Difusin en

slidos

Difusin
Difusin

Fenmeno de transporte de masa

por movimiento atmico

Mecanismos
Gases y Liquidos movimiento aleatorio
(Browniano)
Slidos difusin por vacancias o difusin
intersticial.

Difusin en slidos
Interdifusin o difusin de impurezas: Los tomos de un metal difunden en el otro.
Los tomos migran de las regiones de alta concentracin a la de baja concentracin.

Inicial

Despus de un tiempo

Perfiles de concentracin
concentracin

Perfiles de

Autodifusin
Autodifusin: En metales puros, los tomos del mismo tipo puede
intercambiar Posiciones. No puede observarse por cambios de composicin.

tomos etiquetados
C
A
D
B

Despus de un tiempo
C
D

A
B

A nivel atmico, la difusin consiste en la migracin de los tomos de un

sitio de la red a otro. En los materiales slidos, lo tomos estn en
continuo movimiento.
La movilidad atmica requiere 2 condiciones:
1)un lugar vecino vaco
2)el tomo debe tener suficiente enrga como para rompere los
enlaces con los
tomos vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento.

A una temperatura determinada una pequea fraccin del nmero total de

tomos es capaz
De difundir debido a la magnitud de su energa vibratoria.
4

Mecanismos de difusin
Difusin por vacancias
Difusin intersticial

Difusin por vacancias

intercambio de un tomo de una posicin reticular normal a una vacancia o

lugar reticular vecino vaco.
applies to substitutional impurities atoms
la tasa depende de:
--nmero de vacancias
--la energa de activacin para el intercambio.

Aumento del tiempo transcurrido

Simulacin de la difusin
Interdifusin a
travs De una
interfaz

La tasa de difusin
substitucional depende de:

--concentracin de vacancias
--frecuencia de saltos.

El movimiento de los tomos en la difusin va en sentido opuesto al

de las vacancias.

 Difusin intersticial tomos que van desde

una posicin intersticial a otra vecina
desocupada.
Tiene lugar por interdifusin de solutos que
tiene tomos pequeos (como H, C, N, O) .

Es ms rpida que la difusin por vacancias

Procesos que usan

difusin
Endurecimiento:

-tomos de carbono se
difunden a la superficie
--Ejemplo: engranes de acero

 Resultado: la presencia de tomos

de C hacen que el hierro (acero) sea
ms duro.

Procesos que usan

difusin
Dopar silicio con fsforo para tener semiconductores tipo n
0.5 mm

1. Se depositan capas ricas

en P sobre la superficie.
magnified image of a computer chip
silicon

2. Se calienta
3. Resultado: Regiones del
Semiconductor dopadas

light regions: Si atoms

silicon

light regions: Al atoms

Cuantificacin
Cmo cuantificamos la tasa de difusin?

J Flux

moles (or mass)

diffusing
surface areatime

Mediciones empricas

mol

or

cm s

kg
2

m s

Hacer una pelcula delgada (membrana) con rea

superficial conocida
Imponer un gradiente de concentracin
Medir qu tan rpido los tomos o molculas se
dufunden a travs de la membrana.

l
Fluj J

At
dM
o
A dt

M=
mass
diffused

J slope
time
10

Difusin en estado
estacionario
Condicin de estado estacionario: el flujo de difusin no cambia con el
tiempo
Flujo proporcional al gradiente de concentracin =

dC
dx

C1 C1

Primera ley de Fick:

C2
x1

x2

C2

J D

dC
dx

D coeficiente de difusin [m2/s]

si es lineal
dC

C
dx
x

C2 C1
x2
x1

La direccin de difusin es
contraria Al gradiente de
concentracin:
Va de alta a baja
concentracin

Ejemplo: Guantes protectores

contra
qumicos
El cloruro de metileno es un ingrediente comn
para remover pintura. Adems de ser irritante,
puede absorberse por la piel. Cuando se utiliza
este removedor de pintura se deben usar
guantes protecores.
Si se utilizan guantes de caucho butlico (0.04 cm
de espesor), cul es el flujo de difusin del
cloruro de metileno a travs del guante?
Datos:
Coeficiente de difusin en caucho butlico:
D = 110 x108 cm2/s

 Concentraciones en
superficies:

C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3

Ejemplo (cont).
Solucin asumiendo un gradiente de concentracin lineal

guante
C1
Removedor

t b

J - D

6D

piel

de pintura

C2

Datos:

J (110 x 10
8

3
2
2 g/cm
cm /s)

C1

D
C2

x2 x1

dx

x1 x2

dC

-8

D = 110 x 10 cm /s
C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
x2 x1 = 0.04 cm

0.44 g/cm
)
(0.04 cm)

1.16 x 10

-5

g
2

cm s
13

Difusin y
temperatura
El coeficiente de difusin aumenta con la temperatura.

