Sei sulla pagina 1di 14

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET

Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Diretivas para Execuo do Trabalho


Este trabalho para ser executado individualmente ou em grupo de cinco componentes.
Participantes extras tero sua participao desconsiderada/eliminada.
Neste trabalho so responsabilidades do aluno:
Ler este documento tutorial;
Quando achar necessrio, utilizar o laboratrio de Eletrnica, que est sempre
disponvel se assim agendarem com a responsvel do laboratrio (tcnica Joseane);
Ter conhecimento da teoria de polarizao de transistores TBJ, estudada em sala de
aula.
Exercitar o uso do software MultiSim, simulando o circuito projetado;
Entregar o trabalho na data programada;

Data de entrega: 01/06/16 (quarta feira, antes da semana da Prova Final).


No ser recebido em outra data.
Valor: No mximo 3,0 ptos intransferveis, sendo 2,0 ptos do grupo e 1,0 pto
individual, obtido a partir de resposta a perguntas do professor. Grupos maiores
sero cobrados proporcionalmente.
Obs.: Projetos iguais ou muito semelhantes sero considerados plgio,
recebendo nota 0,0.
I - Introduo
Amplificadores so dispositivos utilizados para incrementar o nvel de sinal. Ou seja, o
comportamento ou forma de onda de um sinal de entrada (VIN) reproduzido na sada (VOUT) do
amplificador com nveis mais altos.
O amplificador, por ter dois fios/plos de entrada e dois fios/plos de sada,
classificado como QUADRIPOLO (figura 1).

Fig.01: O Quadripolo

O amplificador a transistor (figura 2), ou TRANS-RESITOR, usa as propriedades fsicas


deste dispositivo para amplificar a forma de onda de um sinal AC (Alternating Current). Mas,

4.1

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

para que isto ocorra, como visto em sala, o transistor precisa ser ligado, operao realizada
atravs de uma sinal DC (Direct Current). a denominada polarizao do transistor.

Fig.02: O amplificador um Quadripolo

O sinal AC, que sofre a amplificao, pode ser um sinal de analgico (voz) e digital (dados),
ou qualquer variante de onda alternada.

II - Objetivos
Polarizar (ligar) um transistor (TBJ Transistor Bipolar de Juno) com uma Rede de
Polarizao Emissor Estvel, colocando este dispositivo em seu ponto de operao (ponto
quiescente), medindo e comparando os valores tericos com os obtidos na prtica e em
simulao atravs do software MultiSim, comprovando que os valores simulados/calculados
teoricamente podem ou no coincidir com os medidos com o multmetro (valores das correntes e
tenses no transistor) e osciloscpio (forma de onda na entrada do quadripolo V IN e na sada
VOUT).
O trabalho dever ser desenvolvido utilizando um dos transistores: BC547, BC509,
BC512, BC513, BC514, BC516, BC517, BC517/D, BC51706, BC517G, BC517RL1,
BC517RL1G, BC517S, BC517T/R, BC517ZL1, BC517ZL1G.
Dever ser feito o download da Internet do Data Sheet (Folha de Dados) do TBJ
escolhido, preferencialmente um com a curva Ic x VCE (vide figura 6). Notar que o TBJ escolhido
dever trabalhar dentro de uma faixa de frequncia em especfico. Por exemplo, faixa audvel
pelo ser humano: aprox. 300Hz a 20.000 Hz.

4.2

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Tratando-se de um TBJ, a probabilidade de danificar o transistor por ligao errada existe,


mas bem menor do que se fosse utilizado um transistor FET (Field Effect Transistor). Mas,
sugere-se que sejam adquiridos mais de uma unidade do transistor escolhido.
Abaixo a pinagem de um dos indicados, o TBJ BC547 (figura 03).

