Astrofisica y Cosmologia (USC, curso 2011/12) Cuestiones de Astronomia: 1. Definir el sistema de coordenadas horizontales ¢ indicar el rango de variacién de sus componentes. {Cuales son las ventajas e inconvenientes del sistema? 2. Enbase del espectro presentado : a) Identificar las lineas espectrales mds significativas (usar la lista adjunta) b) hacer una estimacion de su clase espectral en el sistema de Harvard 260 200 160 oo 400 «4500 ©«SUOR BoND 6000 © GSD 7000 XL Lista de lineas més significativas de distintos elementos (longitud de onda en A): He II 3968, 4025, 4100, 4200, 4340, 4542 Hel 4026, 4387, 4471 H (Serie de Balmer) 3835, 3889, 3970, 4102, 4340, 4861, 6563 Ca Il 3934 (K) 3968 (H) Cal 4227 Gband 4300-4307 Fe 1 4045, 4271, 4384 ‘Mg Il 4481 CM 4647+4651, NII 4634+4640 SiIV 4089 cu 4267 Mn14031 TiO. 4584, 4761, 5448 MgI 5163, 5173, 5181 ‘CaQH banda 5500-5560 MgH banda 4780, 5198 wadaMEXAMEN DE ASTROFISICA (8 de Febrero de 2012) (CUESTIONES (1 carilla cada una) Cuestién 1 — Comenta estrictamente el interés de los diagramas de Hertzsprung-Rusell y como se desplazan por el las estrellas desde que nacen hasta que mueren. Si es posible, indica valores (temperaturas efectivas minimas y méximas, masas minimas y méximas, etc.) Cuestién 2—Enuncia el Teorema del Virial en Astrofisica y comenta su significado, destacando su importancia en la evolucién estelar. Cuestién 3 — Comenta acerca del significado de las ecuaciones de Boltzmann y Saha. ,A qué se refieren? :Por qué son importantes en Astrofisica? PROBLEMA Sobre una cierta estrella se han realizado las siguientes observaciones: = Sumagnitud aparente visual es V=1 = Elméximo de su curva de intensidad radiante esté en 500 nm — Se ha medido su paralaje, resultando serw=2" = Elradio angular medido con interferémetzo de intensidad es 0.003" Determinar su temperatura, magnitud absoluta visual, radio, luminosidad, correccién bolométrica y ‘magnitud bolomeéirica absoluta. 2 qué clases espectrales y de luminosidad dirias que pertenece dicha estrella? (Datos: bwin=2.9 x 10° mK, 0=5.67 x 10 Wim?K!, MyLi=4.79, Moati=4.72, RI%= 7x 10° Km, F33=6.3 x 10° Win?) LSSG‘Bxame de Cosmoloxia (auto 2012) (entregar por separado con nome ¢ apelidos) 1 Explica brevemente os distintos comportamentos co parémetro de escala das densidades de enerxfa de materia ém,o ¢ de radiacién c,o. A partir dos valores actuais, 2,9 = 8:4 10-* © mo = 0.3, estimar a(t) e z para o que se igualan émbalas diias compofientes do universo. 2 a) Integra a ecuacién de Friedmann pare un universo plano dominado pola radiacién e obtén a relacién entre o pardmetro de escala a(t) © o tempo t, dando o resultado en funcién de Hy. b) Caleula a idade actual se sempre estivo dominado pola radiacién. Dar o resultado en funcién de Hy. Expresa a idade do universo en anos deixando h como parémetro libre. ) Calcula o parémetro de deceleracién q(t) deste universo. Interpreta o resultado. Bcuacién de Friedmann: Ecuacién de fluido: Ecuacién de aceleracién: Bie Ecuacién de estado: Parémetro de deceleracién: artyDATOS: NO todos son necesarios para resolver los problemas. Constantes, datos y conversiones: 1 pe = 3.262 afios luz = 3.085 10 crm. 1 afio= 3.16 10” s. Velocidad de Ja luz en el vacfo: c= 3.00 10% cm s~? Constante de Boltzmann: kp= 1.381 107" erg K-1 Constante de Planck: A=1.05457 10” erg s Constante de Hubble: Hp = 100 A km s“* Mpo~* ‘Temperatura en el presente del fondo de microondas T; 1 MeV = 1.602 10-*8 J = 1.602 10-8 erg Densidad critica de energia: ¢, = S42 Densidad critica de materia: p, = 1.87910- h? cg cm 2.726 K. Intervalo espacio-temporel de la métrica de Robertson y Walker: ds? = adt* — R(t) laces +12(de? + sin? sae? (I= kr?) Las ecuaciones de Friedmann con constante cosmolégica, A son: pee rate 3a 3 a6 Act fe- 3a (+3) +> (Ges la constante gravitacional, a es la densidad del flufdo y p(t) su presién, y Ry Ree utilizan para designar la primera y segunda derivadas del pardmetro de escala R respecto al tiempo). Pardmetro de deceleracién: q(t) = 82 AEUniv. de Santiago de Compostela. Facultad de Fisica. Grado de Fisica. Curso 2011/12 : Bxaiien de"Astrotisica y Cosmologia, 4 de junio de 2012. Nombre y Apellidos: ... Astrofisica: Algunas cuestiones cortas 1.1. ,Cuél es, aproximadamente, en parsees 0 en afios luz, la distancia media entre las estrellas cercanas en nuestra galaxia? {Y la distancia entre nuestra galaxia y los nubes de Magallanes o la galaxia de Andrémeds? 1.2. iCudl es, aproximadamente, el tiempo de permanencia de una estrella como el Sol, en le Secuencia Principal? ,Cémo varfa ese tiempo con la masa de una estrella? 1.3. ;Cudl es, aproximadamente en nm, la longitud de onda a la que se encuentra el méximo de emisién del Sol? {A qué energa del fotén corresponde, en eV? 14. LQué cielo de producciones de energia conoces en las estrellas de le Secuencia Principal? ,Cuél o ccudles estén presentes en el Sol? 1.5. ZA qué ee refieren las ecuaclones de Boltzmann y de Saha? jCuél es su interés para entender los espectros estelares? 1 VyAstrofisica: Cucstién 2 Enuncla el teorems del Viril en Astroisica (no hace falta demostratlo), {Cuéndo es vélide? Comenta, hasta lenar la péging, su interés e importancia en la evolucién estela.Astrofisica: Problema La observacién de la estrella Betelgeuse (a-orionis) muestré los siguientes resultados: = Su magnitud aparente visual es V = 0.42 - Bl méximo de su curva de intensidad radiante esta en 830 nm = Se ha medido su paralaje, resultando ser 1 = 0.005” - El radio angular, medido con un interferémetro de intensidad, es 0.02" Determinar su temperatura, distancia, magnitud absolute visual. Calcular también su radio y luminosi- dad y comparales con los valores dal Sol. {A qué clase espectral disfas que pertenece? (Datos: bwien = 2.9 10-°mK, op = 5.87 10-°Wm-?K-4, Vo = 4.79, Ro = 7 108K m, Fo = 6.3 10"W/m?, Lo = 3.6 10°6W. )MNo.2045 » Welede Gsmeloxla z Integra a eogacih ce Friedmann poroon UEISo proro doméac pols radfocién obkn a rdlacién entree part ce csata alt) eo hempo +, dando © resodfade en Puraicn de Ho+ dost a Pdade actual do oniverso Se sempre edlivo domi nade Go radiaccn- Doar o reswlato eo fonetia ce Ho - Exprena 0 tad do yniverso enanes dexaxdo h como parimetro Lore - Cododa 0 potdineti de decdieracicn 4(+) ckste universo- Lnterpeto © feadlede . 2 Ecsosicn de Friedmann : (8) 7 S08 ¢- 2. Eesoath & pido + é +38 (cxp)=0 Easosén de ccdleocicn': aoe = dn€ (c+5p) Exoacdn ce atedos “P= Wwe Rardmneo do decderaccns le )= — 2 Rare de Aéfronomia @ Decade & dstema de equateriches abesotos @ Deecibe to. Aasfnssn Lidtmendarnd: de eoperhasestdlars oe Yerkes ) (Obs » “23» Parte de Astiofés CO: ® Gestions eclas doA Range de masas fornando mo ontded Sa masa sar de Cas exfrelas: que = enaentran en la ceaerdfo. ppl. Ae 2 Pecos -erclas detiaipes qe cparecen en Qus dishintos efapas de eosin de ona eshella -- Qre Whores forran paw. Am. Ae Sime obeenvames en Ase. on expectro de absorctén 2 AGardo seobeena on expectro de euisidn > Ao 4 , Estima. Qo efeaenaa exagética dak ado’ pridn-prekio en onaediell d Ge en ol ptto de Gamow ? tmp = 0938 Gel 5m (ie) = 3/327 GeV Ao5 AN que & rePieren Qs eaxciones de Boltzmann y. Saha?” a Godd es so Tmporlanta paroentencer tos espectees eldans? ® Teorema de Vitex Avoca .Gaudo & valde ? Sen tokerds " efmportanza na eveledca 3 © ca brevemerife OS disfitas postbiGedades evdotivas geten ean ae cl da cements ppel en fonetn da 860 masa | Problema Unira certe. estrela: obsérvase con unha pardloxe azoAt exten onha, mogntiule opareve m =O € onha BC=0 . @armar cs dates ce ebella que peichs Wes 49d 7 L@z 56 O8W: / “Te ~ 60005 4OMELECTRONICAUNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA 0 APELLIDOS: NREL ‘Tesi de Elecirénica 19 de junio de 1997 préximos 212 bance de valencia.ro del gep. ‘o) Niveies energésicos présimos al icos préximos a la banda de conduccién. @ Be Les siempe ¢: ‘uncién de la movilidad, Dicectamente proporcionel ai dopado. acores mz}10. Ea un semiconductor en equilibrio dopado no uniformemente con impure- yas aceptorss | (2) La corctente de difusién de sleccrones iré de les zones de mayor 2 senor dopade ¥ la de huecos al revés. (b) Les corrieates de difusién de eleccrones y huecos tendzéa el sentido (c) No exisciré ningun campo elécerica (condicién de equitiixio) sdscicd wa campo eléccrico ditigide de les zonas de mener = mey a) 12, Ea wa punto de un semiconduccor se produ ), una inyeccida de ni = pf porsedores en exceso, jeristiré ua campo interno ai semiconductor? sor ei cainso. 13, En ung uniéa PV en equitibrio (a) Zn squilidco, la densidad de carga es auie en cade purse. 2 unin PV 50 ideal debico =, 0 de la resistencia 5 (c) Le gereracién en la regida de vecamiento, (Gta wecbicaccn as aia 0. 15, La corriente je sat ceracion inversa fp de una unin (da valor absciuto}, a a(2) Es independiente del dopado. erial semiconduccor. (0) Es independiente det ax (@Dissinage al eumencar dope, (@) Dismainuye al aumentar la temp En uaa wnida PV con polarizacién invers La generecién brusce de porsedores an le regidn de iEa un dicdo aunce cirewle wna corience inverse considerable! wtrada semporal en saperpot (2) Las copactdades asociadas 2 los concecces meralicos. cia de minorisarios. (o) Les osciaciones ‘accones en la anchure de lz regia de vaclemienco, ensidn de 3oi G core. (qd) Active inverse. incipaimente, ai tiempo de paso de saruracién 2 come 2 on crensiscor’ fempo pare cargar la base. () smpo de inversin del signo de ia carga de base. (b) 4 aAAr(GPW sempo de eliminacién de !s carga acumulads en la base. exisor a través de la base. condensador de paso de emisor en un emisor coriin? (2) Pare emabiiizar el punto de srabejo. educs la ecueace de core (Pare aumenta: le geaancia pare sefil. sida bese-emisor. emisor, medimes ia recsiGn 2 ia de la fuente de continue. C, con, censistor? . Ea on ampli de colector a emisor que esado enaré a (e) Acciva inverse, (¢} Saturecién, én BC ansiscor on configu (5) Que siene peor respuesta en fecuencia. {c} Que la ganancia suele ser més baja. {€) Que es iads dificil de incegrar. ABAY8. {Por qué se uiiliza un colecior comin como etna de salida de un ampii- Sesdor? (2) Porque tiene une genaacia en tensién elevads. © Porave; ( Porque 20 necesita res ne muy baja la impedancia ds () Pore jermite rrabajer con cergas muy memos és un emisor coms fa cont 30, ASUNIVERSIDADE DE ptm itis epi SANTIAGO DE COMPOSTELA a APELLIDOS: NOMBRE: ‘Test de Electrénica 24 de junio de 1999 Puntuacién: Cada pregunta tiene una tnica respuesta posible. Cada pregunta acertada cuenta 1 punto. Cada pregunta fallada resta 0.25 puntos. Las no contestadas no restan nada. El aprobado est en 10 puntos. Entre 7 y 10 puntos, compensaré com la parte de problemas. Con menos de 7 puntos no compensa. (n0 se corrigen los problemas). Las notas salrn el 7 de Julio. Revision cde eximenes 8 y 9 de Julio de 10 a 13 horas. 1. Un semiconductor extrinseco, (a) Tiene mds electrones que huecos. {b) Bs conductor sélo a temperaturas elevadas. © Conduce a bajas temperaturas. (a) Tiene el mismo mimero de electrones y huecos. 2. El nivel de Fermi (a) Para energtas por debajo det nivel de Fermi todos los estados estén Ilenos. (b) Para energias por encima del nivel de Fermi todos los estados estan @jEs al nivel de energfa para el cual la probabilidad de ocupacién es 3 (@) Esta siempre en el interior del gap. ze producit un somiconduetor tipo P, jeon qué debemos impurifi- (a) Atomos de fésforo. & Atomos de boro. (b) Arseniuro de galio. (@) Impurezas péntavalentes. 4, En un semiconductor intrinseco (a) Bl nivel de Fermi esta en el centro del gop. (b) La concentzacién de electrones y huecos es ia misma y es funcién sélo tipo de semiconductor. La concentracion de electrones y huecos es la misma y depende del smateyial y de la temperatura. 1 Ayw&{b) Es producida por las oselaciones en Ja conéentracion de minoritarios ‘en los bordes de la region de vaciamiento. Disminuye al aumentar la tensién de polarizacion inversa. Figura 1: Figura del pregunta 5 Bl electrn de la figura 1 se encuentra en z =z, con una energia total E=B.. Siel electron se mueve a 2 = 0 sin cambiar su energia total, su energia cinetica en = =O es: (@) Be é E,~ Ex (©) Be 6, En una'union P*N la.corriente de saturacién inversa Jo es: (a) Directamente proporcional al dopado de la zona N. Snversamente proporcional al dopado de la zona N. 2) Inversamente proporcional al dopado de la zona P. La corriente en una unién PIV real para vensiones positivas elevadas es ‘menor que en una unin ideal debido a: (a) Generacién en la regién de vaciamiento. (b) Recombinacion en la regién de vaciamiento. (Hp rovecsion de ‘alto nivel y caidas de tensién en las regiones masivas, 8. En un transistor NPN el emisor se dopa mucho mas que la base pare que: La corriente de huecos de emisor sea mucho més pequefia que Ja corriente de electrones de emisor. (b) La corriente de electrones de emisor sea mucho més pequefia que Ja corriente de huecos de emisor. 4 (c) Disminuya la eficencia de inyecciéa de emisor. 9, La generacién por ionizacion por impacto (ruptura por avalancha) aparece: Eh semiconductores sometidos a campos eléctricos elevados. (©) En la regidn de vaciamiento de una uniéa PN polarizada en directa. (c) En semiconductores altamente dopados. 10, Le movilidad de una muestra semiconductora para dopados bajos: (a) Aumenta al aumentar la temperatura. © Diswinnye al aumentar a vemperar,(©) Aumenta al aumentar el dopaido. 11. B] efecto Early para un transistor PNP en base comin en zona activa, lleva aparejado: G Gin incremento de la corriente de colector respecto al caso ide {b) Una mayor recombinacién en la base réspecto al caso ideal. (c) Ninguna de las anteriores. 29 ov 2 3K & ® B=200 Sax Figura 2: Figura de las preguntas 12 y 13 =0,7 V, jeudnto vale Zp en el circuito de la figura 2? Our (©) Ninguna de las anterio- 18, jOuanto vale Vor para el cieuito de la figura 2, suponiendo Vee = 0.7 Vele=Is? (@) 2,580 @inv (6) Ninguna de las anterio- res tot Yc BH Re Rg £ igs 3544 Vpe- 0.7 BV vce 7 (2) Circuito (b) Resta de carge : Figura 3: Figura de los problemas 14, 15 y 16 14, La recta de carga estatica para el circuito de la figura 3(a) es la dada en la figura 3(b). Segin esto, jeudnto vale Vee? @sv (o) mv (©) Ninguna de las anteix22UNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA APELLIDOS: SOMBRE: ‘Test de Electronica 24 de junio de 1998 Puntuacién: .¢ una tinica respuesta posible. .cervada cuenta i punto. Cade pregunta falleda reste 16 pr s puatos no compense (30 ‘biemas). Las noras saldran el 7 de Julio. Revision 9 de Julio de 10 a 13 horas, 1 srinseco. jene soés siectrones que luecos. ‘or solo a temperasuras elevaces. E, Conduce 2 dajes + 2. El nivel de Feat (a) Pare energias por debdajo det nive ~acis. (a) Atomes ée ‘ésioro, boro. (b) Arseniuro ce galio. 4. En un semiconduccor intrinseco {a) El nivel de Fermi estd en el centro de! gap. (b) La concentracion de electrones y huecos es Ja misme y es funcién sélo tipo de semiconductor. @ 1s concentracion de electones y hueeor es la misma y depende del material ée la temperaturaas(a) La concentracién de electrones suele ser mayor que lz de huecos. (a) Es un sislance © Es conductor a elas temperatures (@} No siene elecerones liores. (2) Conduce 2 cualauier semperatura ad és ion, Una estruecura de las bandas como le de le (2) Una union PW polarizada en iaversa. ‘na unién PWV polarizada en directa. susmente al subir la temperatura. (o) {c) Es independiente de! dopado. © Disminuye al eumentar el dopaco. 9. Le recombinacion intrinsece se produce més frecuentemente en {a} Semiconducrores directos como at Si © Semiconductores directos como el Ga.ds. (c) Semiconductores indirectos. (4) Semiconducsores de gep ancho como el Ge. brio 10. El potenciel interno de una unidn PN’ en eatu, (a) Es independience de! dopado. @ Es proporcional ata diers de! union. de altura de les bandas a ambos iades {e) Es igual al povencial ea ei punto de unin. {d) Es proporcional a !2 curvacura de les bandas en ei punto de unids. Para ua an inversa, ances de la ruptura. la cozrieate seal es 2ig0 Taavor. en v2ior absoluco, que !s ideai, debido ax Oz (b} Exiscencia de tayeccisa de alco aivel, (cj Fe id) = sisrencia de fon 2 la vegion de vaciamiento, .Smenos de inessabilidad vérmica combinacion an la regia de vaciamienso. La capacided C; que presenta una union polerizada en inverse cuando 52 le superpone una débil seal aiteraa es cebido principaimence a: Las osciieciones ex al dopado. Las osciiaciones en la concencrecida de minorirarios. capacidadgs asociadas 2 los contacios stetalicos. varlaciones en la anchura de la region de famiento, a15. El weasistor de la Gguea ? se encontrard 2a fa) Activa. © Sacuracion. (b) Corre id) Activa inverse. 18, ;Por qué los pardmetros 94 ¥ 90 ‘transistor ideal? (a) Porque 2! modelo es valido solo para zona activa. (b) Porgy © Porque on un iransisior ideal ias corriences sdio dependen de sign base—emisor. ena de las anceriores. la recombinsciéa ea la base es aul ‘en tos condensadores de acopio en ua emisor coma? (a) Pars eumencar ‘e impedancia de (b) Para aumencar la ganane (c) Para estabilizar el punto de crabajo. eda. para sedal. a otra de 44 uV (entrada —? {6} 1600 p ¥. 1501.88 WV. c, ,Cual serta ta salida 2930Departamento de Electrénica'e Computacién UNIVERSIDADE DE Sante Cones SANTIAGO DE COMPOSTELA ae APELLIDOS: NOMBRE:___ Test de Electrénice 2 de septiembre de 1909 Puntuacion: luna tice respuesta posibie. Za las cuestiones Cada pregunte sie con zepuesta aumtrica. 2} significativas que aparece: adie caso, Cada preguara acertad cuenta 1 punto. Cade pregunta ‘tilada 0.5 puntos. Las a0 contesvadas 20 10 puntos. Eatre #20 puntos. compensa con la parce de problemas. Con menos a2 = puntos no compense (no se corrigea los problemas). e117 de sepciembre Revision de examenes 20 v 21 de septiembre de 10.2 19 hores. Ua semiconduccor se dopi Np impurezas dadores. siendo compieta. las concentraciones de 2i 3 (b) a 2, Lacorriente asociada al movimiento d: ene es siempre cero debido a que: (a) La corriense asociads ai movimi: valmenze llene no es cero. Igual y de signo contrario a la de un eiseszén que ocupars de! hueco. (b} Negativa si oi hueco estd an le cima de le banda. (c} iguat y de! mismo signe que la de uz espacio 4, La capacidad de vaciamiento de una unién 2 poiaricada en (2) Es independience de la vension de poiarizacion32acién de minoritarios (o) Es producide por las oscilaciones ee la cones fen loz bordes de Ja region de vaciemiento. @ Diesinnye ai semana ie tension de poiarzacion inverse by @) 6. En una waién P*N le corriente de saruracion inversa Jo es: (a) Directamente proporcional al dopado de le zona N. {© weersamente proporcional ai dopado dele 2008. Tec} Inversameate proporciote! 