METALURGIA EN GENERAL

IMPERFECCIN DE LOS MATERIALES

Imperfecciones en los arreglos atmicos e inicos.Al analizar el trmino "imperfeccin de un material'', se presupone de un error en la
organizacin de dicho material, y muchas veces, tambin se enjuicia con alevosa y asumimos
que dicha imperfeccin, relacionada con algn tipo de imagen de deformacin que es
visualmente perceptible, le atribuyen al material el valor de obsoleto y no siempre es as.
El arreglo de los tomos o iones en los materiales diseados tiene imperfecciones o defectos.
Frecuentemente stos defectos tiene un efecto profundo sobre las propiedades de los materiales,
y no necesariamente suceden a niveles macros, y pueden ser aprovechados en la aplicacin
ingenieril tal como la capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la
corrosin.
Un cristal perfecto consiste de un arreglo peridico de tomos, lo que genera una estructura
definida. El trmino defecto se usa en general para describir cualquier cambio o variacin en la
estructura o composicin del cristal.
Idealmente, un cristal perfecto slo puede existir a 0 Kelvin (-273 C). A esta temperatura todos
los tomos estn estticos, por lo que no presentan vibracin alguna, en otras palabras los
tomos no poseen energa cintica. Sin embargo, a temperaturas mayores los tomos empiezan a
vibrar constantemente debido a la absorcin de energa calorfica. La amplitud y cantidad de
vibraciones entre los tomos crece con el aumento de la temperatura. Estas vibraciones son, en
parte, las causantes de que los cristales presenten deformaciones o defectos. Adems, vale la
pena mencionar que estas vibraciones tambin estn directamente relacionadas con el fenmeno
de fusin de los materiales slidos. Por ejemplo, en el caso de los cristales de xidos metlicos
se sabe que pierden hasta 2 % en peso de oxgeno antes de alcanzar su punto de fusin. Esto se
debe a que los tomos de oxgeno que se encuentran en la superficie del cristal empiezan a vibrar
de una manera muy acelerada debido al aumento en la temperatura, hasta que se desprenden de
la superficie. La ausencia de tomos de oxgeno en la superficie produce un gradiente de
difusin de tomos de dentro del material hacia la superficie del mismo, lo que provoca una
continua prdida de oxgeno as como el inicio de la prdida de estructura cristalina. Finalmente,
todo este movimiento de tomos produce la fusin del material.

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En este contexto, el material no se considera defectuoso desde el punto de vista de la aplicacin.

Las dislocaciones, que son defectos lineales en un material suelen ser utilizadas para aumentar la
resistencia de un material. En el uso de materiales electrnicos, conductores de electricidad, es
necesario eliminar stas dislocaciones al menor ndice posible, con tal de garantizar la
conductividad. El mtodo para dar un color especfico a cristales se realiza a nivel de
imperfecciones, que al aumento de la cantidad de un material diferente, produce que este cambie
sus propiedades internas, al nivel de su propio color. As la mxima pureza de un metal, tambin
asegura el aumento en su conductividad.
La formacin de defectos, en todos los casos, implica un proceso endotrmico, el cual podra no
favorecer su formacin. Sin embargo, al formarse un defecto, aumenta la entropa (S), por lo
tanto, y de acuerdo con la ecuacin 1, la entalpa de formacin (H, el calor absorbido), se
compensa con el S en el equilibrio. De tal forma que la variacin de la energa libre de Gibbs
(G) dentro de un cristal por la formacin de un defecto es cero.
G = H TS
Existen tres tipos de defectos: puntuales, lineales (dislocaciones) y superficiales.
Si el cambio est localizado nicamente en una posicin atmica y sus tomos vecinos, este tipo
de defecto se conoce como defecto puntual; por el contrario, si las modificaciones afectan reas
ms grandes del cristal, se clasifican como defectos lineales, de superficie o de volumen,
dependiendo de la regin y forma de cambio en la estructura cristalina.
A continuacin nos enfocaremos a describir nicamente los defectos ms sencillos que se
pueden encontrar en un cristal, los defectos puntuales o de dimensin cero.

