UNIDAD 1:

CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES

Los materiales slidos se clasifican en tres clases basado en la composicin
qumica y en la estructura atmica, estos son:

METALES: estos son combinaciones de elementos metlicos. Tienen un

gran nmero de electrones deslocalizados, pero no pertenecen a ningn
tomo en concreto, estos electrones nos dan la mayora de las
propiedades. Conducen perfectamente el calor y la electricidad y son
opacos a la luz visible. Son resistentes aunque deformables.
CERMICAS: estn constituidos por metales y no metales, aqu tambin
incluimos a la arcilla, cemento y vidrio. Son aislantes trmicos y
elctricos, que a elevada temperatura y en ambientes agresivos son ms
resistentes que los metales y los polmeros. Son muy duras y frgiles.
POLMEROS: son compuestos orgnicos, basados en carbono e hidrgeno
y otros elementos no metlicos, caracterizados por una gran longitud de
sus estructuras moleculares. Estos tienen densidad baja y muy buena
flexibilidad.

Adems, existen otros dos grupos de importantes materiales tcnicos y estos

son:

MATERIALES COMPUESTOS: estos estn diseados para alcanzar la mejor

combinacin de las caractersticas de cada componente.
SEMICONDUCTORES: tienen propiedades elctricas intermedias entre los
conductores y los aislantes elctricos. Las caractersticas elctricas de
los semiconductores son extremadamente sensibles a la presencia de
diminutas concentraciones de tomos e impurezas. Estas
concentraciones se deben controlar en regiones espaciales muy
pequeas.

RELACIN ENTRE ESTRUCTURA-PROPIEDADES-PROCESAMIENTO

PROPIEDADES: podemos separarlas en dos categoras:

o MECNICAS: describen la forma en que el material responde a una
fuerza aplicada, tomando en cuenta su resistencia, rigidez y
ductilidad. Esta tambin determinan la facilidad con la cual se
puede deformar un material para llegar a una forma ms til
o FSICAS: incluyen el comportamiento elctrico, magntico trmico
y qumico dependen tanto de la estructura como del
procesamiento de un material.

ESTRUCTURA: la estructura de un material se puede considerar en

diferentes niveles. La disposicin de los electrones que rodean al ncleo
de los tomos individuales afecta el comportamiento elctrico,
magntico, trmico y ptico, como tambin la configuracin electrnica
influye en la forma en que los tomos de unen entre s.
En el siguiente nivel se considera la disposicin o arreglo de los tomos.
Los metales, semiconductores, muchos cermicos y algunos polmeros
tienen una organizacin de tomos muy regular, es decir una estructura
cristalina. Otros materiales cermicos y polmeros no tienen una
organizacin atmica muy ordenada. Estos materiales amorfos o vtreos,
se comportan de manera muy distinta a los materiales cristalinos.
En la mayor parte de los metales, de los semiconductores y de los
cermicos se encuentra una estructura granular. El tamao y la forma de
los granos influyen en el comportamiento del material.
En la mayor parte de los materiales se presenta ms de una fase,
teniendo cada una de ellas su arreglo atmico y propiedades nicas. El
control del tipo, tamao, distribucin y cantidad de estas fases dentro
del material es otra de las principales formas de controlar las
propiedades.
PROCESAMIENTO: este produce la forma deseada de un componente a
partir de un material inicialmente sin forma. Los metales se pueden
procesar vertiendo metal lquido en un molde, uniendo piezas
individuales de metal, conformando el metal slido en formas tiles
mediante alta presin, etc. Los materiales cermicos pueden
conformarse mediante procesos como colado, formado, extursin o
compactacin y a menudo mientras estn hmedos, seguidos por un
tratamiento trmico a altas temperaturas. Los polmeros se producen
mediante inyeccin de plstico blando en moldes, extursin y
conformado. A menudo un material se trata trmicamente por debajo de
su temperatura de fusin para lograr modificar su estructura. Este
procesamiento utilizado depender, en manera parcial, de las
propiedades y por lo tanto de la estructura del material.

EFECTOS AMBIENTALES DE LOS MATERIALES

UNIDAD 2
ORDENAMIENTO DE CORTO Y LARGO ALCANCE
Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales,
entonces existen tres niveles de arreglo atmico:

SIN ORDEN: en gases inertes, los tomos no tienen orden y llenan de

manera aleatoria el espacio en el cual est confinado el gas.
ORDENAMIENTO DE CORTO ALCANCE: un material muestra esta clase de
ordenamiento si el arreglo espacial de los tomos se extiende slo a los
vecinos ms cercanos de dicho tomo. Ejemplo: cada molcula de agua
en fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces
covalentes entre los tomos de hidrgeno y oxgeno.
ORDENAMIENTO DE LARGO ALCANCE: los metales, semiconductores,
muchos materiales cermicos e incluso algunos polmeros, tienen una
estructura cristalina en la cual los tomos muestran tanto un orden de
corto alcance como un orden de largo alcance, el arreglo espacial se
extiende por todo el material. Los tomos forman un patrn repetitivo,
regular, en forma de rejilla o de red. La red es un conjunto de puntos,
conocidos como puntos de red, que estn organizados siguiendo un
patrn peridico de forma que el entorno de cada punto en la red es
idntico.