Fig.03: TBJ Transistor Bipola de Juno BC 547


http://www.datasheetcatalog.net/pt/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC547.shtml

III Reviso da Terica Vista em Sala de Aula


O transistor, conforme j explicado em sala de aula, fabricado com semicondutores a
base de silcio puro, dopado (contaminados) artificialmente com substancias que do origem a
dois tipos de semicondutores, os denominados de tipo N (com excesso de eltrons) ou os de
tipo P (com falta de eltrons).
A combinao/juno, respeitando um ordem especfica, destes dois compostos materiais
do origem ao TBJ (Transistor Bipolar de Juno), que, dependendo da combinao, pode ser
denominado TBJ-NPN ou PNP (figura 4).

4.3

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Fig.04: TBJ Transistor Bipolar de Juno NPN e PNP

A montagem, para criar o TBJ, d origem s junes PN, onde surgi a denominada camada
de depleo com resistncia especfica, mesmo sem a alimentao DC ou AC.
Para o TBJ funcionar e realizar a sua tarefa, necessrio que as junes PN sejam
polarizadas, tornado-as mais resistivas (inversamente polarizada) ou menos resistivas
(diretamente polarizada). Este procedimento executado disponibilizando-se os sinais de duas
fontes DC, caracteristicamente de plos invariveis, s duas junes, diferentemente do que
ocorre em fontes alternadas. Uma das fontes DC, com plo negativo em N e plo positivo em
P, gera em uma das junes uma resistncia pequena (MENOR do que a existente sem
polarizao camada de depleo). A outra fonte DC, com plo negativo em P e plo positivo
em N, gera em uma das junes uma resistncia alta (MAIOR do que a existente sem
polarizao camada de depleo).
A prtica demonstra que podemos substituir as duas fontes DC por somente uma, que
aliada a resistores d origem denominada Rede de Polarizao DC. Estas redes podem ter
diferentes nmeros de resistores e disposies especficas, classificadas conforme a
estabilidade do ponto de operao, denominado Ponto Quiescente (q). Trata-se de quanto as
resistncias, criadas pela polarizao em cada juno PN, permanecero fixas com a
variao da temperatura, entre outros fatores funcionais (material de que feito o transistor, por
exemplo). Na tabela 01 visualizamos as redes mais conhecidas, partindo da menos estvel at
a mais estvel.

4.4

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Tabela 01

POLARIZAO DC FIXA

POLARIZAO DC ESTVEL do EMISSOR

POLARIZAO DC por DIVISOR DE TENSO

4.5

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

POLARIZAO DC com REALIMENTAO DE TENSO

Saber polarizar, ou seja, escolher os valores da fonte DC e dos resistores


associados ter como conseqncia amplificar pouco ou muito o nvel do sinal. o
denominado ganho do sinal, traduzido pela equao abaixo, onde VIN e VOUT so sinais AC:

A ( ganho)

Vout
Vin OU VOUT = A x VIN

VIN normalmente pequeno e est na entrada do quadripolo (amplificador em nosso caso).


Passa a ser importante determinar os valores de correntes e tenses DC que a Rede de
Polarizao DC impe ao Quadriplo (resistores e transistor), que dependem dos valores da
fonte e dos resistores. So as correntes IB, IC e IE. E, as tenses VCE=VCVE, VBE = VBVE,
VBC=VBVC, VCB=VCVB, e outras com VB ,VC, VE, VRc, VRB etc.

4.6

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Turma:
EEL
Turno: Not

Eletrnica 1

Roberto de Oliveira Brito

Na busca dos valores DC de corrente e tenso imposto pela fonte aos resistores e
transistores do Quadripolo, realizamos a denominada Anlise DC. E, analisar o comportamento
da sada do sinal AC (VOUT) do circuito Quadripolo para uma determinada entrada (VIN)
denominada Anlise AC.
A Anlise DC do Transistores Bipolares de Juno (TBJ) em especfico exige o
uso de equaes especficas do TBJ, que valem para TBJ-NPN e PNP, independente da
Rede de Polarizao utilizada. A mesma anlise para outros tipos de transistores, como
por exemplo o FET (Field Effect Transitor), exige outras equaes.
As equaes para anlise DC do TBJ so:

IE = IC + IB

dc

IC
IB

IC IE
IE = ( + 1).IB

|VBE| = 0,7 Volts

OU, APROXIMADAMENTE

IE .IB

IV - Polarizando
Conforme j mencionado, todo transistor possui uma curva de resposta I C X VCE para
vrios valores de IB (figura 5). Alguns data sheets possuem esta curva, outros no. Facilita
muito encontrar um que a tenha.

