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Electrosttica
1.1. Introduccin
Dado que el objetivo de esta asignatura ser el estudio bsico de los
principales fenmenos electromagnticos y buena parte de estos fenmenos estn relacionados con la interaccin de cargas elctricas, empezaremos este tema con el estudio de las interacciones de cargas elctricas
en reposo. La parte del Electromagnetismo que aborda esta materia se
denomina Electrosttica.
La carga elctrica es una propiedad fundamental e intrnseca de la
materia (al igual que la masa) que tiene las siguientes propiedades:
Presenta dos polaridades: positiva y negativa. Cantidades iguales
de ambas polaridades se anulan entre s.
La carga total del universo (suma algebraica de todas las cargas
existentes) se conserva, esto es, la carga no se puede crear ni destruir. No obstante, debe notarse que esto no imposibilita que cargas
positivas y negativas se anulen entre s.
Adems de esta propiedad de conservacin global, la carga tambin
se conserva localmente. Esto quiere decir que si cierta carga desaparece en un sitio y aparece en otro, esto es porque ha viajado de
un punto a otro.
La carga esta cuantizada: cualquier carga que existe en la naturaleza es un mltiplo entero de una carga elemental qe . Esta carga
elemental corresponde a la carga del protn.
La unidad de carga en el Sistema Internacional es el culombio (C) y
equivale a la carga de 6,2414959 1018 protones, o lo que es lo mismo, la
carga del protn es qe = 1,60218 1019 C.
Es interesante hacer notar que de las cuatro interacciones fundamentales de la naturaleza: nuclear fuerte, electromagntica, nuclear dbil y
gravitatoria, la interaccin electromagntica (o electrosttica cuando es
entre cargas en reposo) es la segunda ms fuerte. De hecho la interaccin
elctrica entre dos electrones (de carga e igual a qe ) es aproximadamente 1042 veces ms fuerte que su correspondiente interaccin gravitatoria.
1
1 qQ
1 qQ
r
~r ,
40 r2
40 r3
F
r
(1.1)
~r = rr
es el vector que va desde la carga fuente hasta la carga prueba siendo
r = |~r| su mdulo y r = ~r/r su vector unitario asociado.
Apuntes de FFI
qQ. Por tanto, la fuerza entre dos cargas ser atractiva para cargas
de signo opuesto o bien repulsiva para cargas del mismo signo.
+Q
+q
F
-Q
+q
F
-F
La expresin de la fuerza ejercida por la carga q sobre la carga Q (dada
por (1.1)) puede reescribir como
~ ),
F~ (P ) = QE(P
+q
(1.3)
1 q
1 q
r
~r .
2
40 r
40 r3
(1.4)
Apuntes de FFI
F
FN
Q
r1
q1
F2
F1
r2
rN
q2
qN
F~ (P ) =
N
X
F~i =
i=1
N
1 X qi Q
ri
40 i=1 ri2
N
Q X qi
ri .
40 i=1 ri2
(1.5)
(1.6)
A la vista de la expresin (1.6) podemos concluir que el principio de superposicin puede aplicarse igualmente al campo elctrico, de modo que
el campo elctrico de una distribucin discreta de cargas (q1 , q2 , . . . , qN )
en el punto P viene dado por la siguiente expresin:
~ ) =
E(P
N
X
i=1
~i =
E
N
1 X qi
ri
40 i=1 ri2
N
1 X qi
ri .
40 i=1 ri2
(1.7)
(1.8)
Apuntes de FFI
Ejemplo 1.1 Calcular el campo en el punto P debido al efecto de las tres cargas sealadas en el dibujo.
~r1 =
1
1
+ y
,
x
2
2
~r2 =
1
1
y
,
x
2
2
1
1
+ y
,
~r3 = x
2
2
ri D =
1/2 .
~ )=
E(P
3
X
i=1
1 qi
~ri ,
40 ri3
1
1
1
1
1
1
1 q
(
x
+
y
)
+
2(
x
y
)
3(
x
+
y
)
40 D3 2
2
2
2
2
2
1 q
2 2q
=
(3
x 2
y) .
