Sei sulla pagina 1di 25

Tema 1

Electrosttica
1.1. Introduccin
Dado que el objetivo de esta asignatura ser el estudio bsico de los
principales fenmenos electromagnticos y buena parte de estos fenmenos estn relacionados con la interaccin de cargas elctricas, empezaremos este tema con el estudio de las interacciones de cargas elctricas
en reposo. La parte del Electromagnetismo que aborda esta materia se
denomina Electrosttica.
La carga elctrica es una propiedad fundamental e intrnseca de la
materia (al igual que la masa) que tiene las siguientes propiedades:
Presenta dos polaridades: positiva y negativa. Cantidades iguales
de ambas polaridades se anulan entre s.
La carga total del universo (suma algebraica de todas las cargas
existentes) se conserva, esto es, la carga no se puede crear ni destruir. No obstante, debe notarse que esto no imposibilita que cargas
positivas y negativas se anulen entre s.
Adems de esta propiedad de conservacin global, la carga tambin
se conserva localmente. Esto quiere decir que si cierta carga desaparece en un sitio y aparece en otro, esto es porque ha viajado de
un punto a otro.
La carga esta cuantizada: cualquier carga que existe en la naturaleza es un mltiplo entero de una carga elemental qe . Esta carga
elemental corresponde a la carga del protn.
La unidad de carga en el Sistema Internacional es el culombio (C) y
equivale a la carga de 6,2414959 1018 protones, o lo que es lo mismo, la
carga del protn es qe = 1,60218 1019 C.
Es interesante hacer notar que de las cuatro interacciones fundamentales de la naturaleza: nuclear fuerte, electromagntica, nuclear dbil y
gravitatoria, la interaccin electromagntica (o electrosttica cuando es
entre cargas en reposo) es la segunda ms fuerte. De hecho la interaccin
elctrica entre dos electrones (de carga e igual a qe ) es aproximadamente 1042 veces ms fuerte que su correspondiente interaccin gravitatoria.
1

Unidad de carga elctrica


1 culombio (C)

1.2. Ley de Coulomb

Esto da una idea de la magnitud tan importante de las fuerzas elctricas.


No obstante, en la naturaleza hay muchas situaciones en las que la interaccin elctrica no se manifiesta debido a la compensacin tan precisa
que ocurre en la materia entre cargas positivas y negativas. De hecho los
agregados de materia se presentan generalmente en forma neutra y por
ello las interacciones entre grandes cantidades de materia (planetas, estrellas, etc) es fundamentalmente de carcter gravitatorio. No obstante,
esto no implica que la interaccin entre cargas elctricas sea irrelevante
sino que por el contrario, estas interacciones estn en la base de multitud
de fenmenos fundamentales, por ejemplo: la formacin y estabilidad de
los tomos, las fuerzas moleculares, las fuerzas de rozamiento, las tensiones mecnicas, las fuerzas de contacto, etc.

1.2. Ley de Coulomb


El estudio de la Electrosttica se iniciar mediante la ley de Coulomb,
ley experimental que describe la interaccin entre dos cargas puntuales en reposo en el vaco (esto es, no existe ningn medio material entre
ellas). El concepto de carga puntual es una idealizacin por la que se
considerar que cierta carga est localizada estrictamente en un punto.
Aunque en principio, esta idealizacin pudiera parecer poco realista, la
experiencia demuestra que es una aproximacin muy precisa en mltiples
situaciones. De hecho, la carga uniformemente distribuida de cuerpos esfricos o incluso cuerpos cargados considerados a distancias lejanas se
comportan muy aproximadamente como cargas puntuales.

~ , que ejerce una


La ley de Coulomb ( 1785) establece que la fuerza, F
carga fuente q sobre una carga prueba Q, viene dada por la siguiente
expresin:
F~ =

1 qQ
1 qQ
r
~r ,
40 r2
40 r3

F
r

(1.1)

donde 0 es una constante llamada permitivad del vaco cuyo valor en el


S.I. es

2
2
1
12 C
9 Nm
.
(1.2)
0 = 8,85 10
= 9 10
40
Nm2
C2
y

~r = rr
es el vector que va desde la carga fuente hasta la carga prueba siendo
r = |~r| su mdulo y r = ~r/r su vector unitario asociado.

Vea el Apndice A para un breve repaso de vectores y tenga en cuenta que


en las figuras del presente texto usaremos tipo de letra negrita para denotar a
los vectores, de modo que ~
u u.Adems los vectores unitarios se denotarn
debe leerse como vector
en letra negrita con el signo encima, de modo que u
unitario en la direccin y sentido de ~
u. Asimismo el mdulo del vector ~u se
denotar indistintamente como |~
u| o bien simplemente como u.
Algunas propiedades destacables de la ley de Coulomb, expresin (1.1),
son:
La fuerza va dirigida segn la lnea que une las dos cargas (fuerza
central), estando su sentido determinado por el signo del producto

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.3. Campo elctrico de cargas puntuales

qQ. Por tanto, la fuerza entre dos cargas ser atractiva para cargas
de signo opuesto o bien repulsiva para cargas del mismo signo.

+Q
+q

La fuerza decrece con el cuadrado de la distancia. No obstante, a


distancias cortas esta interaccin crece extraordinariamente.
La fuerza que ejercera la carga prueba sobre la carga fuente sera
F~ (principio de accin y reaccin).

F
-Q
+q
F

1.3. Campo elctrico de cargas puntuales


+Q

-F
La expresin de la fuerza ejercida por la carga q sobre la carga Q (dada
por (1.1)) puede reescribir como

~ ),
F~ (P ) = QE(P

+q

(1.3)

~ ) se denomina campo elctrico producido por las


donde el vector E(P
carga fuente q en el punto P , viniendo ste dado por
~ )=
E(P

1 q
1 q
r
~r .
2
40 r
40 r3

(1.4)

~ permite definir una magnitud vectoLa introduccin de este vector E


rial que vara punto a punto y que slo depende de las cargas fuentes. De
este modo se consigue dotar a cada punto del espacio de una propiedad
vectorial tal que el producto del valor de una carga prueba situada en ese
punto por el valor de dicho vector en ese punto proporciona la fuerza que
ejercer la configuracin de cargas fuentes sobre dicha carga prueba. En
~ , puede, por tanto, definirse como la
este sentido, el campo elctrico, E
fuerza por unidad de carga y sus unidades son consecuentemente N/C.
Es interesante observar que el campo elctrico recoge de alguna manera la informacin sobre las cargas fuentes, escondiendo la disposicin
particular de esta configuracin y mostrando nicamente su efecto global.

