CONSTESTA MARCANDO CON UNA CRUZ SI ES VERDADERO O FALSO

Cuando colocamos diodos en paralelo, se deben de colocar en paralelo con stos dos resistencias para compensar
El coeficiente de variacin con la temperatura de un transistor bipolar es positivo
El factor de desclasificacin de un transformador es mayor cuanto mas armnicos hay en el sistema
El factor de potencia coincide siempre con el coseno de
El factor de potencia en una carga lineal coincide con cos
El factor de potencia es la potencia aparente dividido la potencia activa
El factor de potencia es la potencia activa aparente dividido la potencia activa
El factor de potencia es la potencia activa dividido la potencia aparente
El factor de potencia es la potencia reactiva partido por la potencia aparente
El factor de potencia interesa que sea lo mas alto posible
El factor de potencia interesa que sea lo mas bajo posible
El filtro por bobina tiene la ventaja de que elimina los picos de intensidad mejorando el factor de potencia.
El filtro por condensador alisa los pico de intensidad de entrada filtrndolos
El filtro por condensador es muy adecuado para bajas intensidades
El filtro
por condensador
se comporta mejor para
p
q
y paltas intensidades de salida

su filtrado
El rendimiento de un regulador conmutado es mayor que uno lineal
El rendimiento de un regulador lineal es mayor que el de uno conmutado
El tiempo de apagado de un transistor es igual al tiempo de almacenamiento ms el de caida
El tiempo de apagado de un transistor es mayor que el tiempo de encendido
El tiempo de encendido de un transistor es igual al tiempo de almacenamiento ms el de subida
El transistor BJT trabaja a mayores tensiones que un MOS
El transistor MOS puede soportar mayores potencias que el BJT
El trr es el tiempo de recuperacin inversa de un diodo
El valor eficaz total de la intensidad de salida se calcula solo teniendo en cuenta el valor eficaz de las componentes alternas.
En el Mosfet la conduccin es debida a un solo portador por eso se llama unipolar
En las bobinas en los que existen aplicadas tensiones y corrientes peridicas, la tensin media es cero
En las bobinas y condensadores en los que existen tensiones y corrientes peridicas, la potencia media es cero y la potencia
instantnea es distinta de cero.
En un convertidor cc lo que hacemos es trocear la seal de entrada para posteriormente filtrarla.
En un convertidor dc/dc la intensidad media que circula por la bobina es distinta
de cero
g
y
bobina
En un filtro LC la tensin media de salida coincide con el valor de pico de la de la tensin
En un Mosfet cuanto mayor sea RDSON mejor porque limita mas la intensidad mxima que circula
IGBT es un tiristor bipolar
IGBT es un tiristor con entrada tecnologa bipolar y salida tecnologa mos
IGBT es un transistor con entrada tecnologa bipolar y salida tecnologa mos
IGBT es un transistor con entrada tecnologa mos y salida tecnologa bipolar
La inductancia critica es aquella que hace que el rizado sea mnimo
La intensidad media en extremos de un condensador vale cero
La onda cuadrada est compuesta por un nmero finito de armnicos de orden impar
La potencia media que disipa un diodo solo depende del valor de la intensidad media que circula
La red snubber tiene la misin de evitar variaciones bruscas de tensin en extremos del semiconductor
La ruptura por avalancha en un transistor se denomina primera ruptura
La tensin media en externos de una bobina vale cero
La VCEMAX de un transistor depende de la polarizacin BE
La VCEMAX de un transistor depende de la polarizacin de la base
La VCEmax que puede soportar un transistor no depende de la tensin de polarizacin b-e
La ventaja del BJT frente al Mosfet es que la impedancia de entrada del bipolar es mucho mas elevada