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Defectos puntuales.-

En 1896 Robert Austen observ que el plomo difunde en el oro a 300 C a una velocidad
superior a la que el NaCl difunde en agua a temperatura ambiente. Necesariamente, deba haber
huecos que aceptaran los tomos de Pb, ya que la Eact. para mover un tomo es muy alta (PF Pb
327 C).
Los defectos puntuales son alteraciones o discontinuidades de la red cristalina con respecto a la
ideal, provocadas por uno o varios tomos. Se originan por el movimiento de tomos durante el
calentamiento o procesado del material, introduccin de impurezas o por aleacin. (Una aleacin
es una mezcla slida homognea de dos o ms metales, o de uno o ms metales con algunos
elementos no metlicos)
Estos defectos distorsionan la red a lo largo de cientos de tomos. Una dislocacin que se
propaga por el material ordenado encontrar cerca del defecto puntual una regin estructural
desordenada. Para continuar su movimiento y vencer al defecto, la dislocacin necesita un
esfuerzo mayor. Se incrementa por tanto la resistencia mecnica del material.

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Estas interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos no permiten que dichos tomos
tengan una estructura cristalina perfecta. As las impurezas son elementos o compuestos
presentes en las materias primas o en el procesamiento.
Los defectos puntuales se pueden introducir por el movimiento de los tomos o iones al
aumentar la energa por calentamiento, durante el procesamiento del material, por introduccin
de impurezas o por dopado. Los dopantes son elementos o compuestos que se agregan en forma
deliberada y en cantidades conocidas en lugares especficos de una microestructura, buscando un
efecto benfico en las propiedades de dicho material.
Se subdividen en:
1. Vacancia: Se produce cuando falta un tomo o in en su sitio normal en la red cristalina.
Esta se origina durante la solidificacin a alta temperatura o como consecuencia de los
daos provocados por la radiacin (intencional). En la ausencia de un tomo aumenta el
desorden normal o entropa del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica
de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
El sintetizado es un proceso mediante el cual se forma una masa densa calentando
materiales pulverizados compactados. Con este proceso se fabrican los capacitores, y se
asume como un tratamiento trmico. Existe una relacin entre la temperatura y la
concentracin de vacancia, este comportamiento de Arrhenius, obedece a que la
concentracin de vacancias a temperatura ambiente es pequea. Al aumentar la
temperatura, aumenta en forma exponencial dicha cantidad, con la siguiente relacin.
Q

N v =N KT
Donde Nv es el nmero de vacantes por metro cbico
N es el nmero de puntos en la red por metro cbico
Q es la energa requerida para producir una vacancia (J/tomo)
T es la temperatura en K
K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23J/tomoK) 8.62 x 105eV/tomoK
Son las imperfecciones ms comunes en los cristales. Se dan hasta una por cada 10000
tomos.
Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que
forman divacantes o trivacantes.

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VACANTE
2. Defecto Intersticial: Se forma cuando se inserta un tomo o in adicional en la
estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada.
Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los
alrededores puesto que normalmente el tomo es sustancialmente ms grande que la
posicin intersticial en la que se sita. Consecuentemente la formacin de este defecto
no es muy probable. Se pueden introducir en una estructura por radiacin.

DEFECTO INTERSTICIAL
3. Defecto Sustitucional: Tambin se los denomina como impurezas en el material.
Cuando un tomo es sustituido con un tipo distinto de tomo o in, los tomos
sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Pueden ser mayores que los tomos o
iones normales en la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen los espacios
interatmicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causar que los tomos vecinos
tengan distancias interatmicas mayores. Si el defecto sustitucional es mayor que los

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tomos normales la red se comprime, si es menor la red se expande (tensin). El nmero

de defectos sustitucionales no depende de la temperatura.

DEFECTO DE SUSTITUCIN
4. Defecto de Frenkel.- Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial.
Ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial
dejando entonces una vacancia.

DEFECTO FRENKEL
Para calcular el nmero defectos de Frenkel por metro cbico se emplea:

Donde N es el nmero de posiciones reticulares catinicas y aninicas.

Y Ni es el nmero de posiciones intersticiales.
5. Defecto de Schottky.- Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para
mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

DEFECTO SCHOTTKY
Para calcular el nmero defectos de Schottky por metro cbico se emplea:

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Donde N es el nmero de posiciones reticulares catinicas y aninicas.

Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga reemplaza otro ion
de diferente carga. Por ejemplo un ion de valencia +2 reemplaza a un ion de valencia +1.
En este caso una carga extre positiva se introduce dentro de la estructura. Para mantener
un balance de carga, se debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces inicos).

DEFECTO POR REEMPLAZAMIENTO POR IONES DE DIFERENTE CARGA

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