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ELETRNICA ANALGICA

O transistor bipolar como chave.

Um transistor bipolar de juno (BJT) pode operar como chave eletrnica, bastando para tal polariz-lo de forma conveniente: corte ou saturao. Quando um transistor est saturado
opera como um curto (chave fechada) entre o coletor e o emissor de forma que VCE 0V e
quando est no corte, opera como um circuito aberto (chave aberta) entre o coletor e o emissor,
de forma que VCE VCC.
No ponto de saturao (chave fechada) a corrente de base alta (IB SAT) e no ponto de
corte (chave aberta) a corrente de base zero.
Veja na figura a seguir um transistor operando como chave eletrnica e na subseqente
sua respectiva reta de carga.

RC

VCC
Q1

RB

SW1

VBB

-3

2.5

Saturao

RETA DE CARGA

x 10

IC

1.5

0.5

Corte
0

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6
VCE

10

12

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Para obter o extremo superior da reta de carga (corrente Ic de saturao) devemos supor
um curto entre coletor e emissor (VCE = 0), de forma que praticamente toda a tenso de alimentao se fixe no resistor de coletor. Teremos ento: IC = VCC / RC e VCE = 0.
Para obter o extremo inferior da reta de carga (corte), devemos supor os terminais de
coletor e emissor abertos. Teremos ento: VCE = VCC e Ic = 0.
Fica ento caracterizado que o transistor opera apenas em um dos extremos da reta de
carga: corte ou saturao.
Podemos ento, tomando como exemplo o circuito mostrado anteriormente, calcular a
corrente de base e a corrente de coletor.
Aplicando LKT para calcular a corrente de base, temos:
  

 

IBRB +VBE - VBB = 0 onde:B

OBS: VBE tpica da ordem de 0,7V

Supondo VBB = 5V e RB = 1500, a corrente de base (IB) ser:
IB = (5V - 0,7V) / 1500 = 2,9mA
Para calcular a corrente de coletor podemos aplicar LKT na malha VCC, VRC e VCE,
onde teremos:
VCC - VRC - VCE = 0
VRC = VCC - VCE
IC = VRC / RC ou IC = (VCC - VRC) / RC
No chaveamento eletrnico com transistores, devemos levar em conta dois tipos de saturao: fraca e forte. Na saturao fraca, a corrente de base suficiente para levar o transistor
saturao. Tal procedimento porm no aconselhvel visto que pode haver uma variao de
CC e na prpria corrente de base de saturao (IB SAT).
Utiliza-se normalmente a saturao forte, que assegura a condio de saturao para todos os valores de CC. Uma regra prtica considerar a corrente de base como 1/10 da corrente
de saturao de coletor.
Desta forma, supondo que ICSAT = 30mA, ento ser fixada uma corrente de base de
3mA (relao 10:1).
Tomemos como exemplo o circuito abaixo, onde verificaremos se o mesmo est operando como chave eletrnica.
a) Considerando uma tenso de controle (Vcont) igual a zero (chave no ponto B), a corrente de base ser igual a zero (condio de corte) e a corrente de coletor ser igual a
zero. Nestas condies o transistor operar como uma chave aberta e a tenso no resistor de coletor ser zero, pois RC = RCIC; logo, a tenso entre coletor e emissor ser igual
a 12V, pois VCE = VCC - VRC.

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RC

VBB

470R
1

0.00
Volts

6V

VCC
12V

Vcont

Q1

RB

A SW1

BC338
2k2

+12.0

Volts

0.00
Volts

Transistor no corte
b) Considerando uma tenso de controle (Vcont) igual a +6V (chave no ponto A), a corrente de base ser: IB = (VBB - VBE) / RB = ( 6 - 0,7) / 2200 = 2,4mA. Neste caso a tenso de VCE assumir um valor muito prximo de zero enquanto a tenso em Rc ser
praticamente toda a tenso da fonte VCC.

RC

VBB

470R
1

+11.8
Volts

6V

VCC
12V

Vcont

RB

Q1

A SW1

BC338
2k2
+0.19

Volts

+6.00
Volts

Transistor na saturao

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Note que o transistor no uma chave to perfeita, pois VCESAT (apesar de muito pequeno) no igual a zero embora, na prtica, possa ser considerado como zero.

Comparando a corrente de base com a corrente de coletor, verifica-se que esta ltima
cerca de 10 vezes maior do que a corrente de base, o que assegura a saturao para uma vasta
gama de CC.

+25.1
mA

RC

VBB

470R
1

2
1

6V

VCC
12V

Vcont

Q1

RB

A SW1

BC338
2k2

B
+2.33
mA

Em uma saturao forte IB Ic/10

Regras para projetos

Na grande maioria dos casos, a tenso de controle (Vcont) fornecida por um circuito
digital o qual entrega nvel baixo ( 0V) ou nvel alto ( +5V). Usando transistor NPN como no
exemplo abaixo, o trasistor estar no corte com Vcont 0V e estar saturado com Vcont +5V.