Para compensar la intensidad de dos diodos en paralelo se colocan resistencias en paralelo con los diodos
Para corrientes peridicas la tensin media por la bobina y el condensador es cero
Para evitar que la energa almacenada en la bobina dae al transistor cuando pasa a corte se coloca un diodo en paralelo con
la misma que se denomina diodo volante
Para evitar que la energa almacenada en la bobina dae al transistor cuando pasa a corte se coloca un diodo en serie con la
misma que se denomina diodo volante
Para limitar el efecto de la dv/dt sobre un semiconductor se coloca una red rc en paralelo
Si la impedancia de carga es pequea se utiliza un convertidor reductor
Si la Intensidad mxima a soportar por un diodo es muy elevada, se colocan varios en paralelo
Si la tensin inversa mxima a soportar por un diodo es muy elevada, se colocan varios en paralelo
Solo algunos dispositivos semiconductores introducen distorsin armnica
Todos los dispositivos electrnicos introducen distorsin armnica
Un Mosfet en conmutacin ON trabaja en la zona Ohmica
Una PC es una carga lineal
Una red RCpen paralelo con ungsemiconductor limita la di/dt mxima permitida
infinita.

p
g
fuente.
Dado un capacitor ideal descargado, si se conecta a una fuente NO ideal de corriente: C toma mxima potencia de la fuente
en el momento de conexin.
Un inductor ideal almacena energa en forma de corriente electrica.
Un inductor ideal almacena energa en forma de diferencia de potencial en bornes.
Un inductor ideal conectado a una fuente ideal de tensin, puede consumir energa.
Un inductor ideal conectado a una fuente ideal de tensin, puede entregar energa.
Un inductor ideal conectado a una fuente ideal de corriente mediante interruptor*,
p
ydesarrolla tensin infinita.
infinita.

indefinidamente.

p
p
exponencialmentehasta cero.
Si existe corriente por el devanado de un L ideal, al disponer sus bornes en cortocircuito, la misma aumenta cuando un
segundo devanado coloidal gemelo se pone en corto.
Si existe corriente por el devanado de un L ideal, al disponer sus bornes en cortocircuito, la misma disminuye si un segundo
devanado se arrolla en sentido opuesto (y se pone en corto)
La saturacin del transistor puede definirse como el nivel de corriente de base por encima del cual ningn incremento
aumenta significativamente la corriente de colector
La saturacin del transistor puede definirse como el nivel de corriente de base por encima del cual la corriente de colector
alcanza el valor mximo tolerado por el componente.
Para una corriente de colector dada y un beta forzado definido, la tensin colector - emisor de saturacin (Vce sat) es
aproximadamente 0,3 V para transistores de Silicio
Para una corriente de colector dada y un beta forzado definido, la tensin colector - emisor de saturacin (Vce sat) es difinida
por el fabricante( o sea surge de las hojas de datos).
Cuando opera como interruptor cerrado, en un IGBT la corriente de colector depende del tipo de transistor (simple, doble
Darlington, exictac complementaria, etc)
Cuando opera como interruptor cerrado, en un IGBT la corriente de colector depende del valor de la tensin de sobreexitacin aplicada entre gate y souce.
Cuando opera como interruptor cerrado, en un IGBT la corriente de colector depende del circuito externo.
Para el transistor de potencia bipolar la zona de avalancha se refiere a Tensin colector-emisor alta
Para el transistor de potencia bipolar la zona de avalancha se refiere a corriente de colector alta.
Para el transistor de potencia bipolar la zona de avalancha se refiere a tensin inversa de colector a emisor.
Para el transistor de potencia bipolar la zona de avalancha se refiere a tensin inversa de base emisor.
La ruptura secundaria es un fenmeno que degrada a todos los semiconductores de potencia
La ruptura secundaria es un fenmeno que degrada solamente a transistores cualquiera sea su tipo.
La ruptura secundaria es un fenmeno que degrada solo a transistores bipolares.
Los MOSFET de potencia operan a menor frecuencia que los transistores bipolares.
Los MOSFET de potencia son sumamente sensibles a las tensiones estaticas entre DS.