Campo elctrico de una carga puntual

Unidad de campo elctrico:


1 N/C

Tal y como se ha introducido el campo elctrico podra pensarse que


este campo es nicamente un ente matemtico til para calcular la fuerza
pero sin significado fsico concreto. No obstante, tal y como se ver en
~ posee por s mismo una realidad fsica clara y por
temas posteriores, E
tanto desde este momento es conveniente considerar al campo elctrico
como un ente real (con el mismo grado de realidad fsica que la fuerza o
el momento lineal) independiente de la presencia o no de carga prueba.
Una forma grfica de visualizar el campo elctrico es dibujando el vec~ en ciertos puntos del espacio. No obstante, es ms conveniente destor E
cribir el campo mediante las lneas de campo, que son aquellas lneas
tangentes en cada uno de sus puntos al vector campo. Para un sistema de
dos cargas idnticas en magnitud, una positiva y otra negativa, las lneas
de campo salen de la carga positiva y acaban en la carga negativa segn
el patrn que se muestra en la figura. Este hecho particular es una propiedad del campo electrosttico, esto es, las lneas de campo salen de las
cargas positivas y acaban en las negativas o van al infinito. Dado que las
cargas elctricas son las nicas fuentes del campo electrosttico, siempre
que existan cargas elctricas descompensadas espacialmente (cuando no
se anulen unas a otras en cada punto), existir campo electrosttico.

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.4. Principio de superposicin

1.4. Principio de superposicin


La ley de Coulomb describe el efecto de una nica carga puntual fuente, q , sobre la carga prueba, Q. El efecto de un conjunto de cargas sobre
cierta carga prueba viene determinado por el principio de superposicin.
Este principio de superposicin establece que

F
FN
Q

r1

La interaccin entre dos cargas es completamente independiente de la presencia de otras cargas.

q1

Esto significa que para calcular el efecto de un conjunto de cargas


fuente sobre cierta carga prueba, se puede proceder calculando el efecto
de cada una de las cargas fuentes sobre la carga prueba para obtener el
~ = F~1 + F~2 +
efecto total como la suma de los efectos parciales (esto es, F
).

F2
F1

r2

rN

q2
qN

De este modo, la fuerza que produce el conjunto de cargas fuentes,

{q1 , q2 , , qN }, sobre la carga prueba Q situada en el punto P puede


calcularse como

F~ (P ) =

N
X

F~i =

i=1

N
1 X qi Q
ri
40 i=1 ri2

N
Q X qi
ri .
40 i=1 ri2

(1.5)

(1.6)

1.5. Campo elctrico de una distribucin de


carga
1.5.1.

Campo elctrico de una distribucin discreta de


carga

A la vista de la expresin (1.6) podemos concluir que el principio de superposicin puede aplicarse igualmente al campo elctrico, de modo que
el campo elctrico de una distribucin discreta de cargas (q1 , q2 , . . . , qN )
en el punto P viene dado por la siguiente expresin:

~ ) =
E(P

N
X
i=1

~i =
E

N
1 X qi
ri
40 i=1 ri2

N
1 X qi
ri .
40 i=1 ri2

(1.7)

(1.8)

Ntese de nuevo que el campo elctrico en el punto P no depende del


valor de la carga prueba que se ponga en el punto P . Dicho campo refleja
el efecto del conjunto de cargas pruebas en cada punto del espacio.

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.5. Campo elctrico de una distribucin de carga

Ejemplo 1.1 Calcular el campo en el punto P debido al efecto de las tres cargas sealadas en el dibujo.

Para calcular el campo elctrico en el punto P aplicaremos el principio de


superposicin, por lo que primero debemos obtener el campo producido por cada
una de las cargas. Antes de calcular este campo, debemos identificar el vector que
va desde cada una de las cargas hasta el punto de observacin P . Segn el dibujo
adjunto tendremos que

~r1 =

1
1
+ y
,
x
2
2

~r2 =

1
1
y
,
x
2
2

1
1
+ y
,
~r3 = x
2
2

siendo el mdulo de los tres anteriores vectores idntico y de valor

ri D =

1/2 .

El campo en P viene dado por

~ )=
E(P

3
X
i=1

1 qi
~ri ,
40 ri3

por lo que tras sustituir el valor de ~


ri obtenido anteriormente tenemos que

1
1
1
1
1
1
1 q

(
x
+
y
)
+
2(
x

y
)

3(
x
+
y
)
40 D3 2
2
2
2
2
2

1 q
2 2q
=
(3
x 2
y) .
(3
x 2
y) =
40 D3
40

~ )=
E(P

1.5.2.

Campo elctrico de una distribucin continua de


carga

Aunque el carcter discreto de la materia (naturaleza atmica) es bien


conocido, en multitud de situaciones prcticas, este carcter discreto puede obviarse y considerar que la materia puede describirse como un continuo. Desde un punto de vista matemtico, esto implica que la materia
se describir como una superposicin de elementos Rdiferenciales infinitesimales, por ejemplo para calcular su masa: m = dm (en vez de describir la materia como un agregado de partculas individuales, donde:
P
m= N
i mi ). Esta consideracin del continuo para la masa de la materia
tambin es extensible a su carga, de modo que en mltiples situaciones la
carga se considerar como una distribucin continua. En este caso, la
carga total q de una distribucin de carga se obtendr como

q=

dq .

(1.9)

Para obtener el campo elctrico producido por la anterior distribucin


de carga en un punto P , se considerar que la contribucin de cada ele~ ), puede
mento diferencial de carga, dq , al campo elctrico en P , dE(P

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.5. Campo elctrico de una distribucin de carga

asimilarse al campo elctrico producido por una carga puntual de valor


dq , cuya expresin vendr dada por

~ ) = 1 dq r ,
dE(P
40 r2

dE
r

(1.10)

El campo total producido por toda la distribucin de carga se obtendr usando el principio de superposicin, tal y como se hizo para cargas
discretas en (1.4), al sumar las distintas contribuciones infinitesimales:

~ )=
dE(P

1
40

1
dq
r
2
r
40

dq
~r .
r3

dq

donde el vector ~
r va desde la posicin de dq hasta el punto P .

~ )=
E(P

(1.11)

dE

dq

En la prctica, para calcular el campo producido por las distribuciones


de carga se introduce el concepto de densidad de carga, que relaciona
la cantidad de carga existente en cada elemento diferencial con el volumen, superficie o longitud de dicho elemento. En funcin del carcter
geomtrico del elemento diferencial de carga pueden distinguirse tres tipos distintos de distribuciones de carga y expresar el campo en cada uno
de los casos segn:
Distribucin lineal de carga : dq = dl

~ )=
E(P

1
40

r
dl .
r2

(1.12)

lnea

Distribucin superficial de carga : dq = dS

~ )=
E(P

1
40

r
dS .
r2

(1.13)

superficie

Distribucin volumtrica de carga : dq = dV

~ )=
E(P

1
40

r
dV .
r2

(1.14)

volumen

Debe notarse que en las integrales anteriores, la regin de integracin


est extendida nicamente a la regin donde existen cargas.