Qd

D Do exp
RT
D = coeficiente de difusin [m2/s]
Do = pre-exponencial [m2/s]
Qd = energa de activacin [J/mol or eV/atom]
R = constante de los gases [8.314 J/mol-K]
T = temperatura absoluta [K]

300

600

1000

1500

D depende exponencialmente de T

T(C)

10-8
D (m2/s)

Dintersticial >> Dsubstitucional

C en -Fe
C en -Fe

10-14

10-20

0.5

1.0

1.5

1000 K/

Al en Al
Fe en -Fe
Fe en -Fe

Example: At 300C the diffusion coefficient and activation energy for Cu

in Si are
D(300C) = 7.8 x 10-11 m2/s
Qd = 41.5 kJ/mol
What is the diffusion coefficient at 350C?

ln D

transform data

Temp = T

lnD2 lnD
0

1/T

Q 1
T
R
d

and

lnD lnD
0

Q 1

Q 1
T
Rd
1

2
lnD ln D

lnD2

1
1

R
T

16

D
D
2

Example (cont.)

exp Qd 1 1
1

R T T
2
1

T1 = 273 + 300 = 573 K

T2 = 273 + 350 = 623 K

11

D2

(7.8 x
10

4
1
,500
J/mol

m /s)
exp

8.314

J/mol 623
K
K

573 K

D2 = 15.7 x 10-11 m2/s

17

Difusin en estado no
estacionario
La concentracin de las especies que se
difunden es funcin tanto de la posicin como
del tiempo C=C(x,t)
En condiciones no estacionarias utilizamos la ecuacin con
derivadas parciales:

Si el coeficiente de difusin es independiente de la

composicin, la ec. anterior se simplifica a:
2

C D C
2
t
x

Segunda ley de Fick

Las soluciones a esta ecuacin se consiguen especificando

condiciones lmites Fsicamente significativas.

18

Consideraciones para la
solucin
En la prctica, una solucin importante es la de un slido
semiinfinito cuya concentracin superficial se mantiene
constante.
Frecuentemente la substancia que difunde es un gas, cuya
presin parcial se mantiene constante.
Se plantean las siguientes hiptesis:
1.
2.
3.

Antes de la difusin, todos los tomos de soluto estn

uniformemente distribuidos en el slido a concentracin C0.
El valor de x en la superficie es cero y aumenta con la distancia
dentro del slido.
El tiempo se toma igual a cero en el intante inmediatamente
antes de empezar la difusin.

Estas condiciones lmite son:

Para t=0,
C= C0 a 0 x
para t>0,
C= Cs (la concentracin superficial constante)
x=0
C= C0 a x=
Aplicando las condiciones iniciales, se obtiene la solucin:

C x,t
Co

Cs Co

1erf

2 Dt

Solucin:

C x,t
Co

Cs Co

= funcin error

y 2

0 dy

1erf

2 Dt

C(x,t) = Conc. En el punto x al

S
tiempo t
erf (z)

C(x,t)
Co

20

 Cobre difundindose hacia una barra de aluminio.

Conc. superficial
Cs de tomos de
Cu
.

bar
Conc. pre-existente Co de tomos de cobre

Cs

21

C x,t

Co

1erf

Cs Co

2 Dt

Cuando se desea conseguir una concentracin

determinada de soluto C1, el primer miembro de la ec. se
convierte en:

En esta condicin, el segundo miembro de la ec es una

constante:
o

Perfil de
concentracin Para
difusin en estado
no Estacionario.