Los MOSFET de potencia presentan tensiones de umbral del orden de los 5V.
Los MOSFET de potencia se( acepta
) conectar en paralelo facilmente tres o mas unidades.
fundamental.

fundamental.

y
g

fundamental.

(
)
y
corriente.
Sobre la salida de un inverdor que suministra tensin senoidal pura, si la carga toma corriente no senoidal, el factor de
potencia depende de la amplitud de la corriente fundamental de la carga.
IGBT significa "Input gate biass transistor"
IGBT significa "Input gate bipolar transistor"
Los IGBT ofrecen bajas perdidas de conduccin en estado activo respecto del Mosfet.
Los IGBT presentan alta impedancia de entrada.
Los IGBT presentan ruptura secundaria.
Los IGBT la VGS de exitacin debe superar un umbral para encenderlo.
la variacin de la corriente en el tiempo di/dt depende del circuito externo.

Un BJT con carga inductiva, trabajando en conmutacin, disipa igual potencia que con resistiva.
Un BJT con carga resistiva, trabajando en conmutacin, disipa menos potencia que con inductiva.
Un BJT con carga inductiva disipa una potencia despreciable en conmutacin.
La disipacin de potencia de un BJT en conmutacin es independiente de la frecuencia de trabajo.
El BJT no tiene 2da ruptura.
MOSFET.
Los MOSFET tienen una menor velocidad de conmutacin que los IGBT.
El SOA de un MOSFET esta limitado por su VDSmx, IDmx y su hiprbola de mxima disipacin.
La red de SNUBBER se usa para minimizar las prdidas en saturacin.
La constante de tiempo del RC de una red de SNUBBER, tiene que ser por lo menos cinco veces menor que el
ton (tiempo de conduccin) del interruptor a proteger.
proteccin.
funcionamiento.
El tiempo de Storage (almacenamiento) ts limita la regulacin
El ts es muy importante en el clculo de potencia de prdidas de un interruptor.
El tiempo ts es despreciable comparado con el resto de los tiempos de conmutacin.
Durante el ts el transistor BJT no conduce.
amplificacin o activa.
zona activa.
Un convertidor DC/DC en conmutacin tiene mejor rendimiento que otro trabajando en la zona activa.
Los convertidores conmutados tienen la ventaja de trabajar en la zona de amplificacin.
Un convertidor DC/DC tipo BUCK-BOOST posee aislamiento galvnico.
La corriente media, en un BUCK-BOOST, por su inductor es igual a la de salida Io.
En un BUCK-BOOST la tensin de salida esta en fase respecto a la alimentacin E.
En un BUCK-BOOST la corriente media por su capacitor de filtro es cero.
Un convertidor DC/DC es discontinuo si el ciclo de actividad es < 0,5
Un convertidor DC/DC es continuo si la corriente en su inductor nunca se corta.
En un convertidor DC/DC la inductancia crtica Lc permite calcular la mxima carga posible.
Si L<Lc el convertidor DC/DC es continuo.
contenido armnico.
Un convertidor CUK es ptimo dado que permite tambin ser trabajado de manera discontinua.
Un convertidor CUK es ptimo porque es el convertidor DC/DC de mayor rendimiento.

Un convertidor CUK es ptimo porque no invierte tensin E versus Vo y es reductor/elevador.