Ejemplo 1.2 Campo de un anillo de carga en los puntos del eje


Con referencia en la figura adjunta, el diferencial de campo en el punto P
viene dado por

1 dL
1 dq

r=
r,
40 r 2
40 r 2
donde hemos hechos uso del hecho de que dq = dL.
~ )=
dE(P

(1.15)

Ahora debemos considerar que, al integrar en el anillo de cargas, cualquier


componente de campo excepto aquellas que van dirigadas respecto al eje x se

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.6. Flujo. Ley de Gauss

anularn por simetra. Por consiguiente solo operaremos con la componente x,


que podr escribirse como

dEx (P ) = dE(P ) cos() ,

(1.16)

y teniendo en cuenta que cos() = x/r podemos escribir que

dEx (P ) =

1 xdL
.
40 r 3

(1.17)

Al integrar la expresin anterior en el anillo notamos que ni x ni r variarn, por lo


que

Z
1 xdL
.
dEx (P ) =
4
r3
0
anillo
anillo
Z
1 xQ
1 xL
1 x
=
,
dL =
=
40 r 3 anillo
40 r 3
40 r 3

Ex (P ) =

(1.18)

donde Q = L es la carga total del anillo.


La expresin final para el campo elctrico en el punto x del anillo de radio R
vendr dada por

~ )=
E(P

1
Qx
.
x
40 (x2 + R2 )3/2

(1.19)

1.6. Flujo. Ley de Gauss


La ley de Gauss ( 1867) dice que el flujo del campo elctrico debido
a una distribucin de carga a travs una superficie S es igual a 1/0 veces
la carga total, Qint , encerrada en el interior de la superficie S , esto es,

~ dS
~ = Qint
E
0
S

(1.20)

Aunque las expresiones (1.12)-(1.14) son suficientes para calcular el


campo en cualquier punto supuestas conocidas las distribuciones de carga
(tal como se ha mostrado en el Ejemplo ??), este procedimiento de clculo
no es trivial incluso para los casos ms simples. Afortunadamente la ley
de Gauss nos permitir obtener fcilmente el campo elctrico en una serie
de situaciones con alta simetra.

Ley de Gauss

E
r
q

Para justificar la ley de Gauss, considrese el campo producido por


una carga puntual:

~ =
E

1 q
r .
40 r2

Es interesante notar que la expresin (1.4) dice que el campo en una


superficie esfrica de radio r centrada en la posicin de la carga q puede
expresarse como
~ = E(r)r ,
E
(1.21)
esto es, el mdulo del campo slo depende del radio de dicha esfera y va
siempre dirigido segn la normal exterior a dicha esfera en cada punto
(este campo presenta, por tanto, simetra esfrica).

E
dS

r
q

Si se realiza la siguiente integral (ver seccin A.2):

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.6. Flujo. Ley de Gauss

~ dS
~,
E

(1.22)

superf.

que se conoce con el nombre de flujo del campo elctrico, , para el


campo producido por la carga puntual en una superficie esfrica de radio
r centrada en la carga q se tiene que

~ dS
~ = E(r)
E

~,
r dS

(1.23)

superf.

superf.

dado que E(r) permanece constante al integrar sobre la superficie esfrica. Teniendo ahora en cuenta que

~ = dS
r dS

~ ,
(r k dS)

la integral (1.22) puede escribirse para el presente caso como

dS = E(r) (Area esfera)

E(r)

1 q
q
(4r2 ) =
.
2
40 r
0

superf.

(1.24)

Es interesante notar que el flujo no depende del radio de la esfera y


es igual al valor de la carga encerrada en la esfera dividido por 0 . Si se
considera, por tanto, una esfera centrada en el mismo punto y de distinto
radio, se obtendr que el flujo seguir siendo el mismo. Parece entonces
razonable suponer que el flujo a travs de cualquier superficie cerrada
que incluya a la carga y comprendida entre ambas esferas concntricas
venga tambin dado por q/0 .

Dado que el nmero de lneas de campo que atraviesa cualquiera de


las anteriores superficies es el mismo, el flujo del campo elctrico a travs
de estas superficies podra interpretarse como una medida del nmero
de lneas de campo que las atraviesa. En este sentido, si el nmero de
lneas de campo que atraviesa una superficie cerrada es cero (esto es, entran tantas lneas como salen), parece razonable suponer que el flujo del
campo elctrico a travs de dicha superficie sea igualmente nulo. Podra
por tanto escribirse para una superficie cerrada arbitraria, S , que el flujo
de un carga puntual a travs de dicha superficie es

q
~ dS
~ = o
=
E
0
S
I

si q S

~ dS
~=
E

X
i

~i
E

~=
dS

(1.25)

en otro caso .

En el caso de que se tenga una distribucin de cargas puntuales, por


el principio de superposicin, se obtiene que

XI
i

~ i dS
~=
E

i ,

(1.26)

esto es, el flujo de la distribucin a travs de la superficie S es igual a la


suma del flujo asociado a cada una de las cargas individualmente. Dado
que el flujo asociado a una sola carga ya fue obtenido en (1.25) se puede
concluir que
I

~ dS
~ = Qint ,
E
0
S

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.6. Flujo. Ley de Gauss

donde Qint representa la carga total encerrada en el interior de la superficie S . La expresin anterior tambin se aplica en el caso de una distribucin continua de carga.

S
Ejemplo 1.3 Calcule el flujo del campo que atraviesa la superficie S de la figura adjunta.

q1
q2

En la situacin mostrada en la figura, la carga en el interior de la superficie S


es justamente

Qint = q1 + q2 ,

q3

por lo que el flujo a travs de dicha superficie, segn (1.20), ser

=
=

~ dS
~
E

q1 + q2
.
0

Aunque la ley de Gauss (1.20) es vlida para cualquier tipo de distribucin de carga y superficie, sta slo es til para obtener el campo en
situaciones de alta simetra. Estas situaciones se dan cuando exista una
superficie de Gauss, SG , tal que, en aquellas partes donde el flujo sea dis
tinto de cero (superficie que se denominar SG
), la integral del flujo se
pueda realizar de modo que el mdulo del campo sea constante sobre dicha superficie, esto es, cuando se pueda proceder de la siguiente manera:

~ dS
~=E
E

dS .