CELDAS UNITARIAS
A la hora de describir la estructura cristalina, conviene dividirla en pequeas
entidades, que se repiten, llamadas celdillas unidad. Estas son paraleleppedos
o prismas con tres conjuntos de caras paralelas.
Esta se elige para representar la simetra de le estructura cristalina, de modo
que las posiciones de los tomos en el cristal se puedan representar
desplazando a distancias discretas la celdilla unidad a lo largo de los ejes.
De este modo, la celdilla unidad es la unidad estructural fundamental y define
la estructura cristalina mediante su geometra y por la posicin de los tomos
dentro de ella.

TIPOS DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS

ESTRUCTURA CRISTALINA CBICA CENTRADA EN LAS CARAS (FCC): esta

exige que muchos metales tengan una celdilla unidad de geometra
cbica, con los tomos localizados en los vrtices del cubo y en los
centros de todas las caras del cubo. Ejemplo: cobre, oro, plata y
aluminio.
Cada tomo del vrtice es compartido con ocho celdillas unidad,
mientras que los tomos centrados en las caras slo son compartidos
con dos celdillas.
En la estructura FCC el factor de empaquetamiento es 0.74, el cual es el
mximo empaquetamiento posible para esferas rgidas del mismo
tamao.
ESTRUCTURA CRISTALINA CBICA CENTRADA EN EL CUERPO (BCC): esta
tiene tomos localizados en los ocho vrtices y un tomo en el centro.
Los tomos del centro y de los vrtices se tocan mutuamente a lo largo
de las diagonales del cubo y la longitud a de la arista de la celdilla y el
radio atmico R se relacionan mediante la siguiente frmula:

a=

4R
3

Cada celdilla unidad BCC tiene asociados dos tomos: un tomo

equivalente a un octavo de cada uno de los ocho tomos de los vrtices,
que son compartidos con otras ocho celdillas unidad, y el tomo del
centro de la celdilla, que no es compartido. Adems, las posiciones de
los tomos del centro y del vrtice son equivalentes.
El factor de empaquetamiento es 0.68 y el nmero de coordinacin es 8.
ESTRUCTURA CRISTALINA HEXAGONAL COMPACTA (HC): las bases
superior e inferior consisten en hexgonos regulares con sus tomos
adicionales en los vrtices y uno en el centro. Otro plano que provee de
tres tomos adicionales a la celdilla unidad est situado entre ambos
planos. Cada celdilla unidad equivale a seis tomos: cada tomo situado
en los 12 vrtices superiores e inferiores contribuye con la sexta parte,
los 2 tomos del centro de los hexgonos contribuyen con la mitad y los
3 tomos del plano central contribuyen enteramente.
el nmero de coordinacin y el factor de empaquetamiento atmico son
12 y 0.74 respectivamente.

FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (FEA)

Es la fraccin de volumen de las esferas rgidas en una celdilla unidad en el
modelo atmico de las esferas rgidas y se calcula de la siguiente manera:

FEA=

volumen de tomos en un a celdilla unidad

volumen total de una celdilla unidad

POLIMORFISMO Y ALOTROPA
Algunos metales y no metales pueden tener ms de una estructura cristalina, a
este fenmeno se lo conoce como polimorfismo. Si este ocurre en un slido
elemental se denomina alotropa. Por lo general la transformacin alotrpica
viene acompaada de modificaciones de la densidad y de otras propiedades
fsicas.
PLANOS CRISTALOGRFICOS
La orientacin de los planos cristalogrficos de la estructura cristalina se
representa de modo similar. Tambin se utiliza un sistema de coordenadas de
tres ejes y la celdilla unidad es fundamental. Los planos cristalogrficos del
sistema hexagonal se especifican mediante tres ndices de Miller (hkl). Dos
planos paralelos son equivalentes y tienen tres ndices idnticos. El
procedimiento utilizado para la determinacin de los valores de los ndices es la
siguiente:
1. Si el plano pasa por el origen, se traza otro plano paralelo con una
adecuada traslacin dentro de la celdilla unidad o se escoge un nuevo
origen en el vrtice de otra celdilla unidad.
2. El plano cristalogrfico o bien corta, o bien es paralelo a cada uno de los
tres ejes. La longitud de los segmentos de los ejes se determina en
funcin de los parmetros de red, h, k, l
3. Se describen los nmeros recprocos de estos valores. Un plano paralelo
a un eje se considera que lo corta en el infinito y, por lo tanto, el ndice
es cero
4. Estos tres nmeros se multiplican o se dividen por un factor comn
5. Finalmente se escriben juntos los ndices enteros dentro de un parntesis
(hkl)
DIFRACCIN DE RAYOS X
Los rayos X son una forma de radiacin electromagntica que tiene elevada
energa y corta longitud de onda. Cuando un haz de rayos X incide en un
material slido, parte de este haz se dispersa en todas direcciones a causa de
los electrones asociados a los tomos o iones que encuentra en el trayecto.

Se consideran dos planos paralelos de tomos A-A y B-B que tienen los
mismos ndices de Miller hkl y estn separados por una distancia interplanar d.
Se supone que un haz paralelo, monocromtico y coherente de rayos X de
longitud de onda incide en estos dos planos segn un ngulo . Dos rayos de
este haz, sealados como 1 y 2 son dispersados por los tomos P y Q. segn un
ngulo con los planos, ocurre una interferencia constructiva de los rayos
dispersados 1 y 2, siempre que las diferencias de recorrido entre 1-P-1 y 2-Q2 equivalgan a un nmero entero, n, de longitud de onda. Es decir, la
condicin para la difraccin es:
N=

SQ+QT