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Circuitos de disparo:
Circuitos de disparo sin aislamiento:
El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en
dispositivos semiconductores de potencia. Las salidas de un convertidor que depende de
la forma de onda en que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutacin
es una funcin directa de la conmutacin por consiguiente, las caractersticas del circuito
de disparo son elementos clave para obtener la salida deseada y los requisitos de control
de cualquier convertidor de potencia. El diseo de un circuito excitador requiere conocer
las caractersticas de compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores
apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unin (BJT), transistores de
efecto de campo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de
compuerta aislada (IGBT).
Excitador de compuerta para MOSFET
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada
muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequea, del orden de los
nanoamperes. El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la
capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir
conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar con mayor rapidez la
capacitancia de compuerta.
Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la
capacitancia es:
IG = VG / RS
Y el valor de estado permanente de voltaje de compuerta es:
VGS = RGVG / (RS + R1 + RG)
Donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta.
Excitador de base para BJT
La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin,
encendido, y el tiempo de desactivacin, apagado. Se puede reducir el tiempo de
encendido permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin, dando como
resultado una B forzada baja al principio. Despus de la activacin puede aumentar la B
forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para mantener el transistor en la
regin de casi saturacin. El tiempo de desactivacin se puede reducir invirtiendo la
corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin. Al
aumentar el valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo de
almacenamiento. En la siguiente figura se muestra una forma de onda tpica de la
corriente de base.