Fig.05: Curva de resposta IC X VCE para vrios valores de IB

4.7

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

A partir da curva da figura 05 (IC x VCE) do TBJ escolhido, da rede de polarizao escolhida
(neste trabalho, a Emissor Estvel), do valor e de uma fonte DC (Direct Current) disponvel,
pode-se calcular valores dos resistores que compem a rede de polarizao para se conseguir
que o transistor opere em seu ponto quiescente.
Neste trabalho o valor de (beta) a ser utilizado pelo grupo ser dado pela soma dos
ltimos nmeros das matrculas dos componentes, acrescentando um nmero zero no final.
Ou seja, se um aluno possui a matrcula 1092233969 e outro a matrcula 1144148994,
teremos o nmero 13, acrescentando o zero, temos = 130. Se o valor der menor que 100,
acrescentar mais um zero no final.
No trabalho utilizaremos uma rede simples de trabalhar e com estabilidade razovel, uma
rede de polarizao Emissor Estvel com trs (03) resistores (figura 06).

Rede de Polarizao Emissor Estvel


MAIS ESTVEL DO QUE A FIXA

Fig.06: Polarizao Emissor Estvel

4.8

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Na rede de polarizao Emissor Estvel teremos as equaes das duas malhas (M1 e
M2) abaixo a demonstrao pode ser vista no livro texto ou atravs da anotaes do professor
(aulas) disponibilizadas no portal:
M1

Vcc + VBE + IB (RB + .RE) = 0

M2

VCE + VCC IC (RC + RE) = 0

Da malha M1 encontramos os valores de RB e RE, onde os valores VBE e VCC so


previamente conhecidos. Pelas equaes do TBJ, j sabemos que VBE = 0,7V. E VCC no pode
ser inferior ao valor de pico da onda de sada VOUT.
Os valores de IC e IB (no nos preocupamos, pois aproximadamente igual a IC; IEIC),
como j sabemos, obedecem relao = IC / IB. Considerando o valor de (associao de
matrculas) em especfico, que ser o ganho (A) que queremos, e um valor de IB DENTRO DA
REGIO ATIVA, obtido a partir da curva IC x VCE (vide figura 05).
No se descarta a possibilidade do valor de , fruto das matrculas dos componentes do
grupo, sofrer alguma mudana para se adaptar ao projeto. Mas, esta mudana deve ser
minimizada.
O valor de IC no pode ser nem muito baixo, a ponto do ponto quiescente cair na Regio
de Saturao da curva IC x VCE (figura 07), nem muito alto, um produto de um valor de muito
grande. A melhor escolha que caia no meio do grfico. Deve estar dentro da Regio Ativa.
Vide figura 07 abaixo.

4.9

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Fig.07: Regies da curva IC X VCE

Na equao da malha M1 falta somente RB e RE para serem encontrados.


Neste momento, analisando-se a malha M2, j com um valor de IC, temos que
(RC + RE) = (VCC VCE) / IC
Ou seja, a soma dos valores de RB e RE devem obedecer relao da malha M1, e a soma
dos valores de RC e RE devem respeitar a relao da malha M2 acima.
Novamente, na malha M2, para IC = 0A,
(RC + RE).0 = (VCC VCE) => 0 = VCC VCE => VCC = VCE

teremos um primeiro ponto da denominada reta de carga, ou seja, VCE = VCC. O que vai de certa
forma trazer concluses sobre o valor de IC, quando VCE = 0 V, ou seja, (RC + RE) = VCC / IC, uma
razo entre VCC e IC, j obtidos da malha M1.
Neste momento deve escolher um valor para a fonte que ir utilizar. Por exemplo, se a
fonte DC denominada VCC for igual 12 V (VCC = 12), ento teremos uma reta de carga (vermelho)
4.10

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

que corta o eixo VCE em 12Volts, ficando definir o valor de IC, que depende do valor de para
um IB escolhido por voc (figura 08).

