Instituto Politcnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica

Ingeniera en Comunicaciones y Electrnica

Materia:
Dispositivos

Practica 2

Integrantes:
Arellano Tobn Julieta Yolanda
Flores Bernal Teresa Lizbeth
Tagle Lpez Oscar Alberto

Profesor:

Grupo:
5cm6

Objetivo:
Obtener y comparar las curvas caractersticas (V & I) de un diodo rectificador de Si
y uno de Ge, determinar el valor del voltaje umbral y calcular la resistencia esttica
y dinmica en la regin de conduccin, para un punto de operacin Q arbitrario.

Equipo:

Osciloscopio de doble trazo

Generador de seales
Multmetro digital y/o anlogo

Material:

2 diodos de silicio 1n4004 o equivalente

1 diodo de germanio oa81 o equivalente
1 encendedor
1 lupa
1 pinza de corte
2 resistores de 1k a 0.5w
6 caimn - caimn o caimn - banana
1 tablilla de conexiones (protoboard)
4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en el otro
caiman

Procedimiento:
1. Obtener y comparar las curvas caractersticas (V&I), de un diodo
rectificador de Si y uno de Ge. En cada casa, determinar el valor del voltaje
de umbral y calcular la resistencia esttica y dinmica en la regin directa
de conduccin, para un punto de operacin Q arbitrario.

2. Utilizando el mismo circuito, acercar un cerillo encendido (por tiempo no

mayor a 5 seg) al diodo bajo prueba y reportar en la misma grafica lo que
observa

3. Para el diodo de Si aumenta la temperatura ambiente acercando el cerillo o

encendedor, el tiempo que sea necesario para que observe como la curva
caracterstica del dispositivo se modifica al grado de que el diodo se
comporta como una resistencia de algunos cuantos ohms (al aumentar la
temperatura el voltaje de umbral disminuye y la corriente de saturacin
inversa crece, si este aumento de temperatura es considerable puede hacer
al diodo que se comporte casi como un corto circuito). Despus de observar
de esto retire el cerillo o encendedor y espere que el diodo recupere su
caractersticas normales, puede que el diodo ya no se recupere, esto
significa que ha quedado daado definitivamente, en el caso de que si se
recupere, es preferible ya no utilizarlo.
Con el diodo que ha quedado daado o alterado, usando unas pinzas de
corto con cuidado, rompa su encapsulado y observe usando una lupa como
esta construido internamente.

Resultados:
1.
Grafica de la Curva Caracterstica V I, Diodo de Silicio (In4001)

Grafica de la Curva Caracterstica V-I, Diodo de Germanio (OA81)

Diodo bajo
prueba
IN4001
OA81
2.

3.

Voltaje mximo
Voltaje de umbral medido en la
curva
720 mV
3.51 V
400 mV
3.2 V

Corriente
mxima medida
en la curva
3.5 mA
3.2 mA

Conclusiones:
Arellano Tobn Julieta Yolanda
En la prctica se comprob las diferentes caractersticas que tienen el diodo de
Silicio y el diodo de Germanio, como se mencion en teora se comprob que sus
voltajes de umbral varan, siendo el de Silicio de 0.72 y el de Germanio 0.4 (segn
lo obtenido en la prctica), otro aspecto importante fue la sensibilidad por el
aumento en la temperatura y aunque su comportamiento de ambos llegaba a ser
como el de una resistencia, el de Germanio llegaba ms pronto a este estado que
el de Silicio, es decir, el diodo de Germanio es ms vulnerable a los cambios de
temperatura.

Bibliografa/Cibergrafia