2! dopado de la zone P. vas eievadas es ‘La corriente en une anién PN real pare tensiones 9 menor gue en una unida idee! debido & jamiento (2) Generacién ex la region de va {b) Recombinacion en la regi6n de vaciamiento © Inyeccién de zito aivel » En un transistor NPN ej emisor se dope mucho més que le base pare que: caidas de tensién en ias regiones masivas GB 1a corriecte de fueros de emisor see mucho més pequeli2 que ie de eleezrones de emisor. {b} Le consienve de slectrones de emico: sea mucho més peauelia ¢ 0s de emisor corsiente de hue la eficiencia de inyeccion de emisor. ic} Disminuy 6, La generacidn por ionizacién por impacto {rupture por avalancha) aparece: En semiconduczores sometidos 2 campos eléetricos elevados. {5} Es le region de vaciamienco de una unin PN.polarizada en directs, (ci En semiconductores altamence dopadas 10. Le movilidad de unz muestre semiconducrora pare dopados bajos: {2} Aumente al aumentar ia semperature, @ Disminuye al aumentar ie temperature 33fc} Aumense al aumensar el dopado. pare us trensisior PNP en base comin en zona ac’ eve aparejado: @ tn incremento de ia corsiemte de colector respecta ai caso idee! ‘na mayor recombinacién en Ta base respecto ai ceso ideal, guna de las entesiores. 20¥ 308 Figura 2: Figura de las preguntes 12 Suponieade Vaz =0,7 V, jeudato vale Ig en el circuito de ia figure 2 su (c} Ninguza de las emterio- @ 13 (c) Ninguna de ias anterio- omy was. z cite by Reese de carpe fb} 200) fc} Ninguna de ias anterie-15, Pare af circuito de la figura (a) con la recca de carga deudato vale Ho? @usxe (b} 3.2K 16. Para ei circuito de la Sgura 3{2i con ia recca de carga de la jeudnto veie Ra? @ 109K (b) 415 KO (cj Ninguna de ias anteri igure 4: Figura de les preguncas 17 y 18 Para el circuito de la figura4, jeudnto vale la intensidad que cireula por Re, suponiendo Vaz = Veg: = 0.7 V? (3) 29 ma, Gj dima {c) Ningune Ge las anterio- 5 18, Para ef circuito de la gure 4, joudnto vale Vee, suponiendo Vaz: Vora = 0,7? Cialp.2 VT (¢) Ningune de las en Catpey ( (6) Ning t la pregunta 19 El sransistor de ie figura 5 estd en: (ar active (b) core GCiwwvsecien 20. En ua amplificador difereacial con un FRMC = 100 GB se obtiene una salida de 0.2 ¥ cuando las dos entradas son de 1 mV. ;Cuéato vaid: ‘tise eundolas eauadns ton de WD 9.0 9°? Toowsy (oy soy (6) Nnguse de sae a3?UNIVERSIDADE DE Degrade Bea Compt SANTIAGO DE COMPOSTELA si Ss) APELLIDOS: NOMBRE: ‘Test de Blectrénica 22 de junio de 2000 Puntuacién: Cada pregunta tiene una dnica respuesta posible. Cada pregunta acertada cuenta 1 punto. Cada pregunta fallada resta 0.25 puntos. Las no contestadas no restan nada. El aprobado esta en 10 puntos. Entre 7 y 10 puntos, compensaré con la parte de problemas. Con inenos de 7 puntos no compensa (20 se corrigen los problemas). Las notas saldrén el 7 de Julio. Revisién de exdmenes 10 y 11 de Julio de 10.2 13 horas. 1, Para un cristal finito, el valor de k (momento cristalino) es: (2) Continuo, (b) Continuo en cada banda. © Discreto 2, Las concentraciones de portadores en una banda son: (@) Iguales en toda la banda. (0) Mas altas en los bordes de las bandas. © Para huecos més altas en la parte superior de la banda de valencia. 3. Un contacto éhmico perfecto es: © Aquel én el cual hay una caida de tensién que no depende del paso de corriente. (b) Aquel en el cual no hay caida de tensién con indenpendencia del paso de corriente. (¢) Ninguna de las anteriores, 4, La aptoximaci6n de vaciamiento se aplica para resolver: (a) La ecuacién de Schradinger (0) La ecuacida de continuidad. © Le ecuacion de Poisson. 345. Bn una unién PN: (a) La parte més dopada tiene menor aucho que su epi de vaciamieato correspondiente, (b) La parte menos dopada tiene menor ancho que su correspondiente regién de vaciamiento. (c) Ninguna de las anteriores. 6, Para un diodo, siendo Ny y Np las concentraciones de impurezas y Jp, Jn las densidades de corrientes de huecos y electrones respectivamente, se verifica que: (a) SiNa < Np se cumple que Jp < Ja: (0) SiN4 >No se cumple que Jp < Jy. (©) Ninguna. de las anteriores. 7, Dado el siguiente circuito, siendo V, Ia tensién de despegue del diodo y del zener y Vz la tensi6a de rupture del zener, el valor maximo de la salida seré: R % Re (@) Voraz (0) Vomae = VigEkc- (b) Vormos aS 8, Dado el dispositive AF347A indicar si se trata de: © Un transistor de GaAs. (c) Un transistor de Ge. (b) Un diodo de Ge.9. Indicar cual es el cédigo SPICE correspondiente al siguiente circuito y que permita realizar un andlisis en continua variando el valor de la alimenta- ion en intervalos de 5 voltios desde 10 a 20 voltios: Re tye @ MODEL MAX D MODEL NTRAN NPN VLINE 0 RLINP 1 D110MAX Qi OUT 12 NTRAN () MODEL MAX D R2 INP OUT MODEL NTRAN NPN R320 Vi DC INP O DC Vi 10V 20V 5V RLINP1 D101 MAX () MODEL MAX D Ql OUT 12NTRAN MODEL NTRAN NPN BAINF OUT Vi INP 0 pale) RIINP1 DG V1 10V 20V 5V D110MAX Q1120UT NTRAN R2 INP OUT R320 DG V1 10V 20V 5v 10. Indicar a qué funcién corresponde el siguiente diagrama de Bode: 2oleg [Rel v 5 le Yoo w Cea dieses (©) AsGw) = GES (b) AvGu) = sarGetsiGert wy11. Bl hueco de la figura esté en = es su energia cinética? iCual () Ee-Er © 5-% () Be-B 12, Bl punto de trabajo Q del transistor en el siguiente circuito, cousiderando Vag = 0.65 V y B= 200 es: Be ae Neg = 10 it = 680k Re = Wek, @© 1505, 275 ma} th (b) {0.65 V, 2.75 mA} ee 13. Bl transistor de la figura anterior esté en: @ Activa directa. (©) Saturacion. (b) Activa inversa 14. En un transistor bipolar PIVP polasizado en activa directa si se aumenta la corriente de base: G@ Anmentaré la corriente de colector, ya que aumenta la cortiente de hhuecos que atraviesan Ia unin base-emisor por difusin. (b) Aumentard la corriente de colector, ya que aumenta la corriente de electrones que atraviesan la unidn base-emisor por difusién. (©) Disminuiré la cortiente de colector para que se siga cumpliendo que Is=lo+ Ip 15, La aproximacién de bajo nivel de inyeceidn en una unién PIV implica que: (a) En cada una de las regiones masivas, la variacién respecto del equi- brio de la concentracién de minoritarios al polarizar la unién es mucho menor que la concentracién de mayoritarios. (b) La inyeccién de portadores minoritarios en la regién de vaciamiento debida a corrientes de difusién es mucho menor que la inyeccién de mayoritarics. (e) No hay inyeccién apreciable de portadores minoritarios debida a ilu minacién o a otros fendmenos de generacién-recombinacién. ae16. jA un semiconductor tipo JV dopado uniformemente y que esté en equili- brio térmico puede coresponderle un diagrama de bandas de energia. como el de la figura? (2) 51, porque a un semiconductor en equilibrio térmico siempre corres- ponden bandas curvadas y nivel de Fermi constante. (b) No, porque en un semiconductor en equilibrio termico las bandas son planaa ya, que no se aplics un potencial externo. (©) Si, porque'el potencial es variable en el interior del semiconductor indicando la existencia de un campo que se opone a la difusion. 17. Los semiconductores que presentan mejores propiedades 6pticas son: (@) Los semiconductores directos, es decir, aquellos que presentan los gaps de energfas prohibidas més estrechos. (b) Aquellos para los cuales coinciden para el mismo valor de Kk en el Giagrama (,) el minimo de la banda de conduccién y el méximo de la banda de valencia. () Los semiconduetores directos, es decir, los que presenta en los dine ‘gramas (8,4) varios minimos de la banda de conduccion y méximos de la banda de valencia. 18. Bn un semiconductor en equilibrio térmico dopado con atomos donadores podemios afirmar, en cuanto a la evolucién del niimero de portadores con Ja temperatura, que: (a) Cuanto mayor sea la. banda de energias prohibidas, mayor seré la temperatura de comienzo de la regién extrinseca . ‘A temperatura de 0 K la energia térmica no es suficiente para liberar los electrones de los atomos donadores que darén lugar a portadores. (c) La concentracién de portadores mayoritarios no superaré al numero de electrones que provienen de las impurezas donadoras ni siquiera 2 ‘temperaturas muy altas. 19, En una muestra de Si tipo N: (2) Mediante iluminacién se puede producir mayoritariamente o bien ge- neraciéa o bien recombinacién dependiendo de la existencia 0 no de contros de generaciGn-retombinacion, (b) Mediante la adicién de alguna impureza cuya, energia de ionizacién esté situada en la mitad del gap se favorecerdn los procesos de genera- cign-recombinacién. (c) Ninguna de las anteriores. “320, {Cul serd la maxima salida sin distorsién para un amplificador polarizado segiin la gréfica adjunta? 4 ee Qb%ea, Veen) Neeg+Tcg:Rea Vee (a) maz(Vee ~ Vora. Vora) (©) Ninguna-de las anteriores. ©) tooRea aMnyassuinuie ue Suey © CoMupULaLE UNIVERSIDADE DE 17 Sani Coe SANTIAGO DE COMPOSTELA caneues! APELLIDOS: OBE. Examen Final de Blectrénica. Problemas. . . 6 de julio de 2001 ‘Puntuas Cada problema punta 5 puntos. Pera aprobar es necesario tener alguna parte correctamente contestada de ambos problemas. Ea el primer probléma cuando Se vida realizar un céloulo es necesario expresar tanto el valor aiimerico como Jas unfdades corvespondientes. Bl aprobado eitd en 5 puntos. Entre y 5 puntos, compensaré con la parte de teorta. eee ae +L Considerar una muestra de Si tipo P 2 300K y dopedo con una densidad de dtomos - aceptores (Ga) funciéa de x: Na(e) = Mew?" 8 mi? ot y pp = 0.04 m? -vole™* + Suponiendo equilibrio e ionizacién total: y = ot a “E. (a) Calewar el campo eldetrico en el.interior del semiconductor Ei. Ex 08 OF, #. =” (b) Calculer las densidades de cortente de arrastea y difuslon de portadores me ya,» Tosco ejando las expresone en fncién de Na, (c) Sila impusidcaciéal de Ga pasa a ser constante y de valor Nq = 10! at/em? calenlar: : MERE AIS i nypconsiderndgn;= 25-10% gry Np=0= PS haneneS La posicién del nfvel de Fermi We, ‘sthoniendo no degeneraciéa. ‘Bl porcentaje de ionizacién de impurezas en-al.caso de que al nivel de/, exergfa de aceptores:(B,) esté situado 0.814 eV’ por encima del aivel de salencis (B,) y haciendo uso de la foncién de dstribucion de FermiDirac (ver focmulacio). : iv. {Oval es la probebilided de que un estado de energia KT por debajo del __blvel de Bexmal est@ ocupedo porun busco? —” (@) Supoagamos que Na(z) varla lineelmente de mado que Na(0) = 108 om“ y Na(10fen) = 104 em . 4, Detershinar -para una temperatura de 300K al vélor de Ja comiente de diusi6a de huecos Jpg. Considerar que bp = 1100 em? - volt s-* y quep; Dp =40. 4. Cattular Ib intensidad de campo elétrico Recesatia para que la corsiente if de arrastre anule a la de difusign calculads en el apartado aiterior.os yr 42 (2) Calcular los puntos de trabajo Q(cq, Voray Apond Tas Qed transistores, Para ello hac sav Yeestcuy. Ter B0. 7 ig (0) Dibujar las rectas de carga estdtica y dindmica para la seguada etapa y repre. O= 15 volt. 3 “A12, {Cusnto vale Rp para una Igq = 100 A para el cireuito de la pregunta ce uM 16 16. anterior? Suponer activa con Vag = 0.7 volt, Vorg = 5 volt, Jog = 1 mAy Re=10KO. (a) 127K. . (c) Ninguna de las anteriores. @ us. En un circuito de polarizacisn con realimentacion por emisor, el conde- sador de paso sirve para: @ Mejorar la ganancia para seal («) Ninguna de las anteriores (®) Estabilizar el punto de trabajo Dadas dos etapas amplificadoras de ganancias en tensién en circuito abierto An: = 100 y Ave = 10. {Cuénto valdré la ganancia en tensiGa total del cireuito completo cuando la carga sea Ry = 18 KM y considerando que Zo = 18 KM, Zor = 200 0, Zin = 1.8 KM, Zon = 200 07 Oo “a 4 (©) (100/81): An - Ave En el modelo hibrido pi, jque implica que él parémetro g = 0? (2) Que la tension Early. sea infinito. © Que la corriente de saturacién inversa colector-emisor sea préctica: mente cero. (©) Ninguna de las anteriores. Dado un circuito de polarizacién con realimentacién por base, que se cumpla Ss > Srozo implica que: ‘Les variaciones de f influyen més en Ia estabilidad del punto de trabajo que las de Jono. (®) Que las variaciones de Joo influyen més en la estabilidad del punto de trabajo que las de 6. (c) La-estabilidad del punto de trabajo no depende de las variaciones de Be Topo, solo de la forma del circuito. 56APELLIDOS: NOMBRE: Examen Final de Electronica. Problemas. Neos 3 de septiembre de 2001 SS ‘Puntuaciéns + . Cada problema puntila § puntos, Pata aprobar és necesario tener alguna parte correctemente contestada de atabos problemas. En el primer problema cuando se pida realizar un cAlculo’es necésario expresar tanto el valor mimerico como las unidedes correspondientes. El aprobado esté en 5 puntos. Entze 4 y 5 puntos, compensaré con la parte de teoria. 1. Blextremo z = 0 de una barra semi-infinite de Si uniformemente dopado con Np = 10%/cm? se ilumina de forma continuads, de modo qua se crea en dicho ‘extromo.un exceso de huecos Apa(0) = 10!°/em®, Ta longitud de onda de la flumi- nacién es tal que 1a luz no penetra al intetior de Ie barra (x >.0). Suponer que la barra esté a temperatura ambiente y que Z = 0 en ja barra iluminada. xed Keo (2) Caleular Ap, (2) y Anga(z) y razonar ia solucién obtenida. (b) Deducr lad expresiones de los euasiniveles de Fermi Fy y Fy en la barra ilumi- nada y dar sus valores en x = 0. (c) Demostrar que Fp es una funcién lineal de x en los puntos en los que se cumple que Apa(2) > po- (4) Usitizando los tesultados de los apartados anteriores, dibujar el diagrama de bandas (Be, Boy ¥ Hr, incluyendo Ep, Fy, y Fy segin sea necesario, e indican- do las sepataciones entre los diferentes niveles eiergéticos) para los siguientes El caso en que la barra esté en condiciones de equlibrio.. 4. El caso en! que la barra esté iluiminada en régimen estacionario. (c) gBxiste corriente de huecos en la barra iluminada en condiciones estacionarias? ‘Razonar la respuesta. (£) Beste corriente de electrones en la barra iluminada'en condiciones estaciona- las? Ragonar la respuesta.2. Dado él siguiente circuito: ry (=) UB que configuractén est4 cada una de las tapas del circuito?, qué tipo de acoplo se observa: entre etapas? (b) {Oual es la relacién entre las corzientes de base-de los transistores para sefial fea = tris)? : (¢) Caloular las impedancias de ‘entrada y salida del amplificador. (@) Caleular la. ganancia en tension dal amplificador. (2) Si limindsemes os condensndores de acoplosutituyéndoos por cortocicites, Leudnto variarfa la ganancia en tensién Para frecuencias intermedias? En la nueva situacién, {la ganfancia para tensidn a baja frecuencia seré mayor o menor que la ganancia en tensién para frecuencias intermedias? 32UNIVERSIDADE DE eee aac SANTIAGO DE COMPOSTELA a APELLIDOS: . NOMBRE: _ Examen de Electrénica 2 de septiembre de 2002 Puntuacién: Cada problema puntia 5 puntos. Para aprobar es necesario tener alguna parte correctamente contestada a ambos problemas. El aprobado esti en 5 puntos, Entre 4 y 5 puntos, compensard con Ia parte de teoria. Las notas saldrén el 9 de septiembre. Revisidn de exmenes 10 y 11 de septiembre de 10 a 13 horas, Se publicardn las notas tanto en el tablén de anuncios de a ampliacién como en la pagina WEB de Ja asignatura. Partimos de una unién escal§n realizada coa un erstal semiconductor de‘germinio con Na=10"7 cm y Np=10"6 cm, , siendo 1g longitud de la zona P de 0,001 em, la de Ia zona N de 0,002 emyy la seccidn de 10” em*, La permitividad para el germanio es de 1.4337 10? Elem, las movilidades de electrones y huecos son 3900 em'/(V.seg) y 1900 em?/(V.seg) respectivamente y 1, =, =107 seg. 1. Para la situacién de equilibrio, dibuja las bandas de energfa incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, Ia energia de Fermi, y la de Fermi intrinseca. Calcula Ia distancia relativa entre todos esos niveles, incluyendo la unién metalirgica. Representa ademés el campo eléctrico, densidad de carga y el voltaje. Calcul los incrementos de Jos portadores minoritarios en los bordes de las zonas de vaciamiento para los volizjes 0.3 y -0.3. Representa gréficamente la distribucién de los portadores minoritarios e indica razonadamente si se podria epiicar la hipétesis de bajo nivel de inyeccién para esas polarizaciones. 3. Caloula la relacién entre la coriemte total y las componentes de comiente de electrones y huecos en la zona de vsciamiento. Representa gréficamente como #” varfan las corrientes de electrones y huecos a lo largo de todo el dispositivo 4, Calcula la conductancia a bajas frecuencias para V4=0 voltios y V4=-1,0 voltios wProblema 2 Dado el siguiente circuito vi eel 1. Caleular el punto de polarizacién de cada transistor 2. Calcular las impedancias de entrada y salida, 3. Caleular las ganancias en tensién y corriente para seial, GRealizar los céloulos con dos eiftes significativas como maximo) Datos: Voc=6v, Ri=60KQ, Roy KQ, Rs3KQ, Ri=20KQ, Ri=1KQ, Bi=B2=100, Vaza=Varq2=0.7y, hii=60KQ, hier=10KQ, hes=230, hy2=300.fos rogeouss urastver ‘del dasfaceleve . ae Ghulor ob cautho dWkdetco “a. todo ob desfoseltve yee aulerdo - 2.2 Dthugar fas bandos dell Ranstaler -tuduyaido Qo ac, fa ey, Q viel de Foutt 4 dh de Foul FubGumco ; af cous’ fos Qrlenctns ‘jelateet ~uska fader elles om foo Lords di Sa ous de ‘vectaumoule y mm das uueounr untalileptcar « Le Se oplsautés eo atte. Aixposelevo vue. deustdin Ngg = “89 4 Vee = ASV, dds as “de wane al deo prac de Laudas wscaleiabindy --tod8 fox fasclies fara. foc uni, stlunefba de folarttact Tudte, odauds, hs. “ppates. cousfounutler de eae as 4 eins code porleder, Ba. wuasars ajrouuoda qearonaul yg auledo’, de wovtubelo de os potederer.jee Clee! 2 : dps de falas Je coda. taustsbr cm Gaile fox rufadanitos “de ahoda iy soled. 2, Gleulor tes gausuteos wor feusedn 4 covteute fare. anal (Realeas fos cieulbe con 2 char aputfeenleuas , coun wotituo) Yee = bY Ry = Riz = oo KD Rer 2326 K2 ED Ayr K-27 Ram alg RQ Be a aeKO 7 Rea =) ko DANOS = ® oe pb - Nee, = Veto a 5 loo hie, = Wes = hgen at DKACrowes Ehcheéwica : 3- Sephiale ~ 004 3) Sibicco fd ae as 0. t 0 Bios Owe? x0. T=8akK 220 ) Glalac Pate) y Mold) « “Razonax raspeestis. > Gao b voktied es Tie Y y brews bajo vied db ings 7 => |PRed Bote e xdlp V4 Be _ Po = A-€ B oe 2 f R= Gadiciones é calm . UO = Bo =O =7 ay otllp | ep [Ras Oe ° hi “Mecanenk Jake" pane Plo + BE pnt ins, & MnO s No Syb) Eipeasines: de Os Coasiniveles 4 Tons thes was X=0. Se ve ge =e am equilibria — (& -E) reer Tp > nedewe -EQURT wollen) = Kr (Be, erg (He) | sb bb OSC. krone ge: [Fe B= ba. Po = o> By caso te ts haere. ests oe] reattnde: pos ah + fa) = BI We MP srniew et) oF = wre > an i Me Ei)la) = KT- rh [ee 5, es. raaal| a a Th oa Si vale pte Ke0s (BEND) = 06% - [obs 410-07] => ~- ete =- 0004 v= €) Deuosheee ge Fela) = ArBX oe kp whe, tn los gue Pull) > Pa Axx pots: G-hme kt A[Ob5-¢ Med = KT bets GATE LE lp) = =kT{ G 06s - (45-2 de | & FW) = = Kr. O16 + 4) | 58d) © Viagecuac eee londes “9 i, Equtr & jee tel fray an gt ee ee & it, Pewee, Cominade- | €)0=-ctat el x0 [E-Rate =- 04 e) Gish comiode ck hues 3% hay afi, de heees que vom hacia Gs X positvas. Tents bay or pope acai, de os dl ob pps compe dedcice ge spate PE A hsompprsacicn be cgas f) Eade cindy dees. lomo eb MP de een SC es proilicamenite constale > Wo bay difsiom. Boo st hay taste + [tly popeia coctiente pres af compe ebitic es may pequenaRe Ve a) Guguteci Clee ipo ce Acero: Piclo ~- b) Relacish 2 fee = flee) [lus jee~ Tay = Be (Et be) Fay faye? = be bien ies (04 er) Ta isi | | ig ft GT | => bg= i Ustad Bee lt (Ut fee he = be UE Mei ia €) Tpnpedancia’ ce Exhiack: B= “Yes l= R+k (thks) her _, (the Ry -Fiee ~ Vie fap tite e Ry = Uas ea # tahs = fae + t- (td inks Johiea Ba I Va the{ 2io lee- leg => wp Ve = (RLIIR ) «Hf mt Vy = to _-— ° eg + (dt fed Pree tn (4.8) yh tbe) Ba . [tae }ehier HUH ies % SG hake 6) Sr eowinawes (os cnkuseeoas ol aceple: da gunncia a feecrencias bajas = Gana cc freien, inléernedias Ie g Ea fee inlemedias 42 ganancia ‘no vac“ él62APELLIDOS: NOMBRE:__ . a2 Teoria de Hlectrénica. Convocatoria extraordinaria. : : .21 dé enero de 2002 Nota: La ievision del examin Serd los dfas 7 y 8 de febrerd de 44 a 1. .