(1.27)

Ley de Gauss til en situaciones de


alta simetra

SG

SG

Aplicaciones de la ley de Gauss


Algunas de las situaciones donde es til aplicar la ley de Gauss se
detallan a continuacin:
Campo de un hilo recto infinito cargado.
Este campo ya fue obtenido en el Ejemplo ?? mediante integracin
directa. Ahora se obtendr siguiendo la ley de Gauss. Para ello puede notarse que debido a la simetra cilndrica del problema puede
deducirse que

l
S+
h

SL

~ = E(R)R
.
E
Este hecho implica que se puede escoger como superficie de Gauss,
una superficie cilndrica cuyo eje coincida con el propio hilo. De este modo se tendr que el flujo a travs de las superficies superior
~ dS
~ en die inferior (tapaderas del cilindro) es nulo dado que E
chas superficies y en la superficie lateral, el mdulo del campo ser
constante, esto es,

SL +S + +S

Dpt. Fsica Aplicada 1

~ dS
~=
E

dS

S-

~ dS
~ = E(R) SL .
E

SL

Apuntes de FFI

1.6. Flujo. Ley de Gauss

10

Dado que el flujo debe ser igual al valor de la carga en el interior de


la superficie y sta incluye un trozo de hilo de altura h, Qint = h y
por tanto

E2Rh =

h
,
0

de donde se deduce que el mdulo del campo viene dado por

E=

.
20 R

Campo de una distribucin uniforme esfrica de carga


Sea una esfera de radio R con una distribucin uniforme de carga
. Dado que en esta situacin el campo elctrico presenta simetra
~ = E(r)r, se tiene que
esfrica, esto es, E

~ dS
~ = E(r)r dS
~ = E(r)dS
d = E
y, por tanto, el flujo a travs de una superficie de radio r ser

d = E(r)

Qint (r)
.
0

dS = E(r) (4r2 )
S

Debe notarse que la carga total encerrada por la superficie slo depende del radio de esta superficie y por tanto slo debe considerarse
aquella carga en el interior del volumen de la esfera de radio r, esto
es,
(

Qint =

dV =

dV =

43 r3

34 R3

si r < R

si r R .

A partir de los resultados de las expresiones anteriores puede fcilmente deducirse que el campo en cualquier punto viene dado por

~ =
E

rr

30

Q
r
40 r2

si r < R

si r R .

Campo de un plano infinito cargado uniformemente (SG 6= SG


)
Un plano infinito con una densidad de carga superficial uniforme
provoca un campo elctrico del tipo

~ = E(y)
E
y.
El mdulo del campo no presenta dependencia respecto a las variables x y z debido a que cualquier punto con la misma coordenada
y es totalmente equivalente (es decir, ese punto ve la misma distribucin de cargas). Con respecto a la direccin del campo, por simetra cualquier componente que no sea vertical es perfectamente
cancelada dado el carcter infinito del plano.
Eligiendo como superficie de Gauss una superficie cilndrica como
la mostrada en la figura, se tiene que

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.7. Trabajo, energa y potencial electrosttico

~ dS
~=
E

11

~ dS
~+
E

S+

SL +S + +S

~ dS
~ = 2ES
E
S

e igualando el flujo al valor de la carga encerrada en el interior de


la superficie, Qint = S , se obtiene

2ES =

S
0

E=

20

y, por tanto, el campo ser

~ = sign(y)
E
y.
20

(1.28)

Es interesante notar que el campo, por ejemplo para y > 0, no depende de la altura sobre el plano y por tanto es constante en todos
los puntos (puede sorprender que incluso no decrezca con la distancia).

1.7. Trabajo, energa y potencial electrosttico

dl
r

1.7.1.

Potencial elctrico
G

Si se realiza la integral de camino del campo elctrico producido por


una carga puntual, q , entre dos puntos A y B , a travs de una curva , se
obtiene que
B
CA

~ d~l =
E

A,

A,

q
1 q
r d~l =
40 r2
40

A,

r d~l
.
r2

(1.29)

El numerador de la integral anterior puede expresarse como

r d~l = dl cos = dr
y por tanto se encuentra que
B
CA
=

q
40

rB

rA

q
dr
=
2
r
40

1
1

rA
rB

(1.30)

Es interesante observar en (1.30) que:

La integral de camino es independiente del camino tomado para ir


desde el punto A hasta el punto B ,

~ d~l =
E

A,

~ d~l .
E

(1.31)

A,

La integral de camino a travs de cualquier curva cerrada es nula,

~ d~l = 0 .
E

(1.32)

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.7. Trabajo, energa y potencial electrosttico

12

Para una distribucin discreta/continua de carga, la integral de camino


del campo elctrico entre los puntos A y B puede calcularse, teniendo en
cuenta el principio de superposicin, como

~ d~l =
E

X
i

!
XZ
~
Ei (~r) d~l =

~ i (~r) d~l .
E

(1.33)

Dado que esta magnitud se ha podido expresar como superposicin de las


circulaciones relacionadas con cargas puntuales, la circulacin del campo
de una distribucin arbitraria de cargas presentar las propiedades (1.31)
y (1.32) expuestas anteriormente. En particular la propiedad (1.32) (la
circulacin del campo a lo largo de una curva cerrada es nula) nos dice
que

el campo electrosttico es conservativo.


Dado que las propiedades que cumple el campo elctrico son idnticas a
las expuestas en el Apndice A.1.11 para el gradiente de una funcin, esto
sugiere claramente que el campo elctrico puede escribirse como el gradiente de una funcin escalar, V , que se denominar potencial elctrico,
de modo que

~ = V
~
E
,

(1.34)

por lo que la circulacin del campo elctrico puede expresarse como la


variacin del potencial entre los puntos A y B :

~ d~l =
E

~ d~l = V (A) V (B) .


V

(1.35)

El signo menos en la definicin (1.34) del potencial elctrico se introduce


simplemente para que el campo apunte desde puntos de mayor a menor
potencial. Las unidades del potencial elctrico sern el producto de la
unidad de campo elctrico por la de longitud, esto es: Nm/C en el SI. Esta
unidad de potencial recibe el nombre de voltio (V). Usualmente, la unidad
de campo elctrico se expresa como V/m.

Unidad de potencial elctrico:


1 voltio (V)

Puesto que la integral de camino del campo elctrico no depende del


camino sino slo del punto inicial y final, esta integral de camino puede
escribirse como sigue:

~ d~l =
E

~ d~l +
E

" Z
=

~ d~l
E
" Z

#
~ d~l
E

#
~ d~l .
E

(1.36)

Teniendo en cuenta (1.35) y (1.36), el potencial elctrico en un punto


cualquiera P puede definirse de forma genrica como

V (P ) =

~ d~l ,
E

(1.37)

donde el punto O es un punto arbitrario de referencia (usualmente se


impone que el potencial valga cero en dicho punto).

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.7. Trabajo, energa y potencial electrosttico

13

Para el caso de una carga puntual, a partir de la expresin (1.37),


puede observarse que

V (P ) =

~ d~l = q
E
40

r d~l
.
r2

(1.38)

Tomando como punto de referencia el infinito y teniendo en cuenta que

r d~l = dr, el potencial en el punto P , esto es V (P ), vendr dado por


q
V (P ) =
40
q
=
40 r

Potencial producido por una carga


puntual

 r
q
1
dr
=
r2
40 r
(1.39)

Para una distribucin continua de carga, debido al principio de superposicin y siguiendo el mismo procedimiento que para el campo, se tendr
que

1
40

V (P ) =

1
dq
=
r
40

dV .
r

(1.40)

Potencial producido por una distribucin de cargas

regin
de cargas

Ejemplo 1.4 Calculo del potencial elctrico para (a) un anillo de carga en los puntos de

su eje, y (b) un plano cargado infinito

(a) Anillo de carga en los puntos de su eje

A partir de la expresin (1.40) podemos calcular el potencial producido por


el anillo de carga de la figura en los puntos del eje de dicho anillo. Para ello
consideremos que

V (P ) =

1
40

Q
0

1
dq
=
r
40 r

dq =
0

1 Q
,
40 r

donde hemos tenido en cuenta que la variable r no vara (es constante) al integrar
sobre los distintos elementos diferenciales de carga.
Notemos que la expresin anterior puede tambin escribirse como

V (x) =

Q
1

.
40 R2 + x2

(b) Plano cargado infinito

Teniendo en cuenta la expresin (1.28) para el campo producido por un plano


infinito con densidad de carga , encontramos al aplicar (1.37) que esta expresin
se reduce a

V (y) =

y
0

sign(y) dy =
sign(y) y =
|y| ,
20
20
20

donde se ha tomado como referencia de potencial V (0) = 0.

