PROCESSOS DE FABRICAO II

DEFORMAO PLSTICA EM METAIS

Dr. Ceclio A. Cunha

Agosto/2016
(*) Baseado nos livros: Introduction to Dislocations, Prof. Derek Hull; Mechanical
Metallurgy, Prof. George Dieter e Estrutura das Ligas de Ferro, Prof. N. Hume Rothery.

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SUMRIO
Defeitos em cristais.
Observao de discordncias.
Movimento de discordncias.
Propriedades elsticas das discordncias.
Interseco de discordncias.
Origem e multiplicao de discordncias.
Arranjos de discordncias e Contornos de gro.
Resistncia de cristais recozidos.
Enrijecimento por discordncias.

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1. Defeitos em cristais.
1.1 Desenvolvimento histrico.
1900: Drude e Lorentz (Teoria do Eltron Livre).
1900: Max Planck (Teoria Quntica).
1905: A. Einstein (Teoria da Relatividade Restrita).
1923/1928: Heisenberg & Schredinger (Mecnica
Quntica)
1930/40: Taylor, Orowan, Cottrell e outros (Teoria
das Discordncias).
1.2 Estruturas cristalinas simples.

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1.2 Estruturas cristalinas simples.

(a) Rede espacial (tridimensional). (b) Clula unitria mostrando as

posies dos eixos principais.

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Estruturas cristalinas.

Cbica simples

Hexagonal compacta (hcp)

Cbica de corpo centrado

(ccc)

(ccc)

Cbica de face centrada

(cfc)

(cfc)

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Clula Unitria ccc

Clula Unitria cfc

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Alguns elementos apresentam no estado slido

diferentes estruturas cristalinas
Alotropia (ex. Fe).
Tais mudanas geralmente ocorrem em funo de
variaes de temperatura e presso.

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1.3 Cristal Perfeito.
Uma estrutura cristalina perfeita aquela em que cada
stio atmico est preenchido e no h distrbios no
arranjo regular dos planos atmicos.
As propriedades fsicas e qumicas deste cristal perfeito (ou
cristal ideal) depende do arranjo dos tomos (estrutura
cristalina) e da natureza da ligao atmica.
Todos os cristais reais contm imperfeies que podem ser
defeitos de ponto, de linha ou de superfcie.
Por exemplo, a excelente condutividade eltrica dos metais
pode ser atribuda ao fcil deslocamento dos eltrons livres
atravs da rede cristalina. Qualquer resistncia eltrica
devida ao espalhamento de eltrons pela rede.

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A deformao plstica de um cristal perfeito pode
ocorrer pelo deslizamento de um conjunto de tomos em
um plano sobre os tomos de um plano adjacente.
Isto um movimento cooperativo de todos os tomos
em um plano a partir de uma posio de equilbrio para a
posio vizinha.
Frenkel: Assume que a tenso de
cisalhamento requerida seja dada por

uma relao senoidal:

= CRIT

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onde: G o mdulo de cisalhamento, b o espaamento

entre os tomos na direo de cisalhamento (vetor de
Burgers), a o espaamento das filas de tomos (parmetro
de rede) e x a distncia da posio de equilbrio (de mnima
energia), ento ...
A tenso de cisalhamento crtica terica ser:

terica = (Gb/2a)
logo terica uma pequena frao do mdulo de

e como b ~ a,
cisalhamento (G).

Contudo, os valores medidos experimentalmente para a

tenso necessria para iniciar a deformao (tenso de
escoamento), em geral, vrias ordens de grandeza
menor!!!

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1.4. Defeitos em materiais cristalinos
a) Defeitos de ponto.

(a) Vacncia e (b) Intersticial em uma rede cbica simples (001).

Evidncia experimental: Vacncias e intersticiais podem ser

produzidos por deformao plstica e irradiao com partculas
de alta energia, alm disso alta densidade de vacncias pode ser
retida em um cristal temperado a partir de alta temperatura.

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a) Defeitos puntuais (continuao).

a) tomo de impureza substitucional; (b) tomo de impureza intersticial.

b) Defeitos de superfcie.
- Contornos de gro.
- Falha de empilhamento.
- Contornos de maclas.
- Superfcie de um cristal
inico.