-Puntuaciéar . ‘Responder brevémente alas siguientes preguntas. La puntuaci6n. total es de 10 puntos. El aprobado estd.en 6 puntos. Entre 4 y 55 puntos, compensard con la parte de probleinas.’ Con inénos de 4 puntos no compensa (no oe cortigen los problemas). 41, Demestrat numéricaments la verdad o falbedaid de las siguientes airma- cous sedis a ampleedor desta ener Yoo = 12 V, (a) Larecta de carga estatica pasa por las coordenadas (Jz, Vos) siguien- ~ tes: (0,12'V) ¥-(6.71.4,0). @) Para mina potenti tn In carga ol punto de ite derek dns thica Gon’ l,eje X debe estar en, 20 V. (6) Para mixime potencia ex la carga se veriice que Ry = 15 0. 2, Razonie la veidad'ofalsbdad de ls sigulontesaftmaciones: (a) Un SC dopado no uniformemente no puede estar nunca en équilibrio.(©) Bu oh SC en equlirio térmico dopa ‘con dtonios donadoies po: demos afiemar que, tempeiatura de OK la energia térmica noo fuficiente para liberar los electrones de los &toinos dadores que dara < Iugar a portadores. Meets (4) La corsiente en it SC es slempre proporcionai'a Ja conbéntracién de "portadores méviles eh (©) Bn wn 86 con igual dopado ips 1 tipo Pet nivel do Feat per - ‘manece en ¢l centro del gip a cualquier temperatura. (©) Daido el efecto, de lis impedarcias de entrada. saida sobre las ton- ones de entrada ysilida de un amplifcador de tonsicn, interesa que 4os valores de‘dihias impedancias sean lo menores que sea posible (©), Un transistor PNP con Vp5'=—2V y Von = ~BV esta en saturacion, components de'corriente presentes en esta situacion tanto de ‘ome-de-huecos: ,Cual es la componente de mayor niagnited? ‘4. Bn al siguente cireuito determinar lo valores do R1 y Ra'onsderando toe siguientes datos: Vae = 20 V, Fy = 18.75 mA, Vgci23V. len oS mA, 8 = 99, Ven Nee Vie 6415082 Sai SANTIAGO DE COMPOSTELA APELLIDOS: NOMBRE: Problemas de Electrénica 1 de septiembre de 2003 a UNIVERSIDADE DE Departamento de Eleetrénica ¢ Computacion de Compose Expt Spin Puntuacién: Cada problema vale 10 puntos. Es necesario sacar al menos 3 puntos en cada problema para que compense con el otro problema. El aprobado de esta parte esta en 10-puntos. Entre 7 y 10 puntos, compensaré con la parte de teoria, Con menos de 7 puntos no compensa (no se corrigen los problemas). Las notas saldrén el 24 de septiembre. Revisién de examenes 25 y 26 de septiembre de 10:00 a 13:00 horas. 1, Queremos estudiar las caracteristicas de una unién abrupta PN de silicio a temperatura ambiente con Na=10' cm’? y Np=5.0 10'* cm®, siendo 1a longitud de la zona P de 0,002 cm y la de la zona N de 0,002 cm y el area del contacto de 10 cm”, Las movilidades de electrones y huecos son 1360 cm?/(V.seg) y 460 cm*/(V.seg) respectivamente y 10 seg. 1. En situacién de equilibrio, calcula y representa lo siguiente: a. La anchura de todas las regiones del dispositivo. (1 punto). b, Las bandas de energia incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco, Calcula la distancia relativa entre todos esos niveles. (2 puntos). 2. Si polarizamos la zona N con 0.2 voltios respecto a la zona P, calcula y representa a. La anchura de todas las regiones del dispositivo. (1 punto) b. Las bandas de energia incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco, Calcula la distancia relativa entre todos esos niveles. (1 puntos) c. El campo eléctrico, densidad de carga y el voltaje en todo el dispositivo. (1 punto) 4. Calcula y representa las corrientes que existen a lo largo de todo el dispositivo. (2 puntos) 3. Caleula Jos incrementos de los portadores minoritarios en los bordes de las zonas de vaciamiento para los voltajes 0.3 y -0.3. Representa gréficamente la distribucién de los portadores minoritarios e indica razonadamente si se podria aplicar la hipétesis de bajo’ nivel de inyeccién para esas polarizaciones. (2 puntos). és2. Dado el circuito de la figura: i) Calcular los puntos de trabajo del transistor (Inq, log, Veg) ¥ del diodo (Ing) Tomar Ic=Iz, Vaeg= 0,7 voltios para el transistor y V,=0.7 voltios para el diodo (4 puntos) ii) Calcular el valor de la resistencia dindmica del diodo (t4), y el valor de los pardmetros hi. y he (3 puntos). iii) Deducir una expresién para la ganancia a transresistencia (A,). (3 puntos) Nota.- Suponer resistencias regiones masivas para diodo y transistor, nulas. Vee Ri Re CG R fal aaa] Ye" 10sen(wt + 0,16) mvolt Re Ry TF Datos.- Vec= 30 volt, Vpp= 5 volt, Ri= 300 KQ, R= 150 KO, Re= 9 KQ, Re=1 KQ, 6 Ri=2,2 KQ, Ro= 2 KQ, Re= 50 0, Cy= 2,2 uP, C2=3,8 uF, T= 300 K. 66UNIVERSIDADE DE Departamento de Electrénica e Computacién 15182 Sang de Composela SANTIAGO DE COMPOSTELA ome APELLIDOS: NOMBRE: Problemas de Electronica 2 de julio de 2003 Puntuacién: Cada problema vale 5 puntos. El aprobado esta en 10 puntos, Entre 7 y 10 puntos, compensari con la parte de teoria, Con menos de 7 puntos no compensa (no se corrigen los problemas), Las notas saldran el 9 de julio. Revision de exémenes 1Oy 11 de julio de 10:00 a 13:00 horas. 1. Queremos estudiar las caracteristicas de una unién abrupta PN de silicio con N,=10"* cm” y Np=5.0 10'° cm’, siendo la longitud de la zona P de 0.02 em y la de la zona N de 0.05 om y el drea del contacto de 107 cm”, Las movilidades de electrones y huecos son 1360 cm*/(V.seg) y 460 cm?/(V.seg) respectivamente y +, =r, =10~seg. 1, Ensituacién de equilibrio, calcula y representa lo siguiente: a. Laanchura de todas las regiones del dispositivo. b. Las bandas de energia incluyendo la banda de conduccién, 1a de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco. Calcula la distancia relativa entre todos esos niveles, c. Elcampo eléctrico, densidad de carga y el voltaje en todo el dispositivo, 2. Si polarizamos la zona P con 0.3 voltios respecto a la zona N, calcula y representa : a. La anchura de todas las regiones del dispositivo. b. Las bandas de energia incluyendo Ia banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco. Calcula la distancia relativa entre todos esos niveles. c. Elcampo eléctrico, densidad de carga y el voltaje en todo el dispositivo. d. Caleula y representa las corrientes que existen a lo largo de todo el dispositivo. 3 Calcula los incrementos de los portadores minoritarios en los bordes de las zonas de vaciamiento para los voltajes 0.2 y -0.2. Representa gréficamente la distribucién de los portadores minoritarios e indica razonadamente si se podria aplicar la hipétesis de bajo nivel de inyeccién para esas polarizaciones. 62. Dado el circuito de la figura: 1. Calcular los puntos de trabajo del transistor (log, Vee, Inq) y del diodo (log). Suponer Ic= Ie y Vazg= 0,7 volt para el transistor y V;= 0,7 volt para el diodo. Calcular el valor de la resistencia dindmica ra. 2. Deducir expresiones para la impedancia de entrada (Ziq) e impedancia de salida (Zou). Suponer para el diodo que la resistencia de la regidn masiva es nula (R=0), pero su resistencia dindmica (r4) no. 3. Dedueir la expresién para las ganancia a transconductancia Ay. idea Ye L0sen(ot +0,16) mvolt Tomar como datos: Vec= 10 volt, 7 = 100 KQ, Re= 700 Q, Re= 8,3 KQ, Ri= 2 KQ, Rs= 50 Q, Cy= 10 uF, Co= 15 pF, C3= 25 BF. 6?4 UNIVERSIDADE DE Departamento oer e Compa SANTIAGO DE COMPOSTELA a) APELLIDOS: ‘NOMBRE: Examen de Electrénica Teoria 13 de septiembre de 2004 Puntuacién: El examen consta de tres partes. La parte de teorfa puntia 4 puntos. Cada parte de problemas 3 puntos. Para aprobar es necesario tener correcto algim apartado‘de cada una do las partes. ‘Las notas saldrin ol dia 20 de septiembre, Revision devexdmenes 21 de septiembre de 10 a 13 horas. Se publicardn las notas tanto en el tablén de anuncios de la ampliacién como en la pagina WEB do la asignarura. i) Modelo de arrastre-difnsién. En qué consiste y para qué sirve. ii) Describe el fumcionamiento de un transistor bipolar NPN en activa inversa, indicando las tensiones y corrientes principales que aparecen. Dicha configuracién no se emplea en amplificacién de seftal; indicar por qué. iii) 4Qué es un clrouito equivalents para un dispositive? Indicar cul es su interés y deseribir el denominado hibrido-pi de ellos. Las ecuaciones empleades para modelar dichos circuitos son lineales, pero el comportamiento de los dispositivos es no lineal zCémo casan ambas cosas’? iv) Habitualmente, a 1a hora de trabajar con un dispositivo, primero lo polarizamos ;Qué significa exactamente esto?, ,qué es una red de polarizacién? Explicar en que consisten las técnicas de realimentacién y compensacién utilizadas en polarizacién.Examen DE ELECTRONICA FISicA (GRADO) 22 Mayo 2012 A) Guplicar la dopendentia cv TS de la concertracton de portadoren (4 pto) 2) Tudicr [a seapusnta cowesta pone om cqynitonduuctor: (Let) Domina la recom. sobre la quem. mamso {an conc embor de portodores ertom x dalaoio dol 6) AL tyes c) lea gpranecidn 4 le eetoml. iquaten, al potarizar el dispositive PTN abweta do S! delowgn prem - 3) Pore uma wwisn lan ae divide eomodewmuake — lon Fomma ab adispostivo (2 pres) © Lar later en eqsiibuo (ee vi Go Ein). b> Leo Londen om Ph \nverse, O° " gurecta a) Um qntuen deh voller J gunto ds Cada Lore dol f de Ge Pazonowtento « Vrevemurte eb porque da cosh, comport Ae das pom hve Und camdo >\UL) —Tenewos um Mawsistor de Ges em a cue trdon lon wuronss sen aowptar yoo pee apias la: apex. de Vadausents E@ (0) ce) Dopades wrt 3.186 side “ {Io Disngdn con ows 2a 7 a) Veg=O.7Y Vege luv Calentar oeagromue Lt Lromadan . bb) Contimtracen he Portadores mimortiarios Con gre pica ex equilbio 4 & erte caro’ 5S) Hos de wmal wo de Si Cn um dopade de 1 ow? Un ducts de Si Gon et fesor 50g 0m ba je 4 wom poerta de wate con fone. de trabaj Ons Usa & qoek 2) Esbudwe. di Bandao y densidad de conga eH a oe de olarr 3089 en la Yu esta ec dion [a reeyon rs b) Lo mismo con peer ta poladjade 0.30 reapscto Je Gustvato 4 ‘ a Qo -02V"Biss Bo Be BOdckos Gi BgteBa WAIL | Exrney DE As Mise uesfer de SL imeutfteads con ¥10 ens? de P yene cterfa canNdad do B) conaiguecende une n(sc01=10 ern? Gensiderands tontecctéy total) . Gre mreesfo unitdimerional tnfenttr de este metoual (a 200K? Se chiming da forma saree de fal forms de ote se qenemn M pares é-h por em* y seg. Le tluminanits es (6 cufttientemente ddbt Per pote, wosidera BNE. & Obkener y dbupr & evoluerdn do las concentrations portaderes . Pcadk seni su valor en osfad ertectoncio? Fost. Yeccamente su oaler, BD So se elermrtnan tos. canhos de 0-6 | obtener y dibeyar gulkemente G eroluctey da fs concentraciones de portoderes - d Se oleate’ el estnde estactorato d for qd? 2, Deser en gel constste Co aprox. de umciorntents en wre Gato PN. Ex bese co dicha aprox. rescloer © ec Posszon pora el case unrdimesionel y calealar ol @ cc ambes Wahor & unids , oblener le relaceds enhe dosed: 9 anchurn & bs regtones do sectamiente ° Descrchir é gad ocurre en los banks de enewle cuonde posames de schoctéy de eaaitlibee, polarteacedy: inverse, Drbujar eb diagmme de bonds trdende los corrcentes see Ggorecen yy meshurde ewdles son dominantes, AGM NAT YS4UNIVERSIDADE DE Departamento de lectrdnia e Computacién 15782 Santiago d Compostela SANTIAGO DE COMPOSTELA sp i Examen de Electrénica Fin de Carrera (27 de enero de 2004) Apellidos: Nombre: Puntaacién: La puntuacién total es de 10 puntos, La teoria cuenta 4 puntos y cada problema 3. i aprobado esté en 5 puntos. Entre 4 y 5 puntos se compensarén ambas partes. Las notas saldrin el 5 de febrero, Revisidn de eximenes 6 de febrero de 10 a.13 horas. Teoria 1. Dada una unién PN, deduce la expresién del potencial de contacto. 2. Si tenemos un circuito cuya salida est formada por dos diodos zener en serie, de tensiones de ruptura respectivas (Va 5,4 volt y Va"8,3 volt), calcular cual seria el valor maximo de la corriente que circula por una resistencia 1 KQ en paralelo con ambos diodos. 3, Explica el funcionamiento de un transistor NPN en activa Qué corrientes, predominantes entran en juego? ‘Modelo r, del transistor (hfbrido = ideal). Explica en que consiste, Explicar cémo se produce la amplificacién de una sefial en un transistor {Cudles son las configuraciones adecuadas para ello? Y como fuente de corriente, qcudles serfan las configuraciones més adecuadas? ae Problemas 1. Una muestra de Si de 10“ cm se impurifica uniformemente. Bl lado derecho desde x= 0 se dopa con 10" étomos de In por em*. El lado izquierdo desde x= 0 con 10" dtomos de P por em’ (Tomar x= 0 en el centro del material), Como consecuencia se forma una unién. a) Representar grificamente los valores de Np y Na‘ lo largo del dispositivo, Indicar cuél es la regién N y cuél la P. Calcular las concentraciones de electrones y huecos en las regiones masivas. +Sb) Calcular las penetraciones de la regién de vaciamiento en les lados N (%s) y P (Xp), asf como la longitad de las regiones masivas correspondientes. Representarlo gréficamente, ©) Calcular y representar gréficamente la carga total almacenada en la tegién de vaciamiento {Cuénta carga hay almacenada en el lado P? Considerar que el drea transversal del dispositivo es 1 mm”, 4) Obtener las expresiones que indican el valor del campo eléctrico en cada unto del dispositivo, Representar dicho campo gréficamente y calcular el valor maximo del campo indicando el punto donde se produce. ¢) Dibujar el diagrama de bandas del dispositive completo. Para ello se marcardn los limites de la regién de vaciamiento y las distancias entre bandas y de estas con los niveles de Fermi incluido el intrinseco, Es necesario indicar el valor numérico de las separaciones entre los diferentes niveles de energfa en las regiones masivas. 1) Indicar si existe corriente de arrastre de huecos en el punto x= X., siendo xo= 10° cm, Caleular dicha corriente, suponiendo variaciones lineales con la posicién en las bandas de cnergia. 2. Para el circuito de la figura obtener-sus pardmetros a frecuencias intermedias (ganancias en tensién y corriente e impedancias de entrada y salida)UNIVERSIDADE DE Merial eral ney SANTIAGO DE COMPOSTELA omen Examen de Electrénica Fin de Carrera (27 de enero de 2004) Nombre: Apellidos: Puntuaci6n: {La puntuacién total es de 10 puntos. La teoria cuenta 4 puntos y cada problema 3. El aprobado esté en 5 puntos, Entre 4 y 5 puntos se compensardn ambas partes. ‘Las notas saldrén el 5 de febrero. Revision de exémenes 6 de febrero de 10 a 13 horas, Teoria Dada una unidn PN, deduce la expresién del potencial de contacto. 2. Sitenemos un circuito cuya salida esta formada por dos diodos zener en serie, de tensiones de ruptura respectivas (Var 5,4 volt y Vi2"8,3 volt), caleular cual seria el valor méximo de la corriente que circula por una resistencia 1 KQ en patalelo con ambos diodos. 3, Explica el funcionamiento de un transistor NPN en activa {Qué corrientes predominantes entran en juego? 4, Modelo re del transistor (hifbrido 7 ideal). Explica en que consiste. 5, Explicar cémo se produce la amplificacién de una sefial en un transistor {Cuslles ‘son las configuraciones adecuadas para ello? Y como fuente de corriente, goudles serian las configuraciones més adecuadas? Ww| Departamento de Bletrénica © Computacién UNIVERSIDADEDE 15782 Sanngo de Compostela SANTIAGO DE COMPOSTELA at APELLIDOS: NOMBRE: Examen de Electronica Teoria 2-de julio de 2004 : Puntuacién: El examen consta de tres partes. La parte de teorfa puntin 4 puntos. Cada parte de problemas 3 puntos. Para aprobar es necesario tener comrecto algin apartado'de cada una de Jas partes, ‘Las notas saldran el dia-6 de julio, Revisién de exémenes 9 de julio de 10 a 13 horas. Se publicarén las notas tanto en el tablén de anuncios de la ampliacién como en la pigina WEB de la asignatura. i) En que consiste el modelo de Krénig-Penney y cual es su interés a la hora de estudiar el comportamiento de un dispositivo. Define banda de valencia y ‘banda de conduccién. Indicar Ia diferencia que existe entre aislante, conductor y semiconductor, ii) Describe el funcionamiento de un transistor bipolar NPN en saturacién, indicando las tensiones y corrientes principales que aparecen. Dicha configuracién no se emplea en amplificacién de sefial; indicar por qué. ii) ,Qué es un circuito equivalente para un dispositive? Indicar cual es su interés y describir al menos dos de ellos. Las ecuaciones empleadas para modelar dichos circuitos son lineales, pero el comportamiento de los dispositivos es no lineal ,Cémo casan ambas cosas’? iv) Habitualmente, a Ia hora dé caracterizar el comportamiento de un amplificador para sefial, calculamos las ganancias en tensiGn y/o corriente y Jas impedancias de entrada y salida , Qué interés tiene esto? 5AUNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA Departamento de Blectrénica ¢ Computacién 1ST Saniag de Congotla Espa Spi) APELLIDOS NOMBRE Examen de Electrénica Problema de semiconductores 2. de julio de 2004 ‘Tenemos un transistor de GaAs PNP unidimensional, con las siguientes caracteristicas: E@) BN) CW) Dopado (cm) 2,0 10% 5,0 10 10" Dimensi6n X (cm) 10" 4,0 10" 5,0.10* La permitividad del GaAs es de 1.159 10" Ficm. Las uniones del dispositive son abruptas y es posible aplicar la aproximacién de vaciamiento. 