(3
x 2
y) =
40 D3
40
~ )=
E(P
1.5.2.
q=
dq .
(1.9)
Apuntes de FFI
~ ) = 1 dq r ,
dE(P
40 r2
dE
r
(1.10)
El campo total producido por toda la distribucin de carga se obtendr usando el principio de superposicin, tal y como se hizo para cargas
discretas en (1.4), al sumar las distintas contribuciones infinitesimales:
~ )=
dE(P
1
40
1
dq
r
2
r
40
dq
~r .
r3
dq
donde el vector ~
r va desde la posicin de dq hasta el punto P .
~ )=
E(P
(1.11)
dE
dq
~ )=
E(P
1
40
r
dl .
r2
(1.12)
lnea
~ )=
E(P
1
40
r
dS .
r2
(1.13)
superficie
~ )=
E(P
1
40
r
dV .
r2
(1.14)
volumen
1 dL
1 dq
r=
r,
40 r 2
40 r 2
donde hemos hechos uso del hecho de que dq = dL.
~ )=
dE(P
(1.15)
Apuntes de FFI
(1.16)
dEx (P ) =
1 xdL
.
40 r 3
(1.17)
Z
1 xdL
.
dEx (P ) =
4
r3
0
anillo
anillo
Z
1 xQ
1 xL
1 x
=
,
dL =
=
40 r 3 anillo
40 r 3
40 r 3
Ex (P ) =
(1.18)
~ )=
E(P
1
Qx
.
x
40 (x2 + R2 )3/2
(1.19)
~ dS
~ = Qint
E
0
S
(1.20)
Ley de Gauss
E
r
q
~ =
E
1 q
r .
40 r2
E
dS
r
q
Apuntes de FFI
~ dS
~,
E
(1.22)
superf.
~ dS
~ = E(r)
E
~,
r dS
(1.23)
superf.
superf.
dado que E(r) permanece constante al integrar sobre la superficie esfrica. Teniendo ahora en cuenta que
~ = dS
r dS
~ ,
(r k dS)
E(r)
1 q
q
(4r2 ) =
.
2
40 r
0
superf.
(1.24)
q
~ dS
~ = o
=
E
0
S
I
si q S
~ dS
~=
E
X
i
~i
E
~=
dS
(1.25)
en otro caso .
XI
i
~ i dS
~=
E
i ,
(1.26)
~ dS
~ = Qint ,
E
0
S
Apuntes de FFI
donde Qint representa la carga total encerrada en el interior de la superficie S . La expresin anterior tambin se aplica en el caso de una distribucin continua de carga.
S
Ejemplo 1.3 Calcule el flujo del campo que atraviesa la superficie S de la figura adjunta.
q1
q2
Qint = q1 + q2 ,
q3
=
=
~ dS
~
E
q1 + q2
.
0
Aunque la ley de Gauss (1.20) es vlida para cualquier tipo de distribucin de carga y superficie, sta slo es til para obtener el campo en
situaciones de alta simetra. Estas situaciones se dan cuando exista una
superficie de Gauss, SG , tal que, en aquellas partes donde el flujo sea dis
tinto de cero (superficie que se denominar SG
), la integral del flujo se
pueda realizar de modo que el mdulo del campo sea constante sobre dicha superficie, esto es, cuando se pueda proceder de la siguiente manera:
~ dS
~=E
E
dS .
(1.27)
SG
SG
l
S+
h
SL
~ = E(R)R
.
E
Este hecho implica que se puede escoger como superficie de Gauss,
una superficie cilndrica cuyo eje coincida con el propio hilo. De este modo se tendr que el flujo a travs de las superficies superior
~ dS
~ en die inferior (tapaderas del cilindro) es nulo dado que E
chas superficies y en la superficie lateral, el mdulo del campo ser
constante, esto es,
SL +S + +S
~ dS
~=
E
dS
S-
~ dS
~ = E(R) SL .
