Dispositivos semiconductores de potencia.

Tema VII.
Interruptores.
Leccin 19 El rectificador controlado de silicio.
19.1 Construccin y encapsulado
19.2 Funcionamiento en bloqueo
19.2.1 Bloqueo directo
19.2.2 Bloqueo inverso
19.2.3 Caractersticas elctricas y prdidas
19.3 Funcionamiento en conduccin
19.3.1 Circuito equivalente y caractersticas elctricas
19.3.2 Clculo de prdidas

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor

19.4.1 Por tensin excesiva
19.4.2 Por derivada de tensin
19.4.3 Por radiacin electromagntica
19.4.4 Por impulso de puerta. Caractersticas de puerta
y

tiempos de disparo

19.4.5 Circuitos de disparo. Dispositivos, transformadores

de impulsos y optoacopladores
19.5 Bloqueo del tiristor
19.5.1 Formas de bloqueo: Esttico y dinmico
19.5.2 Mtodos de bloqueo: Por fuente inversa de tensin
y por fuente inversa de corriente

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.6 Otros tiristores

19.6.1 Tiristor bidireccional (TRIAC)
19.6.2 Tiristor de apagado por puerta (GTO)
19.6.3 Fototiristor
19.6.4 Tiristor controlado por estructura MOS (MCT)
19.7 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construccin y encapsulado.

CARACTERSTICAS
CARACTERSTICASGENERALES:
GENERALES:
--Estructura
Estructurade
decuatro
cuatrocapas
capas(PNPN)
(PNPN)con
condos
dos
estados
estadosestables
estables(conduccin
(conduccinyybloqueo).
bloqueo).
ESTRUCTURA:
A
(nodo)

G
(Puerta)

K
(Ctodo)

J1: Unin andica.

J2: Unin de control.
J3: Unin catdica.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construccin y encapsulado.

TCNICAS
TCNICASDE
DECONSTRUCCIN:
CONSTRUCCIN:--Difusin.
Difusin.
--Crecimiento
Crecimientoepitaxial.
epitaxial.
DIFUSIN
P
Capa andica

(substrato tipo N)

P1

Capa de bloqueo

Capa de
control

Capa
Catdica

N1

P2

N2

DIFUSIN
N
0

P2

A
N2

unin catdica

K
unin de control

N1

unin andica

P1

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construccin y encapsulado.

- Aislamiento
- Conexin Elctrica
- Disipacin trmica

ENCAPSULADOS
DO 208 AC

Cobre
Cobre
Tugsteno
Tugsteno

nodo
nodo

AuAu- Sb- Sb
Cpsula
Cpsula
metlica
metlica
Cierre
Cierre
aislante
aislante

Pastilla
Pastilla
Aluminio
Aluminio
Tugsteno
Tugsteno

Puerta
Puerta
Ctodo
Ctodo

Cobre
Cobre

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construccin y encapsulado.

ENCAPSULADOS
TO 209 AD
B7

TO 200 AF
B 20

500 V
100A

1300 V
1800A

TO 208 AC
B2

500 V
24A

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.

Bloqueo directo:

CARGA
CARGA
A

CARGA
CARGA
i Ai

P1

N1

AA
G

V VAK
i Gi =0A=0A
G

GG

AK

P1

N1

P2

P2
N2
N2

G
K

KK
CARGA
CARGA
iA
A

La unin de control est

polarizada inversamente.

A
V

Corriente de fugas directa.

iA

i G =0A
i G =0A

VAK AK

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.

Bloqueo inverso:

CARGA
CARGA
A

CARGA
CARGA
i Ai

P1

N1

V VAK

i Gi =0A=0A
G

P1

AA

GG

N1

P2

P2
N2
N2

AK

KK
CARGA
CARGA
iA
A

La unin andica est

polarizada inversamente.
Corriente de fugas inversa.

iA

A
V

i G =0A
i G =0A

VAK AK

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.

Caractersticas elctricas en bloqueo.
iA
(en conduccin)

BR

RSM

RRM

RWM

(en bloqueo inverso)

DWM

DRM

DSM

BO

AK

(en bloqueo directo)

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.

Caractersticas elctricas en bloqueo inverso.
Parmetros:
Tensin de trabajo inversa(VRWM):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.
Tensin de pico repetitivo inversa(VRRM):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensin de pico nico inversa(VRSM):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura inversa (VBR):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.

Caractersticas elctricas en bloqueo directo.
Parmetros:
Tensin de trabajo directa(VDWM):
Mxima tensin directa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.
Tensin de pico repetitivo directa(VDRM):
Mxima tensin directa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensin de pico nico directa(VDSM):
Mxima tensin directa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura directa (VDO):
Si es alcanzada, el diodo entra en conduccin sin daarse.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.