1. Calcular la anchura de las regiones de vaciamiento y de las regiones masivas del dispositivo 2, Caleular el campo eléctrico en todo el dispositive y representarlo gréficamente 3. Dibujar las bandas del transistor incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi y el de Fermi intrinseco, asf como las distancias relativas entre todas ellas en los bordes de la zona de vaciamiento y en las uniones metaltirgicas 4. Si ponemos el dispositives en activa, indica las principales componentes de corriente en cada zona y para cada portador de manera aproximada gréficamente y el sentido de movimiento de los portadores. a\UNIVERSIDADE DE Departamento de Electrénica e Computacién 15706 Saag de Compostela SANTIAGO DE COMPOSTELA Epa Sin APELLIDOS; NOMBRE : Examen de Electronica Problemas de sistemas analdgicos 2 de julio de 2004 Problema 1. El circuito de la figura 1 representa un esquema de polarizacién frecuentemente usado ara compensar las variaciones de la corriente de base frente a la tensién base-emisor. Suponiendo conocidos Ri, Ro, Re, Re y Voc, demostrar que Ip del transistor Q, es insensible ante variaciones de Vgg. Asumir ambos transistores idénticos y despreciar ego. ¢Podrian estar Q; y/o Qo en corte? Justificar la respuesta, Préblema 2. Dado el circuito de la figura 2: a. Calcular Ve, Ve y Vo. Suponer Vaeiowj=0.7v y Rea muy grande. Voc= 10v, Ig=lmA, B=100, Re=100kQ y Ro=7.5kQ, b. Determinar las expresiones de las impedancias de entrada y salida y de la ganancia en tensién a frecuencias intermedias, Vee Fa3 UNIVERSIDADE DE Departamento de Bene ae SANTIAGO DE COMPOSTELA aa APELLIDOS: NOMBRE: Examen de Electronica Fin de Carrera (21 de enero de 2005) : Puntuacion: Cada pregunta puntia 2,5 puntos. Bl aprobado esté en 5 puntos, Enlre 4 y 5 puntos, coripensard con Ja parte de problemas. ‘Las nolas saldrén el 24 de enero, Revisién de exdmenes 26 de enero de 10.13 horas. Teoria i) Describe el funcionamiento del diodo de unién a través de su diagrama de bandas. ii) Corviente de difusién. iii) Fenémenos de generacién-recombinacién. iv) Modelo de Bbers-MGll del transistor bipolar. eSCre. 18% ® Wuicu PN A Mus £360 os 4 Pye 460 comfy s2y O'Dea O'S om Tyetys 2d° seq. es ehailc \o Sm RoC Na+ Ye) a Wy, SD es Aye we Q'ie.) £7818 on? i i Wag Ah Rng Soyo . Vers EEA ( me), dots (Sis) 06F a 4 er)? CEES _< Us, . | id Ne ; —= Polaris? . PME i)YB ante, Tempredne 200%. a ' 2(K)s VZV bs Seyovewes we deqenaccly nm , n Neu 8286. to 700 (ag) = 2 + io % 19 _3 Nv s4'8286 10!° 208. o'ga 7 199 es (Ep-€ m ae: ae eee (52) We Ne. No ic Cr Edn 0026, Q,( S10 J=- 022 eN/ mee (sa (€u-€e) her _ , Pe Nvie + Gi- Eps ET. Mal F weep pte Gee _- Gy Ee =o Qa lo _~-0 Sel v el, = Ooze. (ey) O 195set een ceeeu | ten “(£)= Os Ve 2 q nF esDoms Maate, Beeb G vole -9, Noe ECs)s A (nervy) Pea 7} ~%~S xed a (xex) ; OF * Eu . + Cue (0) 22 6234 nae Vin yw Ge 232 Wow (-9, Nae ~ xpEx EO D math Ke Conger a p= . wo: en F 4 BOLD Sond eee 26,0 Sut Nathye Sw oae)* Mtn e ny]? awe ne. Wa EP) 7 DERE wy 3Cala Narn e ae O3 valkeos veryedre . N, 4) Xue | 2e lesa) Wa 2'S4\osom, t Ny (Mothy) -S Xpe He xbe 2g. om, —— — 0 ONAIEAX; =0 » DONE, WY) Bary o vady be cmnyien, gt : 62 of : : \-4he: (nant es ©) Comps Mewes, EO.) e i ie ; Gea. “EYP (xh-x) : OLn cx! ai Erie (0)s19 328 We e?~~ E xsd Denwded de Cone : p> 4. Na r gq. No Do xox, ey ; ge Fhe Sue - ¥P =e ry xu! RL $610 Yu? PA (xexty © Vedic: Boo.) ee Ot) ; Pe (Vei-V4) SP xp-x) 7 OF A vine 8) CRS > stip tose whe Res comderthen, oy De de D 48h /icy. ae +h Penne DE tal ye ~ : -% A 2 ay jest A i CR a 2 loee , 2260 = BS'36 ee cm Tal-ry)e 4 DQnez ET, t Fr Lwefoyal = sane & Seyemuer Wo Reevliwan a 2.0 €.Te (nal. 9.8. De. - (aa: a) <8 ty =2'S9.46%, areata Op: ET vq Pee Ww 46 ha 3.7 Ten ’ . Lo! o2 ~O2 . Rows ry La fes | Ved Aico Dp (nt Jung .Aes u Ay (ater. (e + Mer , jo , Nig jdt abc iygeott Wor wets? T a : . Fo ” A - Vad 2.5 & | Aw WOH) = y (et!der yo , mp Oss Blo ws Upc0te diate saycedi. “13 Ut : r See pods atin WBN pes Nad 4 M0, BEM a0Electrénica 2° Examen Parcial 8 de Junio de 2006 NOMBRE Y APELLIDOS 1. Dado un amplificador de audio modelado mediante Rig=50kQ y Rou=0.50 {Qué valor se requiere de la ganancia Ay en circuito abierto, para lograr una potencia de salida de 25W cuando vs=0.001seni2000nt? ,Cudl es la ganancia en corriente Golis)? DATOS: Rs=5kQ, Ri=8Q. OP fs 1p ap glo *Vor NOTA: Amplitud | 2. Qué es la aproximacion de pequefia sefial? 3. {Qué es la aproximacién de polo dominante? {Cudles son sus consecuencias? ip 4 Detenninar Ia resistencia de entzads, la resistencia de sada y Ja ganancis en tensién (Av=Volvs) a frecuencias intermedias del siguiente amplificador = Vee. DATOS: Rs=330Q, Rp=100kQ, Ro=10kO, Re=16kQ, Ri=220kQ, Voc=Ver~5V, B65 y Vaeg~0.7V . Los condensadores pueden considerarse cortocireuitos a frecuencias intermedias. alAvg 5+ Bn figura siguiente se muestra un circuito que proporciona una tensién de salida Vo cuyo valor puede variarse mediante el potenciémetro P. Hallar el rango de variacién de Vo, si P=100kQ y R=20kQ. +15v R R -liv 6. Disefiar un circuito que presente la siguiente funcién de transferencia. Para ello se dispone de una fuente de alimentacién de 12V, un amplificador operacional (ideal) y resistencias. ,Qué tipo de circuito es? ,Cudl serd la tensién de salida si aa entrada se le aplica una senoidal de amplitud SV? ‘Vo FAV penne a 3v 6Vv Vi arERSIEK 2 © Craiderernes cn orn plefrea dar opede roe mrodilode medina ana, Ph le trams. eda gua presenta ane, piviaiio on bape fleewen- cdo de OL 4 etn pee en tooved., De a @ gevaniin— bo anche de bardle de saycecerle con Peqeerneschi exp bfrca iO : en mo — G1 A is) ~to2 . 2k 7 = r o ue died, 105 © wlecsconor 0 valor ce Re para gue et'fromesfer dae cercesebo dla Co Pepera safeere con Faprsada = atu Pe 3 Reakk vos ® prsse Tpateow, Dee para Te= mA. b), Re pore Vy = tS. oC) Aw. um 4) way oe ® Delemmenas be frecuncra a Co g eselard © arcecho GAG ety. GRE pan q seule 7 eee lo amplikecl da esctod. i)ayasras cw Fert ee ye | > of \ “ ( = AA Tsp o 1 a . t ‘ | +31) \ tf if 1 Pe te 8 1b womb \ —(N (e, | Lox i 8 oe es ie A a 8 eo S s aralOD Ruko de taofo Par conchae , be cercdeuspdoer semi cireecite chal —Tieessistor ) Wt & Cree Re) + Nee BY Nees Spa + ee RF a ey Nery = oF ooh. wY me Pe eel wot zee Teen % Ls eee ante P Nye? to = bier (0,24,8,3) = sas F(A) et ee EH Ret Red = aabredo Nec = Ty C8 ~Uuh + Vy => = YanYy, iongt , 3 ps =F) RyRy to kr Psa ee abr, Qe KK We Se fazerieg f J ‘ EI ®)— Tanpedornta de cxibod.. El cirastlo pam. sede| pucda Camp Asro, Qto 4 wed cores RyrRrray WANS Ageela vietpedancin de exchmde vera: Pose eb colu de & lenpedssne fe see pel dante essuhendin em: 4 es lise 4 fs pe aes i: ; te jue bor todos 80 le elle de edFnde. debe qe re? suelle & scl prede, dodLee Qeecoeced & : | oo teescendecheecla “ Nace dade per el codeche AGE> Tolle A Tewsslees del ato E14: Mee a) Dibyjer el cceewito epiudenle en pepeta seal usando eb medele de Farce leos h icleab, +) Ghole &s inypedanceas ce enfeaca y sellch . bo fe ©) Che fac & gavanca on ceviene: Ai = dé “Pera qe mage & udlous cle hb, = vaiftcarae ge iy = toe? A093=> Prcblewe de Teawssleves_ “De ~~ x Det ano obin: EC, BC, CC _S a) Ay, &, in bY! espesk. en pecwncia Para bajes pucvucias fe? “Beck ec Grdesccloe cbminan he tara — bigs 0.2 We = hp: = 0 Ae,ELECTRONICA: Boletin de Problemas I . Se conecta una fuente de sefial con una tensién eficaz en circuito abierto de V.-2mv y una resistencia intema de 50kQ, a los terminales de entrada de un amplificador que presenta una ganancia de tensién en circuito abierto de 100, una resistencia de entrada de 100k y una resistencia de salida de 40. Se conecta ademas una carga de 40 a los terminales de salida del amplificador. Caloular las ganancias en tensién Ays=Vo/V; y Av=VolVi- (Sol: Ay = 50, Avs = 33.3) . Un amplificador tiene una ganancia en tensién en circuito abierto de 100. Con una carga de 10kQ, la ganancia en tensién es sélo de 90. Calcular la resistencia de salida del amplificador. (Sol: Ro= 1,01 k2) |. Un amplificador tiene una ganancia en corriente en cortocircuito de 10. Con una carga de SOKO, la ganancia en corriente es de 8, Calcular 1a resistencia de salida del amplificador. (Sol: Ro = 200 k02) . Se dispone de un circuito amplificador conectado a una carga formada por dos resistencias idénticas (R,=10kM) y un conmutador. Determinar la impedancia de salida del circuito amplificador a. ante una determinada entrada Vip, la salida toma un valor de Vo1=3v de amplitud mientras el interruptor § esté abierto y de Veo-2v de amplitud cuando el interruptor esta cerrado. . ante la misma entrada Via, la salida toma un valor V, constante, independientemente del estado del conmutador. ,Cudnto vale V.? +0 Oo + Ve A | xe nd™ oo . Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes caracteristicas: a. Ayoi=10, Ru=1kQ, Rey=1000 b. Ayea=20, Ra=2kA, Reo=2000 ©. Ayes730, Ra=3kQ, Res=3000 Caleular los parémetros del modelo simplificado de! amplificador resultante de cconectar en cascada las tres etapas en el orden a-b-c. (Gol: Ayo=5357, Rr=1kQ, Ro=3000) 1. Repetir el ejercicio anterior, considerando el orden c-b-a. (Sol: Ayo=4348, Rj=3KQ, Ry=1002) Acs7. Se dispone de etapas de amplificacién con las siguientes caracteristicas: Ay.=10, Re1kQ, R,=1000. La fuente de sefial presenta una tensién en circuito abierto de 10mv ms, y una corriente en cortocircuito de SA rms. Se precisa suministrar una sefial amplificada de al menos 10v rms a una carga de 100Q. Disefiar un amplificador en cascada utilizando el menor mimero posible de etapas ;Cudl es latensién de salida resultante? 8. Se dispone de etapas de amplificacién con las siguientes caracteristicas: a. Btapa A: Ayor=1, Riy=10MQ, Roi=4kQ b. Etapa B: Aya=5, Ro=1kQ, Roz=10. ©. Btapa C: Aygs™10, Rs=20KQ, La fuente de sefial presenta una tensién en circuito abierto de 20my rms, y una resistencia intema de 2M©. La carga es una resistencia de 200. Disefiar un amplificador en cascada utilizando el menor niimero posible de etapas, y que proporcione al menos 1W a la carga. {Cudles son los valores de resistencia de entrada, resistencia de salida y ganancia en tensién en circuito abierto del amplificador resultante? 9. _Repetir el problema suponiendo una resistencia interna de la fuente de 1000. 10, Encontrar los equivalentes de Thevenin y Norton respecto a los terminales A y B. Ry R34 Re Ry B R, Rha e ep Re = Rt MIR RR, +RR,+RR, +RIR) 11. Encontrar los equivalentes de Thevenin y Norton respecto a los terminales A y B. ¥,-IpR R+@tng, Rg = Ry +(B+DR,) A0612, Para el circuito de la figura siguiente, encontrar la tensién y corriente en Ry. WY Ry Le R3 WW Sn T RS R A Re nee orn [sents es alg RAR RR RO 13, Para el circuito de la figura, encontrar las impedancias de entrada y salida (Rs es a impedancia de fuente y Ri, la carga). Vs Ry+R Buk, +1 (Sol: Ry, = 14, Resolver el circuito de la figura siguiente hallando Vee y Ic, si Vae=0.7v y (a) B50, (b) B=250. Rp Re = 1k a Voc 200k| ie, (Sol: (a) Ic=3.575mA, Vog=11.43¥; (b) Io=14.8mA, Vee=0.2v) Ao®15, Resolver el circuito de la figura siguiente hallando Vee y Ic, si Vsc=0.7¥ y (a) B30, (b) B=150. +20V im| tok| (Sol: (a) Ie=0.965mA, Vex=-10.35v; (b) Ic=1.98mA, Vee=-0.2¥) 16. Para el esquema de polarizacién de la figura, a, determinar Inq, Icy Verg. (Datos: Re=240kQ2, Re=2.2k0, Vps=Voc=12v, Vag=0.7v, B=50. b. _Repetir el ejercicio considerando B=100 (Sol: (a) Lpg=47.08u4, Iog=2.35mA ,Vero=6.83y, (b) Iag=47.084, Ico=4.71mA ,Veag=1.64¥) A0817. Para el esquema de polarizacién de la figura, a determinar Inq, Iogy Veeq- Datos: Rg=430k0, Rco=2kQ, Re=1k0, Vaa=Voc=20v, Vaeq=0.7¥, B=50. b. Repetir el ejercicio considerando B=100 (Sol: (@) [ng=40.01pA, feq=2.01mA ,Veeq=13.97v, (b) Io Jeq=3.63mA ,Vceq=9.11¥) 18. Considérese de nuevo el esquema polarizador del problema anterior. Se necesita un valor de Ico comprendido entre un minimo de 4mA y SmA. Suponiendo que B oscila entre 100 y 300 determinar valores para Rr y Rp. Se desea ademas que Rp tenga el valor més grande posible cumpliendo las otras restricciones. DATOS: Vec=15v, Vaa=5v, Ro=1kQ, Vaeq=0.7¥. (Sol: Ry = 31,5kQy Re= 753Q) 19, Se tiene un amplificador de ganancia en tensién Av=100, caracterizado por la reota de carga de la figura Si se introduce una sefial periédica a la entrada con 50 my de amplitud, cual seré la amplitud de la sefial de salida? Ie SmA Fey bee Q(6v, 2mA) lv Vee AZ20. Para el amplificador de la figura, Hallar Ay, Ai, Zin ¥ Zo a frecuencias intermedias, Si v(Q}=sen(ot) my, hallar una expresién de vo(t). Repetir el apartado (a) considerando B=300. Repetir el apartado (a) com la resistencia Re dividida en Re=1002.y Rex=9002, con el condensador de desacoplo en paralelo con Res. (B=100), Bose (Sol: (a) 4 (©) Ay=-109, A, Lig=2.5440y Z, 21. Para el circuito siguiente, a. calcular las ganancias en tensién y corriente asi como las impedancias de entrada y salida a frecuencias intermedia. b, Repetir el apartado (a) considerando B=300. (Sol: (a) Ay=0.991, A;=36.2, Zin=36.5KQy Zy=46.6; (8) Ay=0.991, A;=39.7, ). LKQ. y Z5=33.2Q) Mo22. Determinar Jeg y Veeg para la red de polarizacién de la figura, DATOS: Ra=250kQ, Re=4.7kQ, Re=1,2kQ, Vec=10v, Vaeg=0.7v, B=90 Veco R (Sol: Ieg=I.07mA, Veeq=3.699) 23. Deducir las expresiones de la ganaticia en tensién, impedancia de entrada ¢ impedancia de salida a frecuencias intermedias para el circuito amplificador de la figura. Wee dad24, Caleular el valor de Vezo para el circuito de la figura siguiente. Hallar una expresién para la impedancia de salida de pequefia sefial en términos de B, ts, Ri y Ry, Caleular Z, numéricamente, DATOS: Veo=15v, Inc=5mA, Ri=6.3kQ, R2=7002, Vacq=0.7¥, B=100. (Sol: Veogg =7.25v, Z, ° (B41) 25. Determinar las ganancia en tensién y las impedancias de entrada y salida del siguiente circuito a frecuencias intermedias, DATOS: Voc=12v, Ro=3kQ, Rey=120K®, Rr2=68KQ Vaeg~0.7v, B=140, Los condensadores se comportan como cortocircuitos a frecuencias intermedias, 89.3, Z=1.38KQ, Z>=2.89kQ) AAD26, Para el circuito de la figura, obtener las expresiones de sus pardmetros a frecuencias intermedias (genancias en tensién y corriente, impedancias de entrada y salida) 27. Dado el circuito de la figura, a. calcular Vp, Vey Vc. Suponer Vaeion0.7V y Rez muy grande. Voc™ 10v, Ip=ImA, B=100, Ry=100KQ y Re=7. b, Determinar las expresiones de las impedancias de entrada y salida y de Ja ganancia en tensién a frecuencias intermedias AAS28. Dado el circuito siguiente, donde R=1kO, (a) Hallar el valor de C para que la frecuencia de corte sea 20 Hz. (b) Repetir el ejercicio suponiendo R=1009. (Sol: (a) 7.96uF, (b) 79.6.) 29. Obtener los diagramas de Bode de magnitud y de fase para la funcién de transferencia de tensién de cada uno de los circuitos siguientes. « AM30, (a) Hallar las frecuencias de corte del amplificador de la figura. ,Si queremos reducir la frecuencia de corte a bajas del amplificador, qué condensador es mas importante? (b) Determinar nuevos valores para los condensadores de tal manera que la frecuencia de corte a bajas sea inferior a 20Hz, oy Ouse (Sol: (a) fir=0.8 He, fy53.1Hs, fy 15.9kHlz (b) C1-0.12 UR, Cz=8 HF, Cs=23884F ) 31. Sea un amplificador en emisor comin como el de la figura, donde Ro=39kQ, Ri47kQ, R=68KQ, Re=5OKQ, Ry=5OKA, Re=60kQ, C=Ca-Ce=2uF, Sn~4.72mA/v, 1,=21.1kO. La frecuencia de corte a bajas deberia ser de SOHz. ¢Satisface este amplificador la especificacién? Si la respuesta es no, redisefiar el Circuito para cumplir con dicha especificacién. AS32. Para el circuito de la figura, (a) obtener el punto de polarizacién considerando Rer=0 (B=225). eent5v Vogmt8 Considerando los pardmetros del circuito equivalente del transistor indicados en la siguiente figura, (b) determinar los parimetros a frecuencias intermedias y frecuencias de corte a altas y a bajas. Gy FR 1965 pt 0,385 v6 AGExamen de Electrénica 26 de junio de 2008 APELLIDOS NOMBRE. Puntuaci © Cada seccién de problemas puntia 10 puntos. Para aprobar es necesario tener alguna parte correctamente contestada de ambas secciones (minimo 3 puntos) © Elaprobado esté en 10 puntos, Entre 7 y 10 puntos compensard con la parte de ‘eoria. SECCION DE PROBLEMAS 2 1. Sea un amplificador en Emisor Comin como el de la figura, donde Ri =47 KQ, Ro = 68 KO, Re = 50 KO, Ry = 50 KQ, Rs = 60 KO, Cy =2 UE, om mAW y t= 21.1 KQ. La frecuencia de corte a bajas deberia Aa2. Obtener la amplitud de oscilacién del oscilador de la figura. Considerar diodos ideales (Vee,en)= 0,7 V) y que se cumplen las condiciones de oscilacién, “ye 5KQ D, BS Pt Sika Ms, Rye SKQ -15V=-Vq SECCION DE PROBLEMAS 1 1. Queremos estudiar las caractristgas de una alta -gbrupta PN de silicio a temperatura ambiente con Na=10"* cm™ y Np=5.0 10’ cm’, siendo Ja longitud de la zona P de 0,002 om y la de la zona N de 0.002 em y el érea del contacto de 10” em ‘Las movilidades de electrones y huecos son 1360 cm’/(V.seg) y 460 cm7/(V:: seg) respectivamente y *» = Fn =10~* a. En situacién de equilibrio, calcula y representa lo siguiente: a. Laanchura de todas las regiones del dispositivo. (1 punto). b. Las bandas de energia incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi, y'el de Fermi intrinseco. Calcula la distancia relativa entre todos esos niveles. (3 puntos). b. Si polarizamos la zona N con 0.2 voltios respecto a la zona P, calcula y representa : a. Laanchura de todas las regiones del dispositivo. (1 punto) b. Las bandas de energla incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco, Calcula la distancia telativa entre todos esos niveles. (1.5 puntos) ©. El campo eléctrico, densidad de carga y el voltaje en todo el dispositivo. 2.5 punto) 4. Caleula la concentracién de portadores minoritarios en todas las zonas. (2 puntos) ABBYANEN DE ERECTRIN ICA. Le SuWio 18ST SOWUCIONES , SECCICN DE PROBIEHAS 4. (REG Viper), 4. Union obrupts de Si. Nae 4ocucd | Nes Toa? : Lelgp> sfooa cm = logn. Soyo reu®, — pias 4360 ee"/(Vi8m) 7, pps doom Kur) pt the ws. ait) Pen caller Ie andre de be magioves ca Le emehnre da k tun da vociomiadto + We ¢ ley valores da ks y G bs samme, cal Parmulario Yi= KT I MMP + nit nuit Ee amdure Wexptii. St aphicime bk as. de ential ad inf (St Te300 te) = 48 so!P cm, dal campo € ee KF0-=) pha = Xn Np. Vbiz 0'st2V =D fg fom yee atau) Wea's407em, dapdo He PL Naru 5 (Ei-G)p =] 0!20se/] ~Ev)p'= (Ei-Evp- (E-Fe)e 5 (Gj (Ee Rv)a'= (Ei-Bily -(Ei-Ee 5 (Gi-By)p = ES Bern mt = o's (G-B)p= B2st el. aoe oe EEE) [KT CREE eet ys. eT Aw Sp = SC dopale hip N Nb oui => (Eni )y=|02F7 ef (Ec~te)y > ER - (Fe-Bi)y = Ee ~ 01582-01297 Raprestritonns —5edPleameute: a oo Bre wasva NS NENe = obateV. qubisolsae, — Ademds el SX es Wo ~dagnemdo ox hts puto “al cumpline + (Ee~Bp)y> 3kTsola rey, 4g Ge-Ev)p ) 3KT. watbd) Metema um vollaje de palarizaus Us ola V Cpolerinadcs inverse, : con wads feusidy cn le PRN gee ee BP dal disdo), Ves Vbi-Vq = Veltaje eu fe pus da wadamieh alera : Aumeuts ef esculsy do k berer de poleuiod eu le puc do raeumianty fox respech al quibbric. Gweumuis eo Bo omduvan : We SE Ci tae = yl = 2'3-10 tom, + ‘wh 02 a repstivo, Aplicada de nuovo [a ec.de onfinuidnd : vp! Xqz Ato tem is GoTo] — obrews gua vp! > 1 Aamerts Won mgede aQ quilts, Gad Bapreseate : zoe Pome, wsoie. 