PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

Prctica No. 1: Caractersticas del

Diodo de Juntura
Martnez Hernndez H.D.
Electrnica. Programa de Fsica, Facultad de Ciencias Bsicas y Tecnologas
Universidad del Quindo - Colombia

RESUMEN
Se midi el voltaje y la corriente en los diodos de juntura de Silicio 1N4007 y de Germanio para distintos
voltajes de entrada desde 0.1 V hasta 5 V en pasos de 0.2 V. Se realiz una simulacin previa del montaje
para tomar de dicha simulacin los valores tericos concernientes a los dispositivos a estudiar. Se
determinaron las curvas caractersticas correspondientes a cada diodo.

ABSTRACT
Voltage and current is measured at junction diodes 1N4007 Silicon and Germanium for different input
voltages from 0.1 V to 5 V in steps of 0.2 V. It advance simulation assembly to take concerning this
simulation the devices to study theoretical values was performed. The characteristic curves were
determined for each diode.

PALABRAS CLAVE
Diodo de juntura, diodo de Silicio, diodo de Germanio, curva caracterstica, cada mxima de voltaje, cada
mxima de corriente, voltaje de umbral, polarizacin inversa, polarizacin directa.

OBJETIVOS

Estudiar el comportamiento elctrico de los diodos de Silicio y Germanio.

Determinar la curva caracterstica de V-I asociada a los diodos de Silicio y Germanio.
Simular el comportamiento de ambos dispositivos en la herramienta Proteus.
Calcular el porcentaje de error de la corriente que circula por el diodo y el voltaje en sus
terminales entre los valores tericos y prcticos.
1

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

MARCO TERICO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente
elctrica en una nica direccin. De forma simplificada, la curva
caracterstica de un diodo (V-I) consta de dos regiones, por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado
con muy pequea resistencia elctrica.
Existe una denominacin de diodos de acuerdo a los materiales que
los constituyen, los diodos PN o juntura PN. Los diodos PN son
uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos P y N,
por lo que tambin reciben la denominacin de unin PN.
Diodo de juntura de Germanio (rojo con
negro) y diodo de juntura de Silicio (negro).
[2]

Polarizacin inversa: En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona P (la de menor
voltaje) lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y por tanto el voltaje en dicha zona hasta que se
alcanza el valor del voltaje de la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin
embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Por
efecto de la polarizacin inversa, las concentraciones de portadores minoritarios, electrones en la zona P
(Np), y huecos en la zona N (P N) disminuyen a medida que se aproxima a la unin desde los valores
iniciales del diodo no polarizado hasta anularse.
Polarizacin directa: En este caso, al contrario que en el anterior, la batera disminuye la barrera de
potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones y huecos a travs
de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Las concentraciones de
portadores minoritarios, se incrementan desde los valores iniciales a medida que nos acercamos a la unin.
Voltaje de umbral: El voltaje de umbral de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona
de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial
se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando el voltaje externo supera el voltaje de umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de voltaje se producen grandes variaciones de la intensidad.[1]

MATERIALES

Fuente de corriente directa.

Multmetro.
Un diodo de silicio 1N4007 y un diodo de Germanio.
Protoboard.
Resistencia.

DESARROLLO DE LA PRCTICA
2

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

Inicialmente se realiz la simulacin correspondiente al diodo de Silicio y al diodo de

Germanio para obtener los valores tericos dados para la prctica. La simulacin se realiz en Proteus. A
continuacin se muestra el esquema establecido para el diodo de Silicio 1N4007:

Figura 1: Circuito simulado en Proteus para el diodo de Silicio 1N4007

En la simulacin anterior se vari el voltaje desde 0.1 V a 5 V en pasos de 0.2 V para obtener el voltaje y la
corriente en el diodo, la respuesta de simulacin es la siguiente:

Figura 2: Respuesta de simulacin en Proteus para el diodo de Silicio 1N4007

Una vez efectuada la parte de simulacin se procedi a ejecutar la etapa de implementacin, en esta parte
se mont el circuito en un Protoboard, usando una resistencia de 6.8 k , identificando los terminales
3

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

nodo y ctodo del diodo de Silicio. Se midi el voltaje y la corriente en el diodo

para distintas variaciones de voltaje DC obtenidos por la fuente, los resultados se muestran en
la siguiente tabla:
Voltaje de la
fuente (V)

0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
4.1
4.3
4.5
4.7
4.9
5
7
10

Voltaje
Experimental (V)