E
SL
Apuntes de FFI
10
E2Rh =
h
,
0
E=
.
20 R
~ dS
~ = E(r)r dS
~ = E(r)dS
d = E
y, por tanto, el flujo a travs de una superficie de radio r ser
d = E(r)
Qint (r)
.
0
dS = E(r) (4r2 )
S
Debe notarse que la carga total encerrada por la superficie slo depende del radio de esta superficie y por tanto slo debe considerarse
aquella carga en el interior del volumen de la esfera de radio r, esto
es,
(
Qint =
dV =
dV =
43 r3
34 R3
si r < R
si r R .
A partir de los resultados de las expresiones anteriores puede fcilmente deducirse que el campo en cualquier punto viene dado por
~ =
E
rr
30
Q
r
40 r2
si r < R
si r R .
~ = E(y)
E
y.
El mdulo del campo no presenta dependencia respecto a las variables x y z debido a que cualquier punto con la misma coordenada
y es totalmente equivalente (es decir, ese punto ve la misma distribucin de cargas). Con respecto a la direccin del campo, por simetra cualquier componente que no sea vertical es perfectamente
cancelada dado el carcter infinito del plano.
Eligiendo como superficie de Gauss una superficie cilndrica como
la mostrada en la figura, se tiene que
Apuntes de FFI
~ dS
~=
E
11
~ dS
~+
E
S+
SL +S + +S
~ dS
~ = 2ES
E
S
2ES =
S
0
E=
20
~ = sign(y)
E
y.
20
(1.28)
Es interesante notar que el campo, por ejemplo para y > 0, no depende de la altura sobre el plano y por tanto es constante en todos
los puntos (puede sorprender que incluso no decrezca con la distancia).
dl
r
1.7.1.
Potencial elctrico
G
~ d~l =
E
A,
A,
q
1 q
r d~l =
40 r2
40
A,
r d~l
.
r2
(1.29)
r d~l = dl cos = dr
y por tanto se encuentra que
B
CA
=
q
40
rB
rA
q
dr
=
2
r
40
1
1
rA
rB
(1.30)
~ d~l =
E
A,
~ d~l .
E
(1.31)
A,
~ d~l = 0 .
E
(1.32)
Apuntes de FFI
12
~ d~l =
E
X
i
!
XZ
~
Ei (~r) d~l =
~ i (~r) d~l .
E
(1.33)
~ = V
~
E
,
(1.34)
~ d~l =
E
(1.35)
~ d~l =
E
~ d~l +
E
" Z
=
~ d~l
E
" Z
#
~ d~l
E
#
~ d~l .
E
(1.36)
V (P ) =
~ d~l ,
E
(1.37)
Apuntes de FFI
13
V (P ) =
~ d~l = q
E
40
r d~l
.
r2
(1.38)
r
q
1
dr
=
r2
40 r
(1.39)
Para una distribucin continua de carga, debido al principio de superposicin y siguiendo el mismo procedimiento que para el campo, se tendr
que
1
40
V (P ) =
1
dq
=
r
40
dV .
r
(1.40)
regin
de cargas
Ejemplo 1.4 Calculo del potencial elctrico para (a) un anillo de carga en los puntos de
V (P ) =
1
40
Q
0
1
dq
=
r
40 r
dq =
0
1 Q
,
40 r
donde hemos tenido en cuenta que la variable r no vara (es constante) al integrar
sobre los distintos elementos diferenciales de carga.
Notemos que la expresin anterior puede tambin escribirse como
V (x) =
Q
1
.
40 R2 + x2
V (y) =
y
0
sign(y) dy =
sign(y) y =
|y| ,
20
20
20
Apuntes de FFI
14
WE =
F~ d~l = Q
A,
~ d~l .
E
(1.41)
A,
WE = [U (B) U (A)] = U .
(1.42)
WE = QV (A) QV (B)
(1.43)
U (P ) = QV (P ) .
(1.44)
Ec + U = (Ec + U ) = 0 .