2 fee ieny “Orie a SZ Woond Xp ves xy DeotEa et oi " Bil) la distance relabve eube vives ou aie wasivas im la onbiads com respects al aguilibrio, dade iva al efachs del goleseacist gvle ofack, ak Fone Bk vatlomiute, Gn exh le caproacheid, me suade: ©|7-h = 0 ol Aprciawes el aumento de la barrere de ptencial al paleriter om inverse, Bi) Deusided de cage: ° Si xemp ME, &) =, -gNq si -Xpeeee MB, P gh si ockch Nba 0 si Muek Mot nw, Be 9 (pee i)| apowinaiss da vaciamieute 2 ke regis da wacdaweuite , oo) AzoCarpe eléckieo = Jo. ebleneues apiicemde la eunaciss de Poisson (Coy da Gauss eldebice). [Ese fen yeas waiver. dee) _ Iss ark . serail dee Ge) Jorg de vademieuto B: D Es » [te - a Je Ke 1 ° =» | €o)= ~ee Cxtep!) P Jona da vaamiento N; dG) ghd 4 |* re, a6). gh ales 3h ay € Ki ~ = N 1 ~E6) = pew -¥) => ]@= ge Coxe! x _Repeereutto: &) é 7 7 x ‘€¢0) Vebhage = obluge eas el gradiorte dal comp -eluchice ja) hetore esl. da Gd comps contervativa . VG) so ex fe uc mative, 2, VG) Voi Va oe fe uc mania AT, (Vqe~02V) Eq) BVO) 5 tome dame? [Peg = x = SO 5 [evs = PRE emo = |VvG)= gNA. = =H ee (x4x!) Wi-Va Fon, Oa vor, N: ia! dv) = ~ gto ext Jes ) ke J (2K) dK =D Payee ¢ Jobleage: [Very = (Wei-Va). = 98> Oromely® . 2G oAb.iv) Gneentracisy da paitaderes minoritarias : = les enpetomes caftulasnds an fo batday de ken busy da. vatiomierio : em eel boda dak tc B, (re wale por son mineritavrioa) , «Fa EL)/KT saci tor X>~%p: hpe nie > Wsinari toriog . Pe nie CEPT 5 mmgaritenos , Ssbewos gua, RiP = gle. , Mules ppp ni® TA /AT 2 ite HAIKT. Alea : sebewor gut Pps Prt Ap 2 pp D Apec po. Cope te} ingesisie) hpe Wpt Aw Jem sirarict de epuilibeio ve me ump le ey oe acid da Wases : a Pepe nit. @ Ye) 17 | ex Rbvde Pompe Bene Dyeing oT Ey eee erat 7 HE bert Be o> valet Arrclogewmmeute. on % four da vaciauuieuto Ns [Pu® Pro © 1 at pe a g pet nhisd Vas-0R¥. KT W aba VV. Suskhpe y eeuste, = Glealemas a confinuarise la cucuhacic da usmsihria en bt duos j rmasivas. Pare ello cesluen’ In ec, de diPusity do gorhachees uiverttaries 4 dichas Zonas, Hipstesis | re — Ne iluminase ; GLee = Bop nial de ingeceife : Ba, Ap ce Mo RUS muane a duiAp ec ps “ “ 2. ow Gnauhaus estacomsia, 2 = Bee ER Oblengs 1 Bre mayiva BP: pe Ae _ Duy cre TH Bas mas : *. ws masivea Np Dp Ape pe Ec. hawogéner, diPireuie® (ne Lo aplnue Prrealva a hha: Anp () = A etl endo ln = Bote dpa) = ciety pole Gs Vopr Gadiciones de critorna ; oT 48. DupGwp) = -npot Upexp) = up (eHA/KT_ 4) 25. Aplin) = pultalapuo= pas (eMA/KT 1) 3. Aup(—) =0 fs nnatatinnas 1 bs acand, gal He dipeitn 4S, Ap. (2) zo cu e@ crenile us re ven afar pe Ge Wide Recowbinarioe £48 ex orcs Buns. GWuB cy Du g Dp: ie a = ea COalasiones da Tnstein) | " P Are.Suskhge S380 = A ol gel o> Bee Boe cetPe det > | A= no ce8lWkT_4) oP ily aS pe (27 5T_4) = act 2 ; a po (OMAT-4) = DOM PD pao Ce HWE) 0 HIP Y Ga dishibucide me queda + = eWalict yy SCR) Com) Spa &) = puro ( mp6) = Ups ( pat prot Fale) g Mp tot Dupo) = El ellen de les concubationes ex h tue de vadatuiaute es bastante covaple jo (dude si real Hore pos pete de las expresiones alfmakvas do la euceulrauiss de pottadsres eu ecios Ga @s bandas de oreigia. ier t pa nie Sh) 47 yg & conkmuados ePRIKT 4) et (xs) nani ceaseribit. las ewrationes ex isa ca | poteucial « ae n&) = nj Gr BW (KT ni ce Fo Eien 4 EI E10) Kr etn Fie) ) kT ef B tel ELK) [KT we Ela) Er) = — 9 (Vbi-VA Vx) Deupshradon ew fear’. = q{ Vbi-Va-Voe) Gab per AW me ie JIKT Cae xe 0) cen Ved)= BAEC nth la dewshradist 25 uclOge que bers ot fe uc da vac. Shugo; pods pre MAT ( #ocxen) c i. Ni ~ Gn V@)= Vii=a = EMP xml) Ppt considury sie Serday de mae y loves uuativar). —_—=. a a Ae Reprerto; ( oe | qalkr) Fier ee & colds. op bere a eacal pa sinh | gue! pa Gad > nplxp) mnie alwe NSN. U[ Ber mete ediair pa hac alt onfe ems), TTSECRIGN DE PROBLEMAS 2 4, Nex piden caller Pauenis da cone o bajas fieuerias dal ompifi'ce ~ br en cureshidy, Debeuss da hater el erdio cal urcuity PMS pape seal, ect vomgo da baja Prwedas, Tk ele redo: ~ (os Prater ‘de tonics y worried whperdieder on conkue son muds das ( Grbunuite Vee). — Las copacidader de acopls y paso sen relevanter 3g debe derarlen ex 4 jee uate. Trotere” loy condeusaderer amo elements pasives Con ee ke Inepedaunin, Nos gua el craxto: Re 6B =o Gn Ra= RB Il Ra P= gm 400. Re Ublitareuuss el mihede aller Fg. 4 de hs corstautes dy heupe en crticinuite gare Me ep at FL Crecardnaiay gue es tn md bile ist CRio da Be cortiade Pr Re | thse. (we fy.) Geir | = — Hage le waisms an Cp, BREA Obkuge: — Shai De nuevo vero Rage Ha|Re+R| = akQ ibzo, Gey ~ pens 5 Fy. 3 Ausce Cee eh corbcreuite , vs amutads . te muavs seahihyo Ce pert. Pluie VE cbkuge el cirenith : Pp} Alara uo re anut ib prye ve oped a & vous px G fe rommure tb. Cpredo cftutir Ve , comin te ile de potewio® oabre By Nees Prsoude por A). ue i ~ibfrns (Reith) ] 5 Aplico fa leg de mutes eu A foe it ie = i+ (pes)ib ; @ Ves bee Re (faseub por Re) Iyualo cafdas de gstoucinl enke By eee © @ ves ~iefnre(nalien)] Cosenee jee ~ib | A iets) ] ais 8 [Ss G07 Re Re Re = Der + CRBURs) J RE E98 Tar + (Bol Rs) 4 Re(at) = BSN OQ, Value a kk express @ da le pip. auakrioe : ~ —4 4 4 we yet yy Fete aa * en = Ww a Pie = = [203'4? He] Goma vemos fy > SoH, gua seria ke Pr qua quamamos. Aci 1. fa ce tS Hepa = guaenseigen mass fe me de z= We come mes, May goa re alge er el dieutte pe cnvcgu le weds Poul es cambiar las capacidades de las qnderesscores, Fijdreuss guar f= = 4263'S vod /e 4 = He. =o! =201! a 4 Ae fez olsrte 4 pr20thy Ce es cReramente el conbeusadiy chininacte wel pra inlay moa on el Gr de Pe x ewelancks da bance che copa : Pete Fae. Gmbianos la cqpacidad Ce, impuicudo la cordieiste: 2 PETE gia: ofa Rees fs we. @:—+ . 4. = sapdgSh = Tet a 6 re ee ae Pepe] B&B2. Felamer ave un osiladss sinussidal en puerte de Wen, cn Umitader, Vewios qua la eulad. pasihie del amp. op. este refimertad. con un Cato RC J eso pee de fe eae ragative dude pode, relaiousy To Or UR. Da AsV. Ciecuite: : Vpefony = oF V. Qua se Gempley bas endivows de auifacisa Geter. dade jee exile ome aes , pe KH wre = : -4 Proweis fpr & oul Ay) = 4, eu = oh. En Ie pecebien es diplu® curauir gre didko produc sen exrdomoule le enideck. Se exoge Av(fo)- BQ) 24 y se aFiada um Ciuitader ( en esk care los Aion Dy g Dy hacax ook Pit) pre fun fe via® cle sadide Uo creses intefiniclamente x feusaune, disfogivi, . Gu fo wud Uo excibaca” cube do, vabsres Soule. Y Uda. doekor pr les caidas de feusiou en be inde Sassitede, Arbo de uods | ster pe Ayre = 3S Vat eS. Glen de Cowie. —E| instate ax el pa Coes adie ox jsh instante 4 ef fee R diode Dy empieic a onducir, (pach Umite de Da), Fijemous gue Dy eaker’ cartado (vo pate oor mals fous on A pro an , si AS ho Cuppa? Couche > Couck nperioues uais > Cea, ) ; th Unite De: Gg-vg eye, 9 Yb- asics Vy zoe. @ (50 DS igecig =p Cou Ue _ Watire"* Rr RE Tes Rae OT Fale ay, = Sesaaie ae : 6 Suh LS pe®: . ~ Buide = 3) 9 feukzey Aweal instate au al pra Oo es mitimo on ( paste Gmite de Dy), Dr eshed Ghuke da & Ardbgamente, ex el sun al dicdo Dy ewpitia c cnduir certads (re pode cone mats deusiot on B que en A). Pardo mite Dy: ye = Ve 9 Gaui _ ye = of V- ® foto > dgysin 3 Vee -Vowin © R3 Ry 4 ASG Vou oe Row S40’ jE OT Suskhys ox @ fi velar de ve Corin 2 [Ge mies ~sie Ve Go asdla exke Eel Y welidos de On pico, Ob yeh wistgo, In apt de oceitads pla a pitot opp = A's v. = + A2eABExamen de Electronica 26 de junio de 2008 (Las notas se publicaran el dia 4 de julio) APELLIDOS NOMBRE, Puntuacion: © Cada pregunta tiene una tinica respuesta posible. © Cada pregunta acertada cuenta 1 punto. Cada pregunta fallada resta 0,5 puntos. Las no contestadas no restan nada. © El aprobado esta en 10 puntos. Entre 7 y 10 puntos compensard con la parte de problemas. Con menos de 7 puntos no compensa (no se corrigen los problemas). 1. Un elemento semiconductor es més activo épticamente: a) Cuanto mayor sea.el ancho del gap b) Cuanto mas dopado tipo N esté ‘Ninguna de las anteriores 2. Si tenemos un material para el cual la banda de valencia esté totalmente lena a O°*K se trata de: a) Un semiconductor b) Unaislante Las respuestas a y b son correctas 3. Indicar cual de las siguientes cuestiones es cierta: @ En un semiconductor, el aumento del dopado puede provocar degeneracién }) En un semiconductor el descenso de Ja temperatura puede provocar degeneracién ¢) Ninguna de las anteriores 4, Enel caso de los cuasiniveles de Fermi de electrones y huecos tenemos: Los cuasiniveles dé Fermi de electrones y huecos, y el nivel de Fermi ‘son constantes ¢ iguales entre s{ en condiciones de equilibrio b) Siempre se cumple que #= FOF m ©) Se utilizan para calcular con més precisién la concentracién de electrones y huecos 5. Enun semiconductor la conduccién eléctrica es mayor a) A bajas temperaturas d) A temperaturas intermedias © Aaltas temperaturas Aw6. Enun semiconductor: a) Domina 1a recombinacién sobre la generacién cuando las concentraciones de portadores estén por debajo del equilibrio b) Domina la generacién frente a la recombinacién cuando las concentraciones de portadores estén por encima del equilibrio © Ninguna de las anteriores 7. La movilidad para un semiconductor extrinseco: a) Depende s6lo del tipo de material Depende sélo del dopado, temperatura , del material Es siempre menor para los electrones 8. En una union PN, el ancho de la regién de vaciamiento a) Se incrementa con el dopado Se incrementa con el potencial gheimoS CG) Ninguna de las anteriores 9. Para un semiconductor a temperatura ambiente la corriente neta es debida a: a) El flujo de electrones en la banda de conduceién 'b) EI flujo de huecos en la banda de valencia © La influencia de efectos extemos 10. En un transistor MOS de canal largo tipo N: a) Los electrones fluyen a través del canal de fuente a drenador, pero si se cumple que VD> VDsat el canal se estrangula y la corriente se anula, Los electrones fluyen a través del canal de fuente a drenador, pero si se cumple que VD > VDsat el canal se estrangula y la corriente se hace constante. ©) Los electrones fluyen a través del canal de fuente a drenador y en los transistores de canal largo munca se produce estrangulamiento de canal. 11, Un amplificador que presente las siguientes caracteristicas: “Impedancia de entrada muy superior a Ia resistencia de fuente y resistencia de salida muy superior a la resistencia de carga”, lo podré modelar como: a) Amplificador de corriente. b) Amplificador de tensién. © Amplificador a transconductancia. 12, Se dispone de un circuito amplificador conectado a una carga formada por dos resistencias idénticas (Rr = 10 KQ) y un conmutador, Ante una entrada Vin A3015. El método de las constantes de tiempo en circuito abierto permite obtener de forma exacta: a) La frecuencia de corte a altas del amplificador. @ El coeficiente del témino en s del denominador de la funcién de transferencia a altas frecuencias del amplificador. ©) El coeficiente del término en s del denominador de la funcién de transferencia a bajas frecuencias del amplificador. 16. {Cual de las siguientes frases es correcta? a) Un margen de fase de 45 ° es el limite aceptable para que un sistema realimentado no presente oscilaciones amortiguadas significativas en la respuesta temporal. b) Un sistema realimentado con un margen de fase de 90° presenta oscilaciones amortiguadas poco significativas en la respuesta ‘temporal. ©) Un sistema realimentado con un margen de fase inferior a 45° es inestable. 17. Si un circuito tiene la funcién de transferencia mostrada en el dibujo, gcudl serd si salida, si la entrada es de la forma dada por la siguiente expresién, siendo fu frecuencia y la tensién expresada en voltios? V, =4,5+1sin(297) a) Una sefial cuadra de la misma frecuencia que la entrada. b) Una sefial senoidal de la misma frecuencia que la seiial de entrada. © Unnivel de continua de 0 6 12 voltis, independiente de la sefial de entrada. ABAconstante, la salida toma un valor Vo también constante, independiente de la posicién del conmutador. {Cudnto vale su impedancia de salida? + + Vin AY Vo a) Infinito. Cero. ©) 5k. 13. Considerar un transistor bipolar con el circuito de polarizacién de la figura. Asumir f = 100, Su corriente de colector es: +10 b)_ Ganancia para pequefia sefial a frecuencias intermedias. @) Ancho de banda del circuito. bg Afecta a ambos parémetros.18. El proceso de conversién Analégico/Digital es: a) Un proceso reversible si la sefial de entrada esta limitada en banda y se muestrea con una frecuencia al menos dos veces superior a su ancho de banda. : b) Es um proceso reversible; no supone pérdida de informacién. © Essiempre un proceso irreversible. 19. El concepto de “cortocireuito virtual” se puede emplear al analizar un circuito en elque a) Se use un amplificador operacional, considerado real, en configuracién no inversora. ~ Se use wn amplificador operacional, considerado ideal, configuracién inversora. ©) Enambas situaciones. 20. Considerar un amplificador operacional con un slew rate de 0,1 V/us y niveles de saturacién de + 12 V. Con él se monta una configuracién de seguidor de tensién y se le aplica a la entrada una sefial cuadrada de 10 V de amplitud y 10 KHz de frecuencia, La forma de onda de la salida seré: a) Una sefial cuadrada de las mismas caracteristicas que la entrada. (}) Una sefial cuadrada con pendientes de subida y bajada finitas, distintas de las de la sefial de entrada. ©) Una sefial triangular. A433ASMSANS DE ELEcTRdwicA A Jono 2 T. SSLUCIONES | PARTE Test, (RSG Werprer). 4. ®esoestaA ©) TEXAIT. Ges clemechs wads actives ghamente soy lox SC_dyedbs 6 SC de G°P Airecs jes dei, agalies ox Iss enum Bagrama Ek (eneguk rromento) cotrdder el ma’imo de wag’. dal baud de valoutic pct e& tains da cue de k bausle do enduccide | Esta miuime diferoud eergiheos ace les premsoy da quoras reawbinausG inkinece © Airecta jwsdionte 22 inbocambis da Prlores (energéc Cumiunsa) , ertes com tucks. unig IP mowet, Por tarts Feng goa ver G cmclus oe) gr euergihco (CE~ x) (estrus leiaudo da un diegrame e-0 gue dee dagromc da baudas Aa onetgin wu respec Lpsiciu) 5 g no inflnye & dantato e@ dapads. 2. Respuesta ©, TEMA L Ao Keluin be baud de valousic. de tn yeiean duche 3 4am ashok esti Halmede Hens. logqua difirasi ombes vaderales 25 of courte eae ce le conduction eddies a medide jun aumato le feuparcve por © laluin, © Si Feng un sc. , ol gap eungiheo CR ematgfe gor race Cusine. da les Ay enlaces ave dha deh crictal) e3 pepusio (Yaev)y d sith pee romper won un pepuets increments do TS liber’ em a le bande da comdatciss mere’ ht en le da valuis , Si huge um cisleute , 22 gap ed mucho nape (>see) 3 necasitere ¢ eumile Kimi pen cunpaic rowupes Bs otra: yy Power le enduiccss odrics . 3, mspoara @ THAT Un sc ee Saguerte St Ec-te S3KT oo si TREy C3KT. Guanto mis dope el SC, wads portedores sbludhé en Gr bandas « eacenanttor , 4 mnmer Aiphreutie. emergthin abet cabee el nivel de Faron! Ve Gordes “da [es Gosden. Y. respotsta @ THA I Los cuasiniveles da Farm] sou cos niusles enemies relationades cu las Conubeaciouas da pattaderas Risse dal epuiibrio cel wisme | Wtede U2, Ee ex equitiorio . En equitibrio : Frage, de eg: ntst Au s PoP PS pat ap A uredide pun nos ameouss abaz, dus0 x Apeo = Be yg fp > te. A353S.ResrearA © THA T ya. La conduct eletvies dapende ch le movitided da Qs partacteren gute contaubration , Se estidic pert de ( onduchividedd o = 9( $F igs (a movitided ditminuge ou Ce TE) pap Q cncadecioe me A ies Bs vatores dn pyre lox gua here. meger pase (om respech & py fix) . Gu wae: meyer onauhans. => ergo, eonducats eobica ts . wasp Kk. Rapera © WaT, Si Bu so BU Re = Rela = Roby * Rohe Re Roshi Qey Ru (Route &) => Route roost sleds] Cus idend | ae tek (Rt 4 Ary RE = 2 A3*43. RePomTA © Ter vi Ciresitto ; 42V, eV VK 4 ~ Suipnewins gua el Aausishr enh! eu feqor & Bntionamiait> de activa directs ; Arico Supuge Vae23V yg T@-Te. Tenge Be Wager a Ie onda pre Vee sob, + Caide da pofeucied cue Ag Kewe: = Bz oF 4 Te BB? = Te t'e0ec 4, Tes k+Jgz Ip(pn) > Tye deta 3 Tes ply tars 0A ZAlemAé. Gide da plocid ouke By here, 40449 -10% 313-103) 11610 Ver Vee =-2'9 Vc ou od ET bamisty no esta” en achva directa Gm pedo cantiderer esa. corciate. B3KQ ~ Saporewa, gun al Pamsistor est on regis de scweacisn : ge Vacs oF Vy Verso. Tongs Be Wager @ le crntharios da I oe spe. ; byad + Rohde ta pelernig| eke 87 Husa “toe Co 33 ho Te tes 2 rH ~ Fes + Goldy Ox paleicicl cube Ay hers cblege Te = Alee6-sA igus! jue anites, + Gld, da poleutic! ouke By here: doz 4'9 0% Ie + 02+ 313-4606 =) Tox o'geio A =lote wal > 44, RePOETA @ TENA Vi g vir. ge ee la Pinalided qrinipal del crtouiadar’ CE (ondausadar de pes) os ba ce auimarty Le geomet, Beeael an : eK paguaie scial a Peuouier jbermatiac, Adichar frectenias Ce me Come un corbeirwite 4 emule 0 ¢ de RE a papuiiic ie, aay wh =p CRell Re) a yous eu feusion de vale Av= a valey Aya ~ plete) me Fe r(BHIRE wr Fam tombe inPlage en eRandha da baude , pope inplage y anche om al etude de fe Pau de acte & baja Pruescias , Coram Si caleu®o be Porside ae tovuPeeucis dal cirits of endondbe Ce Here ome hapedaucie Dively Cog G pe ley pe cmidver. Le Bewieuci de carle « Sot pal oot. wutera Q Prec. joa infnduece ol fale doutmaute de de Pmtoh Oe heifreacie. Y te deporte dol. Qe de Ce prereicte on le expesicn ce solo dominate. Brolmate <1 valor de Ce, sila afteta al ancl de bende del tutto; @ |e gauamcia a Prewiaucica intormediar aPecta el hecho de infroducir el GSedaucadar | que imiue gor couplate Ia inpluoncig de Re, para nai ds iguad el var, a ABEaS. ees B® vena vi. P El mtteds de las conufastes da eugs en ceurite chierto sa «Elite pox ekuter Wy ,feniede en ums quer ° pn eS 7 ee by eke tums de todas fas ches da Keays em circui | bie BCiRe | BG ny, tondansadorer en el eireuthe qpuiclode awake Pe, Cos epauded ch! conflenseder i-dime, Bis : resisleucic wick eugke tos nudes da Co anulauds der fer ctaude copss dades (cabieh) 4 & Route de sazal. i alguy glo i best 2 Si algun polo ex dominaule =9 Jy or, a}s py 4 Pers opal Nes pomite alu Uae de Bern spesiuads la ga oflulen Be Porm exact ey le sume da ke Procunucias da tetsa-les goles he le Pomichy de hausPereutia : bys op tk + EPeciomaude , eaQullemn PS hue Se Bree exact, el coef, dal lebmine ee Seite del deusuimarbr da Oe Fis), a altes Pewmouiar, AG. Respoesra © Tena’ var, Fore. arguer In esfabitided en Beuroucia de un sislme reaRimewtade Se dafine el megee de Par cour To meuor ke magnified del dasplercnuior de Poe om be Peuraucis pera @ jon 1 gamaucie dal Gucle ey ode Sivek mergn de Pree Pee tle feudacensos Org BAL = 77 = 0° sea mi Se eege tin marge ete Bre Tay Fed sure! pee arsguree Ie avtbill. Cd ne calgon on ceutacivner Si el magn de Pree nawnr canes ee Gime tone. inetfalla or Peumucia , 44. Respuesta © 2TEHA K le Pancisy de hoaaprrentis del circuits se corregpands con le de un acieade, Biesteble an conBigursei to tere jue prod. chy pasbles sabides Gtebles sure Lys VY gol Lise VAs puts @ 0 mallde obkudeuin ohie 12V ole oV sTedapeudiedtem «dal ipo de HD inbrodudde Depoudas’e 62 le cupid uxkime de exlrade spate Sher si & side es 0 Vo t2V. 13. Respesra © Tena x, En un promis de comeics Alb ve primus ceuiperer mune cou exechhal, Je rate de cubicle omatisicc. EL irevenible AA4a. respuesra rena 1X. Principio da carkeinaite viheP: en um auuptiPjeador oprvacioued ideal ou relimeutation nepetive padauiss cowidorer » onpiciis 4; Lp so (ge pe Binder pre um cup op. idacd) Gorey 2: OFS. CePecto da le reedimetaus, negative) , Sloe udPids on coudivonas de idoidad Jo. RepuEsTA ©? TEHA Ix. EI sequider ce densic, Hew le perbieu@erided da fener ume gomauede da Isic Tyual a & undead. Si inboducings uma, relia « csodrade com compa tioV f Folie do Prawn, ta side feud’ Qs units enceleritean do eubad alre & Aad , PRE ai ae cumple fa coudidde da jes SR > wlhuce. SR (slaw rate), Si esb ne a dari , el slew rate, breve! fa Ta Pad da sei prembe uma clerk dictorsin. Si le seo da exbad es tussidad ,oSlerdiausy cle redid ume tianguly cn moor oupihd 5 esi ke eubede as cundiade, come a e2 case ,le seid 01% cuatede lshesionde an peudiattes Pinitar (de whide 5 Injada) . Veowras pues: SR > olf Vics 4498 VJs. 2 Vendy = AO-407-40, = Ado® Vig Te. Asi pees 2 SR=OVensty, Biisle dictoesion, Shmdremsy une iQ caadade cn poubiaues Pinites, Nota: cero ua Is tH le to arn Liew retecdes cagunted ol prefers de: =pP_=- te sulgnchar Be oo | per si aca. AKOExamen de Electronica 12 de septiembre de 2008 (Las notas se publicardn el dia 18 de septiembre) APELLIDOS NOMBRE__TABi VALRUCE_ ee Puntuacion: © Cada pregunta tiene una tinica respuesta posible. © Cada pregunta acertada cuenta 1 punto. Cada pregunta fallada resta 0,5 puntos. Las no contestadas no restan nada © Elaprobado est en 10 puntos. Entre 7 y 10 puntos compensar con Ja parte de problemas. Con menos de 7 puntos no compensa (no se corrigen los problemas). 