0.10
0.30
0.41
0.43
0.45
0.47
0.48
0.49
0.50
0.51
0.51
0.52
0.52
0.52
0.53
0.53
0.53
0.54
0.54
0.55
0.55
0.55
0.55
0.56
0.56
0.56
0.58
0.60

Voltaje
Terico (V)

0.10
0.30
0.49
0.56
0.58
0.59
0.60
0.60
0.61
0.61
0.62
0.62
0.62
0.62
0.63
0.63
0.63
0.63
0.63
0.64
0.64
0.64
0.64
0.64
0.64
0.64
0.65
0.66

Porcentaje de
Error (%)

0
0
16.32
23.21
22.41
20.33
20.00
18.33
18.03
16.39
17.74
16.12
16.12
16.12
15.87
15.87
15.87
14.28
14.28
14.06
14.06
14.06
14.06
12.50
12.50
12.5
10.76
9.09

Corriente

Experimental (

Corriente

Terica (

A)

A)

0
0
19.2
48.5
75.6
102.6
132.2
175.5
206.3
235.8
258.5
302.2
325.4
355.6
398.1
428
460
492
520
552
582
611
641
682
708
725
1055
1535

0
0
16.3
43.7
64.3
96.5
121.5
159.8
191.6
223.1
239.4
267.5
296.2
313.2
342.7
376.1
399
432.3
476.3
507.4
537.1
583.8
604.3
639
673.2
689.3
933
--------------

Porcentaje de
Error (%)

0
0
17.79
10.98
17.57
6.32
8.80
9.82
7.67
5.69
7.97
12.97
9.84
13.5
16.16
13.79
15.28
13.80
9.17
8.78
8.35
4.65
6.07
6.72
5.16
5.17
13.07
----------------

Tabla 1: Voltajes y corrientes para el diodo de Silicio 1N4007

Luego de obtener los datos de la etapa de implementacin se procedi a obtener la grfica de la corriente
en funcin del voltaje en el diodo, dicha grfica se muestra a continuacin:
4

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

Curva Caracterstica V-I para Diodo de Silicio

Grfica 1: Curva caracterstica V-I para el diodo de Silicio 1N4007

Una vez obtenida la curva caracterstica se procedi a hallar la resistencia del diodo mediante la expresin:
rB=

V 2V 1
I 2I 1

De esta manera para los valores V 1=0.45 V , V 2=0.47 V ,

rB =

0.50 V 0.49 V
=321.54
206.3 A175.5 A

I 1 =75.6 A

I 2 =102.6 A :

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

Despus de realizar todo este tratamiento para el diodo de Silicio, se procedi a

realizar el mismo tratamiento para el diodo de Germanio, por lo cual la etapa de simulacin es
la siguiente:

Tras
obtener
el
circuito
de
Figura
3: Circuito simulado
Proteus desde
para el0.1
diodo
simulacin para el diodo
de Germanio
y variar en
el voltaje
V ade5 Germanio
V en pasos de 0.2 V para obtener
el voltaje y la corriente en el diodo, la respuesta de simulacin es la siguiente:

Figura 2: Respuesta de simulacin en Proteus para el diodo de Silicio 1N4007

As mismo una vez efectuada la parte de simulacin se procedi a ejecutar la etapa de implementacin tal
como se ejecut para el diodo de Silicio, los resultados se muestran en la siguiente tabla:
6

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

Voltaje de
la fuente
(V)

Voltaje
Experimental
(V)

Voltaje
Terico
(V)

Porcentaje
de Error
(%)

Corriente
Experimental (

Corriente
Terica (

Porcentaje
de Error
(%)

0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
4.1
4.3
4.5
4.7
4.9
5
7
10

0.10
0.14
0.17
0.18
0.19
0.19
0.20
0.20
0.20
0.21
0.21
0.21
0.21
0.22
0.22
0.22
0.22
0.22
0.22
0.22
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
0.24
0.25

0.10
0.15
0.18
0.18
0.18
0.19
0.19
0.20
0.20
0.21
0.22
0.22
0.22
0.23
0.24
0.25
0.25
0.27
0.27
0.28
0.29
0.29
0.30
0.30
0.31
0.31
0.36
0.42

0
6.66
5.55
0
5.55
0
5.26
0
0
0
4.54
4.54
4.54
4.34
8.33
12
12
18.51
18.51
21.41
20.68
20.68
23.33
23.33
25.80
41.93
33.33
40.47