(1.45)
Em = Ec + U ,
entonces podemos establecer que la energa mecnica de la carga Q en
el campo electrosttico se conserva.
V=0
V=V0
~ = V0 y
.
E
d
Dado que el potencial es la integral de camino del campo elctrico, esto es,
y
0
V (y) = V0
y
.
E(y)dy = V0 1
d
Apuntes de FFI
15
La energa potencial, U (y), de una carga q en el interior del condensador ser por
tanto
y
.
U (y) = qV0 1
d
Una partcula de carga positiva que parta del reposo (Ec = 0) en la placa del
condensador a potencial V0 , se desplazar hacia zonas de menor energa potencial
a la vez que ir aumentando su energa cintica. Debido a la conservacin de su
energa mecnica, la energa cintica al llegar a la otra placa, segn (1.45), toma
un valor de
Ec (d) =
V=V0
a)
1
mv 2 = qV0 ,
2
por lo que la partcula adquirir una velocidad al llegar a dicha placa dada por
v=
2qV0
.
m
V=0
U(0)=qV0
Ec(0)=0
(1.46)
b)
El hecho de que una diferencia de potencial entre dos electrodos aumente
la energa cintica de las cargas es usado muy a menudo para acelerar partculas
cargadas. En la prctica, la placa final puede ser sustituida por una rejilla metlica
que deje pasar las partculas.
U(d)=0
Ec(d)=1/2mv2
1.8.1.
Apuntes de FFI
16
(1.47)
Conductor es equipotencial
SG
Qin =t 0
E
El campo elctrico en la superficie es normal a sta y de valor
/0 .
Dado que el potencial es constante en todo el conductor, para dos
puntos cercanos A y B sobre la superficie se verificar que
A dl
dV = lm [V (A) V (B)] = lm V = 0
AB
AB
S+
(1.48)
Eint=0
S-
~ dS
~ = Qint
E
0
S
,
ES =
0
~S = n
.
E
0
Dpt. Fsica Aplicada 1
(1.49)
Apuntes de FFI
1.9. Condensadores
1.8.2.
17
Si un conductor inicialmente descargado (esto es, con una compensacin perfecta de cargas elctricas positivas y negativas) se somete al
efecto de un campo elctrico externo, la carga mvil del conductor se
redistribuye de manera que se establezca la condicin de equilibrio elec~ int = 0. (Este proceso ocurre tpicamente en un tiempo del ortrosttico E
14
den de 10
s para un conductor de cobre.) La redistribucin de la carga
provoca la aparicin de una densidad superficial inhomognea de carga
que a su vez da lugar a un campo en el interior del conductor que anula
justamente al campo externo, provocando as la anulacin punto a punto
del campo total en el interior.
Es interesante observar que el proceso de redistribucin de carga fruto del equilibrio electrosttico puede considerarse como si ocurriese nicamente en la superficie, sin que eso implicase cambio alguno en el interior del conductor. Es ms, si parte del material conductor del interior
es extrado, con la consiguiente aparicin de un hueco, se dara la misma
redistribucin de carga en la superficie exterior del conductor y, por tanto, el campo seguira siendo nulo en todo el interior del conductor, incluyendo al hueco.1 Esto quiere decir que para un conductor con un hueco,
el interior est completamente aislado del exterior y, en consecuencia,
los campos del exterior no afectaran a un dispositivo sensible al campo
elctrico (por ejemplo, circuitos electrnicos) situado en el interior del
conductor. Este fenmeno se usa para disear jaulas de Faraday que
aslen los sistemas elctricos. Una simple carcasa metlica (o un plstico
conductor) aislara, por ejemplo, los sistemas electrnicos del interior de
un ordenador con respecto a posibles influencias elctricas externas.
Eext
-
Eext
- +
+
+
+
Eint=0 +
+
- + +
- -
- +
+
+
Eint=0 +
+
- + +
1.9. Condensadores
1.9.1.