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.7. Trabajo, energa y potencial electrosttico

14

Trabajo y Energa potencial


El trabajo, WE , que realiza el campo electrosttico para mover una
carga prueba puntual Q desde el punto A hasta el punto B , vendr dado
por

WE =

F~ d~l = Q

A,

~ d~l .
E

(1.41)

A,

Aplicando los resultados de la seccin anterior podemos ver que la


integral (1.41) no depende del camino y, por tanto, la fuerza es conservativa. Para fuerzas conservativas es sabido que el trabajo realizado por
dichas fuerzas puede escribirse como la variacin (con signo negativo) de
la energa potencial, esto es,

WE = [U (B) U (A)] = U .

(1.42)

Este hecho queda patente al escribir el trabajo en trminos del potencial


elctrico (ver (1.35)) como

WE = QV (A) QV (B)

(1.43)

e identificar la energa potencial de la carga Q en el punto P como

U (P ) = QV (P ) .

(1.44)

Energa potencial elctrica de una


carga puntual

Si ahora tenemos en cuenta (segn el teorema de las fuerzas vivas)


que el trabajo es igual al incremento de la energa cintica del sistema,
esto es: WE = Ec ; podemos escribir al igualar Ec con (1.42) que

Ec + U = (Ec + U ) = 0 .

(1.45)

Dado que la energa mecnica, Em , del sistema se define como

Em = Ec + U ,
entonces podemos establecer que la energa mecnica de la carga Q en
el campo electrosttico se conserva.

Ejemplo 1.5 Energa de una carga q en el interior de un condensador plano


Si entre las placas de un condensador plano se establece una diferencia de
potencial V0 (ver figura adjunta), entonces el campo en el interior del condensador
ser

V=0
V=V0

~ = V0 y
.
E
d

Dado que el potencial es la integral de camino del campo elctrico, esto es,

y
0

~ d~l = V (0) V (y)


E

y como V (0) = V0 , se tiene que

V (y) = V0

Dpt. Fsica Aplicada 1

y
.
E(y)dy = V0 1
d

Apuntes de FFI

1.8. Conductores en equilibrio en el campo electrosttico

15

La energa potencial, U (y), de una carga q en el interior del condensador ser por
tanto

y
.
U (y) = qV0 1
d
Una partcula de carga positiva que parta del reposo (Ec = 0) en la placa del
condensador a potencial V0 , se desplazar hacia zonas de menor energa potencial
a la vez que ir aumentando su energa cintica. Debido a la conservacin de su
energa mecnica, la energa cintica al llegar a la otra placa, segn (1.45), toma
un valor de

Ec (d) =

V=V0
a)

1
mv 2 = qV0 ,
2

por lo que la partcula adquirir una velocidad al llegar a dicha placa dada por

v=

2qV0
.
m

V=0
U(0)=qV0
Ec(0)=0

(1.46)

b)
El hecho de que una diferencia de potencial entre dos electrodos aumente
la energa cintica de las cargas es usado muy a menudo para acelerar partculas
cargadas. En la prctica, la placa final puede ser sustituida por una rejilla metlica
que deje pasar las partculas.

U(d)=0
Ec(d)=1/2mv2

1.8. Conductores en equilibrio en el campo


electrosttico
Es bien conocido que la materia est formada por partculas elementales cargadas y neutras. Las partculas de carga positiva (protones) forman
parte de los ncleos de los tomos y por consiguiente estn fijas en promedio en los slidos. En ciertos materiales llamados dielctricos, las cargas
negativas (electrones) pueden considerarse igualmente fijas. No obstante,
en otros materiales denominados conductores, algunos de los electrones
no estn ligados a tomos en particular sino que forman una especie de
gas de electrones que vaga por todo el slido. En esta seccin consideraremos un modelo ideal de conductor en el cual existen infinitas cargas
mviles que pueden desplazarse libremente. Dicho modelo se denominar
conductor perfecto.

1.8.1.

Campo de un conductor cargado en equilibrio


electrosttico

En general, los conductores aparecen de forma natural como sistemas


neutros (igual nmero de cargas negativas que positivas). No obstante,
aadiendo o quitando cargas libres al conductor, ste quedar cargado.
Si se define equilibrio electrosttico como aquella situacin en la que
todas las cargas libres estn en reposo, y se tiene en cuenta la definicin
de conductor perfecto dada anteriormente, podemos derivar las siguientes conclusiones acerca del campo elctrico:

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.8. Conductores en equilibrio en el campo electrosttico

16

El campo elctrico es nulo en el interior del conductor.


Si el campo elctrico no fuese nulo en el interior del conductor dara
lugar a movimientos de las cargas libres, lo cual estara en contradiccin con la condicin de equilibrio electrosttico.
Si el campo elctrico es nulo en el interior del conductor, al calcular
la integral de camino del campo entre dos puntos A y B en el interior
del conductor obtenemos que

~ int d~l = V (A) V (B) = 0 V Cte ,


E

(1.47)

esto es, el conductor es equipotencial y en particular la superficie


del mismo es una superficie equipotencial.

Conductor es equipotencial

SG

La carga en exceso se localiza en la superficie del conductor.


Si el campo en todos los puntos del interior del conductor cargado
es nulo es porque no existe carga en el interior. Este hecho puede
justificarse utilizando la ley de Gauss. Si existiese carga neta en el
interior, eligiendo una superficie de Gauss que la envolviese, el flujo
del campo elctrico a travs de la misma sera proporcional a la
carga encerrada. Esto estara en contradiccin con el hecho de que
el flujo debe ser cero puesto que el campo en el interior es nulo. Por
tanto, la carga en exceso debe localizarse en la superficie.