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Todos os defeitos de ponto mencionados produzem uma
distoro local na rede (sem os quais seria perfeita).
A quantidade de distoro e, portanto, a quantidade
adicional de energia armazenada na rede cristalina,
devido aos defeitos em questo, depende da quantidade
de espao entre os tomos na estrutura (tipo de
empacotamento) e do tamanho dos tomos
introduzidos.
c) Defeitos de linha (discordncias)
O conceito de uma imperfeio linear na rede cristalina
chamada discordncia surgiu originalmente dos estudos
dos processos de deformao plstica dos materiais
cristalinos.

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Geometria bsica de uma discordncia em cunha e uma
discordncia em hlice.

a) Modelo de uma rede cbica simples; os tomos so representados por esfras rgidas e as
ligaes entre os tomos por molas; b) discordncia em cunha; discordncia em hlice.

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Vetor de Burgers.

(a)

- O vetor de Burgers de uma discordncia

em cunha perpendicular linha da
discordncia.
- O vetor de Burgers de uma discordncia
em hlice paralelo linha da
discordncia.

(b)
a) Circuito de Burgers ao redor de uma discordncia; b) o mesmo circuito numa rede perfeita.

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Discordncia em cunha.

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Contornos de Gro.
Slidos cristalinos usualmente consistem de um
grande
nmero
de
gros
orientados
aleatoriamente, separados por contornos de gro.
Cada gro um monocristal e contem os defeitos
j mencionados.
Quando a diferena de orientao entre os gros
pequena os contornos consistem de um arranjo
especfico de discordncias e chamado
contorno de baixo ngulo.

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Contornos de Gro (continuao)

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Molibdnio (250 X)

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Contornos de Gro (continuao)

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Contornos de Gro (continuao)

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2. Movimento de Discordncias
Existem dois tipos bsicos de movimento de
discordncias: deslizamento (glide) e escalagem (climb).
O problema abordado a partir de consideraes sobre
o conceito de escorregamento (slip), que a mais
comum manifestao de deslizamento (glide). Esta
abordagem tambm permite uma valiosa compreenso
da estrutura da discordncia.
Deformao plstica em um cristal ocorre pelo
movimento ou escorregamento (sliding) de um plano
de tomos sobre outro, nos chamados planos de
escorregamento (slip planes), atravs do movimento
das discordncias.

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Discretos blocos do cristal, entre dois planos de
escorregamento,
permanecem
inalterados
(no
distorcidos), conforme figura abaixo.

Ilustrao da geometria de escorregamento (slip)

em materiais cristalinos.

Uma tenso de cisalhamento caracterstica

requerida para que ocorra o escorregamento
(slip). A tenso de cisalhamento , resolvida
no plano de escorregamento e na direo de
escorregamento :

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Posterior deformao ocorre tanto por novos
movimentos nos planos de escorregamento j existentes,
como pela formao de novos planos de escorregamento.
O plano de escorregamento normalmente o plano com
a maior densidade de tomos e a direo de
escorregamento a direo no plano de escorregamento
na qual os tomos so mais prximos (most closed
packed).
Um plano de escorregamento e uma direo de
escorregamento constitui um sistema de escorregamento
(slip system).
Escorregamento resulta na formao de degraus na
superfcie do cristal (visveis em superfcies bem polidas).

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A fig. abaixo um exemplo de escorregamento em um
cristal Fe-3,25Si.

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Formao de uma discordncia em cunha pura (FE).

Movimento de uma discordncia em cunha.

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3. Propriedades Elsticas das Discordncias

A distoro da rede cristalina requerida para produzir

uma discordncia resulta na criao de um campo de
tenses elsticas ao redor da mesma.

As regies de trao (clara)

e compresso (escura) em
torno de uma discordncia em
cunha (rede cbica simples).

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Usando a teoria da elasticidade uma boa aproximao do
campo de tenses pode ser obtido.
O cristal assumido ser um meio elstico contnuo e
isotrpico.
A partir do conhecimento do campo de tenses, a energia
da discordncia, as foras entre as discordncias e outros
parmetros caractersticos podem ser obtidos.

3.2. Campo de tenses de uma discordncia

a) Discordncia em hlice
A distoro elstica ao redor de uma discordncia
pode ser representada em termos da deformao
de um anel cilndrico de um material isotrpico.

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Considere a discordncia em hlice AB, mostrada na fig.

abaixo (a); o anel de material isotrpico em (b) foi deformado
para produzir uma distoro similar. O corte radial mostra o
plano LMNO criado (// ao eixo z), onde as superfcies livres
foram deslocadas de uma distncia b.
Assim, uma deformao
de cisalhamento uniforme
z produzida atravs do
anel, que igual altura
do degrau b dividido
pela circunferncia 2 r, de
um elemento cilndrico de
raio r, isto ,
z = b / 2 r
e a correspondente tenso
ser:

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Desde que o deslocamento do anel produzido por um
cisalhamento na direo z, no haver deslocamentos nas
direes x e y
. .