9
22
54
85
105
138
170
195
221
256
278
311
335
358
387
426
451
475
506
541
569
598
613
644
680
690
981
1417

11.5
35.8
61.1
87
114
140
168
195
222
250
278
306
334
362
390
419
447
475
504
532
561
589
618
646
675
690
971
---------------

21.73
10.61
11.62
2.35
7.89
1.42
1.19
0
0.45
2.40
0
1.63
0.29
1.10
0.76
1.67
0.89
0
0.39
1.69
1.42
1.52
0.80
0.30
0.74
0
1.02
---------------

A)

A)

Tabla 2: Voltajes y corrientes para el diodo de Germanio

Una vez obtenidos los datos de la etapa de implementacin para el diodo de Germanio se obtuvo la curva
caracterstica dicha curva se muestra en la siguiente grfica:
7

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

Curva Caracterstica V-I para Diodo de Germanio

Grfica 2: Curva caracterstica V-I para el diodo de Germanio

As mismo, tal como se hizo para el diodo de Silicio, una vez obtenida la curva caracterstica para el diodo
de Germanio se procedi a hallar su resistencia interna mediante la expresin:
rB=

V 2V 1
I 2I 1

De esta manera para los valores V 1=0.22 V , V 2=0.23 V ,

rB=

0.23 V 0.22 V
=357.14
569 A541 A

I 1 =541 A

I 2 =5 6 9 A :

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

ANLISIS DE RESULTADOS
En la tabla 1 se puede ver que el voltaje experimental y el voltaje terico presentes en el diodo se acercan
ambos al voltaje de umbral del diodo de Silicio el cual corresponde 0.7 V, esto para voltajes alejados de los
inicialmente propuestos por la prctica, se podra pensar que esta diferencia se debe al valor de la
resistencia tomado para el desarrollo de la prctica el cual fue 6.8 k un valor bastante grande con el
propuesto. Por otro lado se puede ver que las corrientes experimentales y tericas tuvieron un porcentaje de
error bajo lo que puede brindar una buena aproximacin para la curva caracterstica.
En la grfica 1 se puede ver que la curva caracterstica correspondiente al diodo de Silicio corresponde a la
registrada en la teora, nicamente que se aleja 0.1 V del voltaje de umbral, sin embargo el comportamiento
es el adecuado.
En la tabla 2 se evidencia que el voltaje no se elev mucho puesto que para el diodo de Germanio el
voltaje de umbral es 0.3 V por lo que rpidamente el diodo lleg a l, por lo tanto el paso fue lento y
valores muy cercanos, comparados con el voltaje reportado tericamente conforme aument el voltaje en la
fuente el porcentaje de error aument. Sin embargo las corrientes tericas y experimentales tuvieron poco
porcentaje de error.
En la grfica 2 se puede notar que la curva caracterstica para el diodo de Germanio est bien comportada
con respecto a la registrada tericamente, sin embargo se puede ver que hay una parte donde se presenta
dispersin o fluctuaciones, adems de acuerdo al voltaje de umbral terico, el voltaje de umbral obtenido
experimentalmente es 0.25 V para voltajes alejados de los propuestos por la prctica lo que permite inferir
que el valor de la resistencia utilizado es bastante elevado influyendo en el buen comportamiento del
diodo.
Los valores de las resistencias internas de ambos diodos estn por valores cercanos lo que puede estar
asociado a la naturaleza de los materiales semiconductores.

CONCLUSIONES
Una vez terminada la prctica y discutidos los resultados se puede concluir que:

Conforme disminuye el voltaje de umbral hay una mayor corriente de saturacin, esto implica que
un diodo con mayor saturacin podr entrar en la zona de conduccin de una manera ms sencilla,
adems habr menos oposicin al flujo de corriente que est presente en dicha regin.

Se obtuvo una buena aproximacin de las curvas caractersticas para el diodo de Silicio y de
Germanio comparadas con las curvas caractersticas reportadas tericamente, adems de sus
voltajes de umbral.

La resistencia interna del diodo de Germanio es mayor con respecto a la del diodo de Silicio esto se
puede evidenciar en los pasos de corriente que tienen cada uno de los diodos.
9

PROGRAMA DE FSICA, UNIVERSIDAD DEL QUINDO

ELECTRNICA, MAYO DE 2016

REFERENCIAS
[1]http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/Diodo.pdf
[2]http://www.iesmateoaleman.es/espa/act/unidad5/tema_4/contenido/ODE-c6df2e50-64f9-3d16-96766e233f82fda3/4.2.4.Diodes.jpg

10