Capacidad de un conductor
Si se aade cierta carga Q a un conductor inicialmente descargado, esta carga se redistribuye en la superficie del conductor creando una densidad de carga superficial y consecuentemente un potencial, V , cuyo
valor viene dado por la siguiente integral:
1
V (P ) =
40
dS
, P S.
r
(1.50)
1
Una manera alternativa de comprobar que el campo es nulo en el interior pasa por notar
que la integral de camino del campo elctrico entre dos puntos arbitrarios, A y B , situados
en la superficie interna del hueco ser nula,
V (A) V (B) =
~ d~l = 0 ,
E
debido a que dicha superficie es una equipotencial. La nica manera de que se verifique la
anterior expresin para puntos arbitrarios es que el campo elctrico en el interior del hueco
sea nulo.
Apuntes de FFI
1.9. Condensadores
18
V V = V .
En la situacin descrita anteriormente, el cociente entre la carga y el
potencial es el mismo,
Q
Q
Q
=
,
V
V
V
lo que implica que la relacin entre la carga y el potencial es una magnitud
independiente de Q y V . Esta magnitud se conoce como capacidad, C , del
conductor y se define como
C=
Q
.
V
(1.51)
Capacidad de un conductor
Unidad de capacidad:
1 faradio(F)
~ = E(r)
E
r y, por consiguiente, al aplicar la ley de Gauss a una superficie esfrica concntrica con el conductor se obtiene que
I
E(r)
~ dS
~= Q
E
0
dS = E(r)4r 2 =
(1.52)
Q
,
0
(1.53)
~ =
E
r.
40 r 2
(1.54)
Z
dr
~ d~l = Q
E
4
r2
0 r
r
Q
1
Q
=
,
=
40
r r
40 r
V (r) =
V (R) =
Q
40 R
(1.55)
y la capacidad:
C=
Q
= 40 R .
V
(1.56)
Apuntes de FFI
1.9. Condensadores
19
1.9.2.
+
+
+
C=
Q
,
V
+
+
+
+
+
++-
+-
++ +
+
+
- +
++
- +
++
- +
+
+
+
(1.57)
donde Q es el valor de la carga en mdulo de cualquiera de los dos conductores y V es la diferencia de potencial en mdulo existente entre los
dos conductores.
~ =
E
Q
r
40 r2
y por tanto:
R2
R2
R2
dr
~ d~r = Q
E
40 R1 r2
R1
R2
1
Q R2 R1
Q
.
=
=
40
r R1
40 R1 R2
V =
R1
Apuntes de FFI
20
C = 40
R1 R2
.
R2 R1
(1.58)
Es interesante notar que la capacidad del condensador esfrico puede llegar a ser mucho ms grande que la de un conductor esfrico
del mismo tamao, dado que
R1 R2
> R1 .
R2 R1
Condensador de placas paralelas
Para calcular la diferencia de potencial entre las placas paralelas, este condensador se tratar suponiendo que las dimensiones de dichas
placas son mucho mayores que la distancia entre ellas y, por tanto,
stas se modelarn por dos planos infinitos cargados. Teniendo en
cuenta la expresin (1.28) para el campo producido por un plano
cargado uniformemente, en el caso de dos planos infinitos cargados
con distinta polaridad, por superposicin se tiene que
~
E = 0
0
si 0 < y < d
-Q
E(Q)
E(-Q)
y
E(Q)
E(-Q)
E(Q)
E(-Q)
(1.59)
en otro caso .
Obsrvese que el campo elctrico es uniforme en el interior del condensador y nulo fuera de ste. El condensador plano suele usarse
generalmente para producir campos uniformes e intensos.
Para calcular la diferencia de potencial entre las placas del condensador, se procede realizando la integral de camino del campo elctrico dado por (1.59) entre una y otra placa. Dado que el campo
elctrico es uniforme, puede escribirse que
V =
~ d~l = Ed = d .