Assim, o campo de tenses consiste de dois cisalhamentos

puros: z nos planos radiais paralelos direo z e z nos
planos normais ao eixo z.
O campo de tenses tem simetria radial em torno da
discordncia, isto ,
e independente de .
Isto est intimamente relacionado ao fato de que uma
discordncia em hlice no tem plano extra e, portanto,
no pode ser identificada com um particular plano de
escorregamento.

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b) Discordncia em cunha.
Similar abordagem pode ser feita para a discordncia em
cunha (ver fig. abaixo), a fim de identificar o campo de
tenses ao redor da mesma.

x = comp

: atua imediatamente
acima do plano de escorregamento.

x = trativo : atua imediatamente

abaixo do plano de escorregamento.

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Os componentes da tenso em coordenadas semi-polares,
determinadas usando a teoria isotrpica, so:

onde:

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Pelo menos duas limitaes devem ser compreendidas
nestas aproximaes:
As solues elsticas aplicam-se a um anel de material
isotpico e no a um cilindro slido. As equaes mostram
que a tenso varia inversamente com a distncia a partir do
centro do anel, isto , 1/r e, portanto, ela seria infinita para
r=0. Obviamente tenses infinitas no podem ser
suportadas no centro de uma discordncia e, ento, existe
um raio limite r0 abaixo do qual as solues elsticas no
se aplicam. Estimativas mostram que r0 da ordem de 5 a
10A (ncleo da discordncia).
Um cristal real no um meio isotrpico contnuo e,
portanto, no ncleo da discordncia tem que se considerar
o deslocamento de tomos individuais, bem como as foras
entres eles.

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3.3. Energia de deformao de uma discordncia.
A existncia de um campo de tenses ao redor de
uma discordncia implica que a discordncia tem
uma energia de deformao. Isto igual ao
trabalho realizado para criar uma discordncia.
A energia de deformao total pode ser dividida em
duas partes:
Etotal = Encleo + Edeformao elstica
A regio central ao redor do raio da discordncia (r0) referida
como ncleo da discordncia.

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Tendo em vista que para uma discordncia em hlice temos:
e como ...

ento, ...

onde r1 o raio
do ext do cristal.

Portanto, a energia elstica em um cristal contendo uma nica

discordncia depende do tamanho do cristal.
No caso de uma discordncia em cunha sua energia elstica
maior que aquela da discordncia em hlice por um fator ...
1/(1-), onde a relao de Poisson.

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4. Deformao Plstica, Recuperao e Recristalizao.
Quando um cristal bem recozido (isto , que foi aquecido por
longo tempo a uma temperatura prxima de sua temperatura
de fuso, a fim de reduzir a densidade de discordncias a um
valor baixo, digamos 106 discordncias por cm2) deformado,
h uma rpida multiplicao das discordncias e h um
progressivo aumento da densidade de discordncias com o
aumento da deformao plstica (plastic strain).

Nos primeiros estgios de deformao, o movimento das

discordncias tende a ficar confinado aos conjuntos de planos
de escorregamento paralelos. Posteriormente, outros
sistemas de escorregamento so ativados e as discordncias
destes diferentes sistemas interagem.

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Este fato resulta na formao de distribuies
especficas das discordncias, que so caractersticas da;

estrutura cristalina do material sendo deformado;

temperatura de deformao;
deformao (strain);
taxa de deformao (strain rate)

Adicionalmente, algumas caractersticas estruturais,

tais como, contornos de gro, precipitados e a energia
de falhas de empilhamento tambm afetam a
distribuio das discordncias.

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Distribuio de discordncias.

Arranjos de discordncias produzidos pela deformao plstica do ferro. (a) Denso

emaranhado de discordncias (parede dos gros) e regies livres de discordncias
(interior dos gros) formados aps 9% de deformao, a 20C; (b) arranjo uniforme de
discordncias retas (straight dislocations) formado aps 7% de deformao, a -135C.

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Liga Fe-3,25Si laminado com 20% de reduo. Distribuio de discordncias ~ uniforme.

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Mesmo material da foto anterior, aps recozimento por 15 min a 500C. Formao de sub-gros.

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Idem anterior, recozido por 15 min a 600C.

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Rede de discordncias em um cristal de tntalo deformado a frio

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