1, Si tenemos un material para el cual la banda de conduccién no esta vacia a 0°K. se trata de: a) Unsemiconductor b) Unaislante © Ninguna de las anteriores 2. Unelemento semiconductor es més activo épticamente: @) Cuznto es un semiconductor de gap directo 'p) Cuanto es un semiconductor de gap indirecto c) Esindependiente del gap 3, Indicar cual de las siguientes cuestiones es cierta: En un semiconductor, el aumento del dopado puede provocar degeneracién b) En un semiconductor el descenso de la temperatura puede provocar degeneracion ©) Ninguna de las anteriores 4, Bnel caso de los cuasiniveles de Fermi de electrones y huecos tenemos: (G) Los cuasinveles de Fermi de electzones y huevos, y el nivel de Fermi son constantes e iguales entre si en condiciones de equilibrio. ) Siempre se cumple que EpmE nt ry ¢c) Se ulilizan para calcular con més previsién la concentracién de electrones y huevos 5, Bn un semiconductor de Silicio intrinseco a temperatura ambiente se cumple: ’b) El nivel de Fermi esta ligeramente por encima del nivel de Fermi intrinseco ©) El nivel de Fermi esta ligeramente por debajo del nivel de Fermi intrinseco @ Bi nivel de Fermi qizedigammente coincide del nivel de Fermi intrinseco, ASA6. Enun semiconductor fuera del equilibrio termodinamico: a) Domina Ia recombinacién sobre la generacién cuando las concentraciones de portadores estén por debajo del equilibrio b) Domina la generacién frente a Ia recombinacién cuando las concentraciones de portadores estén por encima del equilibrio ‘Ninguna de las anteriores 7. La movilidad para un semiconductor extrinseco: a) Depende sélo del tipo de material Depende sélo del dopado, temperatura , del material ©) Es siempre menor para los electrones 8. En una unién PN, el ancho de la regién de vaciamiento bajo polarizacién: a) Se incrementa con la polarizacién directa ® Se incrementa con la polarizacién inversa ©) Ninguna de las anteriores 9. Para un semiconductor a temperatura ambiente la corriente neta es debida a: a) El flujo de electrones en la banda de conduccién b) El flujo de huecos en la banda de valencia @) La influencia de efectos externos 10. En un transistor MOS de canal largo tipo N: ) Los electrones fluyen a través del canal de fuente a drenador, pero si se cumple que VD> VDsat el canal se estrangula y la corriente se anula, @ Los electrones luyen a través del canal de fuente a drenador, pero si se cumple que VD > VDsat el canal se estrangula y la corriente se hace constante. ©) Los electrones fluyen a través del canal de fuente a drenador y en los ‘transistores de canal largo nunca se produce estrangulamiento de canal, 11. En un amplificador de corriente 8) La impedancia de entrada debe ser alta y la de salida baja. b) Laimpedancia de entrada y de salida deben ser altas, @) La impedancia de entrada debe ser baja y la de salida alta. 12. Un amplificador de tensién que tiene frecuencia inferior y superior de corte, iene a frecuencias intermedias una ganancia de tensién de 2 V/V. ;Cual es ef Valor de la ganancia en tensién, expresada en decibelios (4B), a la frecuencia inferior de corte? ayy 3 0 3 13. Respecto a las configuraciones de amplificadores con transistores (EC, BC, CC), se cumple que: a) ELEC tiene ganancia en tensién proxima e la unidad, b) EIBC tiene ganancias en tensién y cortiente elevadas, © FLCC tiene ganangja en gnsign cercana a ia unidad,14, Indicar cudl de las siguientes frases no es cierta. ‘La degeneracién de emisor introducida en una configuracién de EC pemmite incrementar la impedancia de entrada del amplificador. b) La degeneracién de emisor introducida en una configuracién de EC permite incrementar la ganancia en tensién del amplificador. @) La degeneracién de emisor introducida en una configuracién de EC permite que el amplificador pueda manejar sefiales de entrada de mayor amplitud. (expLicdmd FN Jum 2007.) 15. Un amplificador realimentado negativamente es estable si: a) Elmédulo, expresada en 4B, del término de ganancia del lazo es positivo la frechencia en la que el desplazamiento de fase del témino de ganancia del lazo es 180°. b) La magnitud del desplazamiento de fase es inferior a 180° en la frecuencia en la que el médulo del témino de ganancia del lazo vale la vunidad @ La magnitud del desplazamiento de fase es superior a 180° en la frecuencia en la que el médulo del término de ganancia del lazo vale 1a unidad, 16. ,CuAl de las siguientes caracteristicas no se corresponde con un amplificador ‘operacional ideal?” a) Impedancia de entrada en lazo abierto infinite. ) Ganancia en tensién en lazo abierto infinita. © Impedancia de salida infinita. 17. Si necesitésemos amplificar sefiales diferenciales de 100 »V de amplitud sentadas sobre tensiones en modo comtin de 100 mV y quisiéramos que el. error originado por el modo comin en la sefial de salida fuese inferior al 1%, ouél seria el ininimo valor de factor de rechazo al modo comin exigible al amplificador diferencial usado? 4) 80dB 100 dB ‘b) 1204B 18, La ganancia en tensién de un amplificador es constante ¢ igual a 10 para el intervalo de frecuencias de 100 Hz a 100 kHz. Si se quiere realimentar para que cl sistema resultante oscile a 1 kHz con amplitud constante, cual debe ser la ‘ganancia de la red de realimentacién a 1 KHz? a) 0,1 1 e) 10 19, Considérese el cireuito de la figura siguiente, Si los diodos presentan una caida de tensién constante cuando estin en conduccién (0,7 V) y el amplificador operacional satura a+ 12 V, zcudl es la corriente méxima en los diodos? ALDa) 0,9mA b) 1,10mA © 1,13 mA 20. {Qué funcién légica implementa el cireuito de la figura? @ NAND ») NOR c) OR AanCXAMEN_DE_EECTRENICH. Sept. 2007. Pabls Varquet. PARTE Cet; A. Rk. © Teak “Faro um aisloute yum seuderduchr 4 o°k la bande de cnducich Siempre ats wala frgun ue tenemos suPicieute enegis temic para roa par eslaces bac gua lor e° promaiones y rupees al gap energitica. En un metal sf puada sucedar qua feugausos onduteichs alickica a OTK. 2.2: @ tena T. los remionducbres direchs 0 da gup directs san oqualloy om lat jum cin- Cide el wuime da la bande do valauic Gn el minima da le baude oe conduct em un diagrams E-Kc , de mode que beg pce DBreudin enegittion uke bandas, Esto Pruorece les promscs de reoubinadct 7 gree Cdn inteimece jeu lo gue ve amiguilax © gran pares emkt emikeude © absarbiends fatones [antes com mardic, energic Gf PO rrameuto }. Estas obseriouny © errisiouas | wer wen prtelsles Guashs ‘revere ke dipareade onaglter anke bomdas. 3.8: @ eat Un semiconductr yuo digenerade si la dipeucic enegeticn emia ol nivel da Fermi y los berdos da feo taudas es muy pausis (menor de 3k) Ee cunrre cuando fereues midline parted da algud -hpe on hedau- clay (da onduccisd 9 da valouda) . Si auments mucho el dapade , aumaucte fa concaubracios a portadores moagoriterios om bc fonda 7 pune suceder gu: ealxX x Sagprare. 4. @: @ tear. ley qrosinivelas da fermi deseupation la uum Puenic f wivel Be Fermi , pro ex SC Passe dol equilibrio. cae Fy = G4 KT In (Ma) he het On Fee i -kT Ih (Pha) ppt Grands Au dp pe (equilibris) > pepe 7 Pho. s. pe: @ wag, Material intrinseco ; emi nenie FRAT pp Btiso ex lo jon ogous a; nihi AAS6. Rk: © Tema D, En um vemionducty Pera del equilibric, si edraigo purtadores da ueds gue be concaubracion de lt uismas Eisminyge ou respects al Rquilibrio , el sistas infeatteyel gamers potmdores pare feyeer a lan condicionas jnidales ; del uisins meds Si de ingecan potadaros | ge producity’ uma palerior rewubinaida de pues pra colver a la situaciot inicial de equilieio, Ninguna da les aPirmna- doves ex carta. 72: ®@ wera. La mavilidad es |e relation evishucte enkre la celaidad de arrosira. da los partedores yy clcampe dechice aphicade j es una mati, a Ja PaiGdect ee Ie gue we daiplaran fay ey Kt ou ef material. Trideutemarcte ar Pmich del moteial foe FS ealruchve cristaling dal SC, Pare tumebici, dapauie do ly temperature y del dopade , dado quo si cariamcs dider gerimatos extihine mAs 0 rene Aispasise on al eralesio a es inPluied eu ( monlidact. 2, 2:@ eam. Si incremerto ky palsritarict ex inuerss cumate [o beveara de patdal Reuven gee abravercr Jay pottodiares ex ta union , B dicks kerrere of pap eat el amido da k regio da vaciomieuts da le Pirma: » dante Va es el voltaje da paleiraus 24 inves , ta calor “negative. Wei Va er ol poleucisl que me em k YR dh UaGamieute . Dodd jue Ve @ nopatu re magar Va ex ines mega cael valor fe Ww. 9 RB: © Tea a. El reuitado da hy edideuic do una corieute neta en un SC et la inPluenic tat gin efecto externa = Cours om voltaje da. galaritadcs, J Provan Te opercishe da congo akddhics 4 dasploiouieuls de evge jo kk rodiaucy umiuare que pave el increratt da pares em ht yk omeude aperidsy da corrioute atc. Reede existe Plujo de alin Ape St partadores gine babe ceriaske nate. Peja PR Semiemductre, ne umifarmemenle x Condiciones da spsidibric el caus ekldrics inlena Comat ef vrevimiatts da dius aa peladtoren . to. B: ® Tena Vv. En um Heaurister HOUFET apereare comal da ineiicé siempre sso el voltaje Ves 2 r= Sf (coma n) A peck a apt a wrdide 4a anmorte elvaler 42 Vas (volfeje dreuader floule) , aumects [a carriecte haste ese, atm vor da Vay Viege = Ver Vr ou el gua fe gokerivacists inveces ou Cc mist PN de drevadar provecs UN agatewnieuts del camal de invessicn, ANEA parks de aake parte eure ey RK de sehracisé a fy corriente se hace conceucte pacun valor dod Ge es. MR: © TEMA VI Ley cander’shens de un bua cmpliPicadlar de corriewte, Sou ~ Gonauia 24 corsiaule elavads. — Baje impatauis de enbmda, Bins 0 Comp sides) = ANA inpetmucic da sQide, Resch <0 Coup. (dant) 42. B: @ Tena VO. le Peuecis de cre o bajar 2: squall par le coal fe gaumuie he colde B4B ch x valor a ge frewecias inlermesiar Cvalar maluima OR fe goroucia’). Gee le cual bailar ( garauic 24 dB a Peumaias infemadian : Av AB) = 2 10 Ay = 20 logis 2 ze El valer da le goumutic en AR a We wed) 6-32 [Bd as. Ri © Teme VI- las gorda pas las diskntas cnPiguadcuas curgRiPicadares cou tromsister bipolar Sen: EC Cewiisse crn) Be (hare cori) Co lacks comin) Ay elavoda. Av elavade. Av=a At elevade. Ar<4 Aq elovada. Por (2 autts es certs K oPirrrenice © 2 CC cor gauameic eu feusioe prime «Qe unidad , de okt ge % chGee el CC us cnc euaphiflce~ dor Sina caus odeptado, da Mipedantion , 12 puidor de EC CRact rug bef ems Cc). gsiSu da EC cousiste ey inkrote la cesisfeusic da oyei (& sPirmaucd 2. na en cierta. AMS4s. R: © TEHA VIL. Es neaserio dePinir los uscigeues de gauauis 3 fare por fe rerpucrh ee Feuaucic de um ami. realimertade y me qfache sabre le eshbitided. Herguade_garautio CHG) : cankded aula sue k qaucmuis. de Isto xe enanule por Galnjo de O GB au le frewauic an le gua ol derplaiouriouts de Pore en 480°, Aeguro ehbitided si NGS fo AR, px chlajo de o dB, = Pesproste, & Pala. Merge de Pus + (HE) : < 180 meus la mognitud del depioiamiass de fase eu la Peumutia ark gua [s qauaudic da (to es 0 dB. Ategure extabitided ee Rowautic si MGA UTS a> Si at dasPare ex pac inferior a (40%, ol may de Pare sec inferior ots" ype agus echWtided. Pespuaste b false. En el caro ¢ sieupre fade HES 4°, 4c. B: © ENA 1x. Grackeriscas dal au. op. ideal, ~ Rin infinite. = Gamaudic ox [are abierte infinite, Garaucic en mado comin nuke (FRNC > 00). — Poet = 0. ~ fede da baude infinite. La iempedancic de Bid @ mua jhe inPinite . 43. B: @ TEMA Ww. AmpliPicadbr difarencial: UR = Ad-Od + Fem Cem Ad :qemaucic ex mado diPeremiod. Ud = 4004078 V. Bem i ” i « . comin Gam = 400173 V Se daPine el Poche de reckar ex mado comm PRuc = Ad Pade exprescr fe ctmaticr da eeribe cine; Voz Abt + Ad ua = Ad-ca 4+ ee a) , FRHC FRMC Od El kqumdo teeming de la sume es el error ori giro por el made cormtin Sua yuamuos gue see Come mucke calf 4 Bim ~2 4 enema sites iie aaa r 3 = toh > Fence 440%. Fane (dB) = 20 boy 2 407 = | doo AB. Si (o express en dB : AS?4g, R: © TENA Va. Ay = 40 5 BWs 99.700 Ke et products cwele da baude x gawandia dale luemlewin coutaute . GBP = Jo-aq00 = 999000 = alaguio= de, Una Gea realiments , el nunve auche de tour spine gue ee Bue 1:10) He Lo nuave gous dal cmp reimentads dale camper: AP BW = GEPs anf, aco P aps Takuet = aan Adwuca : aps AY dowde pe er la 40) pa genaucia da Ie ved da rechimeutacisu, prays ae Bear40 = laa 924 49, R: © TEMA xX. Si cbervamas el ciraites se trate de un ctcilader Parmade por Um Gmp.op Pumdouaude cows um biestable ou couPiquronicu inuersora (dispredor de tumitt) cox Cimitarict, La feusistr de slide Uy tard Vy 504 V Si le fewict do sibide dol opwacionsd 42, q Ge —Vre WoW si fe sctde Balopuaciued es ~12.V. la usdvine corriete gue crude por by dist eneded fea culo cu el puts Se cambio de Was 0'eVa wuyz-oFV (cambio de +2Va-2Va B scbide dol speracionsl). Dads que ijso ime ip, 5 Oreo. enel puto de cambio Ger aeV sp Sie = Tein Ly oe Teh Ry Ry RR dq cigs tof AZ dimA. la covrieute gua cro @ Ca sOide de{ opursiou 29: oe AW-Ts _ 42-0 = OV. Rs 40-16 Siapic ley da nudos (4Sley de KirecopP) ex al nude da sabidla dal Ad: fey = leptin ; siewte tp la comieuk yuo cru gor ed diate 4 (eu 0a) Bods Dem SFE. Dade gua dg Dio, punde Gees evk ddkme: dp = dey =] diawd. 20.2: @ TEMA xz. Porta Cgice Parma. por una Paulie CMOS cae dos rausistren Nos = ANB wAS> ip, eerie y dos P-Hor ox perclte. Lzo 3 H=Veo- Yel siAgBsH = =A Xe si RoBTL x= RAB = OR tine pete mano CAO, era(SoExamen de Electronica 15 de junio de 2009 (Las notas se publicaran el dia 19 de junio) APELLIDOS NoMBRe PARC VAAQUET Puntuacion: © Cada pregunta tiene una tinica respuesta posible. © Cada pregunta acertada cuenta 1 punto, Cada pregunta fallada resta 0,5 puntos. Las no contestadas no restan nada © El aprobado est en 10 puntos. Entre 7 y 10 puntos compensard con la parte de problemas. Con menos de 7 puntos no compensa (no se cozrigen los problemas). Tanto para aprobar como para compensar sera necesario obtener un minimo de 3 puntos en cada parte Para un semiconductor extrinseco se cumple siempre: a, En la regidn de congelacién np. © Enleregién intrinsece los minoritarios tienden a ser igual a los mayoritarios. fc. En la regién extrinseca predomina la generacién sobre la recombinacién. Un elemento semiconductor es més activo épticamente: a. Cuanto mayor sea el ancho del gap b. Cuanto més dopado tipo N esté © Ninguna de las anteriores Si tenemos un material para el cual la banda de valencia est totalmente lena 2 0°K se trata de: ‘a. Unsemiconductor b. Unaislante © Las respuestas ay b son correctas Indicar cual de las siguientes cuestiones es cierta: En un semiconductor, el aumento del dopado puede provocar degeneracién }. En un semiconductor el descenso de la temperatura puede provocar degeneracién ¢. Ninguna de las enteriores Enel caso de los cuasiniveles de Fermi de electrones y huecos tenemos: @ Los cuasiniveles de Fermi de electrones y huecos, y el nivel de Fermi son constantes e iguales entre si en condiciones de equilibrio b. Siempre sé cumple que Ey =Ep, + Bry ¢. Se utilizan para calcular con més precisién la concentracién de electrones y hhuecos En un transistor bipolar ideal se cumple que: ‘a. Nose produce generacién ni recombinacién en ninguna zona masiva, G No hay campos eléctricos en ninguna zona masiva. ©. Se produce generacién 0 recombinacién en las zonas de vaciamiento. \s\7. Enun semiconductor: a. Domina la recombinacién sobre la generaciGn cuando las concentraciones de portadores estan por debajo del equilibrio b. Domina la generacién frente a la recombinacién cuando las concentraciones de portadores estén por encima del equilibrio © Ninguna de las anteriores 8, Enun transistor bipolar en activa, la corriente de colector esté limitada por: a. La diferencia de potencial E-C ©® Lacorriente de base ©. Lacorriente de emisor 9. Los transistores MOSFET pueden ser del tipo: a. Inversién b. Acumulacién @ Ninguna de las anteriores 10. Una de las siguiente aproximaciones al, comportamiento de los MOSFET no considera a dependencia con el dopado del canal: a. Ley de carga superficial b. Ley de carga en volumen @ Ley cusdrética 11. Un amplificador de corriente para el cual Ri = 1 KO, R= 10 KQ y Ai (ganancia de corriente en cortocircuito) = 100 A/A habré de conectarse entre una fuente de 100 mV (tensién en circuito abierto) con una resistencia de fuente 100 KQ y una carga de 1 KO, {Cuil seré el valor de la tensién en la carga? 90mv 100 mv ce. 110mV 12. Considerar el transistor bipolar PNP con el circuito de polarizacién de la figura. Asumir a= 0,99 Su corriente de colector es: a [ee 4,6mA @® b=3,5mA & Ice 24mA vis 410 2K 3K vee -10v ASL15. Respecto a las configuraciones de amplificadores con transistores (EC, BC, CC), se cumple que: a. El EC presenta una impedancia de entrada elevada y una impedancia de salida baja, b. El BC presenta una impedancia de entrada elevada y una impedancia de salida baja. El CC presenta una impedancia de entrada elevada y una impedancia de salida baja. 14. Indicar cual de las siguientes frases no es cierta. a. La degeneracién de emisor introducida en una configuracién de EC permite incrementar la impedancia de entrada del amplificador. La degeneracién de emisor introducida en una configuracién de EC permite que el amplificador pueda manejar sefiales de mayor amplitud, © La degeneracién de emisor introducida en una configuracién de EC permite incfementar la ganancia en tensiOn del amplificador. 