Propriedades eltricas dos materiais

Por que estudar propriedades eltricas

dos materiais?
Apreciao das propriedades eltricas de materiais
muitas vezes importante, quando na seleo de
materiais e processamento.

Alguns materiais precisam ser altamente condutores

(por exemplo, fios de conexo), enquanto em outros
devem ser isolantes.

Propriedades Eltricas

A facilidade pela qual um material capaz de conduzir

corrente eltrica dada pela condutividade eltrica.

= condutividade eltrica (.m)-1

= resistividade eltrica (.m)
R = resistncia do material do qual a corrente est passando ()
A = rea da seo transversal perpendicular direo da corrente
l = distncia entre dois pontos onde a voltagem medida

Propriedades Eltricas

Materiais slidos exibem uma faixa surpreendente de

condutividades eltricas 27 ordens de grandeza
Classificao dos materiais slidos facilidade pela qual
eles conduzem corrente eltrica:
Condutividade (.m)-1
Condutores - 107

Isolantes 10-9 10-20

Semicondutores - 10-6 104

Conduo em termos de ligao atmica

Nos materiais isolante eltricos a ligao interatmica
inica ou fortemente covalente, ou seja, os eltrons
de valncia esto firmemente ligados no esto
livre para vagar pelo cristal (SiO2, NaCl, borracha).
A ligao nos semicondutores covalente (ou
predominantemente covalente) e relativamente fraca,
o que significa que os eltrons de valncia no esto
firmemente ligados ao tomos (Si ou Ge).

Consequentemente esses eltrons so mais

facilmente removidos por excitao trmicas nos
semicondutores do que nos isolantes.

Conduo Eletrnica

As propriedades eltricas de um material

so consequncia da estrutura da sua
banda eletrnica arranjo da bandas
eletrnicas mais externas e da maneira
que esto preenchidas.

Relembrando estrutura atmica

Os orbitais atmicos podem se combinar de duas
maneiras diferentes: construtiva.

Relembrando estrutura atmica

Os orbitais atmicos podem se combinar de duas
maneiras diferentes: e destrutivamente.

Relembrando estrutura atmica

Energia do eltron no orbital ligante
substancialmente menor do que sua energia em um
orbital atmico.
Energia do eltron no orbital antiligante
substancialmente maior do que sua energia em um
orbital atmico.

Conduo Eletrnica e Inica

Estruturas das bandas de energia nos slidos (condutor)

NVEL DE ENERGIA DE
FERMI
definido como o nvel de energia
abaixo do qual todos os estados de
energia esto ocupados a 0K.

CONDUTOR

Nvel de Fermi

Num metal o nvel de

Fermi est localizado
na banda de valncia.

CONDUTOR
Nos casos onde os nveis energticos do topo da banda de
valncia e da parte inferior da banda de conduo so muito
prximos um do outro, os materiais so chamados de
condutores (METAIS) pois no existe impedimento para que os
eltrons migrem para a banda de conduo.

Conduo Eletrnica
Estruturas das bandas de energia nos slidos (isolantes e
semicondutores)

GAP

HOMO = orbital ocupado de mais alta energia

LUMO = orbital descupado de mais baixa energia

GAP DE ENERGIA (BANDA

PROBIDA)
o espao entre as bandas de energias
HOMO e LUMO

o que distingue um semicondutor de

um condutor ou isolante.

SEMICONDUTOR E ISOLANTE
Os eltrons devem ser promovidos atravs do espaamento
entre as bandas de energia para os estados vazios na parte
inferior da banda de conduo

Isolante

Semicondutor

Conduo em termos de bandas e dos modelos de ligao atmica

METAIS

ISOLANTES E
SEMICONDUTORES

Eltrons livres
Portadores de carga
Buracos

Resistividade Eltrica dos Metais

Em um condutor a resistividade
aumenta com o aumento da
temperatura, com o aumento da
quantidade de impurezas e com
o aumento da deformao.

Resistividade eltrica temperatura

ambiente em funo da composio para
ligas cobre-nquel

Mobilidade Eletrnica

SEMICONDUTORES
Semiconduo intrnseca o comportamento eltrico baseado
na estrutura eletrnica inerente ao material puro
Semiconduo extrnseca o comportamento eltrico
determinado pela impureza
Energias dos espaamentos entre bandas temperatura ambiente

SEMICONDUTORES
Condutividade Intrnseca

Existiro dois caminhos pelos quais pode ocorrer um movimento de

eltrons atravs do material: i) os prprios eltrons que foram
excitados se movendo; ii) outros eltrons se movendo atravs dos
buracos deixados pelos eltrons excitados

Condutividade Intrnseca

Sob a influncia de um campo

eltrico, h movimentos
subsequentes do eltrons livres e
dos buracos.

Condutividade Extrnseca

Modelo de semiconduo do tipo n

Modelo de semiconduo do tipo n

Ex. Podemos introduzir tomos de arsnio (33As = 3d10,4s2,4p3) em um cristal de Ge

Modelo de semiconduo do tipo p

Modelo de semiconduo do tipo p

Ex. Ao introduzirmos uma pequena quantidade (caracterizada como impureza) de
tomos de glio (31Ga = 3d10,4s2,4p1)

Dependncia concentrao de portadores de carga em

relao temperatura semicondutor intrnseco

As
concentraes
de eltrons e de
buracos
aumentam com
a temperatura

A concentrao
de portadores
no Ge maior
que no Si
espaamento
entre bandas

Dependncia concentrao de portadores de carga em

relao temperatura semicondutor extrnseco
Regio de
congelamento
energia
trmica
insuficiente para
excitar os
eltrons para a
banda de
conduo
Regio
extrnseca
eltrons na
banda de
conduo so
excitados a
partir do estado
doador do P

Regio
intrnseca
energia trmica
suficiente para
excitar os
eltrons do Si
para a banda de
conduo

Si dopado com 1021m-3 tomos de P

Conduo Eltrica em Cermicas Inicas e em Polmeros