Valores de la funcin
error

Ejemplo
Para algunas aplicaciones tecnolgicas es ms
conveniente endurecer la superficie del acero
que el interior. Un camino para conseguir este
fin es incrementar la concentracin de carbono
de la superficie en un proceso llamado
carburacin. La muestra de acero se expone a
elevada temperatura, en una atmsfera rica en
un hidrocarburo gaseoso, tal como el metano
(CH4).
Se trata a 450C un aleacin con una
concentracin inicial uniforme de 0.25% en
peso de carbono. Si la concentracin del
carbono de la superficie se lleva y se mantiene
a 1.2% ,
cunto tiempo se necesita para conseguir un
contenido del 0.80% a 0.5 mm de
profundidad? El coeficiente de difusin del
carbono
en 2el hierro a esta temperatura es de
11
1.6x10 m /s. Se supone que la muestra es
semiinfinita.

Solucin
Problema de difusin en estado no estacionario.
Co=0.25% C
Cs=1.2% C
Cx=0.80%
X=0.5 mm= 5x104 m
D=1.6x1011 m2/s
As:

Debemos encontrar el valor de z para el cual la funcin error es de 0.4210.

Para ello hacemos una interpolacin usando los datos de la tabla:

 Entonces
Despejando t:

Ejemplo 2
Los coeficientes de difusin del cobre y del aluminio a 500
y 600C son 4.8x1014 y 5.3x1013 m2/s, respectivamente.
Determine el tiempo aproximado necesario para conseguir
a 500C la misma difusin del Cu en Al en un punto
determinado, que un tratamiento de 10 h a 600C.
Usamos la ec.

La composicin de ambas difusiones es igual en la

misma posicin (x) Entonces
Dt = constante a ambas temperaturas

(Dt)500=(Dt)600

Ejemplo 3
Los dispositivos como transistores se fabrican
dopando semiconductores con diversos dopantes
para generar regiones que tengan semiconductividad
tipo p o tipo n. El coeficiente
de
difusin del fsforo
13
2
(P) en el Si es D=6.5x10 cm /s a 1100C. Suponga
que la fuente proporciona
una concentracin
20
superficial de 10 tomos
/cm3 y que el tiempo de difusin es una hora.
Suponga que para empezar, la oblea de silicio no
contiene P.
A) Calcule la 18
profundidad a
la cual la concentracin
3
de P ser 10 tomos/cm .
B)Qu suceder con el perfil de concentracin al
enfriar la oblea de Si con contenido de P?
C) Qu suceder si ahora se debe recalentar
la oblea para difundirle boro y crear una
regin tipo p?

Factores involucrados en la
difusin
Especies que se difunden
La magnitud del coef. De difusin D es
indicativo de la tasa a la cual los
tomos se difunden.
Las especies que se difunden al igual
que el material base influencian el
coef. De difusin.

Temperatura
Influencia profunda en el coeficiente de
difusin y la tasa de difusin (D puede
aumentar 6 rdenes de magnitud al

aumetar la T de 500 a 900C en la

difusin de Fe en Fe)

Diffusing
Sp ecies

Host
M etal

Fe

Ac tivatio11 Energy Qd

Calculated Va/ues

Do(m /s)

kJ/ mol

eV/ atom

Teq

D(m 2/s)

ex-Fe
(BeC)
y-Fe
(FeC)

2.8 X 10-4

251

2.60

3.0 X 10-21
1.8 X 10-15

5.0 X 10-5

284

2.94

500
900
900
1100

a-Fe

6.2 X 10-7

80

0.83

500
900

7.8 x w- 16
2.4 x w-12
1.7 X 10-

y-Fe

2.3 x Jo-s

148

1.53

900
1100

5.9 x w- 12
5.3 x w-l 1

Cu
Zn

Cu

4.2 X 10-19
4.0 X 10-Js

eu

Al

Mg

Al

10-5
10-4

eu

Ni

136
131
256

2.19
1.96
1.49
1.41
1.35

500

Al

10-5
10-5
10-4

211

Al

7.8 X
2.4 X
2.3 X
6.5 X
1.2 X
2.7 X

Fe

eu

10-5

189
144

2.65

500
500
500
500
500

Source: E. A. Brand es and G. B. Brook (Editors) , Smithells Metals Reference Book, 7th edition ,
Butterworth- Heinemann , Oxford , 1992.

1.1 x w-1 7

10

4.2 x w- 14
4.1 xw- 14
1.9 xw- 13
1.3 x w-22

Resumen
Difusin MS RPIDA para...

Difusin MS LENTA para...

estructuras cristalinas abiertas estructuras con

empaquetamiento compacto
materiales con enlaces
secundarios
materiales con enlace
covalente
tomos pequeos
tomos grandes
materiales con baja
materiales con alta
densidad
densidad

31