15. Un amplificador realimentado negativamente es estable si: a. El médulo, expresado en AB, del término de ganancia del lazo es positivo en Ja frecuencia en la que el desplazamiento de fase del término ganancia del azo es 180°. La magnitud del retardo de fase es inferior a 180° en la frecuencia en la que + ~ elimédulo del término de ganancia del lazo vale la unidad c. Lamagnitud del retardo de fase es superior a 180° en Ia frecuencia en la que el médulo del término de ganancia del Iazo vale la unidad. 16. Dado un amplificador diferencial con un factor de rechazo al modo comin (CMRR) de 40 dB y una ganancia diferencial (Ag) de 100 V/V, {cuanto valdré la tensi6n de salida para una entrada V; = 100 mV y V2 = 150 mV? a 5V ® 5,125V . . c. 5,3125V 17.El cireuito de la figura se disefia para suministrar tensién a cargas flotantes (aquellas que no se conectan a tierra) Suponiendo amplificadores operacionales ideales alimentados a+ 15 V y que su salida satura a+ 14 V, zoudl es la maxima amplitud de la onda sinusoidal en la entrada v; para la que no se produciré distorsién por saturacién de Jos amplificadores en la salida (v, = vg- vc)? a 23V G 46v c 9,3V AS33040 % 18, Para un amplificador que tiene un ancho de banda de ganancia unidad de 80 MHz y un slew rate 60 Vis, cual es la mayor frecuencia a la que se puede reproducir una sefial sinusoidal de 20 V de pico a pico en la salida? a. =477 KHz ® ~955 KHz ©. ~80 MHz 19. La. ganancia en tensién de un amplificador es constante e igual a 10 V/V para el intervalo de frecuencias de 100 Hz a 100KHz. Si se quiere realimentar para que el sistema resultante oscile a 1 KHz con amplitud constante, zeual debe ser la ganancia de Ja red de realimentacién a 1 KHz? a 01 @1 ©. 10 20. El circuito de la figura es un multivibrador biestable (Ri = Ra = R = 10 KQ). Si los diodos presentan una cafda de tensién en directa de 0,7 V, el zener es de 3,3 V y el amplificador operacional satura a ++12 V, geudnto vale la anchura de la histéresis en la funcién de transferencia? a 4,7V 94V 2Vv ‘lhEXAMEN DE ELECTRONICA. Tunic 2009 Test_de_tuestiones : A. Respuesta: b Tena I. La veqidn infinsecn eS uma regich a allay temparecturas (T> 450K ew Si), para la tual tech Gerritonducte Se coxapets cau si Pyese infelngeco , ex dace: RE PSK: ; ex cite oun Ie fempartva ep lo supicie-temeute elevade pass romper los eulaces de fo dtemos del semiconductor Mbeauds pares ev-hh sel elechste liberade on la bends de calewia Salta a fe de crduceict dejoude Libre um huew que dent ager ¢ fe conducriey ebfclriea. Sj deneuns unm SC exkinjes , a Lajas feupenchiron , no beugo be siPdeute euergic pax oupr aulacos de bx dbuor del Sy We % po- ducitea lec “ouda a Lauda , sll coupard toy culaces ce las dhuer da impute (eulaas Aibiles) gy Uibwer! a sdle Ape de perfedar gue Law el moyeitvie eu el S- Cuando La feaprectars ammasite Cousiderablou ete za. lenge cums tePiciowle pre couppr ‘hi 6 enlaces q ego a la sifuadica intimses + hepsi > using ttariey feudou Oo taseporitertcs . 2. Respuesta : c Tar. las elemeriter rrels actives dphaameute su by sc dk gop recto ©. divectes , que Proven los process de vecubinauist 3 guts cide direc o banda o Ganda , cor [a coulsucete emisicu o abt cigs de Pitones , autes coy mucha euaqia gy pe momeicts Si aie jap csr anche , lo probabicidad de calfes Inirinsews ey maver gel tps de chpede taupe Inplaje om ett proces, 3B, Respuesta © f TEMA TL Tanto em un aislake Gmo en un SC la bonds cy Galowia est’ fofalmeute lena de 2 a 0K, cede gus no lenge euargie tdenies supiciewke pare rouper enlaces y acer qua dicks em salen el gap de euerge prokibida. ASSla diferencia cake el aislate 4 el sontenduch” os podsnueite la auchure de dice RP (2 le gue es la unio , la auernic. que teage que aporbar al ucteial pre romper by euleus gue une apas abou), En un aiskate el jap 28 wager , par ete PPrath wads fa condnceisiy slécicn (se produan mbes baud a beude o tuepres feuuparetrat gue eu el semiconductor), Pers ex el enuutiade de la webs ne me informa da la auchure del gop | por le gua gous preds dyskaquic euthe los 2 tps de wasderiales. 4, Respuerta: a. TEMA I. DePininnos Un memiconduclr degveredlo cowe aguel ox el que le Aitreuds enegdticn enke los bordles da loo boudan 4g al nivel de Fermi es infhrioe @ 3KT 2 EcnEp < SkT Of Ee-By < 3icT. Si aumento el dopade , uments la courubaddt de. porta res ragoritorin nel aC y diche difbraucia ere tig Asminege tedaaie mds = aiweito |e cpremsu. 5S. Respuesta : og 9 TENA TE, Les cussiniveles de Fermi cumpleu Ie tatame Puacuioe gua, el nivel de Remi pen ex caudiionen de Puera dal eguilibrio. Sime aprozime al equitibie 2 ns uo = Aue gy Fa Fp > & Ver tearta Rana: 2. (48 paginas). C. Respresta, ob TEMA IV. JEL hrausistor bipoler idea! Rucious cute el diode idea , uo sou mals foe det cmiones P-N unideg eu wnen caudiciouen especiales. Cuaude yo reales © dedure las ewatioues del diode ident (lo taisma pare el keunishe BIT) Supougs sua eu los Teplowas masiver shes die es mie ide tiode joa udder Jouor wile feuge Comporecte de. corti de dipecios gt pe The g Pu Rep Ojo: ech es sdk deel? on cudidaut ideals, 2% AS&F. Respuesta: . TENA a. Par Gescarte da las austeriores . la a. es false pave si las couccubacioues de prtaderes erbt por dekajo dal esuitibris mrecesitse gerarar poctadors pare que dikes coucnubrasionas Subam q Oueloan a ser lor da antes, lab. Pals pspee 0 es coraubadarer estoy gar eutime Ueasiter’ reauibiuer © aulguiter portaderes pase bejerboo y foe Keudam a feo dal epuitibrio. Taco sites Prsico teude _ter bo asco ectable gacible g ¢ exter eu coudiions de © 5 B. Respuests 2b. Tend TV gy vi. En Is regiok de active dived ie taimple gua es ph. Si ~ aumeto Tg , aumenters tawbien Te 1 indepoudioutemen te cel reso da carfiewks g valbjes , De heclo Piidwiowa ex loo curets de setide da un heusishe BIT ; ew action las curvas 3 loc coustawles © ipacles a pw (eu situarice idecd) . Esto sslo owrre. eu achoa, 4. Rospueste. : c. TENA V. Incecsicn gy startet. seu per de vegioues de poleritadst de una eskuchera Mos (metal -dride - semiconductr) y he ton Heer de krousistores. De hethe , pee gua se prautcs el ePacto compo FeT, dabe exishr um cau? de invercisu eile las istetas flacte f dreradior (doberrcs ester exe le eyo de imersio Siempre). fe. Respyosta « ¢ TEHAY. la ley cucdrética relations directamente la corrioute In ou ol ovtaje Up , Sin tener em cueuts [a variation gue pueda mafhic al aucko de Ia Yue da vadauiert W gue ve rms ex les pri midades de las SuperPicies Wide ~ semiconductor, Gusidero om aude We Wr, Remark se ample 3 ceria ax Raid de bial ete es fo. Dicke Geraci dobe inure x Uucguier elariou ¥ poleritadh fwesa A5*de lo veriadisy de plex cuales esti inhmaweoule relavouacos Cou le coumy Watist Ba “impwerse au el x. De heche, Ia exactitd de k leg cneaded hes Pejprs cuouds Mao Na 2 o- AA, Respueste + a TEMA VI, ArapliPicader en corriaute. medale + Spit A is Ores i ot SRL. ] Quiers caluler le fessicn ov la segs Re | es decir Qe. Uo = ip Pe Colulo to aplicande ley da nuda ex A: GD Ajgii = Qyti, @ toe Aicii ~ ¢ mat - Dascoueres ipad : ipuale didp eke Ag tiers par cbr race difrek, C2) Id Rest = loko SD lage hee ie Suvbhags en GO): igs Allg. ij —Rowt! Rout Re Detcorotio I, : wtuelus ef pertibr do teusitu de le primera Os 9:10. 4.10 p'ogV 42, Repeats 2 b TEMA Va. [0 ml Se RrS2k Debeuiar Veger a Vee dolaV. ‘ Vt, 2 ddipenbe Vey hero; Vte Tg -Re + Ve, STe = — = Ueno FA. AD Te =e. oA, Re 3k dbp eabe Vtg UN: VtLyo= Te Re 4 Vee +e. Re u y D> Veo = WAV" Te Re ht = -ayV cok Slo, 7 . No achoe directa Vep =0!¢V (si wo dian nad). => A5SSupougo sehvraion | Vec = 02 Vj debe Mleger a Ic< ale. ty = Te: ss didip ele Vigo. Tee ees = slruoc3 A. © — Te Pot re feje. Pe eo el CC se Aire coum aclegtaddr do iuspedtaucian 4 eyuidor da leusiol, Se colocs acoplade ao oo Aeusisber CorPiguarion EC pore caresbesic tm bens amupQpiccdes da tenidie. 14, Peipwesta; ¢. TENA VE, La deganeracion de emifor coniste en Gnecker una reristendia Re enke euisor y obo pucks del cruite «wi solide, tal 7 cus pedawor oe on f Piqua: Cele hecho hace gue hk gauoucla disminge jon reapee & i ic cS che Pausictor (Pluiouaude owe ampti Picador), pe HE ATS poses, dado Ga Gam um EC tote dageaara L Aye = fa(RlRed ~ Tn #Re(fH4) Sin Pe. fys ~ACRellR) mm Nora: Hal la correaiss cle eta ita ieee ae t de 2003. Bien ahora | bg “teens @® th poteis carsloer la cuesticu Ubetouds e@ pertmebro f i =—% = ex Gage de of , hinds gue B= 74> = 99. ASA4S. Respuesta. : b? (inempleta). TEMA VIL. la a er Palsa, porque “el roargen de foe gauaucia WO es Superior & 40 4B j simplemade dice qua ex positive . Pra asequmr exfabitidedt HG 240 dB. la ce Palm 1 pgue si el dePare evcede 240° eubo eu ranlimeutadcy pasibiva, cou Lantautes pocb@ dades . Enel ano h aquaria ifebilidad ,sioupre 4 uinudo al merge de fue ME (410% menos be maguitel daleaterdo de flue ox ln Ploweucis pee fe qua le gous do fate es OdB) sea ruperior a 4°. Para tui, fompoce xtn'e dal todo carte arta ePirmariss ya que: ti la, wang rite do] retards dx Pye es 470° (< to", ows Bice ef enuuciade) el mam | de Pre sens de fo? y ro onmurerie enbieidad - 46. Respuesta : B. TeMa IY, CMRR (dB) = 20 beg CMRR = CARR = 4oo. En un auuplipicads, Prauial x umple : Got Ad Om + Aim: ia = Ad- [Ory] + Ad (gu) = CURR = = A00.|(400-450)103] + 499, 00+4TO) 49-3 ~ TI \c Yas[ + 2S. (ett) a0? = Tstuos V] At, Respuesta ; b? TEMA ry, Teremas dat amglis spemuoualer ideales con realimeutacich En este tipo de crasites siempre rasualuo apVicaute el prinipia de corteirasits cietual : Aen 4. iss ipci amp. sp 4: ico => igcie, ti Oyu; = Qin = Op-Yin in Res mrosgens nf? $82 Be oan : gre In resists qe ode sified eule Up J Uy (de 0%2) ne inlage ex lor clues pepe & wrdade porwe roma 21 ule (into), Amp op.2. into = beg. ; = OyE im Fijemouss aa Gin a Shs -% 2 GH Bry, U,ZULS 0 Ry Ry Reo Ahow Gea 0,2 Og-Ue> Vin [ests S BT = Cin. AGOEn el emeuiade dice que |e salide de cade ampli! satura a Za Vio ger le moras go be enende asi. En oe es Up, pare gue Cin Ase Ja wickine posible deleria ver 44YV. Y Ue daberfa unler ~44V. (ver eu lea gelgina auierior la, expresistr de autos 2 Puuioi da din). Esto on Gin 20 (fb Suponenion aa’, ya gua ma prequctan pir el maltiers vols, oe Gin parible gua us origine distesios ex Ix sQide), De este mots; Up = Up-Ue= WY V-(-1WV) = 2eV. 222 6Un > in =|4'6rU ee 42, Respuesta: b. TEMA IX $,= a0 MH2 = Av. BW = GBP = ete. i+ 30 SR= 60 VJs = 60-08 V/s. he mraapr Prevseutia a fa gue 2 pusda reproduce dick rial a tal ge Gapede = Av BW. 22, SRE Viq-Prmcle- (No poteusos evceday dal seu rate). La Vm dake douse de caro a pico luego 20V pp 2 40Vop- 6 ree 2 B0I0PWS < go40t f md /y = Pete = 2. era] 4oV No sabewcs nade del producto Ay BW , porque nots dow le Goucutia da seed de 20V pp per le Pounce rele vemos foe 25 Mors re quai APs Ay _ doude pay es k jus da la ced. de realimeutacion. P " pare Se = 047 5-4. Ipav]=14.} AeA20. Peypuesta: b. TEMA x. HathBibadsr Biestable com cufiguraid no inversora 3 limi tas por puede de diodes 4 adwr. Este tips de ailadaray silo termere’ dot posibler aciales de walide extables awk walguier eutrode = Si be sada dal ampli operaciou® ey 142. rertonces Oo es postion, qortsan Dy, Ben inersa y Da =) Uenely = Y'eV. — Si la sade del auplt operationsg e: -42U , eubouces Oo ex vegan Torna Py, Fen inverse Ps D Gorlae —aleV, + Anolivuner el ido de histrasis; Si O4>0. 3S Uz Ordy= 4V, Si 04

Cie Sete = Ops ERASE Ri RQ, Rte ° Si Of es ma ttivas D> % <0 2 UR = -Y'3V, ~ El ple de cambio de l.a Cy ex elaspt (Somin a Ob ucke ex le seWde) OpEOL en dicho puzdo =) GFR,4 mie RZ OF = —Bigagin Bk OF m Cin = nV. * SIO} es rey position 2 UZ Pd DTETEV, —El ple de cambio de (yal. ex el cunpll (Yo na a Ta uth, ex le Did) Uy TO. en dicks puch =D Oj-Rrtdomme Rise =) OSB ede. . File Gres oip= -YaV. . Le aucure dal cele da biskresis so elute ous: On - Oi = WF-(-44) = [aly vl . Nota; hax respuastas ex lat que le puto Signe 2 deltis aclerarlos cou el poRaor dele Crips, x AG?ELECTRONICA Examen Parcial: Funciones Electrénicas 27 de mayo de 2011 'y 7 de junio, de 10a 14 horas) (Las notas se publicardn ef dia 3 de junio; revis APELLIDOS: NOMBRE: Puntuacién: © Cada pregunta tiene una tnica respuesta posible. © Cada pregunta acertada cuenta 1 punto. Cada pregunta fallada resta 0,5 puntos. Las no contestadas no restan nada. © El aprobado est en 5 puntos. Con menos puntos se puede compensar con fa nota de problemas, siempre que la nota del examen de teorfa no sea inferior a 3 puntos. 1. La tensién de salida Vo del circuito de la figura es de 100 mV con el interruptor cerrado. Con el interruptor abierto es de 50 mV. éCudl es el valor de la resistencia de entrada del amplificador? vi Amplifcador Yo a) 100k b) 500K c) 1M 2. eCual es el nivel de corriente de colector del transistor Qs? Asumir B = 120 para ambos transistores. 16V 18V 156M a) 9,86 mA b) 11,23 mA ) 13,73 mA A6édLos esquemas de polarizacién de transistores bipolares en tecnologia discreta suelen incluir una resistencia de emisor, dado que ésta constituye una Fealimentacién negativa que estabiliza el punto de trabajo en continua. Si no la pasamos para sefiales, el amplificador en Emisor Comin resultante: a) Presentard menor impedancia de entrada, b) Verd reducida su ganancia. ©) Veré reducido su ancho de banda, |. Dos etapas amplificadoras con ganancias en tensién en circuito abierto Ayz y Aw respectivamente se conectan en serie. {Cudl serd la ganancia en tensién en circuito. abierto del circuito completo? a) Ay= An *Ag 'b) Depende del valor de R.. ©) Depende de la impedancia de s: impedaneia de entrada de la segunda. fa de la primera etapa y de la Un amplificador con realimentacién negativa se considera estable cuando, a la frecuencia para la que el retardo de fase es de 180° , la ganancia del lazo es: a) Igual a uno. b) Menor que uno. ¢) Mayor que uno. Un amplificador que posee una ganancia en continua en lazo abierto de 10° vVy polos en su funcién de respuesta en frecuencia con frecuencias 10°, 10° y 10” Hz habra de compensarse mediante fa adicién de un cuarto polo dominante para operar de manera estable con realimentacién unitaria (B = 1). Si nos atenemos a los criterios de disefio, écual es la frecuencia del polo dominante que se requiere? a) 1Hz b) 10 Hz ©) 100H En el circuito de la figura asumir AO alimentado a #15 V, con niveles de saturacién de £14 V, f= 10 MHz, SR = 5 V/us y disponibilidad maxima de corriente de 20 mA. Si la sefial de entrada es una sefial seno de 100 KHz de frecuencia, écual seré su ‘maxima amplitud si queremos mantener en la salida una sefial seno sin distorsién? a) 2V b) 3,98V °) 7,96V AGMVi Vo 00K 20 100K ° 8. Elcircuito de la figura incluye un amplificador ideal de tensién de ganancia A. 2Cudl debe ser el valor de la ganancia para que el circuito oscile? a) 3VV b) aviv od) SVN | i 3R aoa c $—w——*om i 9. Asumir en el circuito de la figura que el AO esté alimentado a # 15 Vy que satura a +£14V. Sila sefial de entrada es de la forma V,=442sin Qaft) Qué observaremos en la salida? a) Una sefial senoidal. b) Un nivel de saturacién. ©) Una sefial cuadrada A6S10. Determinar el nivel de corriente que circula por la resistencia de realimentacién del AO cuando la palabra digital de entrada es “011”. a) 3,75 mA. b) Sma ©) 7,5mA Vref=-10V. 2K 2k 2k 1K a? a? a AGEELECTRONICA Examen Parcial: Funciones Electrénicas 27 de mayo de 2011 (Las notas se publicarén el dia 3 de junio; revisién: 6 y 7 de junto, de 10 a 14 horas) APELLIDOS: NOMBRE: Puntuacién: © Cada uno de los problemas tiene una valoracién de 5 puntos. © El aprobado esté en 5 puntos. Con menos puntos se puede compensar con la nota de teoria, siempre que la nota del examen de problemas no sea inferior a 3 puntos. icador en base comiin de la figura calcular Ry Rar Ay (=Vo/Vi) ¥ Avs jiderar B= 100 y Vr= 25 mV. 1. Para el arm (=Vo/V,) a frecuencias intermedia. Cor vec = 10 4 Re ak ct a v. 1mA vs A6%2. El circuito de la figura es un oscilador de relajacién. Explicar su funcionamiento, dibujar las formas de onda en sus nudos y calcular su frecuencia de oscilacién y el Ciclo de trabajo. Considerar que el AO satura a + 14 V, que Vojen = 0,7 V y que V2=8,6 V. Vo 100K we R D1 ba Ds bs D4 Nota: resién de la tensién entre los extremos de un condensador que se carga ‘mediante una red RC hacia un valor de tensién U: v= U-vYl-e fe \4y, Siendo vo la tensién inicial \6?Ehchies pc Gap 2055 sis . Grso ZOAS xpcor ie di pe el cus prlavcols & lo aroad Kenai in pote a Gwent toads de peta aeurto rdude® Gols fen ok y bok pra an lusts oy ote 6 y Ne doped ou lee 9 (on cus? leg Z. Rep. or ced eu Gn eee (4 pe) a) Downer la recombi wide ode la ue tacion cuewde los Queeutroea on® & prboderes ata jer doo} al equilittio @) Dwr la qereroete teute a. Tobie cuacce (os eucertocones ce peeoder eto ee deboje dal quelioro eC) la fe tcne y lx ree lar" iguebs — al dorian el eager: 3Kudicear la reagesedn rece (1 po ) 6} No todes los folenes oy ve mise la célula Solar Son Calender ¥ rower os erloces de le eloctsovres de valeur. b) le wteucaded de ocbscreusty a |n curios oe crcla cuando la clude oho ahead la wdewe poten lo erga ¢) a wodinra devo ge ue cclale aglow prec oheape funn cara onde ce al peolide & Ie vlersdes!. de ero rents gn a teven de cites deco L. Evewor “aur uiow WP de Qo a lncod ledos lo uwere del dopa cou cbraglen ye pole aglieor Lo. opresi ance de woganin ele. Wr dopet> re neler bn exqyitleo (3, plo) N Doped tus) cen’ 107 - 4 oy? Drovers (eww) 6x16 2b ABAa)S apbicaywas ods dismeive uta brug» an chicele de 0-2V glala el drogromm ck bade, chus:chd ok 7 caye abidne incicaide seeeken les dda acta tel fo» louder ex docks to purr relovailes b calcula dg ee ole porloderen tuanoa bane: y repre br qrfieunet. au dishibvece faut eu Gpilibre jue en Uh peacizecion vadicodo. — anctenernecls- GB Tevews tar Cope or MIC do Scour owes plone ee wUbie Gu un dopde frbro oar? ya oxide ch S On oper ah Bn a eageichule auseda © pts) aybhege lx edaduin te bade 7 ln dpdesl de coi Create d ifs ob” Ge javergéey VaGousele — y ccs mualocise » be oudeaye ase HOES 0 porbc hob epele donde d deeucdeor oy le fu @ dome ou be db = lek y Te a baer de peel geen om paler go Z . hoorers ol dispritve ah ple deciin fe Mere otecb AxOIntroduccién a los sistemas electrénicos + Radios, televisores, teléfonos, ete. Sistemas electrénicos: tSrees G8 * Control de combustible y encendido en automoviles Los sistemas electrénicos se componen de varios subsistemas o bloques funcionales: + Amplificadores: Incrementan las sefiales + Filtros: Separan las sefiales deseadas de las no deseadas y del ruido + Fuentes de sefiales: Generan diversas formas de onda (senoidales, cuadradas, * Cireuitos conformadores de onda: Cambian de una forma de onda a otra + Funeiones de légtea digital: Procesan sefiales digitales + Memorias (digitales y analégicas): Almacenan