Ernesto Daniel Prez Quintanilla

Circuitos Analgicos

CENTRO UNIVERSITARIO DE
CIENCIAS EXCATAS E INGENIERAS
Circuitos Analgicos I
Alumno: Ernesto Daniel Prez Quintanilla
Profesor: Ing. Nestor Gerardo L.

Reporte de Actividad 2

INTRODUCCIN
En la presente actividad del curso de Circuitos Analgicos I se pretende trabajar con el Modelo de Seal
Pequea, de modo que se pueda observar como se comportan las capacitancias y resistencias internas del
MOSFET.

OBJETIVOS PARTICULARES
En base a los siguientes parmetros:
IDS=15 mA
Vin=2V
VTH=.79V
Kn=53.7A/V2
L=1m
CL=10nF
Vdd=5V
1.
2.
3.
4.

Obtener Resistencia de Carga RL y ancho de canal (W).

Simulacin de la corriente IDS obtenida 15 mA
Obtener por simulacin la ganancia de voltaje AV en dB
Obtener analticamente la ganancia de voltaje AV en dB

MARCO TERICO
La Ganancia es una magnitud que expresa la relacin entre la amplitud de una seal de salida respecto a la
seal de entrada. Por lo tanto, la ganancia es una magnitud adimensional, que se mide en unidades como belio
(smbolo: B) o submltiplos de ste como el decibelio (smbolo: dB).

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Figura 1: En base al circuito mostrado, se trabajar con el Modelo de Seal pequea para ver el MOSFET
como amplificador.

DESARROLLO
Obtener Resistencia de Carga RL y ancho de canal (W).
Se comenz por declarar la lista de nodos en T-SPICE. Quedando de la siguiente manera:

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Para esto se realiza previamente el clculo del ancho de canal con la frmula
El clculo se hizo en el software MatLab, con el siguiente script:

()2

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Obteniendose la siguiente relacin de valores:
VGS
W

1
0.00220403

1.5
2
0.00038121 0.00015191

2.5
8.11E-05

3
5.03E-05

3.5
3.42E-05

4
2.48E-05

4.5
1.88E-05

Se elige el valor resaltado para no trabajar cerca de la frontera.

Para obtener el valor de RL, se resuelve por LVK:
VDD= (IDS RL) + 2.5V
Donde el voltaje entrante es igual a la suma del voltaje en la resistencia de carga mas el voltaje de VDS,
resultando:
2.5

= 15 = 166.66
Simulacin de la corriente IDS obtenida 15 mA
En el simulador se ingresan los valores del clculo:

5
1.47E-05

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Obtener por simulacin la ganancia de voltaje AV en dB
Con el siguiente comando se manda simular un anlisis de corriente alterna, desde 1Hz hasta 100MHz, en
dcadas.
.ac dec 5 1 100MEG

En esta imagen se muestran las graficas obtenidas para la simulacin. En rojo s emuestra la ganancia y en
violeta se muestra el voltaje de salida.

Situando el cursor sobre la curva simulada, nos dice que la ganancia corresponde a una atenuacin, de -93dB
aproximadamente.
Obtener analticamente la ganancia de voltaje AV en dB
Se obtiene la ganancia mediante la frmula:
+
=
1
+ +

Sustituyendo con valores:

1.79 106 + 2(1.22 1012 )
=
= 2.97 103
1
9
9
(31.3 10 ) + ( 10 10 ) +
166
Tomando en cuenta que la ganancia es igual a:

(20 log 2.97 10

) =

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CONCLUSIN
Como se mencion en clase, se pudo visualizar que conforme aumenta la frecuencia se la seal de entrada, la
ganancia de voltaje tambin disminuir en el caso particular del MOSFET con los parmetros dados al inicio
del reporte. Esto se debe a que el valor de la capacitancia es inversamente proporcional en el valor de
Ganancia de voltaje. El clculo analtico de la ganancia no fue cercano el valor arrojado en la simulacin, por
lo que existe una diferencia entre loa parmetros considerados para el MOSFET y los valores que tiene el
modelo empleado en T-SPICE.