Clculo de prdidas:
Son
Son muy
muy pequeas
pequeas en
en comparacin
comparacin aa las
las
producidas
producidasen
enconduccin.
conduccin.
El
El fabricante
fabricante proporciona
proporciona el
el valor
valor mximo
mximo de
de la
la
corriente
corrientede
defugas
fugas(I(Ifugasmax).).
fugasmax

Es
Es suficiente
suficiente con
con acotar
acotar las
las mximas
mximas prdidas
prdidas
producidas
..
producidasen
enbloqueo,
bloqueo,tomando
tomandoIfugasmax
I
fugasmax

Pdis

1 T
1 T
v
(t)

i
(t)

dt

v AK (t) dt
AK
A
fugasmax

0
0
T
T

Pdis I fugasmax VAKm

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conduccin.

CARGA
CARGA

Circuito equivalente:
A

CARGA
CARGA
iA
A

P1

iA

iG

iG

P1

A
V

VAK AK

G
K

N1
N1

+- +
-

+- + +- +
- P2 P2
N2
N2

--

Parte del aporte de electrones

realizado por la corriente de
puerta llegan a la zona N1, se
aceleran y crean pares e-hueco.
Estos
nuevos
huecos
son
atrados
por
el
ctodo.
Mantenindose el proceso.
(VT(TO)1,3V).

CARGA
CARGA
iA
iA
A

A
rT
rT

V
V T(TO)
V T(TO)
K
K

VAK AK

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conduccin.

Caractersticas elctricas:
Intensidad media nominal (ITAV):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el tiristor puede soportar con la
cpsula mantenida a determinada temperatura (85 C
normalmente).
Intensidad de pico repetitivo (ITRM):
Intensidad mxima que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cpsula.
Intensidad de pico nico (ITSM):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conduccin.

Caractersticas elctricas:
Corriente de mantenimiento(IH):
Es la corriente mnima de nodo que se requiere para que el
tiristor siga mantenindose en conduccin.
Corriente de enclavamiento(IL):
Es la corriente de nodo mnima que se requiere para que el
tiristor siga mantenindose en conduccin inmediatamente
despus de que el dispositivo haya entrado en conduccin y
la seal de puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10
s).

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conduccin.

Caractersticas elctricas:

Corr. de enclavamiento

Corr. de mantenimiento

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conduccin.

Clculo de prdidas:

Pdis

1
vT (t) iT (t) dt
T 0
T

22
PPdis
=
V
I
+r
(I
)
=
V
T(TO)
I
Tm
+r
T
(I
Tef
)
dis
T(TO) Tm
T
Tef

VVT(TO)::
T(TO)
ITm
ITm::
rrT::
T
ITef
I ::
Tef

i Ti

Tensin
Tensinumbral.
umbral.
Corriente
Corrientemedia.
media.
Resistencia
Resistenciadinmica.
dinmica.
Corriente
Corrienteeficaz.
eficaz.

v vT
i Ti

VV T(TO)
T(TO)

r rT

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Disparos
no-deseados

Disparo
deseado

-Por exceso de tensin.

-Por derivada de tensin.

-Por impulso de puerta.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Por exceso de tensin:

Unin
de control

Si
Sila
latensin
tensinsoportada
soportadapor
porla
launin
uninde
decontrol
controlse
seacerca
acercaal
alvalor
valor
de
de ruptura
ruptura en
en sentido
sentido directo,
directo, la
la corriente
corriente de
de minoritarios
minoritarios
aumenta
aumenta considerablemente
considerablemente (proceso
(proceso de
de avalancha).
avalancha). Si
Si la
la
corriente
corriente de
de fugas
fugas se
se eleva
eleva por
por encima
encima del
del valor
valor de
de
mantenimiento
mantenimientoel
eldispositivo
dispositivoes
escapaz
capazde
demantener
mantenerel
elestado
estadode
de
conduccin.
conduccin.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Por derivada de tensin:
CARGA
CARGA
A

CARGA
CARGA
A

A
P1

A
P1

P1

N1
N1
G

P2
G

N2
K

P1

N1

N1
G

P2

P2

N2

N2
K

P2
N2

Si
Si se
se produce
produce un
un cambio
cambio brusco
brusco de
de polarizacin
polarizacin inversa
inversa aa
directa,
directa, no
no hay
hay tiempo
tiempo para
para la
la organizacin
organizacin de
de cargas.
cargas. La
La
tensin
tensinsoportada
soportadapor
porla
launin
unincontrol
controlser
serelevada,
elevada,acelerando
acelerando
los
los portadores
portadores minoritarios.
minoritarios. Si
Si la
la corriente
corriente de
de minoritarios
minoritarios se
se
eleva
eleva por
por encima
encima del
del valor
valor de
de mantenimiento,
mantenimiento, el
el dispositivo
dispositivo es
es
capaz
capazde
demantener
mantenerel
elestado
estadode
deconduccin.
conduccin.
Dato
Datodel
delfabricante:
fabricante:(du/dt)
(du/dt)max
max
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Por radiacin electromagntica:
CARGA
CARGA
A