informacion + Fuentes de alimentaciOn: Proporcionan corriente continua al resto de los bloques + Conversores (A/D y D/A): Cambian el formato de las sefiales Un ejemplo: Radio AM a | = Le t aves | ArkObjetivo principal; Proporeionar la base para disefiar un circuito practico de un bloque funcional, partiendo de las especificaciones Especicaciones delbloque finclonal ‘al petatip, fost *Uilizando el anlisis eric, una simulacién por computador, o pruebas reales con los ciruitoe. a Totrtuctin lorem ltrs Electrénica. Parte1, Introduccién al concepto de amplificacién 1. Modelos de amplificador 2, El transistor como amplificador 1. Principios de funcionamiento 2. Anilisis grafico 3, Polarizaci6n en diseftos discretos 1. PolarizaciOn con una fuente de tensién. Reglas de disefio 4. Configuraciones amplificadoras bésicas de un transistor 1.,, Modelos para pequefia sefial 2, Configuraciones en emisor comin, colector comun y base comin 3. Amplificacién con transistores MOS. 5 ios ampifendoreilementadn co tenssores Introduceién al concepto de amp! Un amplificador ideal produce una sefial de salida con la misma forma de onda que la sefial de entrada pero con mayor amplitud Bjemplo: Un mieréfono genera una sefal de Jn de amplitud. Un amplficador de ganancia en tensién die 10.000 da lugar a una sefal de 10 voltios, que se puede enviar a un altavos. “eminle Termine R,= Resistencia de carga Arise A, Ganancia entensién no en Fomdcords denen | nema magne 6 Cis pte ri AXSacterizaci6n de los amplificador: Respuesta en frecuencia + 0,,, 04, ancho de banda, ancho de banda til Ci Pardmetros a frecuencias intermedias ‘+ Impedancia de entrada: R, + Impedancia de salida: Leino + Pardmetro de transferencia: Ay, Aj, Gy, Ry Clasiti ién de los amplificad En términos del ancho de banda + Amplificador de continua, audio, video, sintonizado En términos de potencia + Amplificador de pequetta sefial, potencia (A,B,AB,C...) En términos de la propiedad de la seftal que mas realza: + Amplificadores de tensién, de corriente, a transconductancia y a transrresistencia 7 ‘Gress lindo Modelos de amplificadores Modelo: Cuadripolo activo en cuya etapa de salida hay un generador dependiente, que puede ser de tensién 0 de corriente, y que puede depender de tensién o de corriente a & ‘io Amplificador de corrente Ri Amplificador a transresistenci 8 Giese smears inplementnda ce tranistres _ : AXModelos de amplificadores en base a la propiedad que més realza: Ample vraeranectancla AmpBteadors teresa G Amplificador de tensién: Moise evi cre) eto xmpliendorcimplerentas cn tures 4, Ry<>R, A, ire emi AxS.C Amplificador de corriente: # a © 0 Caracteristica de transferencia: i, = Aj, 4 ae A, IR>>R,, Ree R, ‘ireios mpcaersmplemenads cen tases Amplificador a transconductancia: imo Vi RR GF nad R,+R, R+R, Q IRp>>Ry, Ry>> Ry mo ‘iets ampicnderemlomentadas co transtores AX&O Amplificador a transrresistencia: | = @*" "| Caracteristica de transferencia: Eltransistor como amplificador ‘Transistor bipolar NPN: at igi Sirti esnice Funcionamiento como amplificador: Regién activa directa + Unién PN base-emisor polarizada en directa + Unién PN base-colector polarizada en inversa 14 (Cece ampliedars implements con trestres AXTescoriente de satiacién, Valores en el Corriente de colector: rangodé 10)7a 1017 A. . ; ‘B: Gananca en coriene en emisor comin Corriente de base: i, Valores tipicos entre 1071000. ‘a: Ganancia en corriente en base conti. Valores tipicos'énire 0.9 y 1 u 16 testes ampiindresnpementados co ransores ‘Curvas caracterfsticas en emisor comiin de un transistor NPN (representacién ideal) a rr a rT) 7 Curva caracteristica de entrada Curvas caracteristicas de salida ics amplieners implements con ranstres AXE 16Curvas caracteristicas en emisor comtin de un transistor NPN incluyendo efectos de segundo orden Curvas caracteristicas de salida En un dispositive real aparecen efectos de Segundo orden que deben ser tendos en cuenta: + Modulacién de ancho de base (efecto Early) + Ruptura de colector(ruptura por avalanche) + Comtentes de fagas + Maxima disipecién de potencia ” eee ‘Modelos de gran sefial » e le con pn toy pe gan a - fF ~~ 4 . Ha — »o—_ HT | | sea anus tratawaon | | tear Hee toe # tsa ae a ene aeence AMAModelos de gran sefiat . we Ke a: by ceeiee | Zoe a = ‘Si vag es sufcientemente grande, un cambio pequefio de Yp_ Provoca un cambio apreciable en iy sabre todo en ic (iempre y cuando vex sea suficlentemente grande) => => Efecto amplifieador Circo equivaente suponiendofuncionamiento Punto clave: Situar el transistor en funcionamiento’active directa => Polarizar Definiciones: Polarizar un dispositivo: fijar las tensiones y corrientes de continua del dispositivo para que trabaje en una zona determinada. Punto de polarizacién: conjunto de tensiones y corrientes del dispositivo en polarizacién. (Punto Q, de Quiscent operating point) Red de polarizacién: Red externa formada por dispositivos activos y/o pasivos para fijar el punto de polarizacién. 20 irate mpiendre plement. AROAmplificador en emisor comiin con red bésica de polarizaci6n ad tine de cargos sea ie cantina pron sate ‘alms pest dv)‘Mediante el andlisis extraemos las formas de onda de Jas sefiales sumadas a los niveles de polarizacién Pequetias variaciones de vi,(t) provocan grandes variaciones en Vog Observar el efecto “inversor” del amplificador (ganancia negativa) 23. Clee ampieadares implemen con Ejemplo: Sea el circuito siguiente, donde Voc=10v, Vag=L.6v, Ry40k yRe2kQ La sefial de entrada es una Vi(t)=0.4sen(2000n. Curvas caracteristic 24 cies ampticadarsinplementis cn tasstres AEFormas de onda: Formas de onda de salida ante entrada de 1.2v pico a pico: ree Af ot Jb i Distorsion 8 iesins amps inlets con ransors BIT en disefios diseretos Problem: + Establecer un determinado nivel de corriente de continua en el emisor + El nivel debe ser insensible a variaciones en T 0 las grandes variaciones en el valor de 8 que presentan transistores de! mismo tipo ijar el punto Qen el plano i-vce de forma que se obtengan excursiones méximas en la sefial de salida Esquema de polarizacién con fuente tinica Vee Incorpora.a mayores una resistencia en el emisor para ‘mejorar la estabilidad 26 rapier implement con ranstres ARSEcuaciones de entrada y salida para determinacién del punto Q ky he! fy 3 | ase Cesta eevee ges mn fees de tori tein opuae peor coon er woke Voo=TcRe Veet TeRe se Theveninpwa Vag yy 27 Reglas de disefio i Pree en eee O_ Objetivos: 1, Establecer un determinado nivel de corriente de continua en el emisor 2. Bl nivel debe ser insensible a variaciones en To las grandes variaciones en el valor de f que presentan transistores del mismo tipo 3. Fijarel punto Q en el plano ig-vog de forma que se obtengan excursiones sméximas en la sefial de salida Factores limitantes: 1. Potencia maxi 2. 1 disipada (tipicamente Py, 300 mW) | | ‘Valores méximos de tensiones y corrientes (ruptura por avalancha) (tipicamente Ion, 200A, Vegnax ~ 30-50V) Corriente de emisor: Vag Vog ey 28 ican mpicnresimplemetades con _ Ag29 Insens Disefiar de forma que Vgg>> Vag + Limite en el valor de Vag Voc =IeRe-+Vea tTaRa +Vea Para un valor de Vec dado, aumentar Vgg implica disminuir VogTeRd) 1. [eRe debe ser elevado para asegurar suficiente ganancia y excursién positiva en la sefal 2. Veg (+ Veg) debe ser elevado para asegurat suficiente excursién negativa Exigencias de disefio contradictorias | 2 Solucién de compromiso: repartir Voc Elegir valores de Vp »IcRcy Von préximos a % de Voc Cire ampiodores implementa cn tustnes frente a variabil os valores Insensibil Disefiar de forma que Ry<< (P+) Re + Se satisfaria haciendo Ry pequefio (i.e. valores de R, ylo Rs pequenios Por otra parte R, y Ry no deben ser pequefios para evi 1, “Consumo elevado” 2. Baja resistencia de entrada del amplificador si se “entra” por base (tipicamente parémetro de disefio) Exigencias de disefio contradictorias 2 Solucién de compromiso: Ry*0.1B+)Re retosamplifcaeres pene co transores ARSConfiguraciones amplificadoras biisicas de un transistor fodelos para pe fal Cualquier tensién o corriente en un amplificador posee dos componentes: componente de continua (polarizacién) y componente de sefial Criterios de notacién: + Las corrientes y tensiones de! punto Q (continua) se denotan con simbolos y subindices en mayuisculas (Io, Vogs...) + Los cambios de corriente y tensién a partir del punto Q (componentes de sefial) se denotan ‘con simbolos y subindices en minisculas (i, Veg.) + Las corrientes y tensiones globales se denotan con simbolos en mindsculas y subindices en maytisculas (ic, Veg.) Corinte st irs amplienderesimplamentas con ranstores ‘Transconductancia + Tensién total instanténea en la unién base-emisor: vp * Corriente de colector instanténea: iexte™ &n=To/ Vp =Pardmetro de transconductancia La transconductancia es directamente proporcional al nivel de cortiente de polarizacién. Los transistores bipolares tienen valores de g,,relativamente elevados: [p= I mA, gj, ~ 40 mA/V 2 ‘ireitasamcedorsinplementaes con tramsres : Agé+ Interpretacién grafica de la transconductanci potarizacion” 33 eciosamplifcadresinglamentaes co ranioes Corriente de base y resistencia de entrada en la base + Corriente total de base: ip=1y +h, + Componente de seftal: * Resistencia de entrada de pequefia seffal entre base y emisor, r,: Yn B hh b 8m Ty + Pardmetro dependiente del nivel de corriente de polarizacién Type 10QA = rg=2.62 ies tmticaoreslnementade co rane AY 34ivalente para transistor bipolar: Modelo hibrid Efectos de I orden delos de Ecuaciones del modelo: ‘ireitosamplicaders implements con tastores Efectos de 1 orden + Efecto Early + El efecto Barly: ic = flv) * Modelado: incluir una resistencia de salida finita, ren las fuentes de corriente dependientes 36 a y, V¢ Tensién Barly 0” L ‘Ic: Corriente de colector en el punto de polarizacién c cB c = ee Oe Bis Bn mo mo. irate ampiicaoresnylementdas co rans AL?Amplificador en col min (seguidor de emisor) ¢ 4 7 CCireuito equivalente en pequetia seftal a frecuencias medias fesse Circuito equivalente usado para hallar Zp Gircultasampicnors implements con tases 43 Amplificador en base comin Pardmetros de pequefia sefial: sin Cy) tt Ry _— Filte*h) RR eR, Ryak Re (4 A)R: A= RAR Byer, t(B+)Re * Ganancia en corriente menor que la unidad ‘Impedancia de entrada baja + Impedancia de salida alta ‘ices mpinorsiplemenings cantare ARIAta Fe BNR Rae Rlb oka) ¥, t= R R= Soluci6n intermedia que mantiene la estabilidad mientras reduce la influencia en la ganancia y en la impedancia de entrada at Amplificador en comin Circus ampticaderes implementa: con rnsisares idor de er Parémetros de pequefia sefial: (+i\RJR,) TAB HYRAR, R= Rll (+\RdR)) 7. +(RlR) aan Re) (+ )R, Ran BURR, 4, RAR + Ganancia en tensién practicamente unidad + Impedancia de entrada elevada + Impedancia de salida baja (>) Util como adaptador de impedancias 42 Creates ARO‘Amplificador en emisor comin (egeneraciin de emisor) 39 ‘Cees amplicaers implode cn anise Amplificador en emisor comt Pardmetros de pequefia sefial * Cp: Condensadores de desacoplo + Proporciona un camino de baja impedancia para la corriente que va del cemisor a tierra + Mayor ganancia en tensién y menor impedancia de entrada + Disminuye la estabilidad del punto de polarizacién + Disminuye el rango dindmico y Ta respuesta en frecuencia, 40 Circa indore plement _ ASAle circuit te Jat: Modelo hibrido en x Tiene en cuenta efectos de 7’ orden y comportamiento a alts frecuencias + r= Resistencia de dispersién de base (tipicamente entre 10 y 100) + 1,= Resistencia dindmica de la uniGn base-emisor Gamisma qe ene modo simplicao) + ,.= Resistencia asociada al efecto de modulacién del ancho de base sobre la caracteristica de entrada (valor alto, tipicamente de MQ) = Resistencia asociada al efecto de modulacién del ancho de base sobre la caracteristica de entrada (efecto Early) + C= Capacidad de transicién de la unién base-colector (del orden de pF) + C,= Capacidad de difusién de la unién base emisor (tipicamente enrte 10 y 1000pF) a7 Cres ampliendrs implemented con amiss 1 ¥ Cpt Condensadores de acoplo + Separan la componente de continua (polarizacién) de la seftal + Se eligen valores apropiados para que a las frecuencias de trabajo representen précticamente cortocitcuitos mientras que para la sefial de polarizacién representan circuitos abiertos. 38 Giese mpificadres implemented con ramsers AREAmplificacién con transistores MOS Katy. : Tor Ket Vg VIA) Sain nani cn KWo yy, -y) Tos tant Wea loa Vir) _. AadJ22IATI Pajus UR “ono 4 1. Definir el sistema de.coordenadas horizoniales ¢ indicar el rango de variacién de ‘sis componentes. {Cuales sox las ventajas ¢ inconvenientes del sistema? 2. En basé del espectro ptesentads : a) entificar Jas lineas espectrales més significativas (usar la lista adjunta). by acer una estimacién de su clase-espectral en el sistema de Harvard 260 = 200 166 100, 50. we sti ‘% Nga yn bi a 7 23 ee Son 00 4500 © S000 ae 6000 «GDN 7000 & a oF F Lista de Iineas ms significativas de distintos elementos (Iongitud de onda en A): He fl 3968, 4025, 4100, 4200,.4340, 4542 Hel 4026,4387, 4471 1H (Serie de Balmer) 3835, 3889, 3970, 4102, 4340, 4861, 6563 Call 3934 (K) 3968 (H) Ca] 4227 G band 4300-4307 Fe 14045, 4271, 4384 Mg I 4481 CTL 464744651, ‘NIT. 463444640 SiIV 4089 cL 4267 ‘Ma 1 403i. THO 4584, 4761, 5448 Mg 5163, 5173, 5181 CaOH banda 5500-5560 ‘MgH banda 4780, 519850S.59090- ae coce 10. uL . Un parsec, 1 po, ¢s la distancia a la cual una . El disco de una galaxia espiral tiene una intensidad dada aproximadamente por I(r) = Jo. Facultad de Fisica. Universidad de Santiago de Compostela XX Grado en Fisica ASTROFISICA Y COSMOLOGIA as ASTROFISICA : Boletin de Problemas 1 Introduccién, Radiacin, Magnitudes y Propiedades estelares dad astrondmice, 1 AU, se observa bajo un éngulo de 1 segundo de arco. Sil AU = 1.5 10"%m, determinar ls distancia Ia que equivale 1 po en metres y en afios luz. , Cuil es la distancia media entre estrellas en nuestra rogidn de la galaxias (a-ha % . Calcular Ia intensidad media, el fo radiativo, la presién de radiacién y la densidad de energfa en un campo de radiacién caracterizado por las siguientes intensidades especicas: 13 + ull, siendo = caso IR, siendo Jo una constante y R la llamada escala radial. Caleular el flujo total del disco de la galaxia, . Se denomina brillo super ficial B o, simplemente, brillo, al flujo de energia por unidad de éngulo sélido ‘que percibe un cierto observador. Comprobar que el brillo super ficial coincide con la intensidad de la radiacin. ‘La densidad de finjo solar en Ia superficie terrestre, o constante solar, es So es 1300 Wm. Sil didmetro ‘angular del Sol, visto desde la Tierra, es c= 32’ determinar el brillo super ficial del Sol. . Calculer el desplazamiento Doppler de la. lines de 363.4nm del Call para un miembro del ciimulo de alaxias de Hydra cuya velocidad radial de alejamiento es 60900 kan/s. En qué rogién del espectro se observa la lines? - {Ein cudnto differen los tamaiios de una estrella gigante roja y de una estrella gigante azul, suponiendo Ja misma luminosidad para las dos? (Témese la temperatura de la gigante roja Tan = 400K y la temperatura-de la gigante azul Tea = 20000%). A partir de una tabla de estrellas cercanas en las aparezcan sus pivalajeS} sus maguitudes aparentes, Ys fndive de color, dibujar su correspondiente diagrama HR, Determinar a qué tlasé de liniinosidad corresponde cada una aproximadamente Determinar Is longitud de onda del fotén emitido por um dtomo de hidrégeno en una transicién entre los niveles n= 110 y my = 108. Se mide el espectro global de una galaxia espiral y se observa que Ia linea Hy (A = 656.3 nm) tiene una ‘anchura tipica de 0.5 nm, Estimar el orden de magnitud de su velocidad de rotacién. {La nebuloss del cangrejo (Cancer) es un resto de uns supernova. Su tamatio angular es de 3'. Anslizando su expectro ss observe que su velocidad de expansin es de unos 1900 lam/e, siendo su expansién de unos 0.21" fail, {Ouéndo tuvo Tugar la supernova? {A qué distancia esta? ‘Se observa que un sistema tipo Algol es también un sistema dable espectroseépico: dos Iineas igualmente intensas varlan de posicién. La curva v-t de ambas Iiness, siondo v ln velocidad de elejamiento Doppler, es igual para ambas lineas, una sinusoide de periodo 2.07 dias y amplitud 105 km/s. ,Qué masas tlenen Siesta? = OSs?SeBaya cece cececccccers Univ. de Santiago de Compostela. Facultad de Fisica. Grado dé Fisica, Curso 2014/15 Examen de Astrofisica y Cosmologfa, 15 de mayo de 2015 ASTRONOMIA. Nombre y Apellidos: (Cuestién 1, Forma de la Tierra y oatsas de ou schatamiento. El geoide.(Cuestién 2. Las coordenatlas eclfpticas y sus rangos de variacién: BH 40Univ. de Santiago de Compostela. Facultad de Fisica. Grado de Fisica. Curso 2014/15 Examen extraordinario de Astrofisica y Cosmologfa. 15 de mayo de 2015 ASTROFISICA Nombre y Apellidos: Astrofisica: Algunas cuestiones cortas 1. Enumera, indicando Ia escale de valides, Jos principales métodos para la determinacin de distanciss en el universo. 1.2. {Cua es ol limite de energfa de un fot6n rojo visible, Qué métodos se utilizan para medi la radiacidn slectromagética con energia inferior al visible y cudles se pueden emplear desde la superficie terrestre? 1.3. Comenta cusles son los principales ciclos de produecién de energia pare las estrellas en Ia Secuencia Principal. {Cémo vara su importancia en funcién de Ia mase de la estrella y con la temperatura? 1.4. LA qué se refieren las ecuaciones de Boltzmann y de Saha? {Cuél es su importancia para entender los especiros estelares?Astrofisica: Cuestién 2 Enuncla el teorema del Virial en Astrofisica (no hace falta demostrerlo). {Cudndo es vélide? Comenta ‘su interés en la formacin y evolucién estelar. Se uzAstrofisica: Cuestién 3 CComents toda la informacién que conozcas que se puede exiraer del estudio de las lineas espettralos de un objeto celeste, :De qué depende que un expectro sea de absorcién (ode Fraunhoffer), de emiscn o continuo?‘Astrofisica: Problema ‘La observacién de Ia estrella Sirio (a Canis Maioris o @CMa) muestra los siguientes resultados: ~ Su magnitud aparente visual es V = —1.47 ~ Bl méximo de su curva de intensidad radiante esté en 290 mim = Se ha medido su paralaje, resultando ser 1 = 0.38" = El radio angular, medido con un interferémetro de intensidad, es 0.003" Determinar cu temperature, distancis, magnitud absoluta visual. Caleular también su radio y luminosl- ad y comparalos con los valores del Sol. A qué clases espectral y de luminosidad dinfas que pertenece? (Datos Myy = 4.79, Lo =3.6-107W, To ~ 6000K)a Fistea Mucteae 4 Be acu’ wus comin 3. arise fit of pa — Vv 5a es dein ee pt yl ce de met 86 ings ill do tot seins ‘ues pepo |e rr esta 3 ey ei er is deena 249. UaStonowy mutase ena b.8e ‘stan mae dno dt aden ‘oee,