Fig.08: Resta de Carga

O procedimento todo tem fim quando adotamos um valor inicial para um dos trs resistores
(RB , RC ou RE). O que podemos chamar de chute inicial (valor vivel e encontrado no
mercado). Quando utilizaremos as equaes abaixo para encontrar as outras duas resistncias.
Vcc + VBE + IB (RB + .RE) = 0
e
(RC + RE) = (VCC VCE) / IC
Obedecendo-se as equaes, para uma reta de carga onde a reta cruza o eixo VCE em VCC,
encontraremos os valores necessrios dos resistores, que podero sofrer ajustes mnimos se
considerarmos que os valores encontrados normalmente no so fabricados. Ou seja, por
exemplo, se foi encontrado um valor de RE = 2,35 K, teremos que utilizar um valor mais
prximo comercialmente vivel.
Finalizamos os clculos dos resistores (RB , RC e RE) e da fonte Vcc a serem utilizados no
nosso amplificador.
Para teste da montagem, sugerido o uso de um resistor R Load na sada do amplificador.
Um de valor igual ao valor de RC calculado.
4.11

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

O valor do capacitor de ACOPLAMENTO ser C1 10/(2**fmin*(RL+RC)).


Estaremos usando C2 igual a C1, mas o mais correto seria termos como referencia as
impedncias de sada da fonte e de entrada do amplificador. Estaremos nos preocupando com
isso em Eletrnica 2.

V Sugesto de Equipamentos, Componentes e Ferramental a ser Utilizados


e disponveis no Laboratrio.
Os equipamentos abaixo relacionados tem o objetivo de orientar ao grupo o que precisar,
podendo encontrar no laboratrio.
Multmetro Digital Minipa ET-2042.
Fonte de alimentao DC Minipa MPC-303d.
Osciloscpio.
Resistores (adquiridos aps o clculo).
Sugere-se que em um primeiro momento de desenvolvimento, os alunos utilizem a
denominada protoboard (figura 09), uma forma de portar (locomover) o prottipo em
desenvolvimento e somente ir ao laboratrio para testes rpido. Algo que friso no ser
obrigatrio. Trata-se de um elemento opcional, um facilitador, que pode ser adquirido em
qualquer casa especializada em eletrnica (p.e. Contato Eletrnica, em Braslia)

Fig.09: TBJ Protoboard

VI Relatrio Final
No relatrio final so exigidos:
4.12

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Capa com identificao dos componentes do grupo;


Identificao clara do clculo do ganho utilizado no trabalho
Histrico dos clculos tericos dos valores de resistores e fonte utilizados.
Concluso dos valores comercialmente viveis de resistores utilizados, bem como do novo
valor de a partir dos valores comercialmente viveis de resistores utilizados.
Desenho do circuito final com os valores encontrados;
Simulao no MultiSim (ou ferramenta semelhante), com curvas AC de entrada (VIN) e
sada (VOUT), demonstrando o ganho encontrado teoricamente.
Valores conseguidos em laboratrio das tenses VCE, VBE, VCB bem como foto da curva de
ganho obtida no osciloscpio, indicando a relao entre V OUT e VIN.
Obs.: O laboratrio de informtica disponibilizado para a engenharia tem o MultiSim.

Material Extra
4.13

Anhanguera Educacional Taguatinga - FACNET


Engenharia Eltrica
Curso:
Disciplina:
Professor:

Perodo:

Eletrnica 1

Turma:
EEL
Turno: Not

Roberto de Oliveira Brito

Como utilizar o multmetro para medir correntes e


tenses.

Amplificador co Polarizao DC Fixa

Lembrar:
Um exemplo de como medir a corrente IB (ponta Um exemplo de como medir a tenso
VBE(ponta vermelha onde o potencial maior) :
vermelha onde a corrente ir entrar primeiro):

BOM TRABALHO. E, LEMBRE-SE : NO H VITRIA SEM SACRIFCIO. MOS OBRA ENGENHEIROS.

4.14

Potrebbero piacerti anche