A
P1
N1

I fugas

P1

N1

P2

P2
N2
N2

G
K

(poco poder
de penetracin)

(poco poder
energtico)

La
Laaccin
accincombinada
combinadade
detensin
tensindirecta,
directa,temperatura
temperaturayyradiacin
radiacin
electromagntica
electromagntica de
de longitud
longitud de
de onda
onda apropiada
apropiada puede
puede
incrementar
incrementar la
la corriente
corriente de
de minoritarios.
minoritarios. Si
Si la
la corriente
corriente de
de fugas
fugas
se
seeleva
elevapor
porencima
encimadel
delvalor
valorde
demantenimiento,
mantenimiento,el
eldispositivo
dispositivoes
es
capaz
capazde
demantener
mantenerel
elestado
estadode
deconduccin.
conduccin.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Por impulso de puerta:
Los
Loshuecos
huecosinyectados
inyectadospor
porlalapuerta
puertaproducen
producenla
lainyeccin
inyeccinde
deuna
unanube
nube
de
de electrones
electronesdesde
desde elel ctodo.
ctodo.Algunos
Algunos electrones
electrones son
son captados
captados yyson
son
acelerados
aceleradoshacia
hacialalaunin
uninde
debloqueo,
bloqueo, generando
generandopares
parese-hueco.
e-hueco. Estos
Estos
huecos
huecos generados
generados se
se dirigen
dirigen hacia
hacia elel ctodo
ctodo introduciendo
introduciendo ms
ms
electrones.
electrones. Si
Si lala corriente
corriente generada
generada se
se eleva
eleva por
por encima
encima del
del valor
valor de
de
enclavamiento,
el
dispositivo
es
capaz
de
mantener
el
estado
de
enclavamiento, el dispositivo es capaz de mantener el estado de
conduccin
conduccinaunque
aunquedesaparezca
desaparezcala
lacorriente
corrientede
depuerta.
puerta.

Tiempo min.
de disparo

Corriente mn.
de puerta

MANTENIMIENTO
MANTENIMIENTODE
DELA
LA
CORRIENTE
CORRIENTETRAS
TRASEL
ELDISPARO
DISPARO
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Tiempos de disparo. Circuito resistivo
RR
i Ti

i Gi

AA
V V AK

AK

i Gi

GG
G

V VB

V VAK

AK

V VB

KK

i Ti

tr: Tiempo de retardo a la excitacin.

ts: Tiempo de subida.
td: Tiempo de disparo (0,5...3s)

100%
100%
90%
90%

10%
10%

t rt

t st

t dt

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Tiempos de disparo. Circuito inductivo
LL
i Ti

RR

AA
V V AK

AK

i Gi

GG
G

V VB

KK

tmin: Tiempo mnimo de disparo.

(tiempo que IT tarda en alcanzar el
valor de enclavamiento, IL)

VB
IT
R

1 e

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Caractersticas de puerta
V VGK

caract.
caract.lmite
lmite

GK

V VGKmx

GKmx

DISPARO
DISPARO
SEGURO
SEGURO

V VGKmnCD

caract.
caract.realreal

GKmnCD

V VGKmxSD

GKmxSD

DISPARO
DISPARO
INCIERTO
INCIERTO

QQ
caract.
caract.lmite
lmite

DISPARO
DISPARO
IMPOSIBLE
IMPOSIBLE

I GmxSD
I

GmxSD

I GmnCD
I

GmnCD

I Gmx
I

Gmx

i Gi

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Caractersticas de puerta
VVGKmxSD::Mxima
tensin puerta-ctodo sin disparo de ningn
GKmxSD Mxima tensin puerta-ctodo sin disparo de ningn
tiristor
tiristoraadeterminada
determinadatemperatura.
temperatura.
VVGKmnCD::Mnima
tensin puerta-ctodo con disparo de todos
GKmnCD Mnima tensin puerta-ctodo con disparo de todos
los
lostiristores
tiristoresaadeterminada
determinadatemperatura.
temperatura.
IGmxSD
IGmxSD:: Mxima
Mximacorriente
corrientede
depuerta
puertasin
sindisparo
disparode
deningn
ningn
tiristor
tiristoraadeterminada
determinadatemperatura.
temperatura.
IGmnCD
IGmnCD:: Mnima
Mnimacorriente
corrientede
depuerta
puertacon
condisparo
disparode
detodos
todoslos
los
tiristores
tiristoresaadeterminada
determinadatemperatura.
temperatura.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Circuitos de disparo
TIPOS DE ACOPLAMIENTO: - DIRECTO.
- MAGNTICO.
- PTICO.

