrnsecos, impurezas que actan como obstculos por ejemplo las
interacciones interatmicas. Dos parmetros que caracterizan la resistencia
intrnseca de la red al movimiento de las dislocaciones son las barreras de
Peierls y la tensin de Peierls. Si consideramos que una dislocacin se
mueve a travs de su plano de deslizamiento, los efectos de la red cristalina
sobre el movimiento pueden representarse por una energa que vara con la
posicin de la dislocacin en la red.
La periodicidad en la variacin de la energa es consecuencia de la traslacin
de la simetra del cristal. Los mnimos de la funcin, conocidos como valles
de Peierls, son las posiciones que preferentemente ocupan las
dislocaciones .Para saltar de un valle a otro, stas necesitan superar un
abarrera energtica, que a tensin cero es conocida como barrera de Peierls.
La barrera puede ser modificada por las fuerzas que actan sobre la
dislocacin, de forma que si se alcanza la tensin critica, llamada tensin de
Peierls (a temperatura 0), la barrera desaparecer completamente.
Podemos diferenciar dos desencadenantes del movimiento , uno cuando la
tensin local es menor que la tensin de Peierls y el otro cuando es mayor
.En el primer caso , la dislocacin puede moverse gracias a las fluctuaciones
trmicas: un segmento de la dislocacin pasa al siguiente valle crendose dos
curvas (kinks), posteriormente , debido a la tensin y/o a la temperatura ,
las curvas avanzan hacia los extremos hasta que la dislocacin pasa
completamente al siguiente valle .De esta forma , a medida que aumenta la
temperatura se favorece el movimiento .
En el segundo caso , si la tensin local es mayor que la tensin de Peierls
ocurre el llamado rgimen de arrastre viscoso , donde la velocidad es una
funcin de la tensin y est limitada por la viscosidad debida a la interaccin
de la dislocacin con la vibracin de la red .Aqu por lo tanto la movilidad
decrece con la temperatura

5. VIBRACIONES ATOMICAS.

En los materiales solidos cada tomo vibra muy rpidamente alrededor de su

posicin dentro del cristal, en cierto sentido estas vibraciones se consideran
defectos o imperfecciones. En un momento determinado todos los tomos no
vibran con la mismas frecuencia y amplitud, ni con la misma energa. A una
temperatura determinada existe una distribucin de energas para los tomos
constituyentes en torno a una energa media. La emerga de vibracin de un
tomo especifico tambin vara libremente con el tiempo.
Al aumentar la temperatura, la energa media se incrementa y la temperatura
del solido es realmente una medida del promedio de la actividad vibracional
tpica es del orden de 1013 vibraciones por segundo, mientras la amplitud es
de unos pocos miles de nanmetros.
Muchas propiedades de los slidos corresponden a manifestaciones de su
movilidad vibracional atmica. Por ejemplo, la fusin ocurre cuando las
vibraciones son tan vigorosas que logran romper gran nmero de enlaces
atmicos.