E
0
(1.60)
-Q
y
Puesto que la carga de cada uno de las placas finitas viene dada por
S
S
C = = 0 .
d
d
0
(1.61)
Capacidad de un condensador de
placas paralelas
Apuntes de FFI
21
Eex t=0
-+tomo
neutro
E ext
tomo
polarizado
El mismo efecto global anterior se producira igualmente en un condensador plano, donde se observa experimentalmente que la introduccin
de un material dielctrico homogneo e istropo entre sus placas aumenta
la capacidad de dicho condensador en cierta constante que depende exclusivamente del material. Para entender este efecto observemos el condensador descargado de la Fig. 1.1(a), entre cuyas placas se ha colocado
-Qp
Ep
+
+
+
-Q0
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Q0
E0
(b)
(a)
Qp
Figura 1.1: (a) Condensador descargado entre cuyas placas existe un material dielctrico.
(Las esferas representan los tomos neutros constituyentes del dielctrico.) (b) Condensador cargado con una carga Q0 que es contrarrestada por una carga Qp proveniente de la
polarizacin de los tomos constituyentes del dielctrico.
E=
E0
,
r
(1.62)
Apuntes de FFI
22
C0 =
Q0
S
= 0 ,
V0
d
V = Ed =
V0
.
r
(1.63)
C=
Q0
S
Q0
= r C0 = 0 r ,
=
V
V0 /r
d
(1.64)
C=
S
,
d
(1.66)
donde
= 0 r ,
(1.67)
Permitividad dielctrica
Material
Permitividad
relativa
Vaco
Aire
Agua (200 C)
Papel
Porcelana
Vidrio
Neopreno
Poliestireno
1
1.00059
80
3.7
7
5.6
6.9
2.55
Apuntes de FFI
23
~ , planteemos la
En una regin del espacio donde existe un campo E
siguiente cuestin: cul es el trabajo mnimo necesario para mover una
carga prueba puntual Q desde un punto A a un punto B ?. La respuesta a
esta pregunta viene dada por la integral de camino de la fuerza externa
ejercida sobre la carga entre ambos puntos, esto es,
W =
F~ext d~l .
dl
(1.68)
Dado que la fuerza que ejerce el sistema de cargas sobre la carga prueba
es de tipo electrosttico y puede expresarse segn (1.3) en funcin del
campo elctrico, la fuerza externa mnima que debemos ejercer nosotros
~ext = QE
~ y, por
para poder desplazar la carga deber ser justamente F
tanto, el trabajo ser
W = Q
(1.69)
W = U .
(1.70)
W = Q [V (P ) V ()] = QV (P ) .
(1.71)
Apuntes de FFI
1.11.2.
24
+q
Bateria
V(q)
E
-q
dW =
qdq
.
C
(1.73)
W U =
1 Q2
q
dq =
.
C
2 C
(1.74)
UE =
1
1
1 Q2
= CV 2 = QV .
2 C
2
2
(1.75)
V = Ed
C = 0
S
,
d
UE
=
=
1
1 S
CV 2 = 0 E 2 d2
2
2 d
1
1
2
0 E Sd = 0 E 2 V .
2
2
(1.76)
uE , como
dUE = uE dV ,
Dpt. Fsica Aplicada 1
(1.77)
Apuntes de FFI
25
uE =
1
0 E 2 .
2
(1.78)
Energa electrosttica
UE =
0 E 2
dV .
2
(1.79)
todo el
espacio
E
r
E(r) =
Q
40 r 2
rR.
Q
q
Antes de calcular la energa de este sistema aplicando la expresin (1.79) debemos calcular dV . Para ello tengamos que cuenta que dado el volumen total de
una esfera de radio r viene dado por V = 4/3r 3 , por lo que el volumen diferencial dV = (dV/dr)dr puede escribirse como dV = 4r 2 dr . La energa de la esfera
conductora de radio R ser por tanto
UE =
0 Q2
0 E 2
dV =
2
2 16 2 20
todo el
espacio
Q2
4r 2 dr
=
r4
80
dr
r2
1 Q2
1 Q2
=
.
2 40 R
2 C
Apuntes de FFI