Acoplamiento directo:
Ctodo
referido
a masa

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Acoplamiento magntico:
DIODO DE LIBRE
DIODO DE LIBRE
CIRCULACIN
CIRCULACIN

+V

+VCC CC

Ctodo
NO referido
a masa

CIRCUITO
CIRCUITO
DE
DE
CONTROL
CONTROL

La desmagnetizacin del
ncleo es muy lenta
utilizando un diodo.
Utilizando un diodo zener
es mucho ms rpida.

D Dz2

i magi

mag

z2

L Lmag

mag

D Dz1

z1

(ideal)
(ideal)

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Acoplamiento ptico:
Optoacopladores

Fibra ptica

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Acoplamiento ptico

Ctodo
NO referido
a masa

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.

Formas de bloqueo: - Bloqueo esttico.
- Bloqueo dinmico.
Bloqueo esttico
Evolucin suave

iT

CIRCUITO

i Ti

iT

AK

IH

(1)(1)

(2)(2)
IH

IH

t
AK

(3)(3)
V

AK
V
AK

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.

Bloqueo dinmico

iT

Evolucin brusca

iT

CIRCUITO

AK

V
i Ti

AK

ta

(1)(1)

(2)(2)
V

ta: tiempo de apagado.

AK
V
AK

(Tiempo mnimo que debe transcurrir

desde que se anula la corriente para
que una nueva polarizacin directa no
lo meta en conduccin.)

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.

Bloqueo forzado por fuente inversa de tensin (FIT)
V
iS
R

TH

tb

CIRCUITO
DE BLOQUEO

TH

iC

iT

+
V

AK

Un circuito externo (no

mostrado) mantiene cargado
un condensador con una
tensin inversa Vi.
tb > t a
C 1,47

AK

I tb
Vi

iT

TH

iC
I
t

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.

Bloqueo forzado por fuente inversa de corriente (FII)
iT

I TH

TH

CIRCUITO
DE BLOQUEO

iT
V

iC

AK

iD

t
AK

ITH = iA iD + iC
tb > t a

iC

It
C 0,893 b
Ui

Ip

iD

I
tB

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

Tiristor bidireccional (TRIAC)
G
T2

T1

Conduccin
bidireccional

Smbolo
T2
n4

n4
P1
n1
P2
n3

n2

T1

Estructura

Caracterstica
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

Tiristor bidireccional (TRIAC)
Entrada
Entradaen
enconduccin:
conduccin:
--Forma
Formacontrolada:
controlada:
--Inyeccin
Inyeccinde
decorriente
corrienteen
enpuerta,
puerta,
tanto
tantopositiva
positivacomo
comonegativa.
negativa.
--Forma
Formano
nocontrolada:
controlada:
--Derivada
Derivadade
detensin
tensindv/dt.
dv/dt.
--Tensin
Tensinexcesiva
excesivaentre
entreA-K.
A-K.
MODO I+: VT2T1 > 0, iG > 0 (FCIL).

Aplicaciones:

MODO I- : VT2T1 > 0, iG < 0 (DIFCIL).

Regulacin de alterna media - baja potencia

Control de velocidad motores
Control de flujo luminoso
Electrodomsticos de baja potencia

MODO III+: VT2T1 < 0 , iG > 0 (MUY DIFCIL).

MODO III-: VT2T1 < 0, iG < 0 (FCIL).

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

DIAC
Dispositivo de disparo de tiristores
Proporciona picos de corrientes de 2A
Tensin de cebado 33V
Diac comercial DB3
i Ti

CARACTERSTICA:

-V-V BO
BO

I LI
L
I HI

V VBO

BO

V VA1A2

A1A2

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

Ejemplo de aplicacin del TRIAC
V

carga

DIAC

BO

iG

R1 = 0 , mxima potencia
R1 = Elevada, mnima potencia

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

GTO

- Interruptor unidireccional controlado por puerta.

- Entrada en conduccin:
- Inyeccin de corriente en puerta.
- Salida de conduccin:
- Extraccin de corriente de puerta.
- Soporta tensiones inversas bajas (20V).
- La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente
que maneja el dispositivo.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

El fototiristor (LASCR)

- Son Tiristores activados por luz.

- Utilizados en alta tensin.
- Frecuencias de conmutacin de hasta 2KHz.
- Tensiones elevadas 6000V y 1500A.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.

MCT (Tiristor Controlado por Mos)
AA

KK

GG

- Puesta en conduccin por tensin negativa en puerta.

- Apagado por tensin positiva en puerta.
- Ganancia elevada de tensin de control.
- Disponibles hasta 1000V y 100A.
- Potencias medias bajas.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.6 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.