Qin =t 0

E
El campo elctrico en la superficie es normal a sta y de valor
/0 .
Dado que el potencial es constante en todo el conductor, para dos
puntos cercanos A y B sobre la superficie se verificar que

A dl

dV = lm [V (A) V (B)] = lm V = 0
AB

AB

~ d~l (ver Apndice A.1.9), se tiene que


y por tanto, dado que dV = V
~ d~l = 0 ,
V
~ S es perlo que claramente implica que el campo en la superficie, E
~
~
pendicular a dl y, puesto que dl es tangente a la superficie, podemos
concluir que
~ S = En
.
E

S+

(1.48)

Si se aplica ahora la ley de Gauss a una superficie en forma cilndrica


tal como muestra la figura, se tiene que

Eint=0

S-

~ dS
~ = Qint
E
0
S
,
ES =
0

de donde obtenemos finalmente que

~S = n
.
E
0
Dpt. Fsica Aplicada 1

(1.49)

Apuntes de FFI

1.9. Condensadores

1.8.2.

17

Conductor neutro en un campo elctrico externo

Si un conductor inicialmente descargado (esto es, con una compensacin perfecta de cargas elctricas positivas y negativas) se somete al
efecto de un campo elctrico externo, la carga mvil del conductor se
redistribuye de manera que se establezca la condicin de equilibrio elec~ int = 0. (Este proceso ocurre tpicamente en un tiempo del ortrosttico E
14
den de 10
s para un conductor de cobre.) La redistribucin de la carga
provoca la aparicin de una densidad superficial inhomognea de carga
que a su vez da lugar a un campo en el interior del conductor que anula
justamente al campo externo, provocando as la anulacin punto a punto
del campo total en el interior.
Es interesante observar que el proceso de redistribucin de carga fruto del equilibrio electrosttico puede considerarse como si ocurriese nicamente en la superficie, sin que eso implicase cambio alguno en el interior del conductor. Es ms, si parte del material conductor del interior
es extrado, con la consiguiente aparicin de un hueco, se dara la misma
redistribucin de carga en la superficie exterior del conductor y, por tanto, el campo seguira siendo nulo en todo el interior del conductor, incluyendo al hueco.1 Esto quiere decir que para un conductor con un hueco,
el interior est completamente aislado del exterior y, en consecuencia,
los campos del exterior no afectaran a un dispositivo sensible al campo
elctrico (por ejemplo, circuitos electrnicos) situado en el interior del
conductor. Este fenmeno se usa para disear jaulas de Faraday que
aslen los sistemas elctricos. Una simple carcasa metlica (o un plstico
conductor) aislara, por ejemplo, los sistemas electrnicos del interior de
un ordenador con respecto a posibles influencias elctricas externas.

Eext
-

Eext

- +

+
+
+
Eint=0 +
+
- + +

- -

- +

+
+
Eint=0 +
+
- + +

1.9. Condensadores
1.9.1.

Capacidad de un conductor

Si se aade cierta carga Q a un conductor inicialmente descargado, esta carga se redistribuye en la superficie del conductor creando una densidad de carga superficial y consecuentemente un potencial, V , cuyo
valor viene dado por la siguiente integral:

1
V (P ) =
40

dS
, P S.
r

(1.50)

Por el principio de superposicin, si se aumenta la carga total, Q =


dS , es razonable suponer que ello simplemente se traduzca en un au-

1
Una manera alternativa de comprobar que el campo es nulo en el interior pasa por notar
que la integral de camino del campo elctrico entre dos puntos arbitrarios, A y B , situados
en la superficie interna del hueco ser nula,

V (A) V (B) =

~ d~l = 0 ,
E

debido a que dicha superficie es una equipotencial. La nica manera de que se verifique la
anterior expresin para puntos arbitrarios es que el campo elctrico en el interior del hueco
sea nulo.

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.9. Condensadores

18

mento proporcional de la densidad superficial de carga, esto es,

Q Q = Q (S) (S) = (S)


y por tanto

V V = V .
En la situacin descrita anteriormente, el cociente entre la carga y el
potencial es el mismo,

Q
Q
Q
=
,
V
V
V
lo que implica que la relacin entre la carga y el potencial es una magnitud
independiente de Q y V . Esta magnitud se conoce como capacidad, C , del
conductor y se define como

C=

Q
.
V

(1.51)

Capacidad de un conductor

La capacidad del conductor determina la carga que adquiere ste para


un potencial dado: a mayor capacidad mayor carga, siendo C un parmetro puramente geomtrico y que, por tanto, slo depende de la forma del
conductor.
La unidad de capacidad es el faradio (F), definida en el sistema internacional como
1 culombio
.
1 faradio =
1 voltio

Unidad de capacidad:
1 faradio(F)

Ejemplo 1.6 Capacidad de un conductor esfrico de radio R


Por simetra esfrica, el campo en el exterior del conductor ser del tipo

~ = E(r)
E
r y, por consiguiente, al aplicar la ley de Gauss a una superficie esfrica concntrica con el conductor se obtiene que

I
E(r)

~ dS
~= Q
E
0

dS = E(r)4r 2 =

(1.52)

Q
,
0

(1.53)

de donde se obtiene que el campo en el exterior del conductor es

~ =
E

r.
40 r 2

(1.54)

El potencial en un punto arbitrario se obtiene como

Z
dr
~ d~l = Q
E
4
r2
0 r
r

Q
1
Q
=

,
=
40
r r
40 r

V (r) =

por lo que en la superficie de la esfera, el potencial ser simplemente

V (R) =

Q
40 R

(1.55)

y la capacidad:

C=

Dpt. Fsica Aplicada 1

Q
= 40 R .
V

(1.56)

Apuntes de FFI

1.9. Condensadores

19

Como puede verse, la capacidad slo depende de la geometra (el radio) de la


esfera conductora.
Si el radio de la esfera fuese R = 1m, la capacidad del conductor sera

C 111 1012 F 111 pF .

1.9.2.

Influencia entre conductores

Si un conductor cargado con una carga Q, que suponemos positiva, se


introduce en el hueco interior de otro conductor inicialmente descargado, esto origina una redistribucin de cargas en el conductor inicialmente neutro (ver figura). Esta redistribucin es consecuencia del establecimiento de la condicin de equilibrio electrosttico en ambos conductores
~ int = 0). Si la superficie exterior del conductor neutro se conecta a tierra
(E
(almacn infinito de cargas libres), suben tantos electrones desde tierra
como sean necesarios para compensar las cargas positivas, dando lugar
todo este proceso a la aparicin de una carga neta Q en dicho conductor.

+
+
+

La situacin anterior se conoce como influencia total dado que los


dos conductores tienen la misma carga pero de signo contrario. Todas
las lneas de campo que parten de un conductor acaban en el otro. (Esta
situacin se encuentra estrictamente en la prctica cuando un conductor
est encerrado en el interior de otro). Dos conductores en influencia total
forman un sistema que se conoce como condensador, definindose la
capacidad de un condensador como

C=

Q
,
V

+
+

+
+
+

++-

+-

++ +

+
+

- +

++

- +

++

- +

+
+
+

(1.57)

donde Q es el valor de la carga en mdulo de cualquiera de los dos conductores y V es la diferencia de potencial en mdulo existente entre los
dos conductores.