Para un mismo Vc , carga y frecuencia, el capacitor de filtro de un BUCK es mayor al de un BOOST.
La resistencia ESR en un convertidor DC/DC no es funcin de la frecuencia.
La variacin de la tensin de salida en un DC/DC es dependiente del ESR.
Para minimizar el ESR los capacitares de filtro se ubican en serie.
En un convertidor BOOST la corriente en su inductor crece con una pendiente E/L.
En la L de un BOOST siempre la pendiente de crecida y bajada de la corriente son iguales.
En un BOOST la corriente en su inductor crece con una pendiente (Vo-E)/L
En un BOOST la pendiente de crecida de la corriente en L no depende de la variacin de E.
En un convertidor con aislamiento galvnico las masas de entrada y salida se unen.
corriente.
En un convertidor reductor con aislamiento, su diodo de salida es fundamental para el rendimiento.
En un convertidor reductor con aislamiento, su inductor de salida es fundamental para el rendimiento
transistor de potencia.
En un convertidor reductor FORWARD ideal su ciclo de actividad queda limitado a un 50%.
su salida.
El convertidor FORWARD dado su L-C de salida es ventajoso en MCD (discontinuo).
El convertidor FLY-BACK es ms estable si trabaja en modo continuo (MCC).
es igual a 2E.
En el FLY-BACK es necesario siempre un tercer devanado para devolver la energa magnetizante.
En un FLY-BACK, dado su funcionamiento, no es necesario proteger su salida contra cortocircuito.
En un convertidor PUSH-PULL, la corriente media por cada interruptor es igual a la mitad de la E.
La salida de un PUSH-PULL no usa un filtro L-C.
En un PUSH-PULL se limita el ciclo de actividad al 50% dado que hay que devolver la energa magnetizante a E.
En el diseo del PUSH-PULL, el tiempo de conduccin mnimo de los transistores depende solo de tr y tf
En un convertidor SEMIPUENTE la corriente media por sus interruptores es la mitad de la entregada por E.
La tensin mxima soportada por los transistores en un SEMIPUENTE es 2E.
menos tensin.
En un SEMIPUENTE en algunas ocasiones el ciclo de actividad es > al 50%.
El convertidor PUENTE, a igual potencia, comparado con otros convertidores exige menos a sus transistores.
En un convertidor PUENTE la corriente media por sus transistores es igual a la entregada por E.
Un convertidor PUENTE es apropiado en conduccin discontinua.
El IGBT ofrece bajas prdidas de conduccin en estado activo respecto del Mosfet.
Los IGBT operan a mas alta frecuencia que los Mosfet.
EL IGBT tolera proteccin contra cortocircuito por accin inhibidora de la seal de control.
Al IGBT por la impedancia de gate alta el circuito excitador solamente entrega tensin.
El nivel de prdidas del IGBT en conduccin es msbajo que el de un Mosfet equivalente.

Los Mosfet operan a menor frecuencia que los TBJ.

Para un regulador DC/DC reductor, el valor crtico del inductor depende pricipalmente de la corriente de carga.
Para un regulador DC/DC reductor, el valor crtico del inductor depende pricipalmente de la velocidad del diodo recuperacin.
Para un regulador
DC/DC reductor, el valor crtico del inductor depende
pricipalmente
de la tensin de entrada.
g
p
p p
p
corriente.
Para un regulador DC/DC reductor, el valor crtico del inductor depende pricipalmente de la frecuencia de trabajo.
Para un regulador DC/DC reductor, el valor crtico del inductor depende pricipalmente del capacitor de filtro asociado.
Para un regulador DC/DC reductor, el valor crtico del inductor depende pricipalmente de la potencia del equipo.

eficaz.
La distorcin armnica total (THD)es la medida de la similitud entre la forma de onda de la corriente fundamental de la carga.
p

principal.
El diodo de potencia la carga de recuperacin Qrr se refiere a portadores necesarios para cortar el diodo.
El diodo de potencia la carga de recuperacin Qrr se refiere a portadores que mientras que no se anulen hacen que sea un
diodo en corto (baja Z anodo-ctodo)
Qrr depende de la corriente directa de carga If.
Qrr depende de la -di/dt permitida por el circuito de carga.
Qrr depende de la tensin inversa aplicada durante el apagado.
IRR es la corriente inversa mxima y depende de la tensin inversa aplicada.
IRR es la corriente inversa mxima y depende deg el tipo constructivo
p del diodo (para iguales condiciones circuitales y operativas)
corriente.