RC

VCC
RB

Q1

12V

Vcont

BC338

Vcont um sinal digital

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Embora na maioria dos casos os nveis de Vcont sejam os citados acima, poderemos
encontrar outros.

Para projetarmos um circuito usando o transistor como chave, devemos primeiramente

conhecer as caractersticas da carga a ser chaveada (tenso, corrente e resistncia nominais) e
os nveis assumidos pela tenso de controle (alto e baixo).
Exemplo:
No circuito abaixo temos um rel cuja bobina tem tenso nominal de 12V e corrente nominal
de 30mA. O nvel baixo da tenso Vcont (VL) aproximadamente 0V (VL 0V). O nvel alto
(VH) de aproximadamente +5V (VH +5V). Vamos calcular o valor de RB.
+12V

RL1
12V

D1
Q1

U3
/B

U4

U1
RB

NOT
AND

U5

NOR

U2

U6

NOT

NOR
OR

Acionamento de rel controlado por circuito digital

Soluo:
Vamos primeiramente calcular a resistncia da bobina
RL = VL / IL
RL = 12V / 30mA
RL = 12 / 3 x 10-3
RL = 400
Podemos determinar o valor de RB pela equao abaixo

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 10



assim, podemos garantir que IB ser aproximadamente 1/10 de IC.

 10

5
400
12

 1666,67
Como o valor calculado no um valor comercial, usamos a Tabela RETMA para encontrar o
valor comercial mais prximo. A tabela RETMA adotada pelos fabricantes a fim de padronizar os valores comerciais de componentes eletrnicos. Os valores comerciais de resistores (e
capacitores) so potncias de 10 multiplicadas pelos valores abaixo:

Tabela RETMA

Pela tabela deduzimos que o valor comercial mais prximo 1500 (1k5).
Voc deve ter observado o diodo D1 em paralelo coma a bobina do rel. Este recebe a
denominao de diodo roda livre. Quando uma corrente que flui por um indutor bruscamente
interrompida, isto provoca um di/dt altssimo em mdulo, resultando numa altssima tenso
induzida num intervalo de tempo muito curto. Se o chaveamento feito por uma chave eletromecnica, o fenmeno causar um aumento significativo do arco voltaico em relao a uma
carga resistiva que solicitasse a mesma corrente. Se o chaveamento feito por semicondutor
(transistor, CI ou tiristor), o valor da tenso auto induzida, normalmente danifica o dispositivo
semicondutor. Este surto que vulgarmente conhecido como coice eletromagntico (electromagnetic kick).

Como impedir que o coice danifique o semicondutor?

A soluo bastante simples. Basta colocar um diodo reversamente polarizado em paralelo com a bobina do rel e este s conduzir no instante em que houver a comutao de saturao para corte do transistor absorvendo toda a energia armazenada pelo campo magntico da
bobina e impedindo o surgimento do pulso de alta tenso no coletor.

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Exemplo de aplicao em instrumentao

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+12V

RL1
12V

D1
R1

NA
NF
COM

Q1

Elet1
1k

R3

Elet2

Q2

3k9

R2
5k6

Sensor de lquidos com sada a rel

O circuito acima um sensor para detectar a presena de lquidos (gua por exemplo)
em um reservatrio.
Na ausncia de liquido entre os eletrodos 1 e 2, no haver corrente de um para outro e
consequentemente o transistor Q1 (PNP) estar no corte com VCE = 12V e a tenso no resistor
R2 ser 0V. A tenso de 0V em R2 ser o VL para Q2 (NPN) levando-o tambm ao corte.
Na presena de lquido este oferecer uma resistncia de alguns a algumas dezenas de
k de um eletrodo para outro conduzindo uma corrente de base suficiente para saturar Q1.
Com Q1 saturado, R2 receber uma tenso praticamente igual a 12V (VH) que saturar Q2
atracando o rel.

Sada PNP
Na prxima figura temos um sensor com a mesma finalidade do primeiro. A diferena
que na sada, ao invs do rel temos o transistor Q2 (PNP) como chaveador de carga. A carga
desse sensor deve ser ligada entre sada e terra.

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+12V

Q2

R1

Q1

Elet1
1k

D1

Saida

Elet2

R2
2k7

Sensor de lquidos com sada PNP

Sada NPN
Na figura abaixo temos um sensor com a mesma finalidade do primeiro e do segundo.
A diferena que na sada, ao invs do rel ou do transistor PNP temos o transistor Q2 (NPN)
como chaveador de carga. A carga desse sensor deve ser ligada entre sada e positivo da alimentao.

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+12V

Saida

D1
R1

Q1

Elet1
1k

R3

Elet2

Q2

3k9

R2
5k6

Sensor de lquidos com sada NPN

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