Condensador: sistema de dos conductores en influencia total

Algunos ejemplos tpicos de condensadores se presentan a continuacin:


Condensador esfrico
Para calcular la diferencia de potencial entre los dos conductores
esfricos se parte de la expresin del campo en la zona intermedia
entre los dos conductores, donde

~ =
E

Q
r
40 r2

y por tanto:

R2
R2

R2

dr
~ d~r = Q
E
40 R1 r2
R1
R2

1
Q R2 R1
Q

.
=
=
40
r R1
40 R1 R2

V =

R1

La capacidad del sistema viene entonces dada a partir de (1.57) por

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.10. Campo elctrico en la materia

20

C = 40

R1 R2
.
R2 R1

(1.58)

Es interesante notar que la capacidad del condensador esfrico puede llegar a ser mucho ms grande que la de un conductor esfrico
del mismo tamao, dado que

R1 R2
> R1 .
R2 R1
Condensador de placas paralelas
Para calcular la diferencia de potencial entre las placas paralelas, este condensador se tratar suponiendo que las dimensiones de dichas
placas son mucho mayores que la distancia entre ellas y, por tanto,
stas se modelarn por dos planos infinitos cargados. Teniendo en
cuenta la expresin (1.28) para el campo producido por un plano
cargado uniformemente, en el caso de dos planos infinitos cargados
con distinta polaridad, por superposicin se tiene que

~
E = 0
0

si 0 < y < d

-Q

E(Q)

E(-Q)
y

E(Q)

E(-Q)

E(Q)

E(-Q)

(1.59)

en otro caso .

Obsrvese que el campo elctrico es uniforme en el interior del condensador y nulo fuera de ste. El condensador plano suele usarse
generalmente para producir campos uniformes e intensos.
Para calcular la diferencia de potencial entre las placas del condensador, se procede realizando la integral de camino del campo elctrico dado por (1.59) entre una y otra placa. Dado que el campo
elctrico es uniforme, puede escribirse que

V =

~ d~l = Ed = d .
E
0

(1.60)

-Q
y

Puesto que la carga de cada uno de las placas finitas viene dada por

Q = S , la capacidad del condensador de placas paralelas ser muy


aproximadamente

S
S
C = = 0 .
d
d
0

(1.61)

Capacidad de un condensador de
placas paralelas

1.10. Campo elctrico en la materia


Hasta ahora slo hemos venido estudiando los diferentes fenmenos
electrostticos en el vaco o bien en conductores perfectos. En este sentido, al estudiar, por ejemplo, el campo creado por una carga puntual en
el Apartado 1.3 suponamos que no exista medio material alguno en el
espacio que rodeada a la carga puntual. Para introducir el efecto de un
posible medio material no conductor en esta ley, debemos considerar que
estos medios denominados dielctricos (ver Apartado 1.8) estn formados for tomos/molculas neutros elctricamente donde el centro de las
cargas positivas (protones) coincide con el de las cargas negativas (electrones). No obstante, bajo la influencia de un campo elctrico externo,

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.10. Campo elctrico en la materia

21

el centro de las cargas negativas puede desplazarse con respecto al de


las positivas, es decir los tomos/molculas constitutivos del medio material pueden polarizarse. Este fenmeno de polarizacin dar lugar a un
nuevo campo elctrico de polarizacin que se opondr al campo original,
manifestndose este efecto globalmente en que el campo original queda
parcialmente reducido, como si fuese originado por una carga puntual de
menor cuanta.

Eex t=0
-+tomo
neutro

E ext

tomo
polarizado

El mismo efecto global anterior se producira igualmente en un condensador plano, donde se observa experimentalmente que la introduccin
de un material dielctrico homogneo e istropo entre sus placas aumenta
la capacidad de dicho condensador en cierta constante que depende exclusivamente del material. Para entender este efecto observemos el condensador descargado de la Fig. 1.1(a), entre cuyas placas se ha colocado

-Qp

Ep

+
+
+

-Q0

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

Q0

E0

(b)

(a)

Qp

Figura 1.1: (a) Condensador descargado entre cuyas placas existe un material dielctrico.
(Las esferas representan los tomos neutros constituyentes del dielctrico.) (b) Condensador cargado con una carga Q0 que es contrarrestada por una carga Qp proveniente de la
polarizacin de los tomos constituyentes del dielctrico.

cierto material dielctrico (madera, papel, agua, plstico,...). Si ahora este


condensador es cargado con una carga Q0 en una placa (y Q0 en la otra),
~ 0 entre las placas del condensador.
entonces aparecer un cierto campo E
Este campo elctrico provocar la polarizacin de los tomos del material
dielctrico dando lugar a una situacin microscpica tal como la descrita
en la Fig. 1.1(b). Observemos que en el interior del material dielctrico
las cargas positivas y negativas se compensarn mutuamente, quedando
sin embargo una carga descompensada de valor Qp justamente en los extremos del material adyacentes a las placas del condensador. Esta carga
~ p que al superponerse al campo original E
~0
originar un campo elctrico E
~
da lugar a un nuevo campo E , cuyo modulo puede expresarse como

E=

E0
,
r

(1.62)

donde r es una constante adimensional positiva mayor que la unidad


(r 1) que depender del material y que denominaremos permitividad
relativa del material.

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.10. Campo elctrico en la materia

22

Si la capacidad del condensador de placas paralelas en vaco (es decir,


sin material dielctrico entre sus placas) vena dada por

C0 =

Q0
S
= 0 ,
V0
d

(siendo V0 = E0 d la diferencia de potencial entre las placas), podemos


observar que al introducir el material dielctrico se reduce el valor del
campo entre las placas del condensador y, en consecuencia, tambin se
reducir la diferencia de potencial entre las mismas, que vendr ahora
dada por

V = Ed =

V0
.
r

(1.63)

Dado que la introduccin del dielctrico no modifica la cantidad de carga


inicial depositada en las cargas (la carga en el dielctrico aparece en los
bordes de ste, no en las placas), tenemos que la capacidad del condensador con dielctrico ser

C=

Q0
S
Q0
= r C0 = 0 r ,
=
V
V0 /r
d

(1.64)

explicndose as el aumento de capacidad del condensador observado experimentalmente.


Observemos adems que, globalmente, el efecto de introducir el material dielctrico homogneo e istropo ha quedado reflejado en la sustitucin de
0 r r
(1.65)
en la expresin de la capacidad. De este modo podemos escribir que la
capacidad de un condensador de placas paralelas viene dada por

C=

S
,
d

(1.66)

donde

= 0 r ,

(1.67)

Permitividad dielctrica

es la permitividad dielctrica del material.


Evidentemente 0 , siendo la permitividad de algunos materiales
usuales la siguiente:

Material

Permitividad
relativa

Vaco
Aire
Agua (200 C)
Papel
Porcelana
Vidrio
Neopreno
Poliestireno

1
1.00059
80
3.7
7
5.6
6.9
2.55

Podemos observar que, a efectos prcticos, el aire se comporta como el


vaco puesto que tiene una permitividad relativa muy prxima a la unidad.
La anterior discusin sobre la inclusin de dielctricos homogneos e
istropos podra extenderse al estudio de otras magnitudes y situaciones,

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

1.11. Energa Electrosttica

23

obtenindose siempre que las expresiones obtenidas anteriormente para


el vaco quedan simplemente modificadas por la sustitucin de la permitividad dielctrica del vaco por la correspondiente permitividad dielctrica
del material.

1.11. Energa Electrosttica


1.11.1.

Trabajo para trasladar una carga puntual

~ , planteemos la
En una regin del espacio donde existe un campo E
siguiente cuestin: cul es el trabajo mnimo necesario para mover una
carga prueba puntual Q desde un punto A a un punto B ?. La respuesta a
esta pregunta viene dada por la integral de camino de la fuerza externa
ejercida sobre la carga entre ambos puntos, esto es,
W =

F~ext d~l .

dl

(1.68)

Dado que la fuerza que ejerce el sistema de cargas sobre la carga prueba
es de tipo electrosttico y puede expresarse segn (1.3) en funcin del
campo elctrico, la fuerza externa mnima que debemos ejercer nosotros
~ext = QE
~ y, por
para poder desplazar la carga deber ser justamente F
tanto, el trabajo ser

W = Q

~ d~l = Q [V (B) V (A)] ,


E

(1.69)

que, obviamente, es independiente del camino debido a las propiedades


de la integral de camino del campo elctrico.
Teniendo en cuenta la definicin de energa potencial dada en (1.44),
la expresin (1.69) para el trabajo puede identificarse con el incremento
de la energa potencial, U , del sistema, es decir

W = U .

(1.70)

Es interesante observar que la expresin (1.69) ofrece la posibilidad


de interpretar

la diferencia de potencial entre dos puntos como el trabajo


por unidad de carga que debemos ejercer para desplazar
una partcula cargada entre dichos puntos.
En el caso de que la partcula venga desde el infinito (donde usualmente
se supone que est el origen cero de potencial), el trabajo que debemos
realizar para situar la partcula en el punto P puede expresarse como

W = Q [V (P ) V ()] = QV (P ) .

Dpt. Fsica Aplicada 1

(1.71)

Apuntes de FFI

1.11. Energa Electrosttica

1.11.2.

24

Energa almacenada en un condensador de placas paralelas

Para obtener una expresin general de la energa electrosttica de un


sistema arbitrario de cargas se analizar el caso particular del proceso
de carga de un condensador de placas paralelas para despus generalizar
(sin demostracin) las expresiones que se obtengan a cualquier sistema.
En el proceso de carga de un condensador plano (inicialmente los dos
conductores son neutros), el efecto de la batera conectada a las placas
del condensador ser el de extraer carga negativa de una de las placas y
transferirla a la otra, de modo que ambas placas se van cargando dando
lugar a la aparicin de un campo elctrico entre las placas y, consecuentemente, a una diferencia de potencial, V (q) = q/C , que va creciendo en
el proceso.

+q

Bateria

V(q)

E
-q

Para aumentar en un dq la carga sobre el condensador, la batera debe


realizar un trabajo diferencial que a partir de (1.69) (adaptando la expresin vlida para cargas puntuales a cargas diferenciales) podr expresarse como
dW = dqV .
(1.72)
Si ahora consideramos que V V (q), entonces el trabajo diferencial
podr expresarse como

dW =

qdq
.
C

(1.73)

Segn (1.70) este trabajo equivale justamente al aumento de la energa


potencial electrosttica del condensador, esto es: dW dU . Para cargar el
condensador con una carga final Q, el trabajo total realizado (o equivalentemente el aumento total de la energa potencial del sistema) se obtendr
al integrar la expresin (1.73), de modo que

W U =

1 Q2
q
dq =
.
C
2 C

(1.74)

Dado que el aumento de la energa potencial del sistema es precisamente


la energa almacenada en el condensador, podemos identificar esta ganancia de energa potencial con la energa electrosttica del sistema,
UE , por lo que podemos escribir que

UE =

1
1
1 Q2
= CV 2 = QV .
2 C
2
2

(1.75)

En el caso particular del condensador plano, se encontr que

V = Ed

C = 0

S
,
d

por lo que al introducir estas expresiones en (1.75) obtendremos

UE

=
=

1
1 S
CV 2 = 0 E 2 d2
2
2 d
1
1
2
0 E Sd = 0 E 2 V .
2
2

(1.76)

Si se define la densidad de energa en un campo electrosttico,

uE , como
dUE = uE dV ,
Dpt. Fsica Aplicada 1

(1.77)

Apuntes de FFI

1.11. Energa Electrosttica

25

de la expresin (1.76) se deduce que la densidad de energa elctrica en


el condensador plano viene dada por

uE =

1
0 E 2 .
2

(1.78)

Es interesante observar que la energa electrosttica del condensador


plano puede expresarse tanto en trminos de la carga, expresin (1.75),
como del campo elctrico, expresin (1.76). Estas dos expresiones dan
cuenta de la posible ambigedad que encontramos al definir dnde se almacena la energa potencial del sistema. Segn la expresin (1.75), esta
energa estara almacenada en las cargas y segn la expresin (1.76) estara asociada al campo elctrico. Aunque considerar que la energa est
en el campo pudiera parecer extrao, esta concepcin es la ms conveniente para situaciones ms generales2 . Antes de que existiera campo
elctrico entre las placas, la energa electrosttica en esa regin del espacio era cero y despus, cuando se ha establecido un campo elctrico,
la energa alcanza cierto valor. Por tanto, parece congruente asociar la
energa potencial electrosttica con la presencia del campo elctrico.
Aunque el resultado (1.78) se ha obtenido para un caso particular,
clculos ms elaborados demuestran que este mismo resultado coincide
con la expresin general vlida para la densidad de energa electrosttica
de cualquier sistema cargado. En consecuencia, la energa electrosttica
de un sistema puede escribirse como

Energa electrosttica

UE =

0 E 2
dV .
2

(1.79)

todo el
espacio

E
r

Ejemplo 1.7 Energa electrosttica de una esfera conductora.


El mdulo del campo en el exterior de la esfera conductora con carga Q viene
dado por

E(r) =

Q
40 r 2

rR.

Q
q

Antes de calcular la energa de este sistema aplicando la expresin (1.79) debemos calcular dV . Para ello tengamos que cuenta que dado el volumen total de
una esfera de radio r viene dado por V = 4/3r 3 , por lo que el volumen diferencial dV = (dV/dr)dr puede escribirse como dV = 4r 2 dr . La energa de la esfera
conductora de radio R ser por tanto

UE =

0 Q2
0 E 2
dV =
2
2 16 2 20

todo el
espacio

Q2
4r 2 dr
=
r4
80

dr
r2

1 Q2
1 Q2
=
.
2 40 R
2 C

Por ejemplo, al estudiar la energa asociada a una onda electromagntica.

Dpt. Fsica Aplicada 1

Apuntes